单节锂离子电池保护芯片的设计

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DP8261中文版

DP8261中文版
D P8261
单节锂离子/锂聚合物电池用保护 IC
DP8261 内置高精度电压检测电路和延迟电路,是用于单节锂离子/锂聚合物可再充电电 池的保护 IC。
本 IC 适合于对 1 节锂离子/锂聚合物可再充电电池的过充电、过放电和过电流进行保护。
1. 特点
DP8261 全系列 IC 具备如下特点:
(1) 高精度电压检测电路
表 5、绝对最大额定值(VSS=0V,Ta=25℃,除非特别说明)
项目
符号
规格
VDD 和 VSS 之间输入电压
VDD
OC 输出端子电压
VOC
OD 输出端子电压
VOD
CS 输入端子电压
VCS
工作温度范围
TOP
储存温度范围
TST
容许功耗
PD
VSS-0.3~VSS+10 VDD-20~VDD+0.3 VSS-0.3~VDD+0.3 VDD-20~VDD+0.3
注意:初次连接电芯时,会有不能放电的可能性,此时,短接 CS 端子和 VSS 端子,或 者连接充电器,就能恢复到正常工作状态。
8.2. 过充电状态 正常工作状态下的电池,在充电过程中,一旦电池电压超过过充电检测电压(VCU),并
且这种状态持续的时间超过过充电检测延迟时间(TOC)以上时,保护 IC 会关闭充电控制用 的 MOSFET(OC 端子),停止充电,这个状态称为“过充电状态”。
VCR
4.080V
4.030
VDL
3.00V
2.95
VDR
3.00V
2.95
VDIP
VDD=3.6V
60
VSIP
VDD=3.0V
0.55

ZL4410(单节保护IC)

ZL4410(单节保护IC)
备注:当过放情况下的电池接上充电器,如果 BATT- 端电压不低于充电器检测电压 (VCHA), 并且电池电压达 到过放解除电压或更高(VDR)过放情况解除(控制放电的FET导通)。 过放电流情况
正常工作模式下,当放电电流等于或高于设定的值(BATT-电压等于或高于过电流检测电压)并且时间持续超 过过电流检测延时时间时, ZL4410关断放电FET停止放电。这个称为过放电流情况(包括过放电流1,过放电流2 和负载短路电流)。过电流情况下BATT-和GND 间内部连接了 RBATT-S 电阻 。当一个负载连接上, BATT-电 压等于VDD流过负载电阻后的电压。
Overdischarge current 1 Comp
Oscillator
Switch
Charge detection
BATT-
九、 功能描述
图 1. 功能方块图
ZL4410监控电池的电压和电流,并通过断开充电器或负载,保护单节可充电锂电池不会因为过充电压,过放电 压,过放电流以及短路等情况而损坏。这些功能都使可充电电池工作在制定的范围内。 MOSFET已内置,等效电阻典型值为50mΩ 正常工作模式
ZL4410
二合一锂离子/锂聚合物电池保护IC
3、 充电器检测
4、 不正常充电电流检测来自备注:(1)正常工作状态(2)过充电压状态(3)过放电压状态(4)过电流状态
2009-2011 ZHUOLANG Technology Corp Web:
DS-ZL4410-V15_SC page7
在正常放电过程中,当电池电压降到过放检测电压(VDL)以下的时候, 并持续时间达到过放电压检测延时间 (tDL) 或更长, ZL4410将切断电池和负载的连接,停止放电。这种情况被称为过放电压情况。当控制放电的FET 被关断, BATT- 通过内部BATT-与VDD之间的RBATT-D 电阻被拉到高电平。当 BATT- 电压高于负载短路检测

单节 双节线性锂电池充电芯片 规格书

单节 双节线性锂电池充电芯片 规格书

单节/双节线性锂电池充电芯片规格书1、HT6292功能简述1.1、特性● 完全的单节/两节锂离子/锂聚合物电池充电芯片● 极低的热消耗● 集成MOSFET、内置电流检测● 不需要外接反相保护二极管● 0.8%的充电电压精度● 可编程充电电流控制,最大达600mA● 芯片温度热折返保护● NTC 热敏接口监测电池温度● 有无电池检测● LED充电状态指示● 恒压充电电压值可通过外接电阻微调● 可以配置为单节或双节锂电池充电● 短路检测、保护● USB与AC适配器电压输入可选择● 工作环境温度范围:-30℃~70℃● 小型SSOP-16封装1.2、应用● 手持设备,包括医疗手持设备● PDA,移动蜂窝电话及智能手机● 移动仪器,MP3● 自充电电池组● 独立充电器● USB总线供电充电器1.3、概述HT6292为线性锂离子/锂聚合物电池充电芯片,其最低输入电压可低至3.6伏,最大充电电流可达600mA。

HT6292能够编程设计适应各种AC适配器及USB接口。

电池充电分为恒流(CC/Constant Current)、恒压(CV/Constant Voltage)过程,恒流充电电流通过外部电阻决定,最大为600mA。

如果考虑到热扩散问题时,往往使用限流输出的AC适配器,使用HT6292 则可以兼顾线性充电器、开关型充电的优点:充电快,自耗功率小。

HT6292 集成电流热折返保护电路、短路保护,确保充电芯片安全工作。

HT6292可以检测电池是否过放电,并对过放电的电池进行预充电。

HT6292集成NTC热敏电阻接口,可以采集、处理电池的温度信息,保证充电电池的安全工作温度。

HT6292 采用SSOP-16封装。

2、HT6292功能框图图1、HT6292功能框图3、 管脚定义图2、HT6292管脚分布图表1、HT6292管脚描述序号 符号 I/O 描述1 VTRIM - 外接电阻微调满充电压 2&3 VIN I 输入电源4CELLI0:两节锂电池充电 1或悬空:单节锂电池充电5 GND - 地6PDNI芯片使能输入: 0:芯片不工作 1或悬空:芯片工作7TOENI0:取消充电时间限制1或悬空:使能内部充电时间限制8 FAULT O FAULT(GREEN)STATUS(RED)描述0 0 没有充电或者无电池 0 1 正在充电 1 0 充电完成 0 PULSE1 故障状态 9STATUSOPULSE2电池温度异常10 CREF - 振荡器外接电容,决定内部振荡频率,同时提供参考时钟 11 TEMP I 温度传感信号输入12 V33 O 输出3.3V 参考电压,提供10mA 驱动能力 13VSELI0:USB 输入,充电电流为适配器输入时的50% 1或悬空:适配器输入14 RREF - 外接电阻控制恒流充电电流 15&16 VOUTO输出,接锂电池4、HT6292电气特性和推荐工作条件表2、HT6292推荐工作条件参数 最小值 典型值 最大值单位备注电源电压 4.5 5.0 6.5 V 单节电池充电电源电压8.8 10.0 11 V 双节电池充电环境温度-20 70 ℃5、HT6292性能参数表3、HT6292性能参数(一节电池,Ta=25℃)参数 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位 上电复位电压上电复位 VPOR 3.6 V Standby模式VOUT漏电流 VBAT=3.7V 20 uA VIN电源电流VOUT悬空、PDN=0 100 uAVOUT悬空、PDN=1或悬空 1 mA 电压调整输出电压 4.158 4.20 4.242 V Dropout电压 200 mV 充电电流恒流充电电流A Icc VRREF>1.3V、VBAT=3.7V540 600 660 mA 预充电电流A Ipre VRREF>1.3V、VBAT=2.0V75 mA 恒流充电电流B Icc VRREF<0.4V、VBAT=3.7V100 mA 预充电电流B Ipre VRREF<0.4V、VBAT=2.0V12 mA 恒流充电电流C Icc RREF=35K、VBAT=3.7V 600 mA 预充电电流C Ipre RREF=35K、VBAT=2.0V 75 mA 再充电、预充电电压预充电阈值电压 Vpre 2.7 2.8 3.0 V 再充电阈值电压 Vrhg 3.95 V 温度监测低温阈值电压高温阈值电压折返阈值 85 100 115 ℃ 折返电流增益 100 mA/℃ 振荡器振荡频率 CREF=20nF 333 Hz 振荡周期 CREF=20nF 2.4 3.0 3.6 mS 逻辑电平逻辑高电平 VH 2 V 逻辑低电平 VL 0.8 V STATUS/FAULT驱动电流 5 mA表4、HT6292性能参数(双节电池,Ta=25℃)参数 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位 上电复位电压上电复位 VPOR 6.4 V Standby模式VOUT漏电流 VBAT=7.4V 40 uA VIN电源电流VOUT悬空、PDN=0 100 uAVOUT悬空、PDN=1或悬空 1 mA 电压调整输出电压 8.316 8.40 8.484 V Dropout电压 200 mV 充电电流恒流充电电流A Icc VRREF>1.3V、VBAT=7.4V540 600 660 mA 预充电电流A Ipre VRREF>1.3V、VBAT=4.0V75 mA 恒流充电电流B Icc VRREF<0.4V、VBAT=7.4V100 mA 预充电电流B Ipre VRREF<0.4V、VBAT=4.0V12 mA 恒流充电电流C Icc RREF=35K、VBAT=7.4V 600 mA 预充电电流C Ipre RREF=35K、VBAT=4.0V 75 mA 再充电、预充电电压预充电阈值电压 Vpre 5.4 5.6 6.0 V 再充电阈值电压 Vrhg 7.9 V 温度监测低温阈值电压高温阈值电压折返阈值 85 100 115 ℃ 折返电流增益 100 mA/℃ 振荡器振荡频率 CREF=20nF 333 Hz 振荡周期 CREF=20nF 2.4 3.0 3.6 mS 逻辑电平逻辑高电平 VH 4 V 逻辑低电平 VL 0.4 V STATUS/FAULT驱动电流 5 mA6、HT6292功能描述及管脚应用说明6.1、锂电池充电介绍图3、锂电池充电曲线示意图锂电池充电过程主要分为恒流充电和恒压充电,恒流充电阶段充电电流保持恒定,同时电池电压不断上升。

