51单片机如何进行ROM外扩
第4章MCS-51单片机系统功能扩展
74LS373结构示意图
74LS373的引脚
引脚说明如下: D7～D0: 8位数据输入端。 Q7～Q0: 8位数据输出端。 G:数据输入锁存控制端：当G为“1” 时，锁存器 输出端与输入端数据相同；当G由“1” 变“0” 时，数据输入锁存器中。 OE#: 输出允许端。
P0口与地址锁存器74LS373的连接
4.1 系统扩展概述
4.1.1 最小应用系统
图4.1 MCS–51单片机最小化系统 (a) 8051/8751最小系统结构图；(b) 8031最小系统结构图
4.1.2 单片机系统扩展的内容与方法
1．单片机的三总线结构
图4.2 MCS–51单片机的三总线结构形式
(1)以P0口作为低8位地址/数据总线。 (2)以P2口的口线作高位地址线。 (3)控制信号线。 *使用ALE信号作为低8位地址的锁存控制信号。 *以PSEN#信号作为扩展程序存储器的读选通信号。 *以EA#信号作为内外程序存储器的选择控制信号。 *由RD#和WR#信号作为扩展数据存储器和I/O口的 读选通、写选通信号。 尽管MCS-51有4个并行I/O口，共32条口线，但由于系 统扩展需要，真正作为数据I/O使用的，就剩下P1 口和P3口的部分口线。
锁存器8282 功能及内部结构与74LS373完全一样，只是其引脚的排 列与74LS373不同 ，8282的引脚如下图。
4.2.2 74LS244和74LS245芯片
在单片机应用系统中, 扩展的三总线上挂接
很多负载, 如存储器、并行接口、A/D接口、显
示接口等, 但总线接口的负载能力有限, 因此常
3) 采用地址译码器的多片程序存储器的扩展
例3 要求用2764芯片扩展8031的片外程序存储器，分配的 地址范围为0000H~3FFFH。
51单片机 同时扩展ROM,RAM的具体实现及kiel的具体设置
51MCU内部有RAM，ROM，不同于8031。
尽管如今的增强行51MCU的内部RAM，ROM可能已经很大的空间。
但就技术而言，扩展RAM，ROM还是需要学会的。
对于不同的设计方案需求，扩展可能基于以下任何一种设计：A，只扩展RAMB，只扩展ROMC，扩展ROM，RAM****************************总线扩展时，P2口是否可用做普通IO口************************************这种扩展是基于总线扩展的，所以，P0P2口就已经不可以再做它用了（有网友提供信息，总线扩展P2还可以做普通IO口用，有两种可能：1，P2口复用，如同P1利用373锁存器。
2，在总线扩展时，只用到了低地址总线，P2口未用到。
就作为普通IO口应用。
由于技术还不到位，不做评论。
）*******************************************扩展RAM****程序************************************************扩展RAM，在程序中定义的xdata类型XBYTE类型等地址范围在外部RAM的变量，对其读写的过程。
用C51语言编写程序，且使用总线扩展的RAM，则时序电路不用考虑，WR RD等信号由编译器/硬件自动完成。
**************************************编译器设置*****************************************内部RAM：0x00~~0xFF外部RAM：0x0000~~0xFFFFRAM的地址虽重复，但是两个RAM是没有关系的，所以不会造成干扰使用了外部RAM，就在工程选项---off-chip xdata memory中设置start：0x0000 size：0xFFFF（根据具体的RAM大小设置size）。
*******************************扩展RAM时的变量定位及连续读取问题********************************* ROM，RAM的扩展时，需要用到变量的绝对地址定位，函数定位等。
51扩展程序存储器
