场效应管应用手册

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场效应管工作原理及应用

场效应管工作原理（1）场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。

一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。

它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

一、场效应管的分类场效应管分结型、绝缘栅型两大类。

结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。

目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS 功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。

按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。

若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。

结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。

场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。

而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。

见下图。

二、场效应三极管的型号命名方法现行有两种命名方法。

第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。

第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。

例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。

第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。

例如CS14A、CS45G等。

场效应管的使用注意事项模版（四篇）

场效应管的使用注意事项模版使用场效应管需要注意以下几个方面：1. 静电防护场效应管对静电非常敏感，因此在操作过程中需要注意防止静电的产生。

可以在操作场地增加接地线，避免身体或工具带有静电电荷。

同时，在处理场效应管前，先接触接地线或使用防静电手套等器材。

2. 温度控制场效应管在工作过程中会产生一定的热量，因此需要注意控制其工作温度。

过高的温度会导致场效应管寿命缩短、性能下降甚至烧坏。

可以通过散热片或者风扇等降低温度的措施来保证场效应管的正常工作。

3. 电压控制场效应管的工作电压需要符合其规格参数的要求，不得超出其额定电压范围。

过高的电压会导致场效应管击穿损坏，而过低的电压则会导致场效应管无法正常开启。

在使用场效应管时，需要合理选择电压，确保其工作在安全范围内。

4. 静态电流控制场效应管在零偏压下会有一定的静态电流流过，需要根据场效应管的参数要求合理选择零偏电压，以保证其静态电流在规定范围内。

5. 输入输出控制在使用场效应管时，需要合理控制输入和输出电路的设计。

合理匹配输入和输出电路的阻抗，避免输出端负载过大或输入端驱动能力不足。

同时需要注意输入端的静电保护，以防止静电放电对场效应管造成损害。

6. 可靠性测试在使用场效应管之前，可以进行可靠性测试，以确定其质量和性能是否符合要求。

在测试过程中可以进行环境和温度变化的测试，以验证场效应管的可靠性。

7. 使用规范使用场效应管时，需要遵守相关的操作规范和安全要求。

阅读并理解场效应管的产品手册，了解相关的限制和注意事项。

在操作过程中需要小心谨慎，避免不当操作导致场效应管的损坏。

总结起来，使用场效应管需要注意静电防护、温度控制、电压控制、静态电流控制、输入输出控制、可靠性测试和使用规范等方面。

合理的操作和使用能够确保场效应管的正常工作，延长其使用寿命。

场效应管的使用注意事项模版（二）使用场效应管时需要注意以下事项：1. 静电保护：场效应管非常敏感于静电放电，因此在使用过程中，必须确保使用者和工作环境没有静电积聚。

场效应管工作原理与应用通用课件

总结词
增强型场效应管是在正常工作状态下需要加正向栅极电压才能导通，而耗尽型场效应管则是加反向电压导通。
详细描述
增强型场效应管在无电压时，半导体中没有导电沟道，需要加正向栅极电压后才会形成导电沟道；而耗尽型场效应管在无电压时，半导体中已经存在导电沟道，加反向电压后可调节导电沟道的宽度。
绝缘栅双极晶体管（IGBT）
1 2
根据电路需求选择合适的类型
根据电路的电压、电流和频率要求，选择合适的场效应管类型，如N沟道或P沟道。
考虑导通电阻和开关性能
选择导通电阻较小、开关速度较快的场效应管，以提高电路性能。
3
考虑最大工作电压和电流
根据电路的最大电压和电流，选择能够承受的场效应管。
场效应管使用注意事项
正确连接电源和信号线
效应管。
导通不良
02
如果场效应管导通不良，会影响电路性能，需要检查驱动信号
是否正常，以及场效应管本身是否有问题。
噪声干扰
03
如果电路中存在噪声干扰，会影响场效应管的正常工作，需要
采取措施降低噪声干扰。
05
场效应管封装与测试
场效应管封装形式
金属封装
采用金属外壳作为场效应管的封装，具有良好的散热性能和电气性能。
场效应管工作原理与应用通用课件
contents
目录
• 场效应管简介 • 场效应管工作原理 • 场效应管应用 • 场效应管选型与使用注意事项 • 场效应管封装与测试
01
场效应管简介
场效应管定义
场效应管（Field-Effect Transistor ，FET）：是一种利用电场效应控制电流的半导体器件。
电场效应：是指外加电场对导体内部的电荷分布和运动状态产生影响的现象。