TP4100_TP4101 1000mA、500mA 线性单节锂电池充电放电保护IC

TP4100_TP4101 1000mA、500mA 线性单节锂电池充电放电保护IC

7
充电用于 USB 或小功率电源适配器、太阳 能电池来做电源,而避免电源复位或重启。
电。充满电压固定于 4.2V,而充电电流可通过一个电阻器进行外部设置。当电池达到
4.2V 之后,充电电流降至设定值 1/10,TP4100 将自动终止充电。
TP4100 的放电管理包含了欠压保护、过充保护、输出短路保护、输出过流保护、
芯片过温保护以及多种保护后的延时自激活恢复,其他特点包括充电电流监控器、欠压
充电电流的设定
充电电流是采用一个连接在 PROG 引 脚与地之间的电阻器来设定的。设定电阻器 和充电电流采用下列公式来计算: 根据需要的充电电流来确定电阻器阻值,
公式:
RPROG

900 I BAT
建议客户使用 1%精度电阻用于设置 电流,电阻的偏差直接影响电流的一致性。 不同环境测试电流与公式计算理论值也变 的不完全一致。为了方便客户应用,可根据 下表需求选取合适大小的 RPROG。
STDBY 引脚漏电流
VSTDBY=5V(待机模式)
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
STDBY 引脚输出低电平 ISTDBY=5mA
0.3
0.6
V
0
1
μA
0.3
0.6
V
3
ΔVRECHRG TLIM RON
tss tRECHARGE
tTERM IPROG IBAT RBP VOD
再充电电池门限电压 限定温度模式中的结温 功率 FET“导通”电阻 (在 VCC 与 BAT 之间) 软启动时间
VOC
过充保护电压
VOV
IOCP
TBP TCLK TCLKP
非充电状态下 BP 过压
放电输出过流保护

锂电保护芯片CT2101 说明书

锂电保护芯片CT2101 说明书

过充电流检测延迟时间
tOCC
VDD = 3.5V 7.5
七.功能描述:
CT2101监控电池的电压和电流,并通过断开充电器或者负载,保护单节可充电锂电池不会因为过充 电压、 过放电压、 过放电流以及短路等情况而损坏。 这些功能都使可充电电池工作在指定的范围内; CT2101 支持四种运行模式:正常工作模式、充电工作模式、放电工作模式和休眠工作模式。 1. 正常工作模式 在正常状态下,CT2101由电芯供电,其V 端电压在过充检测电压V 和过放检测电压V 之间,VM端电
DL HD
5. 过放电流情况(过放电流 1和过放电流 2的检测 )
在正常条件下对电池进行放电,当放电电流超过过放检测电流I
检测延迟时间t 态。 恢复条件: 断开负载后电路将自动恢复到正常状态。 6. 负载短路电流情况 或者t
ODC1
或者I
ODC2
,并且维持时间超过过放电流
ODC1
ODC2
时,CT2101将关闭内部开关管,断开放电回路停止放电,进入过放电流保护状
tCU
tDL
tODC1
间 过放电流2检测延迟时
VDD = 3.5V
tODC2

VDD = 3.5V
Rev 1.2
2009-12-19

- 5 -
220 负载短路检测延迟时间
320 320 10 10
380 µS 540 12 mS 13.5
tSHORT
VDD = 3.5V 150 8

- 3 -
推荐工作范围
参数 供电电压(VDD 和 GND 间电压) 充电器输入电压(VM 和 GND 间电压) 工作温度范围 符号 VDD VM TOPR 最小值 2.0 -0.3 -40 最大值 5.0 5.5 85 单位 V V ℃

PW4056H充电芯片规格书,带28V输入和OVP功能,12V输入不损坏

PW4056H充电芯片规格书,带28V输入和OVP功能,12V输入不损坏

⚫ 输入电压可达 28V⚫ 6.5V 输入过压保护(OVP )⚫ 充电电流外部电阻设置,可达 1A ⚫ 防倒灌⚫ 恒定电流/恒定电压操作 ⚫ 热调节功能 ⚫ 4.2V 预设充饱电压 ⚫ 自动再充电⚫ 充电状态双输出、无电池和故障状态显示 ⚫ 软启动限制了浪涌电流 ⚫ 电池反接保护⚫ 电池温度监测NTC 功能 ⚫ 采用SOP8-EP 封装应用范围⚫ 充电宝⚫ 蓝牙音箱,TWS 耳机 ⚫ 数码相机、电子词典 ⚫ 便携式设备典型应用电路产品概述PW4056H 是一款完整的采用恒定电流/恒定电压的高压、大电流、单节锂离子电池线性充电IC 。

M A X 高耐压可达28V ,6.5V 自动过压保护,充电电流可达1A 。

由于采用了内部PMOSFET 架构,加上防倒充电路,所以不需要外部隔离二极管。

热反馈可对充电电流进行自动调节,以便在大功率操作或高环境温度条件下对芯片温度加以限制。

充饱电压固定于4.2V ,而充电电流可通过一个电阻器进行外部设置。

当电池电压达到充饱电压时,充电电流逐渐下降,当充电电流后降至设定值1/10时,PW4056H 将自动终止充电过程。

当输入电压(交流适配器或USB 电源)被拿掉时,PW4056H 自动进入一个低电流状态,将电池漏电流降至2uA (typ )以下。

PW4056H 的其他特点包括电池温度检测、欠压闭锁、自动再充电和两个用于指示充电、结束的LED状态引脚。

产品特点KKW管脚功能描述编号 名称 功能描述1 TEMP 电池温度检测引脚。

外接电池 NTC 传感器输出,TEMP 接地,此功能被禁用,其他功能正常,TEMP<45%Vcc ,TEMP>80%Vcc,充电暂停。

2 PROG 恒流充电电流设置及充电电流监视端3 GND 电源地4 VCC 输入电压正输入端5 BAT 电池连接端6 STDBY 充电完成指示端。

当充电完成,该引脚被内部电路拉成低电平;其余状态,该引脚为高阻态7 CHRG 充电指示端。

单节锂离子电池保护芯片的设计

单节锂离子电池保护芯片的设计

单节锂离子电池保护芯片的设计前言锂离子电池保护芯片的设计与其封装结构密切相关,为封装在锂离子电池内部的保护电路的基本结构。

在正常情况下,充电控制端CO 和放电控制端DO 为高电位,N型放电控制管FET1和充电控制管FET2处于导通状态,电路的工作方式可以是电池向负载放电,也可以是充电器对电池进行充电;当保护电路检测到异常现象(过充电、过放电和过电流)时,使CO 或DO输出低电平,从而切断充电或放电回路,实现保护功能。

为了有效利用放电电流或充电电流,FET1和FET2采用导通电阻很小的功率管。

它们的选择原则除了导通电阻要小,还要求体积小,并且关闭时源漏击穿电压要能经受不匹配充电器的影响。

从理论上说,FET1和FET2可以用N 管也可以用P 管。

但由于单节锂离子电池保护电路的电源电压较低,为了减小导通电阻,一般都采用N管。

图1中二极管是FET1和FET2的寄生二极管,它们的存在使系统在过放电状态下能对电池充电,在过充电状态下能对负载放电。

图1 3.6V 锂离子电池保护电路封装结构锂离子电池保护芯片的应用场合要求其具有低电流驱动、高精度检测的特点,另外由于保护电路的供电电源即为电池电压,因此在电池电压的变化范围内,保护电路必须正常工作,本文根据图1 所示的连接关系,设计一种低功耗单节锂离子电池保护芯片,其电池电压可以在1V&mdash;5.5V范围内变化。

