贴片电容电阻参数及详解

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一.贴片电容

贴片电容全称：多层（积层，叠层）片式陶瓷电容器，也称为贴片电容，片容。英文缩写：MLCC。

1.品牌：

日系：TDK 、村田（MURATA）、京瓷（Kyocera）、太阳诱电（TAIYO YUDEN）、松下（Panasonic）、罗姆（ROHM）、KOA（KOA Speer Electronics.Inc）

台系：国巨（YAGEO）、华科（WALSIN）

韩系：三星（Samsung）

国产：风华（FH）、宇阳(E YANG)

2.主要参数：

容值电压误差材质（精度）尺寸

3.各个参数详解：

①.容值

容值的算法

常用容值单位：UF 、 NF 、 PF (微法、纳法、皮法)

容值都为千进制（以上前者为后者的1000倍）

如：1,000PF =1NF =102 =0.001UF

10,000PF =10NF =103 =0.01UF

100,000PF =100NF =104 =0.1UF

另注：5PF = 509

用二位数字表示有效数字，再用一个字母表示数值的量级。如：1p2表示1.2pF, 220n 表示0.22uF，3u3表示3.3uF, 2m2表示2200uF。

另一种表示法，是用三位数字表示电容量，最后用一个字母表示误差。三位数字中的前两位表示有效值，第三位表示10的n次方，n一般为1—8。特殊情况是：当n=9时，不表示10的9次方，而表示为10的 -1次方。

例如：

"102"表示10*100=1000pF

"223"表示22*1000=22000pF=0.022uF

"474"表示47*10000=0.47uF

"159"表示15*0.1=1.5pF

②.电压

各个品牌电容的电压表示方法各不相同。

系列电压有 6.3V、10V、16V、25V、50V、100V、200V、500V、1000V、

2000V、3000V、 4000V

③.误差

电容的容值误差通常用字符表示：

第一种，绝对误差，通常以电容量的值的绝对误差表示，以PF为单位，即：B代表±0.1PF、C代表±0.25PF、D代表±0.5PF，Y代表±1PF，A代表

±1.5PF,V代表±5PF。这种表达方式通常用于小容量电容器。

第二种，相对误差，以电容量标称值的偏差百分数表示，即：D代表±0.5%，P代表±0.625%、F代表±1%，R代表±1.25%，G代表±2%，U代表±3.5%，J代表±5%，K代表±10%，M代表±20%，S代表±50%/-20%、Z代表±80%/-20%。

④.材质

贴片电容的材料常规分为四种：NPO，X7R，X5R，Y5V

1、NPO此种材质电性能最稳定，几乎不随温度，电压和时间的变化而变化，适用于低损耗，稳定性要求高的高频电路。容量精度在5％左右，但选用这种材质只能做容量较小的，常规100PF 以下。100PF-1000PF 也能生产但价格较高

NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。

NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。

下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。

封装500T=50V;101T=100V

020110---100P

08050.5---1000pF0.5---820pF

12060.5---1200pF0.5---1800pF

1210560---5600pF560---2700pF

NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。

2、X7R此种材质比NPO 稳定性差，但容量做的比NPO 的材料要高，容量精度在10％左右。

X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。

X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。

X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。

下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。

封装500T=50V;101T=100V

0201 120pF---820pF

0805 1200pF---0.056μF330pF---0.012μF

1206 1000pF---0.15μF1000pF---0.047μF

1210 1000pF---0.22μF1000pF---0.1μF

3、X5R X5R的意思就是该电容的正常工作温度为-55°C~+85°C，对应的电容容量变化为±15%。

4、Y5V此类介质的电容，其稳定性较差，容量偏差在20％左右，对温度电压较敏感，但这种材质能做到很高的容量，而且价格较低，适用于温度变化不大的电路中

Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30℃到85℃范围内其容量变化可达+80%到-20%。

Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器。

Y5V电容器的取值范围如下表所示

封装250T=25V;500T=50V

02010.01μF---0.39μF0.01μF

08050.01μF---0.39μF0.01μF---0.1μF

12060.01μF---1μF0.01μF---0.33μF

12100.1μF---1.5μF0.01μF---0.47μF

Y5V电容器的其他技术指标如下:

工作温度范围-30℃---85℃

温度特性+22%-----82%

介质损耗最大5%

一般精度是和材料相对应的，如：5%用J表示，对应NPO材料；10%用K表示，对应X7R材料，X5R材料的精度一般在±10%—±20%之间；Z档对应的一般是Y5V材料。

⑤.尺寸

电容尺寸一般用两种尺寸代码来表示。一种尺寸代码是由4位数字表示的EIA(美国电子工业协会)代码，前两位与后两位分别表示电容的长与宽，以英寸为单位。另一种是米制代码，也由4位数字表示，其单位为毫米。

下表为电容英制和米制表示法之间的关系：

英制(mil) 公制(mm) 长(L)(mm) 宽(W)(mm) 高(t)(mm) a(mm) b(mm)

0201 0603 0.60±0.05 0.30±0.05 0.23±0.05 0.10±0.05 0.15±0.05

0402 1005 1.00±0.10 0.50±0.10 0.30±0.10 0.20±0.10 0.25±0.10

0603 1608 1.60±0.15 0.80±0.15 0.40±0.10 0.30±0.20 0.30±0.20

0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.15 0.50±0.10 0.40±0.20 0.40±0.20

1206 3216 3.20±0.20 1.60±0.15 0.55±0.10 0.50±0.20 0.50±0.20

1210 3225 3.20±0.20 2.50±0.20 0.55±0.10 0.50±0.20 0.50±0.20

1812 4832 4.50±0.20 3.20±0.20 0.55±0.10 0.50±0.20 0.50±0.20 2010 5025 5.00±0.20 2.50±0.20 0.55±0.10 0.60±0.20 0.60±0.20 2512 6432 6.40±0.20 3.20±0.20 0.55±0.10 0.60±0.20 0.60±0.20