存储器的扩展程序存储器的扩展MCS-51单片机程序存储器的寻址空间为64KB，对于8051／8751片内程序存储器为4KB的ROM或EPROM，在单片机的应用系统中、片内的存储容量往往不够，特别是8031，片内没有程序存储器，必须外扩程序存储器。
8051外扩程序存储器结构图如图6-1所示。
扩展程序存储器常用芯片有EPROM（紫外线可擦除型），如2716（2KB）、2732（4KB）、2764（8KB）、27128（16KB）、27256（32KB）等，另外还有＋5V电擦除E2PROM，如2816（2KB）、2864（8KB）等等。
1. 选择芯片原则在选择程序存储器芯片时，首先满足程序容量，其次在价格合理情况下尽量选用容量大的芯片。
芯片少，接线简单，芯片储存容量大，程序调整余量大。
如估计程序总长4KB左右，最好扩展一片8KB的EPROM2764，留有一定的余量。
另外，能用一片8KBEPROM2764则不要选2片2732(4KB)，多一个芯片接线就复杂许多，且功耗增多，尽量减少扩展芯片个数使电路结构简单，提高可靠性。
2. 程序存储器扩展举例例选用8031单片机，程序总量3KB左右，考虑程序存储器的最小扩展系统。
分析：8031单片机内部无ROM，无论程序长短都必须扩展程序存储器，考虑本例的程序量，扩展一片4KB的EPROM最合适。
8031单片机扩展一片4KB的2732程序存储器电路如图6-2所示。
图中74LS373是带三态缓冲输出的8D锁存器，与其功能相同的一组芯片还有8282、74LS273等。
在存储器芯片扩展电路设计时，重点弄清地址线，数据线及控制线的连接方法。
(1) 地址线图中2732共12根地址线AO～All(212=4096B=4KB)，低8位A0～A7通过74LS373与P0接口连接，高四位A8～A11直接与P2接口的P2.0～P2.3连接，P2接口有锁存功能。
(2) 数据线2732数据线D0～D7共8位直接与P0接口的P0.0～P0.7相连。
51单片机内存扩展：从片内ROM跳转到片外ROM
51 单片机内存扩展：从片内ROM 跳转到片外ROM
源于一年前想自己动手给51 写个OS，编译选Large 模式，调试时整个流程都跑的好好的，可是烧写到片上后得不到预期的效果，后来查书才知道
51 单片机片上只有4KRom，如果没有扩展片外Rom，当访问4K 以外的程序空间，程序指针又会回到最开始执行。
参考手册扩展片外Rom 后，能访问达64K 的程序空间。
网上能搜索到的扩展方式都是将EA 引脚接地，让MCU 上电后从外部ROM 开始执行。
但查看芯片手册，明明说EA 为高时，程序从
片内ROM 执行，当执行到0x1000 以上地址时(标准51 单片机)，会跳转到片外ROM 执行。
按网上的做法，为了扩展个片外ROM，片内的基本ROM 都
不用了，有点浪费了，于是开始找资料如何从片内跳转到片外执行。
射人先射马，发帖先上图，仿真图如下:
此处EA 脚没有接地。
如果想简单粗暴的加电时从片外ROM 执行，EA 引
脚接地，双击U2(27C64)Image File 选Hex 然后就可以了，这不是本文的重点，略过，后面可能会写到。
跳转，最简单的方式用LJMP，当然也可以用把跳转地址压入栈，然后ret 过去，不过这种方式我没尝试成功。
用EEPROM扩展单片机ROM实验
实验九用EEPROM扩展单片机ROM实验一、实验目的1.用EEPROM 27C64扩展51单片机ROM（27C64为外ROM）。
2.用proteus设计、仿真基于AT89C51单片机ROM的扩展实验。
3.借助proteus VSM的虚拟逻辑分析仪，观测单片机访问外ROM（即27C64）时地址、数据和控制总线的信号状态。
二、电路设计1.从PROTEUS库中选取元件①AT89C51.BUS：总线式的单片机；②RES：电阻；③7SEG-BCD- GRN：带BCD译码七段绿光数码管；④CAP、CAP-ELEC：电容、电解电容；⑤CRYSTAL：晶振；⑥74LS373：8D锁存器；⑦27C64：EEPROM存储器。