场效应管功能及参数介绍

2.2场效应管功能及参数介绍开关电源的基本电路由“交流一直转换电路”, “开关型功率变换器”, “控制电路”和整流稳波电路”而组成.输入的电网电压通过“交流一直流转换电路”中的整流和稳器转换成直流电,该直流电源作为“开关型功率变换器”的输入电源,经过“开关型功率更换器”将直流电转变为高频脉冲电波电压输出给“整流滤波电路”,变成平滑直流供给负载,控制电路则起着控制“开关型功率变换器”工作的作用.开关型功率变换器是开关电源的主电路,开关电源的能量转换,电压变换就由它承担.在直流变换器的基础上,由于高频脉冲技术及开关变换技术的进一步发展,出现了推挽式开关型功率变换器,全挢式开关型功率变换器,半挢式﹑单端正激式.单端反激式开关型功率变换器.其控制方法可分为脉冲宽度调制(PWM)和脉冲频调制(PFM)两种.开关电源最重要的组件是MOSFET,它的开通和关短控制着整个电源运转.MOSFET原意是MOS(METAL OXIDE SEWILONDUCTOR,金属氧化物半导体)FET(FIELD DFFECT TRAHSISTOR,场效应晶体),即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(0),利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管.功率场应晶体管也分为结型绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型(Metal Oxide Semi Conductor FET),简称功率MOSFET(Power MOSPET).结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管(STATIC INTUCTION TRANSISTOR,缩写为SIT).其特点是用栅极电压来控制漏极电流,驱动电路简单,需要的驱动功率小,开关速度快,工作频率高,热稳定性优于GTR,电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10KW的电力电子装置.国际整流器公司.(在International Rectifier,缩写IR)把MOSFET用于高压的器件归纳为第3,6,9代,其中包括3,5代,而用于低压的则为第5,7,8代.功率MOSFET按导电沟通可分P沟道和N沟道;按栅极电压幅值可分为耗尽型(当栅极电压为零时漏,源极之间就存在导电沟道)和增强型(对于N或P沟道器,件栅极电压大珪或小于零时才存在导电沟道,功率MOSFET主要是N沟道增强型).2.2.1.功率MOSFET的结构功率MOSPET的内部结构和电气符号如下周所示,其导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电,是单极型晶体管.导电机理与小功率MOS管相同,但结构上有极大区别.小功率MOS管是横向导电器件,功率MOSFET大都采用垂直导电结构,又称为VMOSFET.大大提高了MOSFET 器件的耐压和耐电流能力.按垂直导电结构的差异,又分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET的结构为多元集.如国际整流器公司的HEXFET采用六边形单元;西门子公司的STPMOSFET采用了正方形单元;摩托罗拉公司的TMOS采用了矩形单元按“品”字形排列.2.2.2功率MOSFET的工作方式截止:漏极间加正电源,栅源极间电压为零.P基区与N漂移区之间形成的PN结,反偏;漏源极之间无电流流过.导电:在栅源极间加正电压Vgs,栅极是绝缘的,所以不会有栅极电流流过.但栅极的正电压会将其下P区中的空穴推开.,而将P区中的少子---电子吸引到栅极下面的P区表面.当Vgs大于UT(开启电压或阀值电压)时,栅极下面P区表面的电子浓度将超过空穴的浓度,P型半导体反型成N型而成为反型层,该反型层形成N沟道而PN结缩小消失,漏极和源极导电.2.2.3功率MOSFET的基本特性1.静态特性其转移特性和转出特性如图所示漏极电流Id和栅源间电压Vgs的关系为MOSFET的转移特性.Id较大时,Id与Vgs的关系近似线性 ,曲线的斜率定义为跨导Gfs.在恒流区内,N信道增强型MOSFET的Id可近似表示为:id=Ido(Vgs/VT-1)² (Vgs>VT)图2.3 场效应管的静态特性或取Ido是Vgs=2Vt时的id值MOSFET的漏极伏安特性(输出特性)与GTR的对应关系为:截止区对应于GTR的截止区;饱和区对应于GTR的放大区;非饱和区对应于GTR的饱和区.MOSFET工作在开关状态,即在截止区和非饱和区之间来回转换.MOSFET漏源极之间有寄生二极管,漏源极间加反向电压时器件导通.功率MOSFET的通态分数,对器件幷联时的均流有利.2.动态特性其测试电路和开关过程如下图所示,开遍延迟时间Td(on)指Vp前沿时刻到Vs等于Vt幷开始出Id的时刻间的时间段.上升时间Tr指Vgs上升到MOSFET进入非绝和区的栅压Vgsp的时间段.Id稳态值由漏级电源电压Ve和漏级负载电阻决定.Vgsp的大小和Id的稳态值有关.Vgs达到Vgsp后,在Vp作用下继续升高直至达到稳态,但Id已不变.开通时间ton指开通延迟时间与上升时间之和.关断延迟时间td(off)指Vp下降到零起,Cin通过Rs和Rg放电,Vgs按指数曲线下降到Vgsp时,Id开始减小为零的时间段.下降时间在指Vgs从Vgsp继续下降起,Id减小,到Vgs<Vt时沟道消失,Id下降到零为止时间段.关段时间 toff指关断延迟时间和下降时间之和.3.MOSFET的开关速度MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系.使用者无法降低Cin,但可降低驱动电路内阻Ro,减小时间常数,加快开关速度.MOSFET只靠多子导电,不存在少子储存效应,因而关断过程非常迅速.它的开关时间在10~100ns之间,工作频率可迖100KHE以上,是主要电力电子器件中最高的. 场控器件静态时几乎不需输入电流.但在开关过程中需对输入电容充放电,仍需一定的驱动动率.开关频率越高,所需要的驱动功率越大.图2.4 场效应管的开关波形4.动态性能的改进在器件应用是除了要考虑器件的电压,电流,频率外,还必须牚握在应用中如何保护器件,不使器件在瞬志变化中受损害.晶间管是两个双极型晶体管的组合,又加上因大面积带来的大电容,所以,其dv/dt能力是较为脆弱的.对di/dt来说,它还存在一个导通区的扩展问题,所以也带来相当严格的限制.功率MOSFET的情况有很大的不同.它的dv/dt及di/dt的能力常以每纳秒的能力来估量.尽管如此,它也存在动态性能的限制,对于这些,我们可以以从功率MOSFET的基本结构予以理解.图2.5 功率MOSFET的等效电路如图2.5所示,除了考虑器件的每一部分存在电容以外,还必须考虑MOSFET还幷联着一个二极管,同时,从某个角度看,它还存在一个寄生晶体管(就像IGBT)也寄生着一个晶间管一样),这几个方面是研MOSFET动态特性很重要的因素.首先,MOSFET结构中所附带的寄生二极管具有一定的雪崩能力.通常用单次雪崩能力和重复雪崩能力来表迖.当反向di/dt很大时,二极管会承受一个速度非常快的脉冲尖制,它有可能进入雪崩区,一旦超越其雪崩能力就有可能将器件损坏.对于任一种PN结二极管来说,仔细研究其动态特性是相当复杂的.它们和我们一般理解PN结正向时导通而反向时阻断的简单概念很不相同.当电流迅速下降时,二极管有一阶段失去反向阻断能力,即所谓反向恢复时间.PN结要求迅速导通时,也会有一段时间幷不显示很低的电阻.在功率MOSFET中,一旦二极管有正向注入,所注入的少数载流子也会增加,是作务多子器件的MOSFET的复杂性.应在功率MOSFET的统计过程采取措施,使其中的寄生晶体管尽量不起作用.在不同代的功率MOSFET中所采取的措施有所不同,但总的原则是使漏极下的横向电阻Rb的值尽量小.因为,只有在漏极N区下的横向电阻流过足够电流,为这N区功力正偏的条件下,寄生的双极性晶阐管才开始发难.然而,在严峻的动态条件下,因dv/dt通过相应电容引起的横向电流可能足够小.此时,这个寄生的双极性晶体管就会启动,有可能给MOSFET带来损坏,所以,考虑瞬志性能时,对功率MOSFET器件内部的各个电容都必须予以注意.2.3.4 MOSFET的主要参数1.漏源击穿电压Udss:Udss通常为结温在25℃ ~150℃之间,对漏源极的击穿电压.该参数限制了MOSFET的最高工作电压,常用的MOSFET的Udss通常在1000V以下.尤其以500V及以下器件的各项性能最佳.需要注意的是,常用的MOSFET的漏源击穿电压具有正温度系数,因此在温度低于测试条件时,Udss会低于产品手册中给出的资料.2.漏极连续电流额定Id和漏极脉冲电流峰值Idm:这是标称电力MOSFET电流定额的参数,一般情况下,Idm是Id的2~4倍.工作温度对器件的漏极电流影响很大,生产厂商通常也会给出不同壳温下,允许的漏极连续电流变化情况.在计算实际器件参数时,必须考虑其损耗及散热情况得出壳温,由此核算器件的电流定额.通常在壳温为80~90℃时,器件可用的连续工作电流只有Tc=25℃时Id的60%~70%.3.漏源通态电阻Rds(on):该参数是栅源间施加一定电压(10~15V)时,漏源间的导通电阻,漏源通态电阻Rds(on)直接影响器件的通态降及损耗,通常对于额定电压低﹑电流大的器件,Rds(on)较小.此外, Rds(on)还与驱动电压及结温有关.增大驱动电压,可以减小Rds(on). Rds(on)具有正的温度系数随着结温的升高而增加,这一特性使MOSFET幷联运行较为容易.4.栅源电压Ugss:由于栅源之间的SiQ2绝缘层很薄,Ugs｜>20V时将导致绝/缘层击穿.因此在焊接﹑驱动等方面必须注意.5.跨导Gfs:在规定的工作点下,MOSFET转移特性曲线的斜率称为该器件跨导,即Gfs=Did/dugs6.极间电容:MOSFET的三个电极之间分别存在极间电容Cgs﹑Cgd和Cds.,一般生产厂商提供的是漏源极短路时的输入电容Ciss﹑共源极输出电容Coss和反向转移电容Crss.它们之间的关系是:Ciss=Cgs+CgdCrss=CgdCoss=Cgd+Cds尽管MOSFET是用栅源间电压驱动的,阻抗很高,但由于存在输入电容Ciss,开关过程中驱动电路要对输入电容充放电.这样,用作高频开关时,驱动电路必须具有很低的内阻抗及一定的驱动电流能力.2.2.5米勒效应与米勒电容值和三极管一样,米勒效应和米电容值是MOSFET高频环路的一重要参数,在图下44中是一个简单的高频晶体管模型,图中产生一个负载电阻连接到输出,在这里我们确定电流增益,目的就是为了论证米勒效应.在输入结点a上,我们利用KCL电流环路,可以写出如下方程:Ii=jwCgsVgs+jwCgd(Vgs-Vds) ①在这里Ii是输入电流,类似地在输出结点b上的点输出电流为:Vds/RL+gmVgs+jwCgd(Vds-Vgs)=0 ②我们可以联立①②消去Vds,输入电流可以为:Ii=jw{Cgs+Cgd[1+gmRL/1+jwRLCgd]}Vgs ③一般情况下,(wRLCgd)远比1小,因此我们可以忽略jwRLCgd,因此③方程可以写为:Ii=jw[Cgs+Cgd(1+gmRL)]Vgs ④而由我们以前关于米勒电容的描述方程,参数Cm,即米勒电容值可表示如下:Cm=Cgd(1+gmRL).