PN节学习总结心得体会半导体物理 ppt课件
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PN节学习总结心得体会半导体物理
第一章 p n结 1.1 p-n结的形成及平衡状态 1.2 直流特性 1.3 空间电荷区和势垒电容 1.4 交流小讯号特性 1.5 p-n结击穿
PN节学习总结心得体会半导体物 理
第一章 p-n结 概念和定义
原理机理机制过程
分析计算方法
p-n结,形成,平衡 状态,杂质分布:突 变结,缓变结; 空间电荷区:电场, 电势,载流子浓度, 空间电荷区宽度; 正向、反向p-n结; 正向阈值电压; 耗尽层近似; 势垒电容;变容二 极管;扩散电容; p-n结击穿:定义, 分类,碰撞电离率, 倍增因子
Biblioteka Baidu
原理机理机制过程
分析计算方法
基本结构,杂质分 布; 发射结注入,基区 输运,集电结收集; 电流放大系数,中 间参量; 缓变基区自建电场; 反向电流及击穿电 压 直流特性曲线; 基极电阻; E-M模型
放大原理; 载流子传输过程; 缓变基区自建电场 对载流子输运及分 布的影响; 放大系数影响因素 及改善措施; 击穿电压及相互关 系; 势垒穿通; 厄尔利效应
PN节学习总结心得体会半导体物 理
第三章 频率特性 概念和定义
原理机理机制过程
分析计算方法
交流电流放大系数 与频率参数; 高频参数及等效电 路; 高频下载流子输运 及中间参数; 高频功率增益; 最佳高频功率增益; 高频优值
基区宽变效应; 高频下载流子输运 及中间参数; 工作条件对频率参 数的影响
交流特性分析; 高频参数及等效电 路* 放大系数的频率关 系; 高频优值
基区载流子(少子, 电子)密度分布; 电流密度分布; 电流增益; 缓变基区晶体管发 射效率,方块电阻; 基极电阻,等效功 率法; 分贝
PN节学习总结心得体会半导体物 理
第三章 双极型晶体管的频率特性 3.1 晶体管交流电流放大系数与频率参数 3.2 晶体管的交流特性分析 3.3 晶体管的高频参数及等效电路 3.4 高频下晶体管中载流子的输运及中间参数 3.5 晶体管电流放大系数的频率关系 3.6 晶体管的高频功率增益 3.7 工作条件对晶体管fT、Kpm的影响
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第六章 JFET&MESFET 概念和定义
分类,符号; 直流参数; 交流参数; 频率参数
原理机理机制过程
分析计算方法
基本结构,工作原 理; 特性曲线; 特性影响因素; 短栅器件的速度饱 和效应; 串联电阻的影响; 温度效应
直流参数; 交流参数; 频率参数
PN节学习总结心得体会半导体物 理
阈值电压; 直流特性分析; 直流参数; 低频参数; 频率特性; 开关时间
PN节学习总结心得体会半导体物 理
第八章 晶体管的噪声特性 8.1 晶体管的噪声和噪声系数 8.2 晶体管的噪声源 8.3 双极型晶体管的噪声 8.4 JFET和MESFET的噪声特性 8.5 MOSFET的噪声特性
原理机理机制过程
分析计算方法
开关时间,反向恢 复时间,贮存时间, 下降时间; 晶体管开关时间定 义; 正向压降,饱和压 降; 临界饱和基极电流; 过驱动电流; 饱和,截止状态; 电荷控制参数
开关作用; 电荷存储效应; 反向恢复过程; 缩短二极管开关时 间措施; 晶体管开关作用, 特点及要求; 开关过程; 电荷存储效应; 提高开关速度的措 施
PN节学习总结心得体会半导体物 理
第四章 双极型晶体管的功率特性 4.1 集电极最大允许工作电流 4.2 基区大注入效应对电流放大系数的影响 4.3 有效基区扩展效应 4.4 发射极电流集边效应 4.5 发射极单位周长电流容量 4.6 晶体管最大耗散功率PCM 4.7 二次击穿和安全工作区
PN节学习总结心得体会半导体物 理
p-n结电流成分转 换; 正向I-V特性的讨 论; 大注入效应; p-n结击穿:电击穿 ,热击穿,雪崩击穿 ,隧道击穿; 击穿电压影响因素 及措施:球、柱、 平面结,磨角
势垒高度; 正向电流公式; 边界载流子浓度; 实际扩散结势垒电 容计算,查表; 交流小信号特性分 析方法,特性方程; 雪崩击穿条件
第七章 MOSFET
概念和定义
阈值电压; 直流参数; 小信号低频参数; 高频功率增益; 开关时间; 短沟道效应,判据
原理机理机制过程
分析计算方法
基本结构,工作原 理; 阈值电压; 击穿机制; 雪崩注入及应用; 沟道长度调制效应; 漏区电场静电反馈 效应; 低频小信号模型; 密勒效应; 开关特性; 温度特性; 短沟道和窄沟道效 应
几个临界电流密度; 热阻; 耗散功率; 转换效率