2.放置元器件3.放置电源和地4.连线5.元器件属性设置6.电气检测三、源程序设计、生成目标代码文件1.流程图2.源程序设计（1）通过菜单“sourc e→Build All”编译汇编源程序，生成目标代码文件。
若编译失败，可对程序进行修改调试直至汇编成功。
（1）加载单片机目标代码文件对AT89C51单片机先右击后左击，打开其属性编辑窗口，在“Program File”栏中添加目标代码文件2764.HEX；在“Clock Frequency”栏中输入晶振频率为120HZ。
（2）加载27C64目标代码文件对2764先右击后左击，打开其属性编辑窗口，在映像文件“Image File”栏中输入外ROM程序的目标代码文件P2764.HEX。
四、PROTEUS仿真1.加载目标代码文件2.仿真单击按钮，启动仿真。
启动仿真后，因单片机的EA脚接电源，从单片机内ROM地址0H开始执行指令LJMP 1000H。
因内ROM的最大地址为0FFFH，而外ROM 27C64的地址从0H到1FFFH，当指令地址大于0FFFH时就自动转到外ROM中去执行程序，所以执行LJMP 1000H是跳转到外ROM 27C64的地址1000H处执行外ROM 27C64中的程序。
51单片机外扩ROM方法
51 单片机外扩ROM 方法
51 单片机外扩ROM 方法
强烈建议用户尽可能不要考虑外扩程序存储器，如果非扩不可，可以仿照
下图所示电路进行扩展
图中P0 口输出外部ROM 的低8 位地址信号，P2 口输出高8 位地址信
号；ALE 端输出地址锁存信号，/PSEN 输出程序存储器输出使能信号。
两个模块
P89V51RD2 单片机内部有64K 用户ROM 区和8K BOOT ROM 区两个模块
两个模块在物理上是分开的，尽管地址重合，但一般不会发生冲突。
用户程序存储区
P89V51RD2 内部有64K Flash ROM，不需要用户再进行ROM 扩展
地址范围：0000H～FFFFH
其内部分配和其他51 系列单片机是相同的
Flash ROM 可以反复擦除和下载程序
擦除和编程的方法
并行编程器
ISP （在系统编程：In-System Program）。
第6章 MCS-51单片机系统扩展技术
6.3 数据存储器扩展
6.3.1 静态RAM扩展电路
6.3.2 动态RAM扩展电路
返回本章首页
6.3.1 静态RAM扩展电路
常用的静态RAM芯片有6116，6264，62256等，其 管脚配置如图6-13所示。
1．6264静态RAM扩展 额定功耗200mW，典型存取时间200ns，28脚双列直插 式封装。表6-1给出了6264的操作方式，图6-14为6264静 态RAM扩展电路。
图 6 9
A EEPROM
28 17
扩 展 电 路
写入数据
不是指令
查询 中断 延时
2．2864A EEPROM 扩展
2864A有四种工作方式： （1）维持方式 （2）写入方式 （3）读出方式 （4）数据查询方式
图 6 12
28 64
返回本节
A EEPROM
扩 展 电 路
串行E2PROM简介 串行E2PROM占用引线少、接线简单，适用于作为数据存储 器且保存信息量不大的场合。 以AT93C46／56／57／66为例，它是三线串行接口E2PROM， 能提供128×8、256×8、512×8或64×16、128×16、256×16 位，具有高可靠性、能重复擦写100，000次、保存数据100年 不丢失的特点，采用8脚封装。
第6章 MCS-51单片机系统扩展技术
6.1 MCS-51单片机系统扩展的基本概念
6.2 程序存储器扩展技术
6.3 数据存储器扩展 6.4 输入/输出口扩展技术
T0 T1
时钟电路
ROM
RAM
定时计数器
CPU
并行接口 串行接口 中断系统
P0 P1 P2 P3
TXD RXD
INT0 INT1
51单片机外部存储器的扩展
