半导体术语
半导体行业内相关名词
半导体行业内相关名词
1. 微处理器（Microprocessor）: 是一种集成电路，用于执行计算机的指令和操作。
2. 芯片（Chip）: 是半导体材料上制造的集成电路，可以执行特定的功能。
3. 功率半导体（Power semiconductor）: 用于控制和调节电流和电压的半导体器件，常用于电力电子系统和功率放大器等应用。
4. 二极管（Diode）: 是一个具有两个电极的电子器件，主要用于限制电流的方向。
5. 晶体管（Transistor）: 是一种用于放大和开关电路的半导体器件，常用于电子设备中。
6. MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）: 是一种常用的功率半导体器件，被广泛应用于电子电路中。
7. LED（Light-emitting diode）: 是一种能将电能转化为光能的半导体器件，常用于照明、显示和指示等应用。
8. MEMS（Microelectromechanical systems）: 是一种微型机械器件，由微芯片上的微电子器件和微机械系统组成。
9. IC（Integrated circuit）: 是一种通过集成电路制造技术将多个电子器件集成在一起制成的器件。
10. Wafer（晶圆）：也称为半导体晶圆，是用来制造集成电路和微电子器件的基础材料之一。
以上只是半导体行业内的一些常见名词，还有许多其他名词和专业术语与该行业相关。
半导体行业英文术语
半导体行业英文术语English:Some common terms in the semiconductor industry include:1. Integrated Circuit (IC): A small electronic device made out of a semiconductor material that can perform an extensive range of functions.2. Semiconductor manufacturing: The process of creating integrated circuits and semiconductor devices, including design, fabrication, and packaging.3. Wafer: A thin slice of semiconductor material used as the substrate for the fabrication of integrated circuits.4. Photolithography: A process used to transfer circuit patterns onto the wafer surface using light and photoresist materials.5. Die: A single piece of an integrated circuit, typically cut from a wafer after fabrication and packaging.6. Yield: The percentage of functional and operational semiconductor devices produced during the manufacturing process.7. Moore's Law: The observation that the number of transistors in a dense integrated circuit doubles approximately every two years, leading to exponential growth in processing power.8. Quantum tunneling: A phenomenon in which electrons penetrate through a potential barrier they classically shouldn't be able to cross, crucial for the operation of semiconductor devices.中文翻译:半导体行业的一些常见术语包括：1. 集成电路（IC）：由半导体材料制成的小型电子器件，可执行广泛的功能。
半导体专业术语
1.acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)2.acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子3.Acid：酸4.Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）5.Align mark(key)：对位标记6.Alloy：合金7.Aluminum：铝8.Ammonia：氨水9.Ammonium fluoride：NH4F10.Ammonium hydroxide：NH4OH11.Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）12.Analog：模拟的13.Angstrom：A（1E-10m）埃14.Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH）15.AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）16.ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）17.Argon(Ar)氩18.Arsenic(As)砷19.Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷20.Arsine(AsH3)21.Asher：去胶机22.Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）23.Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）24.Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）25.Baseline：标准流程26.Benchmark：基准27.Bipolar：双极28.Boat：扩散用（石英）舟29.CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。
在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽。
30.Character window：特征窗口。
半导体术语
FIB：将一些net引到最高层metal，测试时做一些断开和连接；Probe：将一些net引到最高层metal，测试时用针扎在这些metal上获得电压数据成品率（Yield）: 指完成全部制造工艺后，合格芯片数占总芯片数的百分比。
成品率也称良率，是衡量芯片制造工艺的重要指标。
扫描电子显微镜（Scanning Electron Microscope，SEM）:扫描电镜是用聚焦电子束在试样表面逐点扫描成像。
试样为块状或粉末颗粒，成像信号可以是二次电子、背散射电子或吸收电子。
其中二次电子是最主要的成像信号。
在线参数测试（Wafer Electrical T est，WET）:WET是对硅片上的测试图形结构进行的电学测试。
因为它是把直流电压加在器件的物理结构上进行测试，因此也被看成是一种直流测试。
原子力显微镜（Atomic Force Microscope AFM）：是利用原子、分子间的相互作用力来观察物体表面微观形貌的实验技术。
根据扫描样品时探针偏离量或其它反馈建立三维图像，就能获得样品表面的形貌。
探针卡（Probing Card）：即自动测试仪与待测器件（DUT）之间的接口。
典型的探针卡是一个带有很多细针的印刷电路板，这些细针和待测器件进行物理和电学接触，传递进出测试结构压焊点的电流。
DC测试：即连续性、开路/短路和漏电流测试。
DC测试时为了确保探针和压焊点之间良好电学接触的连接性检查。
.EMMI（emission microscope）：中文叫光发射显微镜，通过发光点定位缺陷失效地方。
一般在不透光的盒子中进行。
红外发光显微技术利用了IC器件中大多数缺陷都呈现微弱的红外发光现象，能够迅速准确地定位失效点，使得它成为现今对IC进行失效缺陷定位的有力工具。
CMP：化学机械平坦化On resistance: 导通电阻。
常用半导体功能术语
常用半导体功能术语半导体是一种具有特殊电导性能的材料，广泛应用于电子和光电技术领域。
以下是一些常用的半导体功能术语：1. 传导带（Conduction Band）：带电的价电子从价带跃迁到传导带上，形成了电子-空穴对。
2. 价带（Valence Band）：在半导体材料中，价电子占据的能级带。
3. 杂质（Impurity）：被有意地或无意地引入到半导体中的不纯物质，可以影响其电导性。
4. 被激激发（Excitation）：原子或分子吸收外部能量后，其电子从较低能态跃迁到较高激发能态。
5. 能隙（Band Gap）：价带和传导带之间的能量差，决定了半导体的电导性质。
能隙越小，半导体的导电性越好。
6. 上升沿和下降沿（Rising and Falling Edge）：指信号电压在从低电平到高电平或从高电平到低电平的瞬间变化。
7. 倒障层（Barrier）：引入两种不同材料接触处的能级，阻碍电子或空穴跨越此界面。
8. PN结（PN Junction）：由N型半导体和P型半导体通过硅键连接形成的结构。
9. 正偏压（Forward Bias）：PN结中P区的端口连向正电压，N区的端口连向负电压，电子从N区向P区移动。
10. 反偏压（Reverse Bias）：PN结中P区的端口连向负电压，N区的端口连向正电压，电子从P区移动到N区。
11. 势垒（Barrier Potential）：PN结两侧的电场形成的势能差。
12. 整流（Rectification）：将交流信号转化为直流信号的过程。
13. 放大器（Amplifier）：接收弱信号并使其输出为强信号的电路或设备。
14. 栅极（Gate）：场效应晶体管中控制电流的电极。
15. 集电极（Collector）：双极晶体管中接收和输出电流的电极。
