【CN109686718A】封装结构【专利】
【CN209447964U】一种锂电池的封装装置【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)实用新型专利(10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 201920312323.2(22)申请日 2019.03.11(73)专利权人 惠州赫能科技有限公司地址 516025 广东省惠州市仲恺高新区惠南产业园华泰路6号D栋、E栋工业厂房(72)发明人 聂梦州 (74)专利代理机构 广州三环专利商标代理有限公司 44202代理人 叶新平(51)Int.Cl.H01M 10/058(2010.01)H01M 2/02(2006.01)H01M 2/08(2006.01)(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利(54)实用新型名称一种锂电池的封装装置(57)摘要本实用新型一种锂电池的封装装置，整体外形呈矩形，从下到上依次包括下模座、上模座、至少一块套板、上盖板及螺丝。
下模座为上面敞开、四周壁与底面围拢，中间设有第一矩形凹区，第一矩形凹区的上端沿四边与四周壁上端形成第二矩形凹区，第二矩形凹区的四边中央各设有一个第三矩形凹槽，每个第三矩形凹槽靠四周壁上端外侧设有一个第四矩形凹槽，下模座的两条长壁上端分别设有至少两个向上凸柱。
下模座的一个左角上部，自靠近角端起至第一矩形凹区的左角上端设有半圆形管槽。
本方案能确保每一个封装锂电池的外包装热压封装后各条边受力及厚度均匀，密封性好，产品的一致性好、合格率高，提高了四电极的锂电池的生产效率。
权利要求书1页 说明书4页 附图2页CN 209447964 U 2019.09.27C N 209447964U权 利 要 求 书1/1页CN 209447964 U1.一种锂电池的封装装置，整体外形呈矩形，其特征在于：从下到上依次包括下模座、上模座、至少一块套板、上盖板及螺丝；所述下模座为上面敞开、四周壁与底面围拢，中间设有第一矩形凹区，第一矩形凹区的上端沿四边与四周壁上端形成第二矩形凹区，第二矩形凹区的四边中央各设有一个第三矩形凹槽，每个第三矩形凹槽靠四周壁上端外侧设有一个第四矩形凹槽，下模座的两条长壁上端分别设有至少两个向上凸柱；下模座的一个左角上部，自靠近角端起至第一矩形凹区的左角上端设有半圆形管槽，其管槽槽口向上；所述上模座为中间上下相通的矩形挖空、四周壁围拢，矩形挖空的下端沿四边与四周壁下端形成第五矩形凹区，第五矩形凹区的四边中央各设有一个第六矩形凹槽，每个第六矩形凹槽靠四周壁下端外侧设有一个第七矩形凹槽，上模座的两条长壁下端分别设有至少两个匹配所述凸柱的向下凹孔，上模座的四周壁上端的中央分别设有第一螺丝盲孔；上模座的一个左角下部，自靠近角端起至矩形挖空的左角下端设有半圆形管槽，其管槽槽口向下；所述套板为中间上下相通的矩形挖空，剩余四周框的中央分别设有第二螺丝通孔；所述上盖板为上面封闭、中间设有开口向下的第八矩形凹区，剩余四周框的中央分别设有第三螺丝通孔；通过所述螺丝将所述上盖板、所述套板紧固在所述上模座的上面。
封装结构[发明专利]
![封装结构[发明专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/6a0bbcf6650e52ea54189836.png)
专利名称：封装结构
专利类型：发明专利
发明人：辛孟鸿,陈裕宏,林进志申请号：CN201810168223.7申请日：20180228
公开号：CN110211933A
公开日：
20190906
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供了一种封装结构，其包括基板、电子元件层、有机聚合物层以及保护层，电子元件层设置在基板上，有机聚合物层设置在电子元件层上，保护层设置在有机聚合物层上。
因此，相较于传统的封装结构，本发明可省略至少一层具有无机材料的钝化层的制作，并同时简化制作工艺与封装结构的膜层，进而降低成本与提高产能。
申请人：星宸光电股份有限公司
地址：中国台湾新竹市
国籍：TW
代理机构：北京天驰君泰律师事务所
代理人：孟锐
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【CN109755853A】一种尼罗红有机溶剂作为增益介质的染料激光装置【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910184083.7(22)申请日 2019.03.12(71)申请人 中国科学技术大学地址 230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号(72)发明人 方昱玮 程军杰 王声波 王贯 董天浩 顾春 许立新 (74)专利代理机构 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251代理人 杨学明 顾炜(51)Int.Cl.H01S 3/094(2006.01)H01S 3/109(2006.01)H01S 3/00(2006.01)H01S 3/08(2006.01)H01S 3/213(2006.01)H01S 3/1055(2006.01)(54)发明名称一种尼罗红有机溶剂作为增益介质的染料激光装置(57)摘要本发明提出了一种尼罗红有机溶剂作为增益介质的染料激光装置，该染料激光装置包括作为泵浦源的二倍频的Nd:YAG激光器、光学系统和染料激光谐振腔，染料激光谐振腔包括装有尼罗红有机溶液的石英比色皿。