1. 片内带程序存储器的最 小应用系统 片内带程序存储器 的8051、 8751本身即可构 成一片最小系统，只要将 单片机接上时钟电路和复 位电路即可, 同时EA 接高 电平, ALE、PSEN 信号不 用， 系统就可以工作。 (1) 系统有大量的I/O线可供用户使用: P0、 P1、 P2、 P3四个口都可以作为I/O口使用。 (2) 内部存储器的容量有限, 只有128 B的RAM和4 KB的程序存储器。
8051单片机的总线扩展 8051单片机的总线扩展
系统扩展概述
最小应用系统 单片机系统的扩展是以基本的最小系统为 基础的, 故应首先熟悉最小应用系统的结构。 实 际 上 ， 内 部 带 有 程 序 存 储 器 的 8051 或 8751单片机本身就是一个最简单的最小应用系 统，许多实际应用系统就是用这种成本低和体 积小的单片结构实现了高性能的控制。 对于内部无程序存储器的芯片8031来说, 则 要用外接程序存储器的方法才能构成一个最小 应用系统。
口作为高8位的地址总线 二、以P2口作为高 位的地址总线 口作为高
P0口的低 位地址加上 的高 位地址就可以形成 位的 口的低8位地址加上 的高8位地址就可以形成 口的低 位地址加上P2的高 位地址就可以形成16位的 的寻址能力。 地址总线，达到64KB的寻址能力。 地址总线，达到 的寻址能力 实际应用中，往往不需要扩展那么多地址， 实际应用中，往往不需要扩展那么多地址，扩展多少用 多少口线，剩余的口线仍可作一般I/O口来使用 口来使用。 多少口线，剩余的口线仍可作一般 口来使用。
三、控制信号线 ALE：地址锁存信号，用以实现对低8位地址的锁存。 ：地址锁存信号，用以实现对低 位地址的锁存 位地址的锁存。 PSEN：片外程序存储器读选通信号。 ：片外程序存储器读选通信号。 EA：程序存储器选择信号。为低电平时，访问外部程序存储 ：程序存储器选择信号。 低电平时，访问外部程序存储 外部 高电平时，访问内部程序存储器。 内部程序存储器 器；为高电平时，。 RD：片外数据 ： 存储器读选通信 号。 P2 ALE P0 8051 PSEN WR RD A8~A15 地址 A0~A7 锁存器 D0~D7 地址总线
外扩存储器方法
1.外扩存储器（1）如选27512，不用译码器，可外扩多大容量？答：最大可扩1024K。
因为27512是ROM芯片，它与8051单片机连接时，8051单片机的必须接低电平，8051单片机的接27512的,27512的低8位地址线---分别接8051单片机口的—,---分别接单片机的---,外扩各片ROM的片选分别接8051单片机的口和口（如：外扩第一片ROM的与的相连，第二片ROM的与的相连......,第八片ROM的与的相连，....,第十六片的ROM的与的相连），数据线接口--分别接单片机, 所以最大可扩容量=64K16=1024K.（2）如选62512，不用译码器，可外扩多大容量？答：最大可扩896K.。
因为62512是RAM芯片，RAM同时具有读和写的功能，它与8051单片机连接时，8051单片机的必须接低电平，单片机的（）和()分别接62512的和,62512的低8位地址线---分别接8051单片机口的—,高8位地址线---分别接单片机的---,外扩各片RAM的片选分别接单片机的口和口（如：外扩第一片RAM的与的相连，第二片RAM的与的相连......,第八片RAM的与的相连，....,第十四片的RAM的与的相连）, 数据线接口--分别接单片机所以最大可扩容量=64K14=896K.(3) 如果突破地址界限，如何连接2MB的芯片？答：所用的2MB的芯片是MBM29F016，连接图及管脚分布如下图所示：①2M存储器芯片MBM29F016地址线引脚为：A0~A20 ；②单片机P0.0~P0.7经过锁存器74LS373依次与A0~A7相连，P2.0~P2.7依次与A8~A15相连；③单片机P1.0~P1.4依次与A16~A20相连作为高位地址。
..附：MBM29F016简介MBM29F016是Fuitsu公司生产的一种闪速存储器, 其内部带有2M字节的可重复编程的EEPROM且在掉电时数据不会丢失。
