混频器及中频放大器的设计(demo)

混频器及中频放大器的设计

一、实验目的

1、加深对混频器概念的认识；

2、掌握混频电路的工程设计方法；

3、学会对电路性能进行研究。

二、设计要求

1、设计一个晶体管混频电路，包括LC 带通滤波器；

2、输入信号频率016.455f MHz =，本振信号频率114.14f MHz =，中频信号

2 2.315f MHz =。（201f f f =-）

3、电源电压12cc V V =，建议工作电流0.1~0.5EQ I mA =；

4、混频器工作点连续可调；

5、设计一个中频谐振放大器，中心频率'

02f f =，在1K Ω负载上谐振电压放大倍数

025V A dB ≥；

6、混频输出经放大后波形目测无失真。

三、实验电路设计及原理

1、混频器

混频器采用共射极电路。由高放模块给出的输入信号由基极接入，由晶振给出的本振信

号通过射极接入。利用三极管的非线性特性，三极管集电极的输出可能包含本振信号和输入信号的各种频率分量组合，最后经过LC 选频网络选出二者差频，即需要的中频分量。

R7为一个可变电阻，R7和R3通过分压给基极提供直流偏置，通过调节R7改变晶体管

Q1的工作点，使电阻R4两端电压约为0.1~0.5V ，此时0.1~0.5EQ I mA =。改变直流工作点可以改变输出信号幅度。，并将其调至混频器的最佳工作点()E OPT I

混频器的中频信号出处通过电感TX1和电容C4构成的选频网络耦合输出。C4和L 应满足：

22f LC

π=

（1）

其中，2f 为中频信号的频率，等于输入信号与本振信号频率之差。本实验中输入信号

016.455f MHz =，本振信号114.31818f MHz =，中频信号201 2.13682f f f MHz =-=

取C4=120pF ，带入(1)式得到46L H μ=，在可调电感的范围之内。通过微调可调电感TX1，可使中频输出信号幅度最大且不失真。

2、中频放大器

中频放大部分采用共射极电路。

可变电阻R8和R4通过分压为晶体管Q1提供直流偏置。通过调节R8可以改变晶体管

的工作点，以使放大器的增益足够而且不会引起自激。

放大信号由集电极输出后，经过C6和可变电感TX1构成的选频网络输出。与混频器一

样，C6取120pF ，调节可变电感，选出中频使输出无失真且输出幅度最大。

四、电路测试和性能研究

1、中放增益及整体增益

输入有效值为10mV 时，中放 1.007pp V V = 中放增益35.631v A dB ==，满足要求

混频和中放整体，当输入有效值为10mV 时，输出 1.72pp V V =，60.835.8v A dB == 2、寻找混频器最佳工作点()E OPT I ()0.36E OPT I mA =

LC 带通的3dB 带宽： BW=150kHz

3、在()E E OPT I I =、本振信号1100EMF V mV =情况下，观察输入输出信号的频谱： （1）输入信号为5i EMF V mV =单频正弦波（016.455f MHz =）；

频率/MHz 幅度/dBm 输入信号

16.455 -41.56 输出信号

2.14 -10.3 4.31 -40.1 14.33

-42.7

可以看出输出频谱2.14MHz 分量最大，这就是输入和本振的差频信号，增益31dB 左右。

另外也出现了两个幅度较小的频率，4.31MHz 是中频的二倍频，而14.33MHz 则约为本振频率，它们幅度都在-40dBm ，是三极管的非线性放大所致。

（2）输入信号为5i EMF V mV =受20KHz 信号调制的30%标准调幅波（载频

016.455f MHz =）；

频率/MHz 幅度/dBm 输入信号

16.4353 -58.17 中心频率 16.455 -46.06 16.4752 -58.19 输出信号 2.1177 -28.6 中心频率

2.1374 -11.5

2.1576

-28.8

输入信号为5i EMF V mV =受20KHz 信号调制的30%标准调幅波时，可看出输入、输出除

了中心频率外，还有两个旁频分量，距离中心频率20kHz 左右。中心频率分量可放大35dB 左右而两个旁频分量只能放大30dB ，这是由于LC 网络的选频作用所造成的。 4、本振信号幅度对混频器性能的影响

在()E E OPT I I =的情况下，输入信号为5i EMF V mV =的单频正弦波，

1V 分别为50EMF mV 、500EMF mV 时，用频谱分析仪观察混频后的频谱，并与2（1）的实验结果相比较。

（1）1V EMF ＝50mV

频率/MHz

幅度/dBm

输出信号

2.14 -1

3.6

4.3 -44.6 14.4

-50.2

（2）1V EMF ＝500mV

频率/MHz 幅度/dBm

输出信号

2.14 -10.3 4.3 -36.6 12.3 -49.5 14.4 -40.2 16.6

-55.5

二者对比以及和2(1)中对比可知，当本振信号幅度增大时，输出信号中的中频信号频率

2.14MHz 分量也随之增大，增益增大。但同时引入的各种干扰频率的幅度也随之增大，在这些干扰频率中，中频二倍频4.3MHz 和本振信号频率14.4MHz 的幅度最大，干扰最明显。当

1V EMF ＝500mV 时，输出的旁频分量不仅会出现中频二倍频和本振频率，还有本振频率和输入

频率的各种线性组合，干扰增多。 5、输入信号幅度对混频器性能的影响

在()E E OPT I I =的情况下，本振信号为1100EMF V mV =，观察输入正弦波的幅度i V 分别

为2EMF mV 、20EMF mV 时的中频信号频谱，并与2（1）的实验结果相比较。

（1）2i EMF V mV =

频率/MHz 幅度/dBm

输出信号

2.14 -19.8 2.92 -4

3.9

4.3 -50.8 14.3

-47.8