本发明采用尼罗红作为激光增益介质，利用尼罗红的溶剂化显色特性，即在不同有机溶剂中的荧光/激光强度与中心波长和溶剂的极性有关，通过改变系统极性得到78nm调谐范围的激光输出，以及双波长“比例激光”的结果。
权利要求书2页 说明书5页 附图6页CN 109755853 A 2019.05.14C N 109755853A权 利 要 求 书1/2页CN 109755853 A1.一种尼罗红有机溶剂作为增益介质的染料激光装置，其特征在于：由激光泵浦源、光学系统和染料激光谐振腔组成，其中激光泵浦源(1)为Nd:YAG固体激光器，激光泵浦源(1)发出的光束经二倍频光学晶体(2)得到倍频输出光，由半波片(3)与偏振片(4)共同调节输出能量，后通过第一全反镜(5)和第二全反镜(6)改变光路方向后经过分束镜(7)，一部分泵浦光经第三全反镜(15)接入能量计(16)监测泵浦能量，另一部分直接泵浦染料激光谐振腔，泵浦光经聚焦透镜(8)与小孔光阑(9)后进入染料激光谐振腔，染料激光谐振腔包括平面二向色镜(10)、装有尼罗红不同有机溶剂的石英比色皿(11)、反射式闪耀光栅(12)以及调谐全反镜(13)，平面二向色镜(10)位于小孔光阑(9)后10mm，装有尼罗红有机溶剂的石英比色皿(11)位于平面二向色镜(10)后15mm，入射光在反射式闪耀光栅(12)上的入射点距石英比色皿(11)右窗口20mm，调谐全反镜(13)表面与反射式闪耀光栅(12)光栅面平行，且距离为10mm，最后输出激光接入光谱仪(14)进行分析。
半导体结构及其形成方法[发明专利]
![半导体结构及其形成方法[发明专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/0465b26602d276a201292e3b.png)
专利名称：半导体结构及其形成方法专利类型：发明专利
发明人：廖廷丰
申请号：CN201711190676.1
申请日：20171124
公开号：CN109841628A
公开日：
20190604
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：一种半导体结构包括多个次阵列结构，通过多个隔离结构彼此分离。
此种半导体结构还包括多个存储单元构成的一三维阵列。
该些存储单元包括多个存储单元群，分别设置在次阵列结构中。
此种半导体结构还包括多个导电结构。
导电结构的每一个包括沿着隔离结构的一延伸方向对应设置在隔离结构的每一个中的多个导电柱。
导电柱穿过隔离结构的每一个。
导电柱的每一个具有圆形剖面。
申请人：旺宏电子股份有限公司
地址：中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
国籍：TW
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：曹玲柱
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(51)Int .Cl . H01L 23/495(2006 .01) H01L 23/31(2006 .01)
(10)申请公布号 CN 109686718 A (43)申请公布日 2019.04.26
( 54 )发明 名称 封装结构
( 57 )摘要 该发明涉及一种封装结构，包括引线框架和
发明内容 [0005] 本发明的目的在于提供一种封装结构，增加芯片封装的功能，提高芯片的功能集 成度。 [0006] 为了解决上述问题，以下提供了一种封装结构，包括引线框架和封装外壳，且所述 引线框架用于安装芯片，且所述引线框架具有导线托盘；所述封装外壳用于封装所述引线 框架，且所述封装外壳的底面设置有多个镂空部，所述导线托盘外露于多个镂空部，形成多 个导线托盘外露区域 ；各导线托盘外露区域之间被封装外壳隔离 ，以 避免焊接所述导线托 盘外露区域时焊锡对其他导线托盘外露区域的渗透；各导线托盘外露区域在封装壳体内部 连接为一体 ，当所述导电 托盘作为采样电阻 使 用时 ，其中两个导电 托盘外露区域分别作为 电流的输入端和输出端，不同的两个导电托盘外露区域之间具有不同的采样电阻值。 [0007] 可选的，所述导线托盘包括可产生非均匀强磁场的弧形部分。 [0008] 可选的，所述导线托盘通过所述弧形部分安装芯片，且所述芯片为磁敏芯片，且所 述磁敏芯片的磁敏部分设置于所述弧形部分产生的非均匀强磁场的磁场密集处。 [0009] 可选的，所述弧形部分产生的非均匀磁场的磁场密集处设置有粘胶。 [0010] 可选的，所述弧形部分包括U型口，且所述U型口的内侧为产生的非均匀强磁场的 磁场密集处。 [0011] 可选的，所述U型口的内侧设置有粘胶。 [0012] 可选的，所述导线托盘外露区域的数目为七个以内。 [0013] 可选的，所述引线框架包括环绕所述弧形部分设置的引脚部分，所述引脚部分通 过引线连连接到所述芯片的外接点。 [0014] 可选的，所述封装外壳包括塑封料封装外壳。 [0015] 上述封装结构由于封装外壳的底面设置有多个被封装外壳分隔开来的导线托盘