在方程⑤中可以清楚地表明附加D极迭加电容的等效容值,当晶体管被偏置在饱和区时,作为放大电路中,总的Cgd电容值主要是迭加电容,由于米勒效应迭加电容会翻倍,并且在一个限定的放大宽带里会变成一个有意义的参数,追求小的迭加电容是其结构的又一挑战.MOSFET的关断频率ft被定义为在电流增益为1时的频率,或是输入电流Ii的幅值等于理想负载电流Id,即Ii=jw(Cgs+Cm)Vgs;理想负载电流:Id=gmVgs ⑥因此电流幅度的增益为:∣Ai∣=∣Id∣/∣Ii∣∣Ai∣＝∣Id∣/∣Ii∣=gm/2πf(Cgs+Cm) ⑦∣Ai∣=1,我们可以得到关断频率Ft=gm/2π (Cgs+Cm) = gm/2πCG在这里CG是一个输入g极电容的等效值.2.2.6 MOSFET的驱动驱动电路是电力电子主电路与控制电路之间的接口,是实现主电路中电力电子器件按照预定的设想运行的重要环节.采用性能良好驱动电路,可以使电力电子器件工作在较为理想的开关状态,缩短开关时间,减小开关损耗.此外,对器件或整个装置的一些保护措施也往往设在驱动电路中,或通过驱动电路实现,因此驱动电路对装置的运行效率﹑可靠性和安全性都有重要的影响.驱动电路的基本任务是将控制电路发出的信号转换为加在电力电子器件控制端和公共端之间﹑可以使其开通或关断的信号.同时驱动电路通常还具有电气隔离及电力电子器件的保护等功能.电气隔离是实现主电路间电量的隔离,在含有多个开关器件的电路中,电气隔离通常是保证电路正常工作的必要环节,同时电气隔离可以减少主电路开关噪声对控制电路的影响,幷提高控制电路的安全性.电气隔离一般采用光隔离(如光耦合器)或磁隔离(如脉冲变压器)来实现.MOSFET为电压驱动型器件,其静态输入电阻很大,所以需要的驱动功率较小.但由于栅源间﹑栅射间存在输入电容,当器高频通断时,电容频繁充放电,为快速建立驱动电压,要求驱动电路输出电阻小,且具有一定的驱动功率.MOSFET开通的栅源极间驱动电压一般取10~15V,在器件关断时,对器件施加反向电压可减小关断时间,保证器件可靠关断,反向电压一般为0~15V.此外,在栅极驱动回路中,通常需串入一个低值电阻(数欧至数十欧),以减小寄生振荡,该电阻阻值应随被驱动器件电流额定值的增大而减小.2.2.7 MOSFET的栅极驱动电流和驱动电阻的算法在MOSFET的驱动中,它不像双晶体一样,要使用精确的逆向电流才能使晶体管关闭,这是由于MOSFET为多数载流子的半导体,因此只要将栅极额到源极电压移去,就可将MOSFET关闭.移去栅极电压时,这时漏源之间会呈现很高的阻抗,因而除了漏电流外,可抑制其它电流的产生.MOSFET的直流输入阻抗是非常高的.在Vgs等与10V时,其栅极电流只是毫安级的.因此一旦栅极被驱动起来,在Vgs等与10V时,这个电流可以被忽略.然而,在栅-源极间有一个相当大的电容值,这就需要一个相对大的电流值,使栅极至源极电压脉冲波必须传输足够的电流,在期望的时间内,给输入电容器充电, 假如Vgs等与10V时来驱动栅极的开关来控制漏极电流的开关速率,在这里栅极驱动电流值一定要被精确算出来.在图2.6中,在Vgs等与10V时,Ig由两部分I1和I2组成,包括两个电容C1何C2.其中是栅极到源极的的结电容,可用Ciss来表示,C2是栅极到漏极的结电容,可用Crss来表示.对于在开通时间Tr,栅-源电压为10V时,栅极所需的驱动电流I1为图2.6 场效应管的工作电路然而,当驱动电流达到10V时,漏极的开关电压是从Vdc到Vgs之间的变动,有时会被带的更低.由于在此期间C2最高变动电压为Vdc,最低变动为10V.所以在此期间其所需的驱动电流I2为此外,驱动电压源阻抗Rg必须很低,目的就是为了实现晶体管的高速开关作用,这里我们有下面一个简略的公式可以大体算出2.2.8 MOSFET栅极驱动的优化设计MOS管的驱动对于MOS管的工作效果起着决定性的作用.我们往往既要考虑减少开关损耗,又要求驱动波形较好,即振荡小.过冲小,EMI 小,这往往是立相矛盾的;需要寻求一个平衡点即驱动电路的优化设计.优化驱动电路设计包含两个部分,一是最优化的驱动电流,电压的波形,二是最优化的驱动电压,电流的大小.在驱动电路优化设计之前我们必须先清楚MOS管的模型,MOS管的开关过程,MOS[管的栅极电荷以及MOS管有的输入输出电荷,跨越电荷,等效电荷等参数对驱动的影响.(1)MOS管的模型MOS管的等效电路模型及寄生参数如下图所示.其中LP和R9代表封装端到实际的栅极间线路的电感和电阻.C1代表从栅极到源端N4间的电阻,它的值是由结构因的.C2+C4代表从栅极到源P区间的电容,C2是电介质电容,其值是因定的,而C4由源极到漏极的耗尽区的大小决定,幷随栅极电压的大小而改变.当栅极电压从0升到Vgs(th)时,C4使整个栅极源电容增加10%~15%.C3+C5也是由一个固定大小的电介质电容和一个可变电容构成,当漏极电压改变极性时,其可变电容变得相当大.C6也是随漏极电压变换的漏涛电容.MOS管的输入ˋ输出电容ˋ跨越电容和栅源电容,栅漏电容,漏源电容间的关系如下:Ciss=Cgs+Cgd~C1+C4+C5;(Crss=Cgd~C5)Coss=Cds+Cgd~C5+C6(2)MOS管的开通过程开关管的开关模式电路如下所示,二极管可以是外接的或MOS管已有的,.开关管在开通时的二极管电压,电流波形如下图所示.在图中阶段1.开关管关断,开关电流为零,此时二极管电流和电感电流相等;在阶段2开关打开,开关电流上升,同时二极管电流下降.开关电流上升的斜率和二极管电流下降的斜率的绝对值相同,符号相反;在阶段3开关电流继续上升,二极管电流继续下降,幷且二极管从负的反向最大电流Irrm开始减小,开关管的从正的最大电流也开始减小,它们斜率的绝对值相等;在阶段5开关管完全开通,二极管的反向恢复完成.开关管电流等于电感电流.下图二是存储电荷高或低的两种二极管电流,电压波形.从图中我们可以看出存储电荷少,即在空载或轻载时是最坏条件.所以我们优化驱动电路设计时应着直考虑前置电流低的情况,即空载或轻载的情况,应使这时二极管产生的振动在可接受范围内.(3)栅极电荷Qg和驱动效果的关系栅极电荷Qg是使栅极电压0从升到10v所需的栅极电荷,它可以表示为驱动电流X开通时间或栅极电容X栅极电压.现在大部分MOS 管的栅极电荷Qg值从几十nC到一二百nC.栅极电荷Qg包括栅极到源极电荷Qgs和栅极到漏极电荷,Qgd,即密勒电荷.Qgs是使栅极电从0升到门限值(约3v)所需电荷;Qgd是漏极电压下降时克服密勒效应所需电荷.这存在于Vgs,曲线比较平坦的第二段(如图一所示),此时栅极电压不变,栅极电荷积聚而漏极电压急剧下降,也就是在这时候需要驱动尖峰电流限制,这由苾片内部完成或外接电阻完成.实际的Qg还可以略大,以减小等效Ron,但是太大也不益,所以10v到12v的驱动电压是比较合理的.这还包含一个重要的事实:需要一个高的尖峰电流以减小MOS管损耗和转换时间.重要的是,对于IC来说,MOS管的平均电容负荷幷不是MOS管的输入电容Ciss,而是等效输入电容Ceff:Ceff=Qg/Vgs,即整个0<Vgs<Vgs(th)的等效电容,而Ciss只是Vgs=0时的等效电容.漏极电流大Qg波形的Qgd阶段出现,此时漏极电压依然很高,MOS管的损耗此时最大,幷随Vds的减小而减小.Qgd的大部分用来减小Vds 从关断电压到Vgs(th)产生的密勒效应.Qg波形第三段的等效负载电容是: Ceff=[Qg-(Qgd+Qgs)]/[10v-Vgs(th)](4)优化栅极驱动设计在大多数的开关功率应用电路中,当栅极被驱动,开关导通时漏极电流上升的速度是漏极电压下降速度的几倍,这将造成功率损耗增加.为了解决问题,我们可以增加栅极驱动电流,但增加栅极驱动电流上升斜率又将带来过冲.振荡EMI等问题.为了优化栅极驱动设计,这些互相矛盾的要求必须寻求一个平衡点,而这个平稀点就是开关导通蛙漏极电流上升的速度和漏极电压下降速度相等这样一种波形,理想的驱动波形如下图所示:图中的Vgs波形包括了这样几部分:Vgs第一段是快速上升到门限电压;Vgs第二段是比较缓的上升速度以减慢漏极电流折上升速度,但此时的Vgs也必须满足所需的漏极电流值;Vgs第四段快速上升使漏极电压快速下降;Vgs第五段是充电到最后的值.当然,要得到完全一样的驱动波形是很困难的,但是可以得到一个大概的驱动电流波形,其上升时间等于理想的漏电压下降时间或漏极电流上的时间,幷且具有足够的尖峰值来充电开关期间的较大等效电容.该栅极尖峰电流Ip的计算是:电荷必须完全满足开关时期的寄生电容所需,即Qg=Ip*ton/2 而Qg=Ciss[2.5Vgs(th)+Id/Gm]+Crss(Vdd-Vgs(th))其中ton=tn+td+tr 所以Ip=2/ton Ciss[2.5Vgs(th)+Id/Gm]+Crss[Vdd-Vgs(th)]2.2.9.MOS上的热耗计算半导体的失效率通过多年的测试才能更好的估计出与温度之间的关系,在这里重现出内部的图面,如下所示:这是一幅从统计学上预计了NPN硅晶体管的特性,它也表明了一般大多数电子元器件随温度上升的快速增长失效率.特别是在高温下,其作用十分明显.如一个晶体管在180度时的寿命只有在25度时的1/20,或者可以说有20倍的失效率.图2.7 半导体内部的图面明显的,当有更多的类型的元器件导入到电源中时,其失效率就对高温更加的敏感.因此,对一个电源来讲,必须考虑它的温升,在组件的选用时更是如此.因此在这里考虑MOS的温升是十分有必要的.(1)在MOS上的热量分析(与电路中的电流相当)明显,根部是管中最热的地方,由左向右传递,最后到达散热器中,这个散热器与空气环境相连.存在一个热传导器与散热器相连.其传导率Q由Fourier定理来求:Q=(A*Td)/(L*Rθ)在此,Q为热率, Td为两部分的温度差,A为穿过部分的面积,L为传导长度也即传导宽度. Rθ为结与空气间的热阻.A和L是物理数据,在此可以近似的表示为:QαTd/Rd 与 I=V/R 相似的但这一公式只适用于一般的固体热传导.若是用热管来传导,将有一个不是线性的热阻,则就不遵循这一平衡.而在热传导不好的金属中,在一般的晶体温度下各种随温度的热阻是微不足道的,可以把其忽略.(2)热阻Rθ(相当于电路中的电阻)任以以上为例,假定消耗了10J/S(Q=10W),热量也跟着消耗(在此相对于10A电流)将加重内部的温差Td, 在热阻上相应的就有热量发出.当一稳态被建立,在内部的温度可能被聚集起来由于温度的上升和热阻的散热.在本例中,是由边缘的表面与空气交换温度.内部温度恒定,其它形式的温度在内部能通过由右到左集累.如图,可见其关系式图2.8 热阻等效由上图可见,可以认为有三个热阻Rjc,Rch,Rha.其中从右至左, Rha是最重要的,因它在其中是最大的.它指由边缘传热到空气中的热阻值.第二个Rch指有一个来自边缘通过云母绝热片,到达MOS的表壳.而最后一个Rjc是指壳到内部结点的热阻.为方便,可以认为每一部分的热阻都是独立的,在内部开始交换.这样,等同于电路中的电阻,则有其整个的热阻为Rθ= Rjc+Rch+Rha.可以用这个来衡量由结点到空气的总的温度差.用公式表示为:T=Q*Rθ (其中的T为温升, Q为结点上的消耗.)(3)结温的计算由以上可见,因损耗机易被知道,MOS的结温很容易就被建立.而在实际中,开关模式中的损耗是机难建立的,由于这样的因素,我们必须建立热模型,通过测俩不同的温度下穿过内部已知热阻的热量来算.温差可以由每秒中结上产生的热量和热阻来定义.由前图给出,已知热率和温差.对每一个热器件,可以用下式表示:△T=Wj* Rθ (其中△T为温差, Wj为结上的损耗)不同内部的温度可以用下式表示:热器表面温度Th:Th=( Wj* Rha)+Tamb (其中的Tamb为空气温度)MOS表面的温度:Tds=[ Wj*( Rch+Rha)]+ Tamb结温度是整个穿过组件的温度,包括环境温度:Tj=[ Wj*( Rjc+Rch+Rha)]+ Tamb由以上可知,如果在结上的能耗和热阻到热器或者散热器上的损耗已知,那幺这个结和内部的温度就可以被清楚计算,若果散热器上的温度被测量出来和热阻已知的情况下,结温损耗也就可以知道了.。