16. 基极（Base）：双极晶体管中控制和调制电流的电极。
17. 激活（Activate）：将物质暴露在高温环境下，使其具有半导体特性。
半导体术语
半导体术语
半导体术语是指在半导体领域中常用的术语和定义。
以下是一些常见的半导体术语：
1. 半导体：一种能够在特定条件下既能传导电流又能阻挡电流的材料，例如硅和锗。
2. PN结：由P型半导体和N型半导体直接接触而形成的结构。
3. 掺杂：在半导体材料中加入少量的杂质，以改变其导电性能。
4. 硅片：半导体制造中常用的基础材料，通常是用纯度很高的单晶硅制成的圆片。
5. 绝缘体：一种不导电电子的材料，如玻璃和塑料。
6. 导体：一种能够自由传导电流的材料，如金属。
7. 硅谷：位于美国加利福尼亚州的地区，以半导体和计算机技术的发展而闻名。
8. MOSFET：金属氧化物半导体场效应晶体管，一种常用的半导体器件。
9. 硅晶体管：一种常见的半导体器件，用于放大和开关电流。
10. 集成电路：将多个电子元件集成到单个芯片上的电路。
11. 二极管：一种由P型和N型半导体组成的器件，用于控制电流流动的方向。
12. 功率半导体：专门设计用于高功率和高电压应用的半导体器件。
这些术语只是半导体领域中的一小部分，还有许多其他术语和定
义与半导体制造、器件设计和电子技术相关。
半导体术语(荣)
2.1 半导体semiconductor：电阻率介于导体与绝缘体之间，其范围为的一种固体物质。
在较宽的温度范围内，电阻率随温度的升高而减小。
电流是由带正电的空穴和带负电的电子的定向传输实现的。
半导体按其结构可分为三类：单晶体、多晶体和非晶体。
2.2 元素半导体elemental semiconductor：由一种元素组成的半导体。
硅和锗是最常用的元素半导体。
2.3 化合物半导体compound semiconductor：由两种或两种以上的元素化合而成的半导体，如砷化稼、稼铝砷等。
2.4 本征半导体intrinsic semiconductor：晶格完整且不含杂质的单晶半导体，其中参与导电的电子和空穴数目相等。
这是一种实际上难以实现的理想情况。
实用上所说的本征半导体是指仅含极痕量杂质，导电性能与理想情况很相近的半导体。
2.5 导电类型conductivity type：半导体材料中多数载流子的性质所决定的导电特性。
2.6 n-型半导体n-type semiconductor：多数载流子为电子的半导体。
2.7 p-型半导体p-type semiconductor：多数载流子为空穴的半导体。
2.8 空穴hole：半导体价带结构中一种流动空位，其作用就像一个具有正有效质量的正电子电荷一样。
2.9 受主accepter：半导体中其能级位于禁带内，能“接受”价带激发电子的杂质原子或晶格缺陷，形成空穴导电。
2.10 施主donor：半导体中其能级位于禁带内，能向导带“施放”电子的杂质原子或晶格缺陷，形成电子导电。
2.11 载流子carrier：固体中一种能传输电荷的载体，又称荷电载流子。
例如，半导体中导电空穴和导电电子2.12 载流子浓度carrier concentration：单位体积的载流子数目。
在室温无补偿存在的情况下为电离杂质的浓度。
空穴浓度的符号为p,电子浓度的符号为n。
2.13 多数载流子majority carrier：大于载流子总浓度一半的那类载流子。
半导体行业术语
半导体行业术语半导体行业术语是指用于描述和解释半导体及相关技术的术语和术语缩略语。
以下是一些常见的半导体行业术语及其参考解释。
1. 半导体（Semiconductor）- 指的是电导介于导体和绝缘体之间的固态材料，通常是以硅（Si）或镓（Ga）为主要成分，用于制造电子器件。
2. 集成电路（Integrated Circuit，IC）- 也被称为芯片，是将数十亿个晶体管、电阻器、电容器和其他电子元件集成到一块半导体晶片上的技术。
3. MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）- MOSFET是一种常用的场效应晶体管，通过控制栅电压来调节源极电流。
4. CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）- CMOS是一种基于nMOS（n沟道金属－氧化物－半导体）和pMOS（p沟道金属－氧化物－半导体）技术的集成电路制造技术。
5. MEMS（Micro-Electro-Mechanical Systems）- MEMS是一种将微机械系统与电子技术相结合的技术，包括制造微型传感器、执行器和微型结构等。
6. 晶圆（Wafer）- 指的是在半导体制造过程中用于制作芯片的圆形硅片。
晶圆上会进行刻蚀、沉积、光刻等工艺。
7. 工艺（Process）- 指的是制造半导体器件所需的一系列步骤和工作流程，包括光刻、刻蚀、沉积、清洗等。
8. 掩膜（Mask）- 掩膜用于光刻工艺，上面有设计好的图案，通过光刻暴光制造电路芯片的图案。
9. Doping（掺杂）- 在半导体材料中引入杂质，以调整材料的导电性能。
常见的掺杂剂包括硼、磷、砷等。
10. 渗透磁场（Permeable Magnetic Field）- 渗透磁场是指在磁性材料的边界上产生的特殊磁场，常用于磁传感器和存储器中。