权利要求书1页 说明书5页 附图4页
CN 109686718 A
CN 109686718 A
权 利 要 求 书
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1 .一种封装结构，其特征在于，包括引线框架和封装外壳，且 所述引线框架用于安装芯片，且所述引线框架具有导线托盘； 所述封装外壳 用于封装所述 引线框架 ，且所述封装外壳的 底面设置有多个镂空部 ，所 述导线托盘外露于所述多个镂空部，形成多个导线托盘外露区域； 各导线托盘外露区域之间被封装外壳隔离，以避免焊接所述导线托盘外露区域时焊锡 对其他导线托盘外露区域的渗透； 各导线托盘外露区域在封装壳体内部连接为一体，当所述导电托盘作为采样电阻使用 时 ，其中两个导电 托盘外露区域分别作为电 流的输入端和输出端 ，不同的 两个导电 托盘外 露区域之间具有不同的采样电阻值。 2 .根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述导线托盘包括可产生非均匀强磁 场的弧形部分。 3 .根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述导线托盘通过所述弧形部分安装 磁敏芯片，且所述磁敏芯片的磁敏部分设置于所述弧形部分产生的非均匀强磁场的磁场密 集处。 4 .根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述弧形部分产生的非均匀磁场的磁 场密集处设置有粘胶。 5 .根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述弧形部分包括U型口 ，且所述U型 口的内侧为产生的非均匀强磁场的磁场密集处。 6 .根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述U型口的内侧设置有粘胶。 7 .根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述导线托盘外露区域的数目为七个 以内。 8 .根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述引线框架包括环绕所述弧形部分 设置的引脚部分，所述引脚部分通过引线连接到所述芯片的外接点。 9 .根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装外壳包括塑封料封装外壳。
封装外壳 ，且所述引线框架用于安装芯片，且所 述引线框架具有导线托盘；所述封装外壳用于封 装所述引线框架，且所述封装外壳的底面设置有 多个镂空部 ，所述导线托盘外露于多个镂空部 ， 形成多个导线托盘外露区域；各导线托盘外露区 域之间被封装外壳隔离，以避免焊接所述导线托 盘外露区域时焊锡对其他导线托盘外露区域的 渗透。上述封装结构将引线框架的底端托盘设计 成带有弧形部分的导线托盘，不仅可以托住的芯 片，还可以由导线托盘的弧形部分产生非均匀强 磁场，为需要辅助磁场的传感器的芯片提供辅助 磁场。
( 19 )中华人民 共和国国家知识产权局
( 12 )发明专利申请
(21)申请号 201910066885 .8
(22)申请日 2019 .01 .24
(71)申请人 上海兴工微电子有限公司 地址 201203 上海市浦东新区自由贸易试 验区芳春路400号1幢3层
(72)发ห้องสมุดไป่ตู้人 钟小军
(74)专利代理机构 上海盈盛知识产权代理事务 所(普通合伙) 31294
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CN 109686718 A
说 明 书
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封装结构
技术领域 [0001] 本发明涉及芯片生产领域，涉及一种封装结构。
背景技术 [0002] 半导体集成电路产业已经历了快速成长。集成电路材料与设计的技术进步，产生 了一代又一代的 集成电 路。每一代的 集成电 路均比 前一代具有更小且更复 杂的电 路 ，然而 这些进产亦增加了集成电路工艺的复杂度。 [0003] 在集成电路的革新中，功能密度，即每单位面积的内连线装置数，逐渐增加，而几 何尺寸，如工艺所能形成的最小构件或线路，也随之缩小，集成电路的封装也逐渐被重视起 来 ，占 据了越来越大的研发比 重。 [0004] 在现有技术中，在对芯片进行封装时，通常会通过设置在封装内的基岛来放置芯 片。在使 用基岛放置芯片时 ，基岛 只能 用于承托芯片 ，而不能提供其他的 功能 ，在功能集成 度极高的当下，只能用来作为承托芯片的装置的基岛已经不再适用。