系统结构设计锂离子电池保护芯片的基本功能是进行过充电保护、过放电保护和过电流保护,其中过电流保护包括充电过流保护和放电过流保护。

下面以保护电路的基本功能为出发点,分析其系统的组成。

检测异常现象锂离子电池保护电路为了实现其基本功能,首先需要检测异常现象。

过充电和过放电检测是将电池电压进行分压(采样)后与基准电压比较实现的;而对于过流检测,保护芯片首先将充放电过程中的电流转化为在功率管FET1、FET2上的电压,然后通过VM与基准电压比较完成,放电过流检测的是正电压,充电过流检测的是负电压。

单节锂电池保护解决方案(3)

单节锂电池保护解决方案(3)

单节锂电池保护解决方案(3)CSS-3---单节电池保护解决方案引言:前面两节分别介绍了PCM的几种方案,本节聚焦于PCM 的性能评估以及可能遇到的问题优化。

1. 功率(MOSFET)的性能要求离子电池容量从早期的600mAh、1000mAh到现在已经达到6000mAh、10000mAh。

为了实现更快的充电速度和更短的充电时间,通常采用增加(电流)和大电流充电的快充技术。

大电流充电对电池组中的功率MOSFET提出了更高的技术要求。

此外在生产线和使用过程中,对大容量(锂离子电池)有一些特定的技术要求。

所有这些因素都对大容量锂离子电池PCM中功率MOSFET的充放电管理提出了严格的技术设计挑战。

为了实现功率MOSFET的低导通电阻RDSon,有必要提高MOSFET单元密度。

其他技术也用于降低电阻,例如厚金属键合线和薄晶片。

N沟道功率MOSFET可以以减小的形状因数实现较低的导通电阻RDSon。

功率MOSFET封装通常使用引线,为了进一步降低导通电阻,在PCM中通过使用新的(芯片)级CSP封装技术完全消除了封装线电阻。

同时芯片级CSP的封装技术具有更好的导热性,从而降低功率MOSFET的温升,这有助于提高其可靠性。

使用CSP封装技术的功率MOSFET在没有外部塑料外壳和其他材料保护的情况下,在PCM生产过程中会受到各种热应力和(机械)应力的影响,例如(PCB)板的焊接过程,这可能会导致模具开裂的高风险。

因此应使用各种技术,例如在功率MOSFET芯片表面涂覆新材料,以确保其抵抗机械应力和热应力的能力,并提高可靠性。

短路能力大容量锂离子电池在应用中,特别是在极端条件下,如输出负载短路,会有非常大的电流通过电池。

当IC(检测)到输出过流时,它将延迟一段时间以进行保护动作。

在延迟时间期间,MOSFET的工作电流非常大,这要求MOSFET对大电流应力具有鲁棒性,因此所有锂离子电池都需要进行短路测试。

理论上芯片尺寸越大,对短路电流的鲁棒性越强。

单节电池保护IC S8261

单节电池保护IC S8261

0.4 V
*1. 延迟时间的组合项目中的(1)~(9),请参阅表2。
备注 需要上述检测电压值以外的产品时,请向本公司营业部咨询。
过电流1 检测电压
[VIOV1] 0.16 V 0.08 V 0.15 V 0.08 V 0.20 V 0.10 V 0.13 V 0.10 V 0.10 V 0.15 V 0.08 V 0.10 V 0.10 V 0.10 V 0.20 V 0.13 V 0.13 V 0.20 V 0.08 V 0.15 V 0.05 V 0.10 V 0.06 V 0.15 V 0.15 V 0.18 V 0.08 V 0.10 V 0.15 V 0.13 V 0.12 V 0.25 V 0.10 V 0.10 V 0.15 V 0.10 V 0.13 V 0.06 V
0V
S-8261AATMD-G2TT2G 4.300 V 0.10 V 2.30 V
0V
S-8261AAUMD-G2UT2G 4.275 V 0.10 V 2.30 V
0.1 V
S-8261AAXMD-G2XT2G 4.350 V 0.10 V 2.30 V
0.1 V
S-8261AAZMD-G2ZT2G 4.280 V 0.25 V 2.50 V
5
1节电池用电池保护IC S-8261系列 ■ 引脚排列图
SOT-23-6 Top view 65 4
1 23 图2
引脚号
1 2 3 4 5 6
Rev.4.5_00
符号 DO VM CO DP VDD VSS
表4
描述 放电控制用FET门极连接端子(CMOS输出) VM ~ VSS间的电压检测端子(过电流检测端子) 充电控制用FET门极连接端子(CMOS输出) 延迟时间测定用测试端子 正电源输入端子 负电源输入端子

FM3113(单节锂电池保护IC)pdf

FM3113(单节锂电池保护IC)pdf

特点
高精度电压检测电路 各延迟时间由内部电路设置(无需外接电容) 有过放自恢复功能 工作电流:典型值 3uA,最大值 6.0uA(VDD=3.9V) 连接充电器的端子采用高耐压设计(CS 端和 OC 端,绝对最大额定值是 20V) 有 0V 电池充电功能 宽工作温度范围:-40℃~+85℃ 采用 SOT23-6 封装
--
1.5
--
1.5
耗电流
--
8
V
--
20
V
IDD
VDD=3.9V
IOD
VDD=2.0V
--
3.0
6.0
uA
--
--
0.1
uA
检测电压
VCU VCR VDL VDR VDIP VSIP
----VDD=3.6V VDD=3.0V
4.375 4.150 2.750 2.950 120
0.7
4.400 4.200 2.800 3.000 150
允许向 0V 电池充电功能
1.2
--
--
V

第3页共7页
Version 1.0
深圳市富满电子有限公司
SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD.
FM3113(文件编号:S&CIC1334)
延迟时间参数
单节锂电池保护 IC
项目
符号Βιβλιοθήκη 测试条件1.04.425
V
4.250
V
2.850
V
3.050
V
180
mV
1.3
V
VCIP
--
-170
-200

一种单节锂电池保护IC设计

一种单节锂电池保护IC设计

Th sg fa L — I n Ba t r o e t n I o n l —Cel c e De in o i— o t y Pr t c i f rSige — lPa k e o C
CHE n, I in—c a N Mi L U Ja ho
Ke r s: n r lc a g u e td tci n; V a tr h r e i hi to L w u e tc n u - y wo d Ab o ma h r e c r n e e t o O b t y c a g n bi n; o c r n o s mp e i to Hih a c r c o tg e e t n in; g c u a y v la e d tc i o
且 在过充 电检 测 电压 以下 , 端 子 的 电压 在充 电 VM 器 检测 电压 以上且 在 过 电 流检 测 电压 以下 时 , 电 充
控制 用 F T E 2和 放 电控 制 用 F T E 1的 两 方 均 打 开 。 这 时可 以进行 自由的充 电和放 电 。这 种状态 叫做 正
( ’iMi ol t n e nl yRsac ntueX ’ n7 07 ,hn ) ar c e co i Tc oo e r I i t, ia 10 5 C i r er c h g e h st a
A b t a t Th spa r a a y e h r rn i l ft sr c : i pe n lz s t e wo k p ic p e o he Li— In b te y p o e to C. he s e i c o at r r tc n I T p cf i i
cr u to h sc i s g to t The r s ls il sr t h t t e c r u ta h e e e in g as o o c r n ic i ft i h p i o u . e u t lu tae t a h ic i c i v s d sg o l n lw ure t