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第五章 二极管和双极型晶体管的开关特性 5.1 p-n结二极管的开关特性 5.2 晶体管的开关作用 5.3 晶体管的开关过程和开关时间 5.4 开关晶体管的正向压降和饱和压降
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第五章 开关特性 概念和定义
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第二章 双极型晶体管的直流特性 2.1 晶体管的基本结构和杂质分布 2.2 放大机理 2.3 直流I-V特性及电流增益 2.4 反向电流及击穿电压 2.5 直流特性曲线介绍 2.6 基极电阻 2.7 埃伯尔斯—莫尔模型
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第二章1 BJT直流特性 概念和定义
反向恢复时间; 贮存时间,下降时 间; 电荷控制法; 电荷控制方程; 开关时间
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第六章 结型场效应晶体管 6.1 基本工作原理 6.2 直流特性与低频小信号参数 6.3 交流特性 6.4 功率特性 6.5 结构举例
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第七章 MOS场效应晶体管 7.1 基本工作原理和分类 7.2 阈值电压 7.3 电流—电压特性和直流特性曲线 7.4 击穿特性 7.5 频率特性 7.6 功率特性和功率MOSFET的结构 7.7 开关特性 7.8 温度特性 7.9 短沟通和窄沟道效应
第四章 功率特性 概念和定义
原理机理机制过程
分析计算方法
集电极最大允许工 作电流; 基区大注入自建电 场; 发射极有效长度、 宽度; 二次击穿; 安全工作区; 发射极镇流电阻
基区大注入对电流 放大系数的影响; 基区电导调制效应; 有效基区扩展效应: 均匀基区,缓变强 场,缓变弱场; 发射极电流集边效 应; 二次击穿:电流集 中,雪崩注入
第一章 p n结 1.1 p-n结的形成及平衡状态 1.2 直流特性 1.3 空间电荷区和势垒电容 1.4 交流小讯号特性 1.5 p-n结击穿
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第一章 p-n结 概念和定义
原理机理机制过程
分析计算方法
p-n结,形成,平衡 状态,杂质分布:突 变结,缓变结; 空间电荷区:电场, 电势,载流子浓度, 空间电荷区宽度; 正向、反向p-n结; 正向阈值电压; 耗尽层近似; 势垒电容;变容二 极管;扩散电容; p-n结击穿:定义, 分类,碰撞电离率, 倍增因子
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原理机理机制过程
分析计算方法
基本结构,杂质分 布; 发射结注入,基区 输运,集电结收集; 电流放大系数,中 间参量; 缓变基区自建电场; 反向电流及击穿电 压 直流特性曲线; 基极电阻; E-M模型
放大原理; 载流子传输过程; 缓变基区自建电场 对载流子输运及分 布的影响; 放大系数影响因素 及改善措施; 击穿电压及相互关 系; 势垒穿通; 厄尔利效应
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第三章 频率特性 概念和定义
原理机理机制过程
分析计算方法
交流电流放大系数 与频率参数; 高频参数及等效电 路; 高频下载流子输运 及中间参数; 高频功率增益; 最佳高频功率增益; 高频优值
基区宽变效应; 高频下载流子输运 及中间参数; 工作条件对频率参 数的影响
交流特性分析; 高频参数及等效电 路* 放大系数的频率关 系; 高频优值
基区载流子(少子, 电子)密度分布; 电流密度分布; 电流增益; 缓变基区晶体管发 射效率,方块电阻; 基极电阻,等效功 率法; 分贝
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第三章 双极型晶体管的频率特性 3.1 晶体管交流电流放大系数与频率参数 3.2 晶体管的交流特性分析 3.3 晶体管的高频参数及等效电路 3.4 高频下晶体管中载流子的输运及中间参数 3.5 晶体管电流放大系数的频率关系 3.6 晶体管的高频功率增益 3.7 工作条件对晶体管fT、Kpm的影响
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第六章 JFET&MESFET 概念和定义
分类,符号; 直流参数; 交流参数; 频率参数