51单片机扩展外部RAM
51单片机扩展外部RAM
今天这个是是以前做过的，没做成，扩展ROM的时候失败了~~不过今天主要的就是扩展外部的RAM，这个相对比较简单点，不想外部的ROM还要设置太多的编译器~~
单片机扩展外部RAM
一、扩展总线
1、简介（这种扩展是基于总线扩展的，所以，P0、P2口就已经不可以再做它用了）
1）数据总线宽度为8位，由P0口提供；
2）地址总线宽度为16位，可寻址范围2的16次，也就是64K。
低8位
A7~A0由P0口经地址锁存器提供，高8位A15~A8由P2口提供。
由于P0口是数据、地址分时复用，所以P0口输出的低8位必须用地址锁存器进行锁存；
3）控制总线由RD、WR、PSEN、ALE和EA等信号组成，用于读/写控制、片外RAM选通、地址锁存控制和片内、片外RAM选择。
地址锁存器一般选用带三态输出缓冲输出的8D锁存器74LS373。
2、片外RAM的操作时序
进行RAM的扩展，其扩展方法较为简单容易，这是由单片机的优良扩展性
能解决的。
单片机的地址总线为16位，扩展的片外RAM的做大容量为
64KB，地址为0000H~FFFFH。
1）由于51单片机采用不同的控制信号指令，尽管RAM和ROM地址是重
叠的，也不会发送混乱。
2）51单片机对片内和片外ROM的访问使用相同的指令，两者的选择是由。
第6章 89c51系列单片机的扩展
74LS373,直接从P0口送到数据总线上。
2. 最小系统工作时序
如下图所示：
一个机器周期 S1 ALE
一个机器周期
S2 S3
S4
S5
S6
S1
S2 S3
S4
S5
S6
PSEN
P2 PCH输出
PCH输出
PCH输出
PCH输出
PCH输出
PCH输出
输入
PCL
输出
指令 输入
PCL
输出
指令 输入
PCL
输出
指令 输入
PCL
输出
PCL输出有效
PCL输出有效
PCL输出有效
PCL输出有效
最小系统的工作时序
PCL 输出 有效
P2口送PCH 信息，P0口送PCL 信息和输 入指令。在每一个Tcy中，ALE两次有效， PSEN两次有效。ALE第一次发生在S1P2和 S2P1期间,在S2状态周期内,ALE下降沿将P0 口低8位地址信息PCL锁入74LS373。在S4状 态周内，PSEN上升沿将指令读入CPU。
VppVccCE GND
A7 A8 23 22 A10 19
I/O
74LS373 8Q 8D
GND G OE
A0
2716
28 39 O0 . . O7 OE 20
32
P0口具有分时传送低8位地址和8位数据 信息的复用功能。通过ALE信号与地址锁存
器配合使用，从而使得地址信息和数据信息
区分开。
工作原理如下：
2. 具体应用
使用单片E2PROM扩展外部程序存储器
一 片 2864E2PROM 和 地 址 锁 存 器
74LS373构成MCS-51系列单片机中8031
单片机扩展外部ROM或RAM读写时序
10
19
11
18
12
17
13
16
14
15
2764 27128 27256 27512
Vcc Vcc Vcc
Vcc
PGM PGM A14
A14
NC
A13 A13
A13
A8
A8
A8
A8
A9
A9
A9
A9
A11 A11 A11
A11
OE
OE
OE
OE/Vpp
A10 A10 A10
A10
CE
CE
CE
CE
Q7
Q7
Q7
Q7
Q6
Q6
Q6
Q6
Q5
Q5
Q5
Q5
Q4
Q4
Q4
Q4
Q3
Q3
Q3
Q3
EPROM存储器扩展电路：
P2.0-P2.4
ALE
P0
80C31
EA
74LS373
G OE
D7 Q7 :: :: D0 Q0
PSEN
A8-A12
A7
: :
2764A
A0
D0～D7
CE OE
2、EEPROM存储器及扩展
常用的EEPROM芯片有2864、2817等 。
由于80C51采用不同的控制信号和指令 ，尽管ROM 与RAM的地址是重叠的，也不会发生混乱。