单节锂电池保护芯片

单节锂电池保护芯片

单节锂电池保护芯片锂电池是一种重要的电池,广泛应用于手机、电动车和便携式电子设备等领域。

为了保证锂电池的安全和性能,需要使用单节锂电池保护芯片对锂电池进行保护。

单节锂电池保护芯片是一种集成电路,主要用于监测锂电池的电压、电流和温度,并在必要时采取措施保护锂电池。

保护芯片通常由主控芯片、保护单元、电源管理单元和通信接口等组成。

主控芯片是单节锂电池保护芯片的核心部件,负责控制和协调保护单元、电源管理单元和通信接口的工作。

主控芯片能够实时监测锂电池的电压、电流和温度,并根据设定的阈值进行判断和控制。

保护单元是单节锂电池保护芯片的关键部件,负责监测锂电池的电压和电流,并在必要时采取措施进行保护。

保护单元可以通过切断电路、放电保护和过压保护等方式来保护锂电池,避免发生过放电、过充电和短路等危险情况。

电源管理单元是单节锂电池保护芯片的重要组成部分之一,用于管理锂电池的充放电过程。

电源管理单元可以通过控制充电电流和放电电流来保护锂电池,并且可以实现恒流充电和恒压充电等充电模式,提高锂电池的充电效率和充电质量。

通信接口是单节锂电池保护芯片的重要功能之一,用于与外部设备进行通信和数据传输。

通过通信接口,可以实现对锂电池的状态监测和控制,以及对充电器和电池管理系统的通信和控制。

单节锂电池保护芯片具有多种保护功能,可以有效地保护锂电池的安全和性能。

首先,它可以监测锂电池的电压,当电压超出设定的范围时,可以及时切断电路,避免电压过高或过低导致锂电池损坏。

其次,它可以监测锂电池的电流,当电流异常时,可以及时采取措施,避免电流过大导致锂电池过热。

此外,单节锂电池保护芯片还可以监测锂电池的温度,并在必要时控制充电或放电,避免温度过高引发火灾等安全问题。

总之,单节锂电池保护芯片是一种重要的电子元器件,可以有效地保护锂电池的安全和性能。

在使用锂电池的电子设备中,应该广泛应用单节锂电池保护芯片,以提高锂电池的使用寿命和安全性。

锂电池保护板设计

锂电池保护板设计

字体大小:锂离子电池保护板设计锂离子电池保护器IC有适用于单节的及2~4节电池组的.这里介绍这类保护器的要求,并重点介绍单节锂离子电池保护器电路.对锂离子电池保护器的基本要求:1.充电时要充满,终止充电电压精度要保护±1%; 2.在充、放电过程中不过流,并有短路保护; 3.到达终止放电电压要禁止继续放电,终止放电电压精度在±3%左右;4.对深度放电的电池(低于终止放电电压)在充电前以涓流方式预充电; 5.为了工作稳定可靠,防止瞬态电压变化的干扰,内部有过充电、过放电、过流保护的延时电路,防止瞬态干扰造成误动作;6.在多个串联的电池组充电时,要保护各节电池电压的匹配平衡,匹配精度要求±10%左右;7.自身耗电省(无论在充、放电时保护器都是通电工作的).单节电池保护器耗电一般小于10μA,多节的一般在20μA左右;在到达终止放电时,它处于关闭状态,一般耗电2μA以下;8.保护器电路简单,外围元器件少,占空间小,可以做在电池或电池组中.富精单节锂离子电池保护器DW01这里以富精单节锂离子电池保护器DW01为例来说明保护器的电路及工作原理.该器件主要特点:终止充电电压有4.35V、4.30V及4.25V(分别由型号后缀A、B、C表示),充电电压精度可达±30mV(±0.7%);耗电省,在3.5V工作电压时工作电流典型值7μA,到达终止放电后耗电仅0.2μA;有过充、过放、过流保护,并有延时以免瞬态干扰;过放电电压2.4V,精度±3. 5%;小尺寸5管脚SOT-23封装;工作温度范围-20~ +80℃.DW01组成的单节锂离子电池保护电路上图,其内部结构简化图及外部元器件图如下图所示.V1为控制放电的MOSFET,V2为控制充电的MOSFET,R1、C 1用来消除充电器输入电压的纹波及干扰电压,R2为防止充电器电源接反时保护CS端的电阻,R3为V2的偏置电阻,FU为保险丝,BATT+及BATT-为电池组的正极和负极(此保护器电路置于电池中).在正常充、放电时,V1、V2都导通.充电电流从BATT +流入,经保险丝向电池充电,经V1、V2后由BATT-流出.正常放电时,电流由BATT+经负载RL(图1中未画出)后,经BATT-及V2、V1流向电池负极,其电流方向与充电电流方向相反.由于V1、V2的导通电阻RD S(ON)极小,因此损耗较小.几种保护的工作状态如下:1.过充电保护P1为控制过充电的带滞后的比较器,R6、R7组成分压器接在锂离子电池两端,其中间头检测电池的电压并接在R1的同相端,P1的反相端接1.2V基准电压.充电时电池电压低于过充电阈值电压时,P1的反相端电压大于同相端电压,P1输出低电平,使Q1导通, V2的偏置电阻R3有电流流过使V2也导通(V1在充电时是导通的),这样形成充电回路.当充电到达并超过充电阈值电压时,P1同相端电压超过1.2V,P1输出高电平,经100ms延时后使Q1截止,R3无电压使V2截止,充电电路断开,防止过充电.2.过放电保护过放电保护电路是由R4、R5组成的分压器、带滞后的比较器P2、100ms延时电路、或门及由Q 2、Q3组成的CMOS输出电路组成.当电池放电达到2.4V时,P2输出高电平,经延时后使OD输出低电平, V1截止,放电回路断开,禁止放电.3.过流保护以放电电流过流保护为例,CS端为放电电流检测端,它连续地检测放电电流.这是利用CS端的电压VCS 与放电电流IL有一定关系,如上图所示.如果把导通的V1、V2看做一个电阻,即RV1DS(ON)及RV2DS (ON),则放电回路如上图的虚线所示.若忽略R2上极小的压降,则VCS对地的电压为:VCS=[RV1DS(ON)+RV2DS(ON)]×IL即VCS与放电电流IL成比例.过流保护电路由比较器P3、延时电路或门等组成.若放电电流超过设定阈值而使VCS超过0.2V,则P3输出高电平,其结果与过放电情况相同使V2截止,禁止放电.该器件尚有其他功能,这里不再介绍.有的电路图将CMOS集成在一片芯片中,电路形式如下:BOM如下:。

锂电池保护板设计.docx

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字体大小:?????锂离子电池保护板设计锂离子电池保护器IC有适用于单节的及2~4节电池组的.这里介绍这类保护器的要求,并重点介绍单节锂离子电池保护器电路.对锂离子电池保护器的基本要求:1.充电时要充满,终止充电电压精度要保护±1%; 2.在充、放电过程中不过流,并有短路保护;3.到达终止放电电压要禁止继续放电,终止放电电压精度在±3%左右;4.对深度放电的电池(低于终止放电电压)在充电前以涓流方式预充电; 5.为了工作稳定可靠,防止瞬态电压变化的干扰,内部有过充电、过放电、过流保护的延时电路,防止瞬态干扰造成误动作;6.在多个串联的电池组充电时,要保护各节电池电压的匹配平衡,匹配精度要求±10%左右;7.自身耗电省(无论在充、放电时保护器都是通电工作的).单节电池保护器耗电一般小于10μA,多节的一般在20μA左右;在到达终止放电时,它处于关闭状态,一般耗电2μA以下;8.保护器电路简单,外围元器件少,占空间小,可以做在电池或电池组中.富精单节锂离子电池保护器DW01这里以富精单节锂离子电池保护器DW01为例来说明保护器的电路及工作原理.该器件主要特点:终止充电电压有4.35V、4.30V及4.25V(分别由型号后缀A、B、C表示),充电电压精度可达±30mV(±0.7%);耗电省,在3.5V工作电压时工作电流典型值7μA,到达终止放电后耗电仅0.2μA;有过充、过放、过流保护,并有延时以免瞬态干扰;过放电电压2.4V,精度±3.5%;小尺寸5管脚SOT-23封装;工作温度范围-20~+80℃. DW01组成的单节锂离子电池保护电路上图,其内部结构简化图及外部元器件图如下图所示.V1为控制放电的MOSFET,V2为控制充电的MOSFET,R1、C1用来消除充电器输入电压的纹波及干扰电压,R2为防止充电器电源接反时保护CS端的电阻,R3为V2的偏置电阻,FU为保险丝,BATT+及BATT-为电池组的正极和负极(此保护器电路置于电池中).在正常充、放电时,V1、V2都导通.充电电流从BATT+流入,经保险丝向电池充电,经V1、V2后由BATT-流出.正常放电时,电流由BATT+经负载RL(图1中未画出)后,经BATT-及V2、V1流向电池负极,其电流方向与充电电流方向相反.由于V1、V2的导通电阻RDS(ON)极小,因此损耗较小.几种保护的工作状态如下:1.过充电保护P1为控制过充电的带滞后的比较器,R6、R7组成分压器接在锂离子电池两端,其中间头检测电池的电压并接在R1的同相端,P1的反相端接1.2V基准电压.充电时电池电压低于过充电阈值电压时,P1的反相端电压大于同相端电压,P1输出低电平,使Q1导通,V2的偏置电阻R3有电流流过使V2也导通(V1在充电时是导通的),这样形成充电回路.当充电到达并超过充电阈值电压时,P1同相端电压超过1.2V,P1输出高电平,经100ms延时后使Q1截止,R3无电压使V2截止,充电电路断开,防止过充电.2.过放电保护过放电保护电路是由R4、R5组成的分压器、带滞后的比较器P2、100ms延时电路、或门及由Q2、Q3组成的CMOS输出电路组成.当电池放电达到2.4V 时,P2输出高电平,经延时后使OD输出低电平,V1截止,放电回路断开,禁止放电.3.过流保护以放电电流过流保护为例,CS端为放电电流检测端,它连续地检测放电电流.这是利用CS端的电压VCS与放电电流IL有一定关系,如上图所示.如果把导通的V1、V2看做一个电阻,即RV1DS(ON)及RV2DS(ON),则放电回路如上图的虚线所示.若忽略R2上极小的压降,则VCS对地的电压为:VCS=[RV1DS(ON)+RV2DS(ON)]×IL即VCS与放电电流IL成比例.过流保护电路由比较器P3、延时电路或门等组成.若放电电流超过设定阈值而使VCS超过0.2V,则P3输出高电平,其结果与过放电情况相同使V2截止,禁止放电.该器件尚有其他功能,这里不再介绍.有的电路图将CMOS集成在一片芯片中,电路形式如下:BOM如下:。