场效应管的种类、管脚排列、检测方法、使用注意事项

场效应管的种类、管脚排列、检测方法、使用注意事项场效应管的种类、管脚排列、检测方法、使用注意事项场效应管的种类：场效应管K1113 管脚排列图：MOS场效应管的检测方法:（1）．准备工作测量之前，先把人体对地短路后，才能摸触MOSFET的管脚。

最好在手腕上接一条导线与大地连通，使人体与大地保持等电位。

再把管脚分开，然后拆掉导线。

（2）．判定电极将万用表拨于R×100档，首先确定栅极。

若某脚与其它脚的电阻都是无穷大，证明此脚就是栅极G。

交换表笔重测量，S-D之间的电阻值应为几百欧至几千欧，其中阻值较小的那一次，黑表笔接的为D极，红表笔接的是S极。

日本生产的3SK系列产品，S极与管壳接通，据此很容易确定S极。

（3）．检查放大能力（跨导）将G极悬空，黑表笔接D极，红表笔接S极，然后用手指触摸G极，表针应有较大的偏转。

双栅MOS场效应管有两个栅极G1、G2。

为区分之，可用手分别触摸G1、G2极，其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2极。

目前有的MOSFET管在G-S极间增加了保护二极管，平时就不需要把各管脚短路了。

MOS场效应晶体管使用注意事项：MOS场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。

MOS场效应晶体管由于输入阻抗高（包括MOS集成电路）极易被静电击穿，使用时应注意以下规则：（1）. MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装。

也可用细铜线把各个引脚连接在一起，或用锡纸包装（2）.取出的MOS器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。

（3）. 焊接用的电烙铁必须良好接地。

（4）. 在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再MOS 器件焊接完成后在分开。

（5）. MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。

拆机时顺序相反。

（6）.电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子，再把电路板接上去。

（7）. MOS场效应晶体管的栅极在允许条件下，最好接入保护二极管。

18n50场效应管参数

18n50场效应管参数
18N50是一款场效应管，其主要参数如下：
1. 最大漏极电压（VDS）：500伏
2. 最大漏极电流（ID）：18安
3. 典型门极电压（VGS）：±20伏
在正常工作条件下，18N50的门极电压通常为10V~15V。

4. 漏极源极电阻（RDS(on)）：0.35欧
这个参数表示，在特定工作条件下，18N50的漏极与源极之间的电阻值。

5. 建议工作温度范围：-55℃至+150℃
这个参数表示，18N50可以在-55℃至+150℃的环境温度下正常工作，适用于各种高温环境。

6. 封装类型：TO-247
18N50的封装采用TO-247形式，便于安装和维护。

除了上述参数，以下是18N50场效应管的其他主要参数：
1. 输入电容（Ciss）：1400皮法
这个参数表示，当门极电压为0V时，漏极与源极之间的电容。

输入电容越小，场效应管的响应速度越快。

2. 输出电容（Coss）：420皮法
这个参数表示，在特定工作条件下，漏极与源极之间的电容。

输出电容越小，场效应管的开关速度越快，同时功耗也越小。

3. 反向传导电流（EAS）：430焦耳
这个参数表示，在正常使用过程中，场效应管产生的反向电压所引起的最大能量损失。

4. 漏极截止电流（IDSS）：1微安
这个参数表示，在门极电压等于零的情况下，漏极与源极之间的截止电流。

需要注意的是，不同应用场景下，对场效应管的要求是不同的，因此在选择18N50场效应管时需要根据具体的应用环境和需求来选择合适的型号，不同厂家生产的18N50场效应管可能会有微小的差异，具体参数还需以实际产品手册为准。

场效应管应用

场效应管应用例1：作反相器用。

|Vp1|=|Vp2|=Vp 0<|Vp|<Vdd Tp:p沟道增强型，Tn:n沟道增强型Vi=+Vdd时：Tp:V GS p=0>Vp ，截止Tn:V GS n=Vdd>Vp ，导通Vo= 0Vi= 0时：Tp:V GS p=-Vdd<Vp ，导通Tn:V GS n=0<Vp ，截止Vo= +Vdd例2：压控电阻场效应管工作在可变电阻区时，i D随V DS的增加几乎成线性增大，而增大的比值受V GS控制。

所以可看成是受V GS控制的电阻。

多级放大电路串联稳压电源中应用：由于桥式整流、电容滤波电路十分成熟，这里我们选择桥式整流、电容滤波电路作为电源的整流、滤波部分。

由于要求电源输出电压有一定的调整范围，稳压电源部分选择串联负反馈稳压电路。

同时由于对输出电流要求比较大，调整管必须采用复合管。

综合这些因素可以初步确定电路的形式，参见图4－2－9。

3、变压部分这一部分主要计算变压器B1次级输出电压（U B1）O和变压器的功率P B1。

一般整流滤波电路有2V以上的电压波动（设为ΔU D）。

调整管T1的管压降（U T1）CE应维持在3V以上，才能保证调整管T1工作在放大区。

整流输出电压最大值为15V。

根据第二章《常用整流滤波电路计算表》可知，桥式整流输出电压是变压器次级电压的1.2倍。

当电网电压下降－10％时，变压器次级输出的电压应能保证后续电路正常工作，那么变压器B1次级输出电压（U B1）OMIN应该是：（U B1）OMIN＝（ΔU D＋（U T1）CE＋（U O）MAX）÷1.2（U B1）OMIN＝（2V＋3V＋15V）÷1.2＝20V÷1.2＝16.67V则变压器B1次级额定电压为：（U B1）O＝（U B1）OMIN÷0.9（U B1）O＝16.67V÷0.9＝18.5V当电网电压上升＋10％时，变压器B1的输出功率最大。

BRF7N60(BRCS7N60FL) MOS场效应管数据手册说明书

TO-220FL 塑封封装N 沟道MOS 场效应管。

N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package.低栅电荷,低反馈电容,开关速度快。

Low gate charge, low crss, fast switching.用于高功率DC/DC 转换和功率开关。

These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters and switch mode power supplies.PIN1：G PIN 2：D PIN 3：S放大及印章代码 / h FE Classifications & Marking见印章说明。

See Marking Instructions.描述 / Descriptions特征 / Features用途 / Applications内部等效电路 / Equivalent Circuit引脚排列 / Pinning321参数Parameter符号 Symbol 数值 Rating单位 UnitDrain-Source Voltage V DSS 600 V Drain Current I D (Tc=25℃) 7.0 A Drain Current I D (Tc=100℃)4.4 ADrain Current - Pulsed I DM 28 A Gate-Source VoltageV GSS±20 VSingle Pulsed Avalanche Energy E AS 420 mJ Repetitive Avalanche Energy E AR 14.7 mJ Avalanche Current I AR 7.0 A Power DissipationP D (Tc=25℃) 48 W Operating and Storage Temperature RangeT J ,T STG-55 to 150℃参数Parameter符号 Symbol 测试条件 Test Conditions 最小值 Min 典型值 Typ 最大值Max 单位UnitDrain-Source Breakdown Voltage BV DSS V GS =0VI D =250μA 600VZero Gate Voltage Drain Current I DSS V DS =600V V GS =0V 10 μA V DS =480V T C =125℃100μA Gate-Body Leakage Current, ForwardI GSS V GS =±20V V DS =0V ±10μAGate Threshold Voltage V GS(th)V DS =V GSI D =250μA 2.0 4.0 VStatic Drain-Source On-ResistanceR DS(on)V GS =10V I D = 3.5A 1.0 1.2 Ω Forward Transconductance g FS V DS =40V I D = 3.5A 8.2 S Drain-Source Diode Forward VoltageV SD V GS =0V I S =7.0A 1.4 VInput Capacitance C issV DS =25V V GS =0Vf=1.0MHz1100 1500pFOutput CapacitanceC oss 110 150pFReverse Transfer Capacitance C rss 12 16 pF Turn-On Delay Time t d(on)V DD=300V I D=7.0AR G =25Ω 15 40 nsTurn-On Rise Time t r 30 70 ns Turn-Off Delay Time t d(off) 110 230nsTurn-Off Fall Timet f 40 90 ns极限参数 / Absolute Maximum Ratings(Ta=25℃) 电性能参数 / Electrical Characteristics(Ta=25℃)电参数曲线图 / Electrical Characteristic Curve外形尺寸图 / Package Dimensions印章说明 / Marking Instructions说明： BR ：为公司代码 7N60：为型号代码****：为生产批号代码，随生产批号变化。

