Spice基本语法
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•无源器件：电阻、电感、电容
1、电阻
RXXX n1 n2
例：R1 1 2 10K
Rac 9 8 1 AC=1e10
Rterm input gnd R=’sqrt(HERTZ) ’
2、电容
CXXX n1 n2
例：C1 1 2 1pF
3、电感
LXXX n1 n2
例：L1 1 2 1nH
•有源器件：Diode、BJT、JEFET、MOSFET
1、Diode（二极管）
DXXX N+ N- MNAME
可选项：AREA是面积因子，OFF是直流分析所加的初始条件，IC=VD 是瞬态初始条件
注：模型中的寄生电阻串联在正极端
2、BJT（双极性晶体管）
QXXX NC NB NE
NC、NB、NE、NS分别是集电极、基极、发射极和衬底节点，缺省时NS接地。后面与二极管相同。
3、JFET（结型场效应晶体管）
JXXX ND NG NS MNAME
4、MOSFET（MOS场效应晶体管）
MXXX ND NG NS NB MNAME
M为元件名称，ND、NG、NS、NB分别是漏、栅、源和衬底节点。MNAME 是模型名，L沟道长，W为沟道宽。
•子电路
1、子电路定义开始语句
.SUBCKT SUBNAM
其中，SUBNAM为子电路名，n ode1…为子电路外部节点号，不能为零。子电路中的节点号（除接地点），器件名，模型的说明均是局部量，可以和外部的相同。
例： .SUBCKT OPAMP 1 2 3 4
2、子电路终止语句
.ENDS
若后有子电路名，表示该子电路定义结束；若没有，表示所有子电路定义结束。
例： .ENDS OPAMP / .ENDS
3、子电路调用语句
X*****
在Spice中，调用子电路的方法是设定以字母X开头的伪元件名，其后是用来连接到子电路上的节点号，再后面是子电路名。
例：……
.SUBCKT INV IN OUT wn=1.2u wp=1.2u
Mn out in 0 0 NMOS W=wn L=1.2u
Mp out in vdd vdd PMOS W=wp L=1.2u
.ENDS
X1 IN 1 INV WN=1.2U WP=3U
X2 1 2 INV WN=1.2U WP=3U
X3 2 OUT INV WN=1.2U WP=3U
激励源：独力源和受控源
独立源：直流源（DC Sources）交流小信号源（AC Sources）瞬态源（Transient Sources）脉冲源指数源正弦源分段线性源1、直流源（DC Sources ）
VXXX N+ N- DC VALUE
IXXX N+ N- DC VALUE
例：V1 1 0 DC=5V
I1 1 0 DC=5mA
2、交流小信号源（AC Sources）
VXXX N+ N- AC
IXXX N+ N- AC
其中，ACMAG和ACPHASE分别表示交流小信号源的幅度和相位。
例：V1 1 0 DC=5V AC 1V
3、瞬态源（Transient Sources ）
a、脉冲源（又称周期源，PULSE Sources）
VXXX N+ N- PULSE (V1 V2 TD TR TF PW PER)
其中，V1初始值，V2脉动值，TD延时，TR上升时间，TF下降时间，PW脉冲宽度，PER脉冲周期。
例：Vin 1 0 PULSE (0V 5V 10ns 10ns 10ns 40ns 100ns)
b、分段线性源（PWL Sources）
VXXX N+ N- PWL (T1 V1
其中,Vi是Ti时刻的值，repeat是开始重复的起始点，delay是延迟时间
例：V1 1 0 PWL 60n 0V,120n 0V,130n 5V,170n 5V,180ns 0V,R 0 V2 2 0 PWL 60n 0V,120n 0V,130n 5V,170n 5V,180ns 0V,R 60n
c、VXXX N+ N- SIN(V0 VA FREQ TD THETA PHASE)
其中,VO偏置，VA幅度，TD延时，THETA阻尼因子，PHASE相位
例：VIN 3 0 SIN (0V 1V 100MEG 2NS 5e7)
d、指数源（EXP Sources）
VXXX N+ N- EXP(V1 V2 TD1 TAU1 TD2 TAU2)
V1是初始值，V2是峰值，TD1是上升延迟时间，TAU1是上升时间常数， TD2是下降延迟时间，TAU2是下降时间常数。