8261G3J高精度单节锂电池保护芯片

8261G3J高精度单节锂电池保护芯片

Protection IC for 1-Cell Battery PackFeaturesHigh Detection AccuracyOvercharge Detection: ±25mVOverdischarge Detection: ±50mVDischarge Overcurrent Detection: ±15mVCharge Overcurrent Detection: ±30mV High Withstand VoltageAbsolute maximum ratings: 28V(V- pin and CO pin)Ultra Small PackageSOT-23-6 DescriptionThe 8261 is the 1-cell protection IC for lithium-ion/lithium-polymer rechargeable battery pack. The high accuracy voltage detector and delay time circuits are built in 8261 with state-of-art design and process.To minimize power consumption, 8261 activates power down mode when an overdischarge event is detected (for power-down mode enabled version). Besides, 8261 performs protection functions with four external components for miniaturized PCB.The tiny package is especially suitable for compact portable device, i.e. slim mobile phone and Bluetooth earphone.ApplicationMobile phone battery packsDigital camera battery packsBluetooth earphone Li-ion battery module Typical Application CircuitPackage and Pin DescriptionOrdering Information Marking InformationPin No. Symbol pin Description1 DO Connection of discharge control FET gate2 V-Voltage detection between V- pin and VSS pin(Overcurrent / charger detection pin)3 CO Connection of charge control FET gate4 NC No connection5 V DD Connection for positive power supply input6 V SS Connection for negative power supply inputVersion codeSOT-23-61 2 36 5 41) ~ 3) : Version codeProduct version code:8261 OverchargeDetectionVoltageV DET1 (V)OverchargeReleaseVoltageV REL1 (V)OverdischargeDetectionVoltageV DET2 (V)OverdischargeRelease VoltageV REL2 (V)OvercurrentDetectionVoltage V DET3 (V)0V BatteryCharge FunctionPower downmodeFunctionG3P 4.200 4.100 2.750 2.850 0.150 Unavailable Yes G2J 4.325 4.125 2.500 2.900 0.150 Unavailable Yes G3J 4.280 4.080 3.000 3.000 0.080 Available Yes G2N 4.275 4.175 2.300 2.400 0.100 Available Yes Remark Please contact our sales office for the products with detection voltage value other than those specified above.Absolute Maximum RatingsSymbol Descriptions RatingUnits V DDSupply Voltage -0.3 to 7V V-V- pin V DD - 28 to V DD + 0.3 V V COCO pin V DD -28 to V DD + 0.3 V V DOOutput VoltageDO pin Vss - 0.3 to V DD + 0.3VP D Power Dissipation SOT23-6250 mW T OPTOperating Temperature Range -40 to +85 °C T STGStorage Temperature Range -55 to +125°CApplying any over “Absolute Maximum Ratings” practice can permanently damage the device. These data are indicated the absolute maximum values only but not implied any operating performance.Electrical CharacteristicsSymbolItem Conditions MIN TYP MAX UnitDetection VoltageV DET1 Overcharge detection voltage -- V DET1-0.025 V DET1 V DET1+0.025VV REL1 Overcharge release voltage V DET1 ≠ V REL1V REL1-0.05 V REL1 V REL1+0.05 V V DET2 Over-discharge detection voltage -- V DET2-0.05 V DET2 V DET2+0.05 V V REL2 Over-discharge release voltage V DET2 ≠ V REL2 V REL2-0.10 V REL2 V REL2+0.10 V V DET3 Discharge overcurrent detection voltageV DD =3.5V V DET3-0.015 V DET3V DET3+0.015VV DET4 Charge overcurrent detection V DD =3.5V -0.13 -0.10 -0.07 V V SHORTLoad short-circuiting detection voltageV DD =3.5V0.30 0.50 0.70 VDetection Delay Time- 0.96 1.2 1.4 sVDD=4.28V , C ISS =1200pF ,V TH =0.6V0.96 1.22 1.42 s t VDET1* Output delay time of overchargeVDD=4.28V , C ISS =1200pF ,V TH =0.4V0.95 1.23 1.43 s V DET2 >2.5V 120 150 180 ms t VDET2 Output delay time of overdischarge V DET2 ≦2.5V 100 150 200 ms V DET2 >2.5V 7.2 9 11 ms t VDET3Output delay time of discharge overcurrent V DET2 ≦2.5V 6 9 12 ms t SHORTOutput delay time of Load short-circuiting detectionV DD =3.5V 240 300 360μs V DD = 3.5V 7.2 9 11 msV DD =3.5V ,C ISS =1200pF , V TH =0.6V 15.1 19.5 23.8 ms t VDET4*Output delay time of charge overcurrentV DD =3.5V ,C ISS =1200pF , V TH =0.4V16.8 21.6 26.4 ms(Ta = 25o C)(Continued)Symbol Item ConditionsMINTYPMAXUnitCurrent Consumption (power-down function enabled)V DD Operating input voltage V DD - V SS 2.2 6.0VI DD Supplycurrent V DD= 3.5V,V-=0V 1.0 3.0 5.5 μAI STANDBY Power-down current (power-downfunction enabled IC only)V DD=2.0V, V- floating 0.2 μA0V battery Charging FunctionV0CHA 0 V battery charge starting chargervoltage0 V battery chargingfunction “available”1.0 VV0INH 0V battery charge inhibition batteryvoltage0 V battery chargingfunction “unavailable”(Vcharger=4V~14V)0.3 VOutput ResistanceR COH CO pin H resistance V CO=3.0V, V DD=3.5V,V-=0V- 5 10KΩR COL CO pin L resistance V CO=0.5V, V DD=4.5V,V-=0V- 5 10MΩR DOH DO pin H resistance V DO=3.0V, V DD=3.5V,V-=0V- 5 10KΩR DOL DO pin L resistance V DO=0.5V, V DD=1.8V,V-=0V- 5 10KΩV- internal ResistanceR VMD Internal resistance between V- andV DDV DD= 1.8V,V-=0V 100 300 900 KΩR VMS Internal resistance between V- andV SSV DD= 3.5V,V-= 1.0V 100 200 400 KΩ*: Please note that a N-channel MOSFET“turning off delay time”will be affected by 1.Input capacitance (C ISS). 2.Gate threshold voltage (V TH); It causes the delay times of overcharge (tV DET1) and charge overcurrent (tV DET4) of 8261 are prolonged approximately “10ms” to turn off the N-channel MOSFETs to cutting off the current flowing path.Test CircuitsOvercharge, overdischarge and the release detection voltages (test circuit 1)1) Set V1=3.5V, V2=0V, S1=ON and S2=OFF, then 8261 enters operating mode.2) Increase V1 voltage (from 3.5V) gradually. The V1 voltage is the overcharge detection voltage (V DET1)when CO pin goes low (from high).3) Decrease V1 gradually. The V1 voltage is the overcharge release detection voltage (V REL1) when CO pingoes high again.4) Continue decreasing V1. The V1 voltage is the overdischarge detection voltage (V DET2) when DO pin goeslow. Then increase V1 gradually. The V1 voltage is the overdischarge release detection voltage (V REL2), when DO pin returns to high.Note: The overcharge and overdischarge release voltages are defined in versions.Discharge overcurrent detection voltage (test circuit 1)1) Set V1=3.5 V, V2=0V, S1=ON and S2=OFF and XY8261 enter operating condition.2) Increase V2 (from 0V) gradually. The V2 voltage is the discharge overcurrent detection voltage (V DET3)when DO pin goes low (from high).Charge overcurrent detection voltage (test circuit 1)1) Set V1=3.5V, V3=0V, S1=OFF and S2=ON and XY8261 enter operating condition.2) Increase V3 gradually. The V3 voltage is the charge overcurrent detection voltage (V DET4) when CO pingoes low (from high).Load short-circuiting detection voltage (test circuit 1)1) Set V1=3.5V, V2=0V, S1=ON and S2=OFF and 8261 enter operating condition.2) Increase V2 immediately (within 10uS) till DO pin goes “low” from high with a delay time which isbetween the minimum and the maximum of Load short-circuiting delay time.Overcharge, overdischarge delay time (test circuit 1)1) Set V1=3.5V, V2=0V, S1=ON and S2=OFF to enter operating condition.2) Increase V1 from V DET1-0.2V to V DET1+0.2V immediately (within 10us). The overcharge detection delaytime (t VDET1) is the period from the time V1 gets to V DET1+0.2V till CO pin switches from high to low. 3) Set V1=3.5V, V2=0V, S1=ON and S2 = OFF to enter operating condition.4) Decrease V1 from V DET2+0.2V to V DET2-0.2V immediately (within 10us). The overdischarge detection delaytime (t VDET2) is the period from the time V1 gets to V DET2-0.2V till DO pin switches from high to low.Discharge overcurrent delay time (test circuit 1)1) Set V1=3.5V, V2=0V, S1=ON and S2=OFF to enter operating condition.2) Increase V2 from 0V to 0.25V immediately (within 10us). The discharge overcurrent detection delay time(t VDET3) is the period from the time V2 gets to 0.25V till DO pin switches from high to low.Charge overcurrent delay time (test circuit 1)1) Set V1=3.5V, V3=0V, S1=OFF and S2=ON to enter operating condition.2) Increase V3 from 0V to 0.3V immediately (within 10us). The charge overcurrent detection delay time(t VDET4) is the period from the time V3 gets to 0.3V till CO pin gets to low from high.8261高精度单节锂电保护芯片Load short-circuiting delay time (test circuit 1)1)Set V1=3.5V, V2=0V, S1=ON and S2=OFF to enter operating condition.2)Increase V2 from 0V to 1.6V immediately (within 10us). The Load short-circuiting detection voltage delaytime (t SHORT) is the period from the time V2 gets to 1.6V till DO pin switches from high to low.Operating & power down current consumption (test circuit 2)1)Set V1=3.5V, V2=0V and S1=ON to enter operating condition and measure the current I1. I1 is theoperating condition current consumption (I DD).2)Set V1=V2=1.5V and S1=ON enter overdischarge condition and measure current I1. I1 is the powerdown current consumption (I STANDBY).Resistance between V- and V DD, V- and V SS (test circuit 2)1)Set V1=1.8V, V2=0V and S1=ON and XY8261 enters overdischarge condition. V1/I1 is the internalresistance between V- and VDD pin (R VMD).2)Set V1=3.5V, V2=1.0V and S1=ON and XY8261 enters discharge overcurrent condition. V2/I2 is theinternal resistance between V- and V SS pin (R VMS).Output resistance (test circuit 3)1)Set V1=3.5V, V2=0V, V3=3.0V, S1=OFF and S2=ON to enter operating condition. (V3-V1)/I2 is theinternal resistance (R COH).2)Set V1=4.5V, V2=0V, V3 =0.5V, S1=OFF and S2=ON to enter overcharge condition. V3/I2 is the internalresistance (R COL).3)Set V1=3.5V, V2=0V, V3=3.0V, S1=ON and S2=OFF to enter operating condition. (V3-V1)/I2 is theinternal resistance (R DOH).4)Set V1=1.8 V, V2=0V, V3 =0.5V, S1=ON and S2=OFF to enter overdischarge condition. V3/I2 is theinternal