场效应管型号用途和参数查询手册

场效应管型号用途和参数本文讲述了部分场效应管型号，场效应管用途，场效应管的主要参数等相关知识。

型号材料管脚用途参数3DJ6NJ 低频放大20V0.35MA0.1W4405/R95242E3C NMOS GDS 开关600V11A150W0.362SJ117 PMOS GDS 音频功放开关400V2A40W2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关140V8A100W50/70nS0.52SJ122 PMOS GDS 高速功放开关60V10A50W60/100nS0.152SJ136 PMOS GDS 高速功放开关60V12A40W 70/165nS0.32SJ143 PMOS GDS 功放开关60V16A35W90/180nS0.0352SJ172 PMOS GDS 激励60V10A40W73/275nS0.182SJ175 PMOS GDS 激励60V10A25W73/275nS0.182SJ177 PMOS GDS 激励60V20A35W140/580nS0.0852SJ201 PMOS n2SJ306 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.122SJ312 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.122SK30 NJ SDG 低放音频50V0.5mA0.1W0.5dB2SK30A NJ SDG 低放低噪音频50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB2SK108 NJ SGD 音频激励开关50V1-12mA0.3W70 1DB2SK118 NJ SGD 音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5dB2SK168 NJ GSD 高频放大30V0.01A0.2W100MHz1.7dB2SK192 NJ DSG 高频低噪放大18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB2SK193 NJ GSD 高频低噪放大20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB2SK214 NMOS GSD 高频高速开关160V0.5A30W2SK241 NMOS DSG 高频放大20V0.03A0.2W100MHz1.7dB2SK304 NJ GSD 音频功放30V0.6-12mA0.15W2SK385 NMOS GDS 高速开关400V10A120W100/140nS0.62SK386 NMOS GDS 高速开关450V10A120W100/140nS0.72SK413 NMOS GDS 高速功放开关140V8A100W0.5 (2SJ118) 2SK423 NMOS SDG 高速开关100V0.5A0.9W4.52SK428 NMOS GDS 高速开关60V10A50W45/65NS0.152SK447 NMOS SDG 高速低噪开关250V15A150W0.24可驱电机2SK511 NMOS SDG 高速功放开关250V0.3A8W5.02SK534 NMOS GDS 高速开关800V5A100W4.02SK539 NMOS GDS 开关900V5A150W2.52SK560 NMOS GDS 高速开关500V15A100W0.42SK623 NMOS GDS 高速开关250V20A120W0.152SK727 NMOS GDS 电源开关900V5A125W110/420nS2.52SK734 NMOS GDS 电源开关450V15A150W160/250nS0.522SK785 NMOS GDS 电源开关500V20A150W105/240nS0.42SK787 NMOS GDS 高速开关900V8A150W95/240nS1.62SK790 NMOS GDS 高速功放开关500V15A150W0.4 可驱电机2SK791 NMOS GDS 电源功放开关850V3A100W4.5 可驱电机2SK794 NMOS GDS 电源开关900V5A150W2.5 可驱电机2SK817 NMOS GDS 电源开关60V26A35W40/230nS0.0552SK832 NMOS GDS 高速开关900V4A85W55/100nS4.02SK899 NMOS GDS 功放开关500V18A125W130/440nS0.332SK962 NMOS GDS 电源开关900V8A150W280/460nS2.02SK940 NMOS SDG 激励.驱动60V0.8A0.9W0.55螺线管驱动2SK1007 NMOS GDS 功放开关450V5A60W60/130nS1.62SK1010 NMOS GDS 高速开关500V6A80W70/130nS1.62SK1011 NMOS GDS 高速开关450V10A100W110/240nS0.65 2SK1012 NMOS GDS 高速开关500V10A100W110/240nS0.92SK1015 NMOS GDS 功放开关450V18A125W170/230nS0.45 2SK1016 NMOS GDS 电源开关500V15A125W170/230nS0.55 2SK1017 NMOS GDS 电源开关500V20A150W250/490nS0.35 2SK1019 NMOS GDS 电源开关450V35A300W360/900nS0.22SK1020 NMOS GDS 电源开关500V30A300W360/900nS0.25 2SK1060 NMOS GDS 功放开关100V5A20W50/140nS0.272SK1081 NMOS GDS 激励,驱动800V7A125W 145/250nS2.22SK1082 NMOS GDS 激励,驱动900V8A125W 145/250nS2.82SK1094 NMOS GDS 激励,驱动60V15A25W80/300nS0.0652SK1101 NMOS GDS 功放开关450V10A50W165/360nS0.652SK1117 NMOS GDS 电源开关600V6A100W1.252SK1118 NMOS GDS 电源开关600V6A45W65/105nSD1.252SK1119 NMOS GDS 电源开关1000V4A100W3.82SK1120 NMOS GDS 电源开关1000V8A150W1.82SK1161 NMOS GDS 电源开关450V10A100W75/135nS0.82SK1170 NMOS GDS 电源开关500V20A120W147/290nS0.27 2SK1180 NMOS GDS 投影机用500V10A85W60/40nS0.62SK1195 NMOS GDS 电梯用230V1.5A10W37/100nS2SK1198 NMOS GDS 高速开关700V2A35W20/80nS3.22SK1217 NMOS GDS 电源开关90V8A100W280/460nS2.02SK1221 NMOS GDS 电源开关250V10A80W60/150nS0.42SK1247 NMOS GDS 电源开关500V5A30W50/90nS1.42SK1250 NMOS GDS 开关-感性500V20A150W130/260nS0.35 2SK1254 NMOS GDS 低噪放大120V3A20W25/195nS0.42SK1271 NMOS GDS 功放开关1400V5A240W55/260nS4.02SK1272 NMOS GDS 高速开关60V1A0.75W50/500nS0.652SK1329 NMOS GDS 电源开关500V12A60W90/180nS0.62SK1358 NMOS GDS 电源开关900V9A150W65/120nS1.42SK1374 NMOS 贴片50V50mA0.15W0.2US/0.2US502SK1379 NMOS GDS 激励, 开关60V50A150W78/640nS0.017 2SK1387 NMOS GDS 激励, 开关60V35A40W66/500nS0.0352SK1388 NMOS GDS 激励, 开关30V35A60W125/480nS0.022 2SK1419 NMOS GDS 高速开关60V15A25W55/150nS0.082SK1445 NMOS GDS 高速开关450V5A30W45/175nS1.42SK1459 NMOS GDS 高速开关900V2.5A30W40/160nS6.02SK1460 NMOS GDS 高速开关900V3.5A40W50/265nS3.62SK1463 NMOS GDS 高速开关900V4.5A60W50/265nS3.62SK1482 NMOS GDS 开关功放低噪30V1.5A0.75W65/660nS4.52SK1507 NMOS GDS 高速开关600V9A50W110/240nS1.02SK1535 NMOS GDS 通用900V3A30W45/110nS5.02SK1537 NMOS GDS 通用900V5A100W65/145nS3.02SK1540 NMOS GDS 变频开关功放450V7A60W70/135nS0.82SK1544 NMOS GDS 变频开关功放500V25A200W240/590S0.2 2SK1547 NMOS GDS 开关800V4A40W95/170nS4.52SK1567 NMOS GDS 电源开关500V7A35W70/135nS0.92SK1611 NMOS GDS 电源开关800V3A50W40/135nS4.02SK1681 NMOS GDS 电源开关500V30A300W180/320nS0.352SK1745 NMOS GDS 激励, 开关500V18A150W120/210nS0.36 2SK1794 NMOS GDS 电源激励开关900V6A100W50/105nS2.82SK1796 NMOS GDS 功放开关900V10A150W90/230nS1.22SK1850 NMOS GDS 开关电机驱动60V10A1.8W110/360nS0.07 2SK1916 NMOS GDS 开关电源用450V18A80W170/33nS0.452SK1937 NMOS GDS 开关UPS用500V15A125W100/230nS0.48 2SK1985 NMOS GDS 开关UPS用900V5A50W35/105nS2.82SK2039 NMOS GDS 电源开关900V5A150W 70/210nS2.52SK2040 NMOS GDS 电源开关600V2A20W 11/45nS52SK2082 NMOS GDS 开关UPS用900V9A150W 85/210nS1.40 2SK2101 NMOS GDS 电源开关800V6A50W 50/130nS2.12SK2141 NMOS