半导体发光二极管标准.
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半导体发光二极管
1 范围
本标准规定了冰箱事业部半导体发光二极管的设计选用要求、试验方法、检验规则和包装、贮存。
本标准适用于冰箱事业部控制器、照明指示灯等所选用的半导体发光二极管。
2 规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修改版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。
GB/T 191 包装储运图示标志
GB/T 2423.3-1993 电工电子产品基本环境试验规程试验Ca:恒定湿热试验方法(idt IEC 68-2-3:1984)
GB/T 4937-1995 半导体分立器件机械和气候试验方法(idt IEC 749:1995)
GB/T 4938-1985 半导体分立器件接收和可靠性
GB/T 17626.2-1998 电磁兼容试验和测量技术静电放电抗扰度试验(idt IEC 61000-4-2:1995) QMB-J10.010 关于规范RoHS标识的操作指引
QMB-J10.011 逐批检查计数抽样程序及抽样表
3 半导体发光二极管分类
3.1 按颜色分类
a)红色发光二极管(λD:620-660nm)
b)橙色发光二极管(λD:600-620nm)
c)黄色发光二极管(λD:580-600nm)
d)绿色发光二极管(λD:500-577nm)
e)兰色发光二极管(λD:430-480nm)
:380-410nm)
f)紫色发光二极管(λ
P
g)白色发光二极管(T C:3000-25000K)
3.2 按芯片材料分类
a)InGaAlP/GaAs
b)GaN/ Al2O3或SiC衬底
c)InGaN/ Al2O3或SiC衬底
4 要求
4.1 静电防护工艺要求
因产品易受静电破坏,生产及运输过程中应做好静电防护工作, ImGaAlP/GaAs系列及GaN基/SiC衬
底系列静电等级要求控制在500V以下, GaN基/蓝宝石衬底系列静电等级要求控制在100V以下。
4.2 封装形式及外观要求
4.2.1 封装形式
采用环氧树脂全包封的封装形式。
4.2.2 外观要求
目测环氧表面无明显发花、划伤,出光面无明显气泡、黑点,无多缺料,无明显偏支架,外引线平整,无明显锈蚀、变色及镀层脱落现象。
4.3 极限值(绝对最大额定值)
极限值(绝对最大额定值)见表1。
表1 极限值
4.4 光电特性
4.4.1 InGaAlP系列红色发光二极管光电参数
InGaAlP系列红色发光二极管光电参数应符合表2的规定。
amb
4.4.2 InGaAlP系列黄色发光二极管光电参数
InGaAlP系列黄色发光二极管光电参数应符合表3的规定。
表3 InGaAlP系列黄色发光二极管光电参数表T amb=(25±5)℃
4.4.3 InGaAlP系列橙色发光二极管光电参数
InGaAlP系列橙色发光二极管光电参数应符合表4的规定。
amb
InGaAlP系列绿色发光二极管光电参数应符合表5的规定。
amb
4.4.5 GaN基系列绿色发光二极管光电参数
GaN基系列绿色发光二极管光电参数应符合表6的规定。
表6 GaN系列绿色发光二极管光电参数表 T amb=(25±5)℃
GaN基系列蓝色发光二极管光电参数应符合表7的规定。
表7 GaN系列蓝色发光二极管光电参数表T amb=(25±5)℃
4.4.7 GaN基系列白色发光二极管光电参数
GaN基系列白色发光二极管光电参数应符合表7的规定。
表8 GaN系列白色发光二极管光电参数表T amb=(25±5)℃
4.4.8 GaN基系列紫色发光二极管光电参数
GaN基系列紫色发光二极管光电参数应符合表8的规定。
amb
4.4.9 HFT系列多色发光二极管光电参数
HFT系列多色发光二极管光电参数应符合表9的规定。
amb
4.5 型式检验要求
4.5.1 引出端强度
通过5.4试验后,引出端无断裂、松动,与环氧体之间无相对移动或脱落现象。
4.5.2 引出端可焊性
通过 5.5试验后,湿润表面应覆盖一层平滑而光亮的焊料涂层,浸润面积应大于或等于浸渍面积的95%。
4.5.3 耐焊接热
通过5.6试验后,样品环氧体无明显溶化及变色现象,光电特性参数应符合以下要求:
——V F≤1.1V FO;(I F=20mA)(V FO:试验前电压测试值,以下同。)
——I R≤10uA;(V R=5V)
——I V≥0.9I VO。(I F=20mA)(I VO:试验前光强测试值,以下同。)
4.5.4 快速温度变化及恒定湿热
通过5.7试验后,样品无开裂及引线松动现象,环氧体无明显变色,光电特性参数应符合以下要求:——V F≤1.1V FO;(I F=20mA)
——I R≤20uA;(V R=5V)
——I V≥0.7I VO。(I F=20mA)
4.5.5 电耐久性
通过5.8试验后,光电特性参数应符合以下要求:
——V F≤1.1V FO;(I F=20mA)
——I R≤20uA;(V R=5V)
——I V≥0.7I VO。(I F=20mA)
4.5.6 高温贮存
通过5.9试验后,样品环氧体无明显溶化及变色现象,光电特性参数应符合以下要求:
——V F≤1.1V FO;(I F=20mA)
——I R≤10uA;(V R=5V)
——I V≥0.8I VO。(I F=20mA)
4.5.7 静电放电抗扰度
通过5.10试验后,光电特性参数应符合以下要求:
——V F≤1.1V FO;(I F=20mA)
——I R≤10uA;(V R=5V)
——I V-I VO≤±5%I VO。(I F=20mA)
5 试验方法
5.1 外形测试
用游标卡尺或显微镜测量,尺寸测量结果符合4.2.1中规定。
5.2 外观测试
目测及显微镜下镜检,外观符合4.2.2及4.2.3中规定。
5.3 光电特性测试方法:
按如下方法测试,测试结果符合4.4中规定。
电特性测试一般在相应的恒流恒压源供电下,利用电压电流表进行测试;
光特性的测试主要包括光通量和颜色。光通量的测试可采用积分球法或变角光度计法;颜色特性测试可采用分光光度法或积分法。