resistance (R DOL).0V battery charge starting charger voltage (products with 0V battery charging function is “Available”) (test circuit 4)1)Set V1=V2=0V, increase V2 gradually.2)The V1 voltage is the 0V charge inhibition voltage (V0INH) when CO pin switches from low to high (V V- +0.1V or higher).0V battery charge inhibition battery voltage (products with 0V battery charging function is “Unavailable”) (test circuit 4)1)Set V1=0V, V2=4V and increase V1 gradually.2)The V1 voltage is the 0V charge inhibition voltage (V0INH) when CO pin switches from low to high (V V- +0.1V or higher).Note: The charger voltage should not be higher than 14V of 0V battery charge inhibition battery voltage.Recommended:1) '0 V charge available' doesn't means 8261 can reco ver the zero-V cell to be full charged if this cell hasbeen already damaged due to too low voltage.2) In 8261, the '0 V charge inhibition' voltage is rather lower (0.3V~0.5V). That is, 8261 allowscharging such low voltage cell and recover it.3) For safety consideration, we strongly recommended to select '0 V charge inhibition' to prevent fromcharging a damaged cell.TestCircuitTest circuit 1 Test circuit 2Test circuit 4Test circuit 3OperationThe 8261 provides overcharge, overdischarge, discharge overcurrent, charge overcurrent and loadshort-circuiting protections for the 1-cell battery pack. 8261 continuously monitors the voltage of battery between V DD pin and VSS pin to control overcharge and overdischarge protections. When the battery pack is in charging stage, the current flows from the charger to the battery through EB+ and EB-; the voltage between V- pin and VSS pin is negative. On the other hand, when the battery pack is in discharging stage, the current flows from battery to the load through EB+ and EB-; the voltage between V- pin and VSS pin is positive. The 8261 also monitors the voltage which is determined by the current of charge and discharge and the series Rds(on) of MOSFETs between V- pin and V SS pin to detect charge overcurrent and discharge overcurrent current conditions. (1) Normal Condition (Operation mode)The 8261 turns both the charging and discharging control MOSFETs on when the voltage of battery is in the range from overcharge detection voltage (V DET1) to overdischarge detection voltage (V DET2), and the VM pin voltage is in the range from overcurrent detection voltage (V DET4) to discharge overcurrent detection voltage (V DET3). This is called the normal condition that charging and discharging can be carried out freely.Caution: The XY8261 may be needed connecting a charger to return to normal condition, when the batteryis connected for the first time.(2) Overcharge Condition1) Overcharge Protection:When the V DD voltage is higher than the overcharge detection voltage (V DET1) and lasts for longer than the overcharge detection delay time (t VDET1), 8261 turns off the external charging MOSFET to protect the pack from being overcharged, which CO pin turns to “L” from “H” level. 2) Overcharge Protection Release:When the battery voltage is lower than V REL1 and the V- pin voltage is between charge overcurrent detection voltage (V DET4) and discharge overcurrent detection voltage (V DET3), the XY8261 would release this condition.When the battery voltage is lower than V DET1 and charger is removed, the 8261 can be released from this condition. (3) Overdischarge Condition1) Overdischarge Protection:When the V DD voltage is lower than the overdischarge detection voltage (V DET2) and lasts longer than overdischarge detection delay time (t VDET2), 8261 turns off the external discharge MOSFET to protect the pack from being overdischarged, which DO pin turns to “L” from “H” level. In overdischarge condition V- pin is pulled-up to V DD by a resistor (R VMD ) between the V- pin and V DD pin. After that, when V- pin voltage is higher than V DD /2(Typ), the IC gets to power down mode. 2) Overdischarge Protection Release:The overdischarge protection is released when(a) a charger is connected and V- pin voltage is lower than -0.7V (Typ.) and battery voltage is higher thanthe overdischarge voltage, or8261高精度单节锂电保护芯片(b)a charger is connected, and V- pin voltage is higher than –0.7V (Typ.) and battery voltage is higherthan the overdischarge release voltage.(4) Discharge Overcurrent Condition1) Discharge Overcurrent Protection:The 8261 provides discharge overcurrent protection and load short-circuiting protection:(a) Discharge overcurrent protection occurs when V- pin voltage between V DET3 and V SHORT and lasts for acertain delay time (t VDET3) or longer .(b) Load short-circuiting protection occurs when V- pin voltage higher than V SHORT and lasts for a certaindelay time (t SHORT ) or longer .When above conditions happen, the DO pin goes “L” from ”H” to turn off the discharging MOSFET .In discharge overcurrent and load short-circuiting conditions, V- pin is pulled-down to V SS pin by the internal resistor (R VMS ). 2) Discharge Overcurrent and Load Short-Circuiting Protection Release:The IC detects the status by monitoring V- pin voltage that is inversely proportional to the impedance (Rload) between two terminals (EB+ and EB-). The Rload increases while the V- pin voltage decreases. When the V- pin voltage equals to V SHORT or lower , discharge overcurrent status returns to normal mode. The relation between V- and Rload is shown as follows:(5) Charge Overcurrent ConditionThe 8261 provides charge overcurrent protection to prevent the battery pack from being connected to an unexpected charger .1) Charge Overcurrent ProtectionWhen the voltage of V- pin is lower than charge overcurrent detection voltage (V DET4) and lasts for a certain delay time (t DET4) or longer , the CO pin goes “L” from ”H” to turn off the charging MOSFET . 2) Charge Overcurrent Release: Charge overcurrent protection can be only released by disconnecting thecharger . (6) Power Down Condition1) Entering to Power Down Mode:8261 enters the power down mode when overdischarge protection occurs and V- pin voltage is higher than V DD /2 (typical). The V- pin voltage is pulled-up to the V DD through the R VMD resistor. The internal circuits is shut off, therefore, the power-down current (I STANDBY ) is reduced to be low 0.2uA (Max.). 2) Power Down Mode Release:The power down mode is released when a charger is connected and V- pin voltage is lower than V DD /2 (typical).Note: Power down condition is for power down mode enabled version only.RVMSRVMS + RloadX VDD V-=; whereV- ≦ Vshort8261高精度单节锂电保护芯片Block DiagramVSS DO V-COVDD(a) Normal condition (b) Overcharge condition (c) Charge overcurrent condition*: The charger is assumed to charge with a constant current.Timing Chart(1) Overcharge, Charge Overcurrent OperationV V V V V V CO pin voltageBattery voltagecurrentCharge/Discharge V-pin voltageV V(2) Overdischarge, Discharge Overcurrent, Load Short-Circuiting Operation(a) Normal condition (b) Overdischarge condition (c) Discharge overcurrent condition (d) Load short-circuit condition*: The charger is assumed to charge with a constant current.BatteryV-Charge/DO pin V tV V V V V tttvoltagepin voltageV V Charge CurrentDischarge currentvoltageVRecommended Application CircuitTable1 Constant for external componentsSymbol Parts Purpose Recommended Min . Max . RemarksFET1N channelMOSFETDischarge control------------*1) 0.4 V < Threshold voltage < Overdischarge detection voltage. Gate to source withstand voltage > Charger voltage.FET2N channel MOSFETCharge control ---- ---- ----*1) 0.4 V < Threshold voltage <Overdischarge detection voltage. Gate to source withstand voltage > Charger voltage.R1 ResistorESD protection for power fluctuation470Ω 240Ω 1K Ω *2) Set Resistance to the value 2R1<R2.C1Capacitor For power fluctuation0.1uF0.022uF1.0uF*3) Install a 0.22uF capacitor or higher .R2 Resistor Protection for reverseconnection of a charger 1K Ω 300Ω 2K Ω *4) The resistor is preventing big current when a charger is connectedin reverse.*1) If the threshold voltage of an FET is lower than 0.4V, the FET may failed to stop the charging current.If an FET has a threshold voltage equal to or higher than the overdischarge detection voltage, discharging may be stopped before overdischarge is detected.If the charger voltage is higher than the withstanding voltage between the gate and source, the FET may be damaged. *2) Employing an over-specification (listed in above table) R1 may result in overcharge detection voltage and release voltagehigher than the defined voltage (listed in page 4)If R1 has a higher resistance, the IC may be damaged caused by over absolute maximum rating of VDD voltage when a charger is connected reversely.EB+EB-*3) Applying a smaller capacitance C1 to system, DO may failed to function when load short-circuiting is detected.*4) If R2 resistance is higher than 2kΩ, the charging current may not be cut when a high-voltage charger is connected.Caution: 1) The above constants may be changed without notice.2) The application circuit above is for reference only. To determine the correct constants,evaluation of actual application is required.Precautions: 1) The application condition for the input voltage, output voltage, and load current should not exceed the package power dissipation.2) Do not apply an electrostatic discharge to this IC that exceeds the performance ratingsof the built-in electrostatic protection circuit.Package InformationSOT-23-6 Dimensionsθ°θ12. Reference: JEDECMO-178AA3. SOT23-5 / SOT23-6。

