变频器试题库精选

变频器题库

一：填空题

1、变频器主要由（整流器）、中间直流环节、（逆变器）

和（控制回路）组成。

2、变频器的预置流程必须在（编程方式）下进行。

3、变频器输出侧不允许接（电容器），也不允许接电容式

单相电动机。

4、变频器由（主电路）和控制电路组成。

5、通常在电源与变频器之间要接入（低压断路器和接触

器），以便在发生故障时能迅速切断电源。

6、对变频器进行功能预置时必须在（编程模式/PRG方

式）下进行。

7、变频器和外部信号的连接需要通过相应的（接口）。

8、当电动机低于额定转速采用（恒转矩）调速。

9、变频器的运行操作键“REV”中文意思是（反转），“FWD”

中文意思是（正转）。

10、变频器的逆变器是利用功率器件，有规律地控制逆变

器中主开关的通断，从而得到（任意）频率的三相交流电输出。

11、变频器的外部信号接口包括（多功能输入和输出接

口）、（多功能模拟输入和输出信号接口）、（数字输入和输出接口）、（通信接口）。

12、三相异步电动机变频调速的控制方式有（恒磁通）、（恒

电流）和（恒功率）三种。

13、恒压频比控制方式，相当于直流电动机（调压）调速

的情况，属于（恒转矩）调速。

14、恒流变频调速控制方式就是要求在电动机变频调速过

程中保持定子（电流I1）为一恒值。恒流变频系统的过载能力（较小），只是用于负载（变化不大）的场合。15、交流电源进线的对称滤波器对于抑制中频段的（高频

噪声）干扰很有效。

16、变频器产生的谐波干扰第一是（辐射）干扰，它对周

围的电子设备产生干扰。

17、由于变频器具有电子热保护功能，一般情况下可不接

（热继电器）。

18、恒功率控制方式，相当于直流电动机（弱磁）调速的

情况，属于近似（恒功率）调速。

19、变频调速系统中输出电压的调节方式有（脉冲宽度）

和（脉冲幅度）调制方式。

20、直流斩波器是接在（直流电源）与（负载）之间，将

恒定直流电压变换为（可调直流电压）的装置，也可称为直流-直流变换器。

21、晶闸管直流斩波器的换流方式有（电压）换流和（电

流）换流两种。

22、变频器按供电电压分为（低压）变频器、（中压）变频

器、（高压）变频器。

23、变频器按供电电源的相数分为（单相）变频器和（三

相）变频器。

24、变频器按变频过程分为（交-交）变频器和（交-直-交）

变频器。

25、变频器的输出端不允许接（电容性负载），也不允许接

（电容式单相）电动机。

26、逆变失败的原因有（触发电路工作不可靠）、（晶闸管

发生故障）、（交流电源发生异常现象）、（换相的预度角不足）。

27、交流调压通常采用（通断控制）和（相位控制）两种

控制方式。

28、采用交流变频调速替代原设备中直流调速或其他电动

机调速方案的数控改造技术称为（变频器改造）技术。

29、不可控两端器件具有（整流）作用，而无可控功能。

30、IGBT的开关特性显示关断波形存在（电流拖尾）现象。

31、功率场效应管最大功耗随管壳温度的增高而（下降）。

32、肖特纳二极管适用于电压（不高）要求快速、高效的

电路中。

33、绝缘栅双极型晶体管的本质就是一个（场效应晶体

管）。

34、绝缘栅双极型晶体管具有速度快、（输入）阻抗高，通

态电压低、耐压高、电容量大的特点。

35、肖特纳二极管正向压降小，开启电压（低），正向导通

损耗小。

36、肖特纳二极管（开关时间）短，开关功耗远小于普通

二极管。

37、功率场效应晶体管特点是（栅极）的静态阻高，驱动

功耗小，撤除栅极信号能自行关断，同时不存在二次击穿，安全工作区宽。

38、GTO阳极电流受限制的原因有（受发热限制）和（由

临界饱和导通条件所决定）。

39、电力晶体管（GTR）是一种双极型大功率反压晶体管，

GTR在应用中应特别注意（二次击穿）问题。

40、GTR发生二次击穿必须同时具备三个条件，即（高电

压）、（大电流）和（持续时间）。

41、GTR是由三层半导体、两个PN结构成的三端器件，所

以可分为（PNP）型和（NPN）型两种形式。

42、电力场效应晶体管具有自动关断能力，而且具有（高

输入阻抗）、可以直接与（数字逻辑集成电路）连接、驱动电路（简单功耗小）、开关速度快达500kHz、开关损耗小、热稳定性好、不存在二次击穿问题和工作可靠等优点。

43、电力场效应晶体管可应用于（DC/DC变换）、（开关电

源）便携式电子设备等电子电器设备中，但工作电压还不能太高，电流容量也不能太大，所以目前只适用于（小功率电力电子）装置。

44、电力场效应晶体管有三个引脚，分别为（源极S）、（栅

极G）、（漏极D）。

45、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是以（场效应晶体管）

作为基极，以（电力晶体管）作为发射极与集电极复合而成。

46、场效应管控制晶体管简称MCT，是由（MOFET管）和

（GTO管）复合而成的一种电力电子器件。

47、GTO门极驱动电路有分立元件和集成多种，归纳起来

可分为（直接耦合）和（间接耦合）两种。

48、不可控电力电子器件具有整流的作用而无（可控）的

功能。

49、半可控器件通常为三端器件，它能在控制信号的作用

下导通，但不能（被控关断）。

50、晶体管中频感应加热电源，随着科学技术的发展必将

被（IGBT）感应加热电源所取代。

51、新型的高性能高压变频调速装置的主电路的开关器件

使用（IGBT），上实现PWM技术更方便。

52、常见的角位移传感器有（绕线电位器式角位移传感

器）、（电感式角位移传感器）、（电容式角位移传感器）和