80C51对片内和片外ROM的访问使用相同的指令，两 者的选择是由硬件实现的。
芯片选择现在多采用线选法，地址译码法用的渐少。 ROM与RAM共享数据总线和地址总线。
访问片外ROM的时序 ：
51单片机外部存储器的扩展
一、地址线旳译码
存储器芯片旳选择有两种措施：线选法和译码法。
1、线选法。所谓线选法，就是直接以系统旳地址线作为 存储器芯片旳片选信号，为此只需把用到旳地址线与存储 器芯片旳片选端直接相连即可。 2、译码法。所谓译码法，就是使用地址译码器对系统旳 片外地址进行译码，以其译码输出作为存储器芯片旳片选 信号。译码法又分为完全译码和部分译码两种。
ALE
8051
LE OE
P0.7
8D 8Q
P0.6
7D 7Q
P0.5
6D 6Q
P0.4
5D 5Q
P0.3
4D 4Q
P0.2
3D 3Q
P0.1
2D 2Q
P0.0
1D 1Q
74HC573 地址总线扩展电路
OE：输出允许端，为0
时芯片有效。
A7
LE：锁存控制端，高电
A6 平时，锁存器旳数据输出端
A5 Q旳状态，与数据输入端D
（1）完全译码。地址译码器使用了全部地址线，地址与存储 单元一一相应，也就是1个存储单元只占用1个唯一旳地址。
（2）部分译码。地址译码器仅使用了部分地址线，地址与存 储单元不是一一相应，而是1个存储单元占用了几种地址。
❖ 二、扩展存储器所需芯片数目旳确定
❖
若所选存储器芯片字长与单片机字长
一致，则只需扩展容量。所需芯片数目按下式
07~00 I0~I7
× 8 ）
扩
锁存器
展
74 HC 573 D0~D7
8位数据
RD
OE
WR
GND WE
图2.2-13 8031与6264的连接
51单片机 存储器的扩展
P1.0 P1.1 P1.2 P1.3 P1.4 P1.5 P1.6
Vcc Vss /CS A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 6116 A8 A9 A10 23 22 19
18
XTAL2
P1.7 P2.0
+5V
+ 10uf
9
RESET/Vpd
P2.1 P2.2 P2.3
8282
EA/Vdd
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0FFFH
终 止 地 址
与P2口相连
通过地址锁存器与P0口相连
注意：没有接入地址线的引线均为0(程序存储器ROM)
线路图
+5V 40
Vcc
20
Vss P1.0 P1.1 P1.2 P1.3 P1.4 P1.5 P1.6
1 2 3 4 5 6 7 8 21 22 23 24 25 26 27 28 39 38 37 36 35 34 33 32
P2.4 P2.5 P2.6
27
28 39 38 37 36 35 34 33 32
STB
/OE
31 10 11 I/O 13 14 15 16 17
11
9
9 10 11 13 14 15 16 17 I/O0 I/O1 I/O2 I/O3 I/O4 I/O5 I/O6 I/O7 /OE 20 /WE 21
1、外部存储器及其地址空间
外部存储器的扩展原因 外部存储器及其地址空间 存储器扩展方法 地址线的设计要求
外部存储器的扩展原因
11.3单片机31-32ROM扩展
4.单片机常用的外存接口芯片
1）单片机与外存的接口芯片可选用EPROM， EEPROM ，PAGED EPROM， KEPROM等形式。 EPROM为紫外线擦除器可编程只读存储器。 EEPROM为电擦除可编程只读存储器。 PAGED EPROM为可页面寻址紫外线擦除器可编程只读 存储器。
KEPROM为有加密操作的电擦除可编程只读存储器。
8D 8Q 7D 74LS 7Q 6D 373 6Q 5D 5Q 4D 4Q 3D 3Q 2D 2Q 1D 1Q G OE
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0