GDS 传动驱动600V6A35W 30/880nS1.12SK2147 NMOS GDS 开关UPS用900V6A80W 145/250nS2.82SK2161 NMOS SDG 高速开关200V9A25W 27/255nS0.452SK2189 NMOS GDS 高速开关500V10A70W 70/400nS1.02SK2485 NMOS GDS 监视器用电源900V6A100W 30/85 nS 2.80 2SK2487 NMOS GDS 监视器用电源900V8A140W 50/153nS1.1 2SK2611 NMOS GDS 监视器用电源900V9A150W2SK2645 NMOS GDS 监视器用电源500V15A125W2SK4847 NMOS GDS 电源开关100V36125W0.083SK103 NMOS gGDS 高频放大15V0.02A0.2W900MHz3SK122 NMOS gGDS 高频放大20V7-25mA0.2W200MHz1.2dB BS170 NMOS 60V0.3A0.63W12/12nS5.0BUZ11A NMOS GDS 开关50V25A75W60/110nS0.055BUZ20 NMOS GDS 功放开关100V12A75W75/80nSFS3KM NMOS GDS 高速开关500V3A30W23/60nS4.4FS5KM NMOS GDS 高速开关900V3A53W50/190nS4.FS7KM NMOS GDS 高速开关900V5A50W35/105nS2.8FS10KM NMOS GDS 高速开关FS12KM NMOS GDS 高速开关250V12A35W53/120nS0.40 FS7SM-16 NMOS GDS 高速开关800V7A150W1.6H120N60 NMOS GDS 开关600V120AIRF130(铁)NMOS GDS 功放开关100V14A79W75/45nS0.16 IRF230(铁)NMOS GDS 功放开关200V9A75W50/40nS0.4 IRF250(铁)NMOS GDS 功放开关200V9A75W50/40nS0.4 IRF440(铁)NMOS GDS 功放开关500V8A125W35/30nS0.85 IRF450(铁)NMOS GDS 功放开关500V13A125W66/60nS0.4 IRF460(铁)NMOS GDS 功放开关500V13A125W66/60nS0.4 IRF530 NMOS GDS 功放开关100V14A79W51/36nS0.18 IRF540 NMOS GDS 功放开关100V28A150W110/75nS0.077 IRF541 NMOS GDS 功放开关80V28A150W110/75nS0.077 IRF610 NMOS GDS 功放开关200V3.3A43W26/13nS1.5 IRF630 NMOS GDS 功放开关200V9A75W50/40nS0.4IRF640 NMOS GDS 功放开关200V18A125W77/54nS0.18 IRF720 NMOS GDS 功放开关400V3.3A50W21/20nS1.8 IRF730 NMOS GDS 功放开关400V5.5A75W29/24nS1.0 IRF740 NMOS GDS 功放开关400V10A125W41/36nS0.55 IRF830 NMOS GDS 功放开关500V4.5A75W23/23nS1.5 IRF840 NMOS GDS 功放开关500V8A125W35/33nS0.85 IRF9530 PMOS GDS 功放开关100V12A75W140/140nS0.4 IRF9531 PMOS GDS 功放开关60V12A75W140/140S0.3 IRF9541 PMOS GDS 功放开关60V19A125W140/141nS0.2 IRF9610 PMOS GDS 功放开关200V1A20W25/15nS2.3IRF9630 PMOS GDS 功放开关200V6.5A75W100/80nS0.8 IRFS9630 PMOS GDS 功放开关200V6.5A75W100/80nS0.8IRFBC20 NMOS GDS 功放开关600V2.2A50W15/30nS4.4 IRFBC30 NMOS GDS 功放开关600V3.6A74W20/21nS2.2 IRFBC40 NMOS GDS 功放开关600V6.2A125W27/30nS1.2 IRFBE30 NMOS GDS 功放开关800V2.8A75W15/30nS3.5 IRFD120 NMOS 功放开关100V1.3A1W70/70nS0.3IRFD123 NMOS 功放开关80V1.1A1W70/70nS0.3IRFI730 NMOS GDS 功放开关400V4A32W1.0IRFI744 NMOS GDS 功放开关400V4A32W1.0IRFP054 NMOS GDS 功放开关60V65A180W0.022IRFP140 NMOS GDS 功放开关100V29150W0.85IRFP150 NMOS GDS 功放开关100V40A180W210/140nS0.55 IRFP240 NMOS GDS 功放开关200V19A150W0.18IRFP250 NMOS GDS 功放开关200V33A180W180/120nS0.08 IRFP340 NMOS GDS 功放开关400V10A150W0.55IRFP350 NMOS GDS 功放开关400V16A180W77/71nS0.3 IRFP353 NMOS GDS 功放开关350V14A180W77/71XnS0.4 IRFP360 NMOS GDS 功放开关400V23A250W140/99nS0.2 IRFP440 NMOS GDS 功放开关500V8.1A150W0.85IRFP450 NMOS GDS 功放开关500V14A180W66/60nS0.4 IRFP460 NMOS GDS 功放开关500V20A250W120/98nS0.27 IRFP9140 PMOS GDS 功放开关100V19A150W100/70nS0.2 IRFP9150 PMOS GDS 功放开关100V25A150W160/70nS0.2 IRFP9240 PMOS GDS 功放开关200V12A150W68/57nS0.5 IRFPF40 NMOS GDS 功放开关900V4.7A150W2.5IRFPG42 NMOS GDS 功放开关1000V3.9A150W4.2IRFPZ44 NMOS GDS 功放开关1000V3.9A150W4.2 ******* IRFU020 NMOS GDS 功放开关50V15A42W83/39nS0.1 IXGH20N60ANMOS GDS 600V20A150WIXGFH26N50NMOS GDS 500V26A300W0.3IXGH30N60ANMOS GDS 600V30A200WIXGH60N60ANMOS GDS 600V60A250WIXTP2P50 PMOS GDS 功放开关500V2A75W5.5 代J117J177 PMOS SDG 开关30V1.5mA0.35WM75N06 NMOS GDS 音频功放开关60V75A120WMTH8N100 NMOS GDS 功放开关1000V8A180W175/180nS1.8 MTH10N80 NMOS GDS 功放开关800V10A150WMTM30N50 NMOS 功放开关(铁)500V30A250WMTM55N10 NMOS GDS 功放开关(铁)100V55A250W350/400nS0.04 MTP27N10 NMOS GDS 功放开关100V27A125W0.05MTP2955 PMOS GDS 功放开关60V12A75W75/50nS0.3MTP3055 NMOS GDS 功放开关60V12A75W75/50nS0.3MTP40N06 NMOS GDS 功放开关(双)60V40A150W/70nS0.3MTW20N50 NMOS GDS 功放开关500V20A250W0.27RFP40N10 NMOS GDS 功放开关100V40A160W30/20nS0.04RFP50N05 NMOS GDS 功放开关50V50A132W55/15nS0.022RFP50N06 NMOS GDS 功放开关60V50A145W55/15nS0.022RFP6N60 NMOS GDS 功放开关600V6A75W80/100nS1.50RFP60N06 NMOS GDS 功放开关60V60A120W50/15nS0.03RFP70N06 NMOS GDS 功放开关60V70A150WSMP50N06 NMOS GDS 功放开关50V60A125W50nS0.026SMP60N06 NMOS GDS 功放开关60V60A125W50nS0.023SMW11N20 NMOS GDS 功放开关200V11A150WSMW11P20 PMOS GDS 功放开关200V11A150WSMW20N10 NMOS GDS 功放开关100V20A150WSMW20N10 PMOS GDS 功放开关100V20A150WSSH7N90 NMOS GDS 高速电源开关900V7A150WSSP6N60 NMOS GDS 高速电源开关600V6A150WSSP5N90 NMOS GDS 高速电源开关900V5A125WSSP7N80 NMOS GDS 高速电源开关800V7A75WSUP75N06 NMOS GDS 功放开关60V75A125W0.05W12NA50W NMOS GDS 功放开关50V12A150W300/600nSGT15Q101 NMOS GDS IGBT 1400V15A150WGT25J101 NMOS GDS IGBT 800V25A150WGT25Q101 NMOS GDS IGBT 1400V25A180WGT40T101 NMOS GDS IGBT 1500V40A300WGT60M103 NMOS GDS IGBT 900V60A300WGT60M301 NMOS GDS IGBT 900V60A300WIMBH60 NMOS GDS-100 IGBT 1000V60A300WIMBH60D NMOS GDS-100 IGBT 1000V60A300W(带阻) SDT3055 NMOS GDSTSD45N50V NMOS 场效应模块500V45A400WTN2460L35N120 1200V35A250WEXB841 IGBT驱动以上由工控申保网申保小滔编辑整理。

2n7002dw中文说明书

2n7002dw中文说明书一、产品简介2N7002DW是一款NMOS场效应管，适用于开关电源、电机控制等电路。

它具有低导通电阻、高速开关特性和低噪声性能等特点。

二、主要参数击穿电压：最小50V连续漏极电流：最大1A开关时间：典型值≤10ns导通电阻：最大值15mΩ三、使用说明安装与固定将2N7002DW场效应管放置在电路板适当的位置，并通过合适的方式将其固定在电路板上，以防止其在工作过程中松动或掉落。