11. 氮化镓（Gallium Nitride，GaN）- 氮化镓是一种半导体材料，具有高电子流动性和较大的能隙，适用于高功率电子器件的制造。
半导体行业的英单词和术语
半导体行业的英单词和术语1. Semiconductor（半导体）：指一种导电性能介于导体和绝缘体之间的材料，广泛应用于电子器件中。
3. Integrated Circuit（集成电路）：简称IC，将大量的微小电子元件（如晶体管、电阻、电容等）集成在一块半导体芯片上。
4. Transistor（晶体管）：一种半导体器件，具有放大信号和开关功能，是现代电子设备的基础组件。
5. Diode（二极管）：一种具有单向导通特性的半导体器件，常用于整流、稳压等电路。
6. MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）：一种常见的晶体管类型，广泛应用于放大器和开关电路。
7. CMOS（互补金属氧化物半导体）：一种集成电路技术，采用NMOS和PMOS晶体管组合，具有低功耗、高集成度等优点。
8. Wafer（晶圆）：指经过切割、抛光等工艺处理的半导体材料，用于制造集成电路。
9. Photolithography（光刻）：在半导体制造过程中，利用光刻技术将电路图案转移到晶圆上的过程。
10. Etching（刻蚀）：在半导体制造过程中，通过化学反应或物理方法去除晶圆表面不需要的材料。
11.掺杂（Doping）：在半导体材料中引入其他元素，以改变其导电性能。
12. Chip（芯片）：指经过封装的集成电路，是电子设备的核心组成部分。
13. PCB（印刷电路板）：一种用于支撑和连接电子元件的板材，上面布满了导电线路。
14. Moore's Law（摩尔定律）：指集成电路上可容纳的晶体管数量大约每两年翻一番，预测了半导体行业的发展趋势。
15. EDA（电子设计自动化）：指利用计算机软件辅助设计电子系统，包括电路设计、仿真、验证等环节。
16. Foundry（代工厂）：专门为其他公司生产半导体芯片的企业。
17. Semiconductor Equipment Manufacturer（半导体设备制造商）：为半导体行业提供生产设备的公司。
半导体常用词汇汇总
半导体常用词汇汇总1. 半导体 (semiconductor): 一种材料，具有介于导体和绝缘体之间的导电特性。
2. 硅 (silicon): 最常用的半导体材料之一，其化学符号为Si。
3. pn结 (pn junction): 由n型半导体和p型半导体结合而成的结构。
4. 栅极 (gate): 用于控制场效应晶体管（FET）的电流流动的电极。
5. 晶体管 (transistor): 一种用于放大和开关电信号的电子器件。
6. 集成电路 (integrated circuit): 由一系列电子器件（如晶体管、电容器等）组成的微小芯片。
7. 缺陷 (defect): 半导体中存在的材料缺陷，可以影响其性能。
8. 掺杂 (doping): 向半导体中引入杂质，以改变其电导率。
9. 导带 (conduction band): 半导体中的能带，其中电子可以自由移动。
10. 价带 (valence band): 半导体中的能带，其中电子处于较稳定的状态。
11. 能隙 (band gap): 价带和导带之间的能量差，决定了半导体的导电性质。
12. 内禀载流子 (intrinsic carrier): 在纯净半导体中由热激发产生的自由电子和空穴。
13. 唐氏理论 (Drift-Diffusion theory): 描述半导体中载流子扩散和漂移的物理模型。
14. 热噪声 (thermal noise): 由于温度引起的随机电信号。
15. 热扩散 (thermal diffusion): 载流子由高浓度区向低浓度区扩散的过程。
16. 绝缘体 (insulator): 电阻极高的材料，电流很难通过。
17. 金属 (metal): 电阻很低的材料，电流可以自由通过。
18. 肖克利效应 (Seebeck effect): 温差引起的电压差效应。
19. 过渡边沿 (rising edge): 信号从低电平向高电平变化的边缘。
半导体 标准术语
半导体标准术语
半导体是指电导率介于导体和绝缘体之间的材料。
标准术语是指在半导体领域中被广泛接受和使用的术语和定义。
以下是一些半导体领域常见的标准术语：
1. PN结：由p型半导体和n型半导体构成的结，具有整流性质。
2. 硅：半导体材料中最常用的元素之一，常用符号为Si。
3. 锗：半导体材料中常用的元素之一，常用符号为Ge。
4. 掺杂：向半导体材料中引入少量杂质，改变其电导性质的过程。
5. 芯片：由半导体材料制成的微小电子器件，常用于集成电路中。
6. 导带：半导体中的能带，带有自由电子，可导电。
7. 价带：半导体中的能带，带有能够容纳电子的轨道。
8. 势垒：在PN结中形成的电势差，阻止电流的流动。
9. 禁带宽度：导带和价带之间的能量差，决定了半导体的导电性质。
10. 整流器：利用PN结的整流性质将交流电转换为直流电的
器件。
这些是半导体领域中常见的一些标准术语，但并不包括全部。
半导体科学和技术的发展不断涌现出新的术语和概念，因此标准术语也在不断更新和发展。
半导体专业术语(中英对照)