2732
CE GND
EA Vss PSEN
OE
1）由于是单片连接，所以不需地址译码，而将片选CS接地， 芯片的自然地址范围就是它可使用的地址范围： 0000000000000000-1111111111111111 2）或者也可用部分译码法译码，可选用其8个重叠的地址范 围 的任一个， 8个重叠的地址范围为如下： 0000000000000000-0001111111111111，即0000H-1FFFH； 0010000000000000-0011111111111111，即2000H-3FFFH； 0100000000000000-0101111111111111，即4000H-5FFFH； 0110000000000000-0111111111111111，即6000H-7FFFH； 1000000000000000-1001111111111111，即8000H-9FFFH； 1010000000000000-1011111111111111，即A000H-BFFFH； 1100000000000000-1101111111111111，即C000H-DFFFH； 1110000000000000-1111111111111111，即E000H-FFFFH。
51单片机片外扩展RAM
51 单片机片外扩展RAM
一.概述
普通51 单片机可以片外扩展ROM 和RAM 各64K 字节的空间，在实际应用中很少扩展外部ROM，一般都是扩展RAM，因为普通51 单片机的内部RAM 实在太少，只有128-256 字节，处理数据量较大时往往不
够用。
而片外扩展RAM 需要占用P0 口、P2 口和P3.6、P3.7，消耗了18 个IO 口，导致IO 口又不够用。
为了解决以上矛盾，大容量的51 单片机（增强型51 单片机）应运而生，这种单片机一般内置1K-16K 的RAM 和16K-64K 的ROM，价格也相对昂贵。
在某些情况下，用普通51 单片机通过片外扩展RAM 要比直接使用增强型51 单片机更能节约成本。
所以，学习51 单片机片外扩展RAM 是很有必要的。
二.电路设计
在WSF-51DB 开发板上，扩展了32K RAM（HM62256B），地址锁存芯片用74HC573。
如果片外扩展RAM，P0 口作为数据和地址低字节的复用端口，不需要加上拉排阻，当然，加上拉排阻也没有影响。
需要注。
51单片机存储器的扩展
存储器的读写1总体设计思路由于89c51内部只有4kb的flash，当源代码计较大时，4kb就不够用了，就要用到存储器的扩展，而51单片机的端口就提供这样的功能，但51单片机为了减少总线端口，其数据线和低位地址线是复用的，这是数据和地址就要分时传送。
2方案设计3硬件设计1）显示电路：共阳极八段数码管显示1,2,3,4,5,67,8,9,A,B,C,D,E,F 其对应八位显示编码为{0x03,0x9F,0x25,0x0D,0x99,0x49,0x41,0x1F,0x01,0x09,0x11,0xC1,0x63,0x85,0x61,0x71}数码管不能直接显示串型数据，就需要串并转换电路，串并转换电路就是把串型数据转化为并行数据，通过数码管显出来，串并转换电路内部结构是八位移位寄存器，移位寄存器的CP信号是单片机的TXD端口给提供的，DSA和DSB是串型数据输入端接到单片机的RXD端口，原理图如下：2）单片机引脚P2口是高位地址线，直接接到存储器的高位地址，P0口是地址数据复用，数据和地址要分时传送，而lm317八位锁存器配合单片机的ALE脚送出的脉冲锁存地址，达到地址和数据的分时传送，其具体时序图如下写的时序图读的时序图写代码是一定要注意时序，上面是AT89c52原版芯片说明书上的时序图，ALE：（address latch enable）的缩写，地址锁存使能端，ALE输出周期是时钟周期的六倍，即一个机器周期内变化两次，一个ALE周期内前1/3周期为高电平后2/3周期为低电平，P0口地址数据线复用时，P0口先送出地址，ALE在第1/3周期时自动产生一个下降沿，外部锁存器（74HC373）利用这个下降沿将地址锁存，在ALE的1/2周期时P0口送出数据到数据总线上，完成一次并行数据传输。