引脚识别2N7002DW场效应管的引脚排列顺序为：G极、D极、S极。

在安装时，请确保引脚插入对应的孔位，避免错插或反插。

工作电压与电流为2N7002DW场效应管提供的电压和电流应符合其规格参数。

过高的电压或过大的电流可能会导致场效应管损坏。

建议在电路中加入适当的限流电阻或稳压元件，以保护场效应管的安全。

驱动电路当使用2N7002DW场效应管作为开关管时，需要为其提供适当的驱动信号。

驱动信号的幅度和相位应与场效应管的G极控制信号相匹配，以确保场效应管正常工作。

同时，应确保驱动电路的带宽和上升时间与场效应管的开关时间相匹配，以避免误操作或产生振荡。

热管理在工作过程中，2N7002DW场效应管会产生热量。

为确保其正常工作，应采取适当的散热措施，如安装散热片或使用导热胶将场效应管与电路板紧密接触。

同时，应定期检查散热措施是否良好，如有异常应及时处理。

四、注意事项在未连接电源之前，请勿将电压加到场效应管的引脚上，以免损坏场效应管。

在焊接场效应管时，请使用合适的焊接温度和时间，避免使用过高的温度或过长的焊接时间，以免损坏场效应管。

在使用过程中，应定期检查场效应管的外观和引脚是否有松动或损坏现象，如有异常应及时处理。

在更换场效应管时，应先关闭电源，然后将旧场效应管拆下再更换新管。

注意不要弄错引脚顺序。

不要将场效应管放在高温环境中长时间工作，以免影响其性能和使用寿命。

在使用过程中如遇到问题或故障，应寻求专业人员的帮助和建议，不要自行拆卸或修理。

场效应管使用资料

场效应管使用资料场效应管使用资料07N03L 30V 80A 150W N10N20 10A 200V N 沟道MOS管10N60 10A 600V11N80 11A 800V 156W11P06 60V 9.4A P沟道直插13N60 13A 600V N 沟道15N03L 30V 42A 83W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N40N03H 30V 40A N4232 内含P沟道,N沟道MOS管各一,4532M 内含P沟道,N沟道MOS管各一,50N03L(SD 30V 47A 50W N 沟道小贴片MOS 55N03 25V 55A 103W5N90 5A 900V5P25 250V 5A6030LX 30V 52A 42W N603AL 30V 25A 60W N 沟道小贴片MOS6A60 600V 6A N6N70 700V 6A N6P25 250V 6A70L0270N06 70A 60V 125W7N60 600V 7A N,铁7N70 7A 700V85L028N25 250V ,8A ,同IRF63495N03 25V 75A 125W9916H 18V 35A 58W 小贴片，全新9N60 9A 600V9N70 9A 700VAF4502CS 内含P沟道，N沟道MOS管各一A04403 30V 6.1A 单P沟道8脚贴片A04404 30V 8.5A 单N沟道8脚贴片A04405 30V 6A 3W 单P沟道8脚贴片A04406 30V,11.5A,单N沟道,8脚贴A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片A04408 30V 12A 单N沟道,8脚贴片A04409 30V 15A P沟道场效应,8脚A04410 30V 18A 单N沟道8脚贴片A04411 30V 8A 3W P沟道场效应,8脚A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴片A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴片A04414 30V,8.5A,3WM 单N沟道，8脚A04418 30V 11.5A N沟道8脚贴片A04422 30V 11A N 沟道8脚贴片A04423 30V 15A 3.1W 单P沟道,8脚贴A04600 内含P沟道，N沟道MOS管各一A0D405 30V，18A，P高压板MOS管贴A0D408 30V，18A，P高压板MOS管贴A0D409 60V 26/18A P 高压板MOS 管贴A0D409 60V 26/18A P 高压板MOS 管贴A0D420 30V,10A,N高压板MOS管贴A0D442 60V，38/27A，N 高压板MOS管贴A0D442 60V38/27A,N高压板MOS管贴A0D444 60V,12A,N 高压板MOS管贴A0P600 内含P,N沟道各1,30V 7.5AA0P605 内含P,N沟道各1,30V 7.5AA0P607 内含P、N沟道各1，60V 4。

场效应管详解课件

SUMMAR Y
03
场效应管的应用
在数字电路中的应用
总结词
场效应管在数字电路中主要用作开关控制，具有低导通电阻、高速开关特性和低静态功耗等优点。
详细描述
在数字电路中，场效应管常用于逻辑门电路、触发器、寄存器等数字逻辑电路中，作为开关元件控制信号的通断。由于其低导通电阻和高开关速度，场效应管能够实现高速、低功耗的数字逻辑功能。
噪声系数
场效应管在工作过程中产生的噪声与输入信号的比值，表示场效应管的噪声水平。噪声系数越低，信号质量越好。
失真系数
场效应管在工作过程中产生的非线性失真与输入信号的比值，表示场效应管的失真水平。失真系数越低，信号质量越好。
极限参数
01
02
03
04
最大漏极电流
场效应管能够承受的最大漏极电流。超过该电流值可能会损
焊接操作
在焊接场效应管时应使用适当的焊接温度和时间，避免过热或时间过长导致性能下降或损坏。
电源开关
在开关电源时应先关闭电源开关，避免瞬间电流过大对场效应管造成损坏。
REPORT
CATALOG
DATE
ANALYSIS
SUMMAR Y
06
场效应管的发展趋势与展望
当前发展状况
场效应管在电子设备中广泛应用，如放大器、振荡器、开关等。
的能量损耗和电磁干扰，提高电源的整体性能。
REPORT
CATALOG
DATE
ANALYSIS
SUMMAR Y
04
场效应管的检测与代换
检测方法
1 2 3
判断电极
通过测量电极间的电阻来判断场效应管的电极，通常G极与D极之间的电阻较小，S极与D极之间的电阻较大。

如何正确使用场效应管

如何正确使用场效应管场效应管（Field Effect Transistor, FET）是一种重要的电子元件，广泛应用于电子电路中。

正确使用场效应管可以提高电路性能，同时保证电路的可靠性和稳定性。

本文将介绍如何正确使用场效应管，以及一些使用场效应管的注意事项。

一、场效应管的基本原理场效应管是一种控制电流的器件。

其工作原理基于场效应原理，通过施加电压来控制场效应管的导电特性。

场效应管由源极、栅极和漏极组成，其内部包含P型和N型半导体材料。

二、场效应管的类型场效应管可以分为两大类：MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）和JFET（结型场效应晶体管）。

- MOSFET：主要用于集成电路中，具有较高的输入阻抗和较低的输出阻抗。

MOSFET又可分为N沟道MOSFET（N-Channel MOSFET）和P沟道MOSFET（P-Channel MOSFET）。

- JFET：主要用于低频放大器和开关电路中，具有较低的输入阻抗和较高的输出阻抗。

JFET又分为N沟道JFET（N-Channel JFET）和P沟道JFET（P-Channel JFET）。

三、正确使用场效应管的步骤1. 选择适当的场效应管类型：根据具体的应用需求，选择适合的场效应管类型。

例如，如果需要在低功耗电路中使用，可选择功耗更低的MOSFET。

如果需要在高频电路中使用，可选择截止频率更高的JFET。

2. 确定管子的工作电压和电流：根据电路的设计要求，在数据手册中查找并确定场效应管的额定工作电压和电流。

根据这些参数，合理调整电路中的电阻和电压源，以保证场效应管的正常工作。

3. 正确连接管子引脚：根据场效应管的引脚图，将管子正确连接到电路中。

通常，场效应管的源极引脚连接到电路的负极，栅极引脚通过电阻连接到控制信号源，漏极引脚连接到负载或电源。

4. 设置栅极电压：栅极电压的设置直接影响场效应管的工作状态和导通能力。

通过调整连接到栅极的电阻或电压源，设置恰当的栅极电压，使场效应管工作在所需的区域。

场效应管应用手册

场效应管（英缩写FET）是电压控制器件，它有输入电压来控制输出电流的变化。

它具有输入阻抗高噪声低，动态范围大，温度系数低等优点，因而广泛应用于各种电子线路中。

一、场效应管的结构原理及特性场效应管有结型和绝缘栅两种结构，每种结构又有N沟道和P沟道两种导电沟道。

1、结型场效应管（JFET）1）结构原理它的结构及符号见图1。

在N型硅棒两端引出漏极D和源极S两个电极，又在硅棒的两侧各做一个P区，形成两个PN结。

在P区引出电极并连接起来，称为栅极Go这样就构成了N型沟道的场效应管。

图1 JFET结构原理图由于PN结中的载流子已经耗尽，故PN基本上是不导电的，形成了所谓耗尽区，从图1中可见，当漏极电源电压ED一定时，如果栅极电压越负，PN结交界面所形成的耗尽区就越厚，则漏、源极之间导电的沟道越窄，漏极电流ID就愈小；反之，如果栅极电压没有那么负，则沟道变宽，ID变大，所以用栅极电压EG可以控制漏极电流ID的变化，就是说，场效应管是电压控制元件。

2）特性曲线a）转移特性图2（a）给出了N沟道结型场效应管的栅压---漏流特性曲线，称为转移特性曲线，它和电子管的动态特性曲线非常相似，当栅极电压VGS=0时的漏源电流。