单节锂离子电池保护芯片与系统的设计

单节锂离子电池保护芯片与系统的设计

f e n b i td i . mi d s n l MOS p o e s h e t e ut ma i s ta h i ut c i e l p t t e i d a d f r ae 0 6 m x i a C x a c n e g rc s.T ets rs l nf t h t ec c i a he s l r e i s e t r v a o c v
统确定了保护芯片所需功能模块, 然后采用06 . m避合信号 C S MO 工艺制作。测试结果31 正 . A, 充 电保护 电压的检测精度达 到 了± 5 。 过 2 mV
关键词 : 离子 电池 I 锂 过充 电; 过放 电; 流 I 过 偏置 电路
( p.o l to i c ne& Teh oo y Det f e rnc S i c E c s e cn lg ,Huzo gUnvri f c nea dT c n lg , u a ,4 0 7 , hn ) ah n ies yo i c n eh oo y W h n 3 0 4 C i t Se a
Ab ta t ep p rrs ac e h h p a d s se o -o a tr r tcin f rsn l-elp c n u c sf l src Th a e e e rh st e c i n y tm fLi n b te y p oe to o i ec l a k a d s c e su l l i g y d sg s po e t eI wi w o ra dhg rcso ee t rt rs od e in r tci C t l p we n ihp e iind tco h e h l.Aco dn Oa p i t nmu hfn t nbo ki v ho c r igt p l ai c u ci lc c o o s

RB324A_1.0内置 MOSFET 锂电池保护芯片

RB324A_1.0内置 MOSFET 锂电池保护芯片

检测延时
过充检测电压延时 过放检测电压延时
过放电流 1 检测延时 过放电流 2 检测延时 短路电流检测延时
TOCV TODV TIOV1
TIOV2 TSHORT
条件
最小值 典型值 最大值 单位
4.25 4.30 4.35 V 4.09 4.15 4.21 V
2.65 2.75 2.85 V
2.9
3.0 3.1
原理图
绝对最大额定值
Figure 2. 原理图
参数
符号
最小值
最大值
单位
供电电压 (VDD 和 GND 间电压 )
VDD
充电器输入电压(VM和GND间电压) VM
存贮温度范围 结温 功率损耗 T=25°C
TSTG TJ PMAX
-0.3 -5
-55 -40
8.0
V
10.0
V
145
°C
145
°C
600
mW
功能描述
RB324A 监控电池的电压和电流,并通 过断开充电器或者负载,保护单节可充电锂 电池不会因为过充电压、过放电压、过放电 流以及短路等情况而损坏。这些功能都使可 充电电池工作在指定的范围内。该芯片仅需 一颗外接电容和一个外接电阻,MOSFET已内 置,等效电阻的典型值为36mΩ。
RB324A 支持四种运行模式:正常工作 模式、充电工作模式、放电工作模式和休眠 工作模式。
内置 MOSFET 锂电池保护芯片 RB324A
概述
特性
RB324A 是一款内置 MOSFET 的单节锂电池保 护芯片。该芯片具有非常低的功耗和非常低 阻抗的内置 MOSFET。该芯片有充电过压, 充电过流,放电过压,放电过流,过热,短 路等各项保护等功能,确保电芯安全,高效 的工作。 RB324A 采用 DFN2X2-6 封装,外围只需要一 个电阻和一个电容,应用极其简洁,工作安 全可靠。

HY2110单节锂电池保护IC中文规格书

HY2110单节锂电池保护IC中文规格书

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DS-HY2110-V16_SC page3
HY2110
1 节锂离子/锂聚合物电池保护 IC
1. 概述
HY2110 系列 IC,内置高精度电压检测电路和延迟电路,是用于单节锂离子/锂聚合物可 再充电电池的保护 IC。 本 IC 适合于对 1 节锂离子/锂聚合物可再充电电池的过充电、过放电和过电流进行保护。

概述 ........................................................................................................................................................... 4 特点 ........................................................................................................................................................... 4 应用 ........................................................................................................................................................... 4 方框图 ........................................................................................................................................................ 5 订购信息 .................................................................................................................................................... 5 产品目录 .................................................................................................................................................... 6 封装、脚位及标记信息 .............................................................................................................................. 6 绝对最大额定值 ......................................................................................................................................... 6 电气特性 .................................................................................................................................................... 7 电池保护IC应用电路示例 ........................................................................................................................... 8 工作说明 .................................................................................................................................................... 9 正常工作状态......................................................................................................................................... 9 过充电状态 ............................................................................................................................................ 9 过放电状态 ............................................................................................................................................ 9 充电器检测 .......................................................................................................................................... 10 放电过流状态(放电过流检测功能和负载短路检测功能) .................................................................. 10

单节锂离子电池保护芯片

单节锂离子电池保护芯片

7-1
宁波华泰半导体有限公司
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典型应用:
NINGBO HUATAI SEMICONDUCTOR CO., LTD
D01A
A
应用提示:
以上图为典型应用电路图,其中元件的电参数为推荐值。
Conditions
Topt=25℃
MIN
TYP
MAX Unit
VDDI Vst
Vdet1
工作电压 锂电池充电时的最小 工作电压 过充电阈电压
VDD-Vss 定义 VDD-V-值
VDD-Vss=0 检测电源电压上升沿
1.5
10
v
1.2
v
4.25
4.275
4.30
v
Vrel1 过充电恢复电压
V-<= -30mV
此时 V-端上升为“高电平”。放电输出延时的时间和外接电容 Ct 亦有关,具体见后面的表格。 在检测到过放电后为了使 DO 脚的电平再次变为“高电平”,在充电时,锂电池的电压升到
大于或等于过放电恢复电压值 Vrel2 时,DO 即为“高电平,过放电保护也会被释放。 当一颗电芯的电压等于零时,连接充电器到电池板,系统就可以在充电电压高于 Vst 的电
4.075
4.125
4.175
v
tVdet1
过充电输出延迟时间 VDD=3.6~4.35v, Ct=10nF
90
125
160
ms
Vdet2 Vrel2
过放电阈电压 过放电恢复电压
检测电源电压下降沿 V-=0v
2.46
2.50
2.60