PSEN：（program store enable）当8051设定成度外部存储器时，会送此信号以便得到数据，当单片机从外部程序存储器读取程序时，PSEN会在一个机器周期内变化两次，在PSEN为高电平时，读入运算码或操作码。
51单片机外部存储器扩展
式。
二、地址译码器法 经过地址译码器，使用较少旳地址信号编码产生较多旳译码信
号，从而实现对多块存储器及I/O器件旳选择。
第410章章 M51单CS片-5机1单外片部机存系储统器功扩能展的扩展
10.3 外部存储器扩展 外部存储器旳扩展涉及程序存储器和数据存储器，这两种扩展
第410章章 M51单CS片-5机1单外片部机存系储统器功扩能展的扩展
10.1.1 I/O口扩展概述
因为MCS-51旳外部数据存储器RAM和I/O口是统一编址旳， 所以，顾客能够把外部64KB旳数据存储器RAM空间旳一部分作为 扩展外围I/O旳地址空间。这么，单片机就能够像访问外部RAM 存储器那样访问外部接口芯片，对其进行读/写操作。
第410章章 M51单CS片-5机1单外片部机存系储统器功扩能展的扩展
第10章 51单片机外部存储器扩展
10.1 外部I/O旳扩展 10.2 存储器概述 10.3 外部存储器扩展
第410章章 M51单CS片-5机1单外片部机存系储统器功扩能展的扩展
第10章 51单片机外部存储器扩展 10.1 外部I/O旳扩展
InteL企业常用外围器件如表10-1所示。
器件型号 8255A
8155/8156 8243 8279 8251 8253
器件名称 可编程外围并行接口 可编程RAM/IO扩展接口
I/O扩展接口 可编程键盘/显示接口
可编程通信接口 可编程定时/计时器
第410章章 M51单CS片-5机1单外片部机存系储统器功扩能展的扩展
SCL
起始/停止时序 写周期时序
SDA
ACK
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
51单片机如何进行ROM外扩
强烈建议用户尽可能不要考虑外扩程序存储器，如果非扩不可，可以仿照
下图所示电路进行扩展
图中P0 口输出外部ROM 的低8 位地址信号，P2 口输出高8 位地址信号；ALE 端输出地址锁存信号，/PSEN 输出程序存储器输出使能信号。
两个模块
P89V51RD2 单片机内部有64K 用户ROM 区和8K BOOT ROM 区两个模块两个模块在物理上是分开的，尽管地址重合，但一般不会发生冲突。
用户程序存储区P89V51RD2 内部有64K Flash ROM，不需要用户再进行ROM 扩展地址范围：0000H～FFFFH 其内部分配和其他51 系列单片机是相同的Flash ROM 可以反复擦除和下载程序擦除和编程的方法并行编程器ISP （在系统编程：In-System Program）直接调用单片机BOOTROM 区的IAP 函数IAP （在应用编程：In-Application Program)一般情况下优先使用ISP 方式，更方便、更快捷
关于BOOT ROM 区存储介质：Flash Memory 容量：8K 字节存储内容：ISP 引导程序和IAP 函数这些程序出厂时已经由PHILIPS 已经写入，用户可以对其修改，但建议一般用户不要试图修改它。
单片机在复位后会等待400ms，如果
在此期间用户在上位计算机上运行了FlashMagic 等类似ISP 软件，且串口通信正常，单片机将进入BOOT ROM 区运行ISP 引导程序；否则，单片机在400ms 以后将自动从用户ROM 区0000H 单元开始运行用户程序关于ISPISP 在系统编程：In-System Program，指用户不必把单片机从目标板上取下来，在特定的软件配合下直接通过串口（或其他端口）就可以对单片机进行读取、擦除、设置和程序下载等操作，从而取代了并行编程器的很多功能。
现在越来越。