用IDSS表示。

VGS变负时，ID逐渐减小。

ID接近于零的栅极电压称为夹断电压，用VP表示，在0≥VGS≥VP的区段内，ID与VGS的关系可近似表示为：ID=IDSS（1-|VGS/VP|）其跨导gm为：gm=（△ID/△VGS）|VDS=常微（微欧）|式中：△ID------漏极电流增量（微安）△VGS-----栅源电压增量（伏）b）漏极特性（输出特性）图2(b)给出了场效应管的漏极特性曲线，它和晶体三极管的输出特性曲线很相似。

图2 场效应管的漏极特性曲线①可变电阻区（图中I区）在I区里VDS比较小，沟通电阻随栅压VGS而改变，故称为可变电阻区。

当栅压一定时，沟通电阻为定值，ID随VDS近似线性增大，当VGS＜VP时，漏源极间电阻很大（关断）。

士兰微电子 SVF10N80F K 高压功率 MOS 场效应晶体管说明书

10A 、800V N 沟道增强型场效应管描述SVF10N80F/K N 沟道增强型高压功率MOS 场效应晶体管采用士兰微电子F-Cell TM 平面高压VDMOS 工艺技术制造。

先进的工艺及元胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压H 桥PWM 马达驱动。

特点♦ 10A ，800V ，R DS(on)(典型值)=0.92 @V GS =10V ♦ 低栅极电荷量 ♦ 低反向传输电容 ♦ 开关速度快 ♦提升了dv/dt 能力命名规则士兰F-Cell 工艺VDMOS 产品标识额定电流标识,采用1-2位数字；例如:4 代表 4A,10 代表 10A,08 代表 0.8A额定耐压值，采用2位数字例如：60表示600V ，65表示650V 封装外形标识例如： F:TO-220FS V F X N E X X X沟道极性标识，N 代表N 沟道特殊功能、规格标识，通常省略例如：E 表示内置了ESD 保护结构产品规格分类极限参数(除非特殊说明，T C=25︒C)热阻特性电气参数(除非特殊说明，T=25︒C)C源-漏二极管特性参数注：1. L=30mH，I AS=7.50A，V DD=100V，R G=25Ω，开始温度T J=25︒C;2. V DS=0~400V，I SD<=10A，T J=25︒C;3. V DS=0~480V;4. 脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；5. 基本上不受工作温度的影响。

典型特性曲线图1. 输出特性图2. 传输特性漏极电流 – I D (A )0.111000.1100漏源电压 – V DS (V)漏极电流 – I D (A )24681013579栅源电压 – V GS (V)0.80212漏源导通电阻 – R D S (O N )(Ω)漏极电流 – I D (A)图3. 导通电阻vs.漏极电流00.20.40.6 1.2反向漏极电流 – I D R (A )源漏电压 – V SD (V)图4. 体二极管正向压降vs. 源极电流、温度1.20.1110060.11000.8 1.01100.981.11.04110101010图5. 电容特性图6. 电荷量特性电容(p F )020*******漏源电压 – V DS (V)栅源电压 – V G S (V )0540总栅极电荷 – Q g (nC)0.111000024681012301010020100010352515400典型特性曲线（续）0.80.91.11.0-100-50050100200漏源击穿电压（标准化）– B V D S S结温 – T J (°C)图7. 击穿电压vs.温度特性漏源导通电阻（标准化） – R D S (O N )图8. 导通电阻vs.温度特性结温 – T J (°C)1.21500.00.52.01.5-100-500501002003.01501.02.5图9-1. 最大安全工作区域(SVF10N80F)10-110010110210101010310-2漏极电流 - I D (A )漏源电压 - V DS (V)图9-2. 最大安全工作区域(SVF10N80K)10-110010110210101010310-2漏极电流 - I D (A )漏源电压 - V DS (V)图10. 最大漏极电流vs. 壳温漏极电流 - I D (A )壳温 - T C (°C)0102462550751001251508典型测试电路12VV DSV GS10V电荷量栅极电荷量测试电路及波形图开关时间测试电路及波形图V DSV GS10%90%E AS 测试电路及波形图V DDLBV DSS I ASV DD封装外形图声明：♦士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最新。

90t03gh场效应管参数手册

90t03gh场效应管参数手册第一章：90t03gh场效应管的概述1.1 90t03gh场效应管的定义90t03gh场效应管，是一种常用的半导体器件，具有高输入电阻和低噪声的特点，广泛应用于电子设备中的信号放大和开关控制电路中。

1.2 90t03gh场效应管的结构90t03gh场效应管由栅极、漏极、源极和沟道四部分构成，通过控制栅极电压来实现对沟道电阻的调节，从而控制漏极和源极之间的电流。

第二章：90t03gh场效应管的参数2.1 90t03gh场效应管的主要参数包括漏源极电压（VDS）、栅源极电压（VGS）、漏源极电流（ID）、漏极-源极导通电阻（RDS(ON)）等参数。

这些参数影响了90t03gh场效应管的工作性能和适用范围。

2.2 90t03gh场效应管参数的测量方法通过示波器、万用表等测试仪器，可以测量和确认90t03gh场效应管的各项参数，确保其符合设计要求，以保证电子设备的正常运行。

第三章：90t03gh场效应管的应用3.1 90t03gh场效应管在信号放大电路中的应用由于90t03gh场效应管具有高输入电阻和低噪声的特性，适合用于放大小电压信号，常用于放大器、滤波器等电路中。

3.2 90t03gh场效应管在开关控制电路中的应用由于90t03gh场效应管能够快速开关，因此在开关控制电路中有着广泛的应用，例如直流电机驱动、照明控制等领域。

第四章：90t03gh场效应管的参数手册4.1 90t03gh场效应管参数的规格书包括90t03gh场效应管的封装类型、最大耗散功率、工作温度范围等信息。

4.2 90t03gh场效应管参数的选型指南根据具体的应用要求，选择适合的90t03gh场效应管型号，保证电路性能和稳定性。

结语：90t03gh场效应管作为一种重要的半导体器件，具有广泛的应用前景。

通过深入了解90t03gh场效应管的结构、参数和应用，可以更好地发挥其作用，为电子设备的设计和制造提供有力的支持。

场效应管65R940参数及代换

场效应管65R940参数及代换
1.额定电流：最大漏极电流为1.5A，这是指在特定的工作条件下，漏极电流通过管子时的最大允许值。

2.额定电压：最大漏极-源极电压为60V，这是指在特定的工作条件下，漏极与源极之间的电压差的最大允许值。

3. 阻抗参数：输入电阻（Rin）为5000Ω，输出电阻（Rout）为150Ω，反馈电阻（Rfb）为600KΩ。

这些参数反映了场效应管的信号输入与输出的阻抗特性。

4. 转导导数（gm）：转导导数为4.2mS/V，这是指当输入电压发生1V变化时，输出电流变化的比例。

5. 开启电压（Vgs(th)）：开启电压为2-4V，这是指在特定的工作条件下，使漏极电流达到额定电流所需的栅极-源极电压的范围。

代换方法：
如果65R940场效应管不可获得或不适合特定需求，可以将其替换为类似参数的场效应管。

代换时需要注意以下几点：
1.额定电流和电压：选择代换管时，需要确保新的管子能够承受或超过原始管子的额定电流和电压要求。

2.脱耦电容：如果原始电路中存在脱耦电容，新的场效应管的电容参数也需要匹配。

3.封装类型：确保新的代换管与原始管子具有相同的封装类型，以确保能够正确安装在电路板上。

4.原始电路的特殊要求：如果原始电路有特殊的要求或调整需求，例如工作频率范围、噪声特性等，代换管也需要具备相似的特性。

为了找到合适的代换管，可采取以下步骤：
1.查找参数表：在场效应管的制造商或供应商网站上查找参数表，比较不同型号的电流、电压、阻抗等参数，寻找与65R940相似的管子。

2.应用指南：参考场效应管的应用指南或数据手册，其中通常包含了代换建议或替代型号的推荐。

场效应管及其应用

（2）恒流区（或线性放大区）。图1.29中间部分
是恒流区，在此区域ID不随UDS的增加而增加，而是随着UGS的增大而增大，输出特性曲线近似平行于UDS轴， ID
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受UGS的控制，表现出场效应管电压控制电流的放
大作用，场效应管组成的放大电路就工作在这个区域。
（3）夹断区。当UGS<U GS(off)时，场效应管的导电沟
结构示意图符号
栅极
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N沟道
导电
沟道
源极
3
S
源极
G 栅极
P
沟道
N P
(a)
D
漏极
N
D
G S
(b)
图3.1 N （a）结构示意图;（b）图形符号;（c）外形图
3DJ7
DG S
(c)
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5
2. 工作原理
现以N沟道结型场效应管为例讨论外加电场是如何来控制场效应管的电流的。
G
P
P
－
N
UGG ＋
S
G P
－
UGG ＋
P S
(b)
(c)
图3.4 UGS对导电沟道的影响（a）导电沟道最宽;（b）导电沟道变窄;（c）导电沟道夹断
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ID / m A
可
预夹断轨迹
变
电 5阻
4区
恒流区
3
2
U
＝
GS
0
－1 V －2 V
1
－ 3 .4 V
0
10
20
夹断区
根据结构不同，场效应管可以分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（IGFET）或称MOS型场效应管两大类。根据场效应管制造工艺和材料的不同，又可分为N型沟道场效应管和P型沟道场效应管。