原理机理机制过程
分析计算方法
基本结构,工作原 理; 特性曲线; 特性影响因素; 短栅器件的速度饱 和效应; 串联电阻的影响; 温度效应
直流参数; 交流参数; 频率参数
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阈值电压; 直流特性分析; 直流参数; 低频参数; 频率特性; 开关时间
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第八章 晶体管的噪声特性 8.1 晶体管的噪声和噪声系数 8.2 晶体管的噪声源 8.3 双极型晶体管的噪声 8.4 JFET和MESFET的噪声特性 8.5 MOSFET的噪声特性
原理机理机制过程
分析计算方法
开关时间,反向恢 复时间,贮存时间, 下降时间; 晶体管开关时间定 义; 正向压降,饱和压 降; 临界饱和基极电流; 过驱动电流; 饱和,截止状态; 电荷控制参数
开关作用; 电荷存储效应; 反向恢复过程; 缩短二极管开关时 间措施; 晶体管开关作用, 特点及要求; 开关过程; 电荷存储效应; 提高开关速度的措 施
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第四章 双极型晶体管的功率特性 4.1 集电极最大允许工作电流 4.2 基区大注入效应对电流放大系数的影响 4.3 有效基区扩展效应 4.4 发射极电流集边效应 4.5 发射极单位周长电流容量 4.6 晶体管最大耗散功率PCM 4.7 二次击穿和安全工作区
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p-n结电流成分转 换; 正向I-V特性的讨 论; 大注入效应; p-n结击穿:电击穿 ,热击穿,雪崩击穿 ,隧道击穿; 击穿电压影响因素 及措施:球、柱、 平面结,磨角
势垒高度; 正向电流公式; 边界载流子浓度; 实际扩散结势垒电 容计算,查表; 交流小信号特性分 析方法,特性方程; 雪崩击穿条件
第七章 MOSFET
概念和定义
阈值电压; 直流参数; 小信号低频参数; 高频功率增益; 开关时间; 短沟道效应,判据
原理机理机制过程
分析计算方法
基本结构,工作原 理; 阈值电压; 击穿机制; 雪崩注入及应用; 沟道长度调制效应; 漏区电场静电反馈 效应; 低频小信号模型; 密勒效应; 开关特性; 温度特性; 短沟道和窄沟道效 应
几个临界电流密度; 热阻; 耗散功率; 转换效率
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第五章 二极管和双极型晶体管的开关特性 5.1 p-n结二极管的开关特性 5.2 晶体管的开关作用 5.3 晶体管的开关过程和开关时间 5.4 开关晶体管的正向压降和饱和压降
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第五章 开关特性 概念和定义
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第二章 双极型晶体管的直流特性 2.1 晶体管的基本结构和杂质分布 2.2 放大机理 2.3 直流I-V特性及电流增益 2.4 反向电流及击穿电压 2.5 直流特性曲线介绍 2.6 基极电阻 2.7 埃伯尔斯—莫尔模型
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第二章1 BJT直流特性 概念和定义
反向恢复时间; 贮存时间,下降时 间; 电荷控制法; 电荷控制方程; 开关时间
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第六章 结型场效应晶体管 6.1 基本工作原理 6.2 直流特性与低频小信号参数 6.3 交流特性 6.4 功率特性 6.5 结构举例
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第七章 MOS场效应晶体管 7.1 基本工作原理和分类 7.2 阈值电压 7.3 电流—电压特性和直流特性曲线 7.4 击穿特性 7.5 频率特性 7.6 功率特性和功率MOSFET的结构 7.7 开关特性 7.8 温度特性 7.9 短沟通和窄沟道效应
第四章 功率特性 概念和定义
原理机理机制过程
分析计算方法
集电极最大允许工 作电流; 基区大注入自建电 场; 发射极有效长度、 宽度; 二次击穿; 安全工作区; 发射极镇流电阻
基区大注入对电流 放大系数的影响; 基区电导调制效应; 有效基区扩展效应: 均匀基区,缓变强 场,缓变弱场; 发射极电流集边效 应; 二次击穿:电流集 中,雪崩注入