单节锂离子锂聚合物可充电电池组保护芯片概述特性

单节锂离子锂聚合物可充电电池组保护芯片概述特性
工作状态:2.8uA 典型值.. 过放模式 下:1.5uA 典型值. •兼容 RoHS 和无铅标准·
图一、典型应用电路
-1-
REV0.1
订货信息
XB5352G
产品型号
封装
过充电压 [VCU] (V)
过充恢复电 压
[VCL] (V)
过放电压 [VDL] (V)
XB5352G SOT23-5 4.425
XB5352G 具有过充,过放,过流,过 温 及短路等所有的电池所需保护功能,并 且工 作时功耗非常低。
该芯片不仅仅是为手机而设计,也适用 于一切需要锂离子或锂聚合物可充电电池 长 时间供电的各种信息产品的应用场合,如 智 能手环、手表、蓝牙耳机等产品。
应用
单节锂离子电池 聚合物锂电池
特性
•充电器反向连接保护 •电池反向连接保护 •集成等效 45 mΩ 的先进的功率 MOSFET • SOT23-5 封装 •只有一个外部电容器 •过温保护 •过充电流保护 •2 段过流保护 -过放电流 1 -负载短路电流 •充电器检测功能 •0V 电池充电功能 •延时时间内部设定 •高精度电压检测 •低静态耗电流
绝对最大额定值
(注意: 为保护器件,不允许超过以下最大额定值. 长时间工作在最大额定值条件下可能会影响产品的可靠性)
VDD 输入电压 VM 输入电压
参数
数值 -0.3 to 6 -6 to 10
单位 V V
-2REV0.1
工作环境温度 最大结温 储存温度 引脚温度 ( 焊接, 10 秒) 环境温度 25°C 时的功耗 封装热限 (结温) θJA 封装热阻 (结到环境) θJA
VDD=2.0V VM pin 悬空 VDD=3.6V
VM=1.0V
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单节锂离子电池保护芯片的设计
前言
锂离子电池保护芯片的设计与其封装结构密切相关,如图1所示为封装在锂离子电池内部的保护电路的基本结构。

在正常情况下,充电控制端CO 和放电控制端D O 为高电位,N型放电控制管FET1和充电控制管FET2处于导通状态,电路的工作方式可以是电池向负载放电,也可以是充电器对电池进行充电;当保护电路检测到异常现象(过充电、过放电和过电流)时,使CO或DO输出低电平,从而切断充电或放电回路,实现保护功能。

为了有效利用放电电流或充电电流,FET1和FET2采用导通电阻很小的功率管。

它们的选择原则除了导通电阻要小,还要求体积小,并且关闭时源漏击穿电压要能经受不匹配充电器的影响。

从理论上说,FET1和FET2可以用N 管也可以用P 管。

但由于单节锂离子电池保护电路的电源电压较低,为了减小导通电阻,一般都采用N管。

图1中二极管是FET1和FET2的寄生二极管,它们的存在使系统在过放电状态下能对电池充电,在过充电状态下能对负载放电。

图1 3.6V 锂离子电池保护电路封装结构
锂离子电池保护芯片的应用场合要求其具有低电流驱动、高精度检测的特点,另外由于保护电路的供电电源即为电池电压,因此在电池电压的变化范围内,保护电路必须正常工作,本文根据图1 所示的连接关系,设计一种低功耗单节锂离子电池保护芯片,其电池电压可以在1V—5.5V范围内变化。

系统结构设计
锂离子电池保护芯片的基本功能是进行过充电保护、过放电保护和过电流保护,其中过电流保护包括充电过流保护和放电过流保护。

下面以保护电路的基本功能为出发点,分析其系统的组成。

检测异常现象
锂离子电池保护电路为了实现其基本功能,首先需要检测异常现象。

过充电和过放电检测是将电池电压进行分压(采样)后与基准电压比较实现的;而对于过流检测,
保护芯片首先将充放电过程中的电流转化为在功率管FET1、FET2上的电压,然后通过VM与基准电压比较完成,放电过流检测的是正电压,充电过流检测的是负电压。

滤除干扰信号
通常在锂离子电池保护电路的工作过程中会有干扰信号存在,干扰信号的类型主要有两种:一种为瞬间干扰,它是指在正常的信号上,在极短的时间内叠加上一个较大的信号。

另一种为波动干扰,它是指信号的起伏波动。

如图2 以充电过程解释了这两类干扰,其中VCU 为过充电检测电压。

为了防止干扰信号的引入使保护电路产生误动作,可以从系统角度考虑采用适当的措施减小它们的影响。

瞬间干扰可以在保护电路内部加上延时电路加以滤除,即当保护电路检测到异常信号后,延时一段时间再关闭FET1或FET2。

根据过充电、过放电、过电流对锂电池的危害程度选取不同的延时时间。

为了更加合理的保护锂电池,放电过流可分为三个级别,分别为过流1保护、过流2保护以及负载短路保护,过流1的延时稍长,过流2的延时比过流1的延时短一些,而负载短路不加延时立即保护。

波动干扰可以在保护电路内部加上迟滞电路加以滤除。

控制充电控制管有效关闭
在充电过程中,与FET2源极相连的VM端电位为负值,当过充电保护起作用时,
必须在过充电延时信号与CO端之间加上电平转换电路,将控制逻辑电路产生的逻辑信号进行转换,使CO端的电位小于或等于VM端的电位,从而保证FET2有效关断。

0V电池充电抑制功能
锂离子电池保护电路可实现对0V电池进行充电,也可实现对0V 电池禁止充电,本文的设计采用后者,这一功能使保护电路禁止对内部短路的电池进行充电。

当电池电压为0V电池充电抑制电压VOINH(典型值为1V左右)或更低时,FET2的栅极电位被固定为VM 的电位,从而禁止充电。

当电池电压等于或高于VOINH 时,可以进行充电。

其它功能
1)在过充电状态下,保护电路需禁止放电过流保护起作用。

因为电池在过充电后接上负载的情况下,在放电初期,系统仍处于过充电状态,此时放电电流必然很大,引起过流的可能性很大;而过流保护如果起作用,就会关断放电回路。

这样,一旦电池过充电,就可能永远不能使用;
2)在过放电保护起作用时,保护电路需禁止充电过流保护起作用。

因为当电池过放电后,刚接上充电器充电时,充电电流会很大。

此时禁止充电过流保护起作用,可保证电池在过放电后可充电;
3)为了减少充电电流流过FET1内部寄生二极管的时间,如果在过放电状态下连接上充电器并且VM电压低于充电过流检测电压时,解除过放电迟滞。

根据上述分析,本文设计的锂离子电池保护电路的系统框图如图3所示。

系统主要包括控制逻辑电路(CONTROL LOGIC CIRCUIT)、取样电路(SAMPLE CIRCUIT)、过充电检测比较器(OVERDIACHARGE COMPARATOR)、过放电检测比较器(OVERDISCHARGE COMPARATOR)、过流1检测比较器(OV ERCURRENT1 COMPARATOR)、过流2 检测比较器(OVERCURRENT2 C OMPARATOR)、负载短路检测电路(LOAD SHORT DETECTION CIRCUIT)、充电过流检测电路(CHARGER DETEDTION CIRCUIT)、电平转换电路(CO NVERTOR CIRCUIT)、基准电路(REFERENCE CIRCUIT)以及偏置电路(B IAS CIRCUIT)。

其中,偏置电路在图3 中没有给出,电平转换电路同时能实现0V 充电抑制功能。

图3 锂离子电池保护电路系统框图
图3 中MN 在过电流时导通,它的作用是使过大的电流不经过FET1和FET2而通过MN流向地。

MP与待机状态有关,待机状态电路的工作原理是:当保护电路进入过放电状态后,产生一个待机状态信号,使保护芯片中的大多数电路停止工作,它是通过控制逻辑电路和负载短路检测电路的配合完成的。

M3的作用是在待机状态下,使采样电路不消耗静态电流。

M4和M5分别用于实现过放电和过充电检测迟滞以滤除充放电过程中的波动干扰信号。

而瞬时干扰信号的滤除由控制逻辑电路中的延时电路实现。

关键电路实现
锂离子电池保护芯片的性能,不仅与系统结构密切相关,与具体电路的实现也是密不可分的,下面的电路模块在整个芯片中具有关键的作用,本文从功耗和精度等角度考虑,提出了独特的设计方法。

待机状态电路
保护电路进入待机状态有赖于过放电状态的检测,进入待机状态后,为了减小功耗应使尽可能多的电路模块停止工作,但如果所有的检测电路都不工作,待机状态将无法退出,为此在设计负载短路检测电路时不引入待机状态控制信号,其目的即为
在电池电压升高后使保护电路能及时退出待机状态。

图4 给出了待机状态信号产生和撤销的原理图。

图4 待机状态实现电路
图4 中SOD为过放电检测信号,系统处于正常状态时,SOD为高电平,VM为低电平,因此待机状态控制信号POWERD输出高电平、POWERDB输出低电平。

当系统进入过放电状态时,SOD(延时后的信号)变为低电平,MP导通使VM变为高电平,最终使POWERD变为低电平、POWERDB变为高电平,它们控制保护电路相应模块停止工作,系统进入待机状态。

当对电池进行充电时,由图1可知VM被强制拉到低电平,使负载短路检测电路的输出信号OUT_LSB变为高电平;此时,不论SOD为何值或非门都将输出低电平,POWERD由此变为高电平,这样,就可实现待机状态的退出。

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