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半导体专业词汇汇总
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Semiconductor：半导体
MFG (Manufacture)：制造部
Wafer ：晶片
Boule：晶锭
Ingot：晶棒
As cut wafer：毛片
Particle：含尘量/微尘粒子 Pod ：晶盒 Cassette： 晶片夹 Clean Room：洁净室（Class 100000 以上） MO（ Miss Operation）：误操作 Process Engineering：制程工程师，简称为P.E.简单称为制程。 Equipment Engineering：设备工程师，简称为E.E.简单称为设备。
半导体专业术语
1.acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子20.Asher：去胶机21.Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）Acid2.：酸22.Active device：有源器件，如MOS FET （非线性，可以对信号放大）Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层） 3.23.Back end：后段（ 4.Align mark(key)：对位标记CONTACT以后、PCM测试前）24. Baseline：标准流程Alloy5.：合金25.6.Aluminum：铝Benchmark：基准26. Bipolar：双极Ammonia7.：氨水27.8.Ammonium fluoride：Boat：扩散用（石英）舟NH4F28.CD：（Ammonium hydroxide9.：NH4OH Critical Dimension）临界（关键）尺寸。
在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽。
，非晶硅（不是多晶硅）-SiAmorphous silicon10.：α29.Analog11.：模拟的Character window：特征窗口。
用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。
30.）埃Chemical-mechanical polish（CMP）：化学机械抛光法。
一种去掉圆片表面某种物质的方法。
1E-10mAAngstrom12.：（31.13.Chemical vapor deposition ）（CVD）：化学汽相淀积。
一种通过化学反应生成一层薄膜的工POLY ETCHAnisotropic：各向异性（如艺。
14. 95%AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以置信度通过质32.Chip：碎片或芯片。
量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）33.CIM等层的光刻）：抗反射层（用于15.ARC(Antireflective coating)METAL ：computer-integrated manufacturing 的缩写。
半导体用语
半导体用语
1、半导体用语
（一）硅片
1、硅片：半导体器件的基础，是由半导体绝缘体（如硅或硅基）制成的片状结构，平面可有一块。
2、基板：是硅片的基本结构，包括基板片、连接和双面封装用硅片，以及可能存在的外部电极等。
3、印制电路板（PCB）：用于连接硅片上的电路元件，分为直接印制电路板和印制电路板，可以增加元件的密度。
4、热熔带：用于接通硅片上的电路，由熔融状态的热熔料组成，是一种常用的安装电路的简单方法。
5、焊锡：用于将硅片上的元件与PCB相连，由高熔点锡料组成，可根据元件要求进行不同的焊接工艺。
（二）封装
1、封装：半导体器件完成后，需要经过封装工艺，将器件封装到管壳中，以保护其芯片。
2、套管：硅片采用双层结构封装，一层是外部的硅管壳，另一层是内部的硅封装，套管可能是聚氯乙烯、铝箔、陶瓷或塑料。
3、外壳：用于封装硅片，外壳种类多样，如塑料壳、铝合金壳等，可以阻止外部环境的污染，并对结构进行支撑。
4、表面安装封装（SMT）：将器件封装到PCB表面上，可以使器件的安装密度更大。
5、浸渍封装（DIP）：将器件放入陶瓷中，再通过高温和高压，使器件固定在陶瓷中，可以提高封装的可靠性。
半导体制造行业专业术语
半导体词汇1. ac cepta nce t estin g (WA T: wa fer a ccept ancetesti ng) 2. ac cepto r: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子3.ACCES S：一个E DA（En ginee ringDataAnaly sis）系统4. Acid：酸5. Act ive d evice：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）6. Ali gn ma rk(ke y)：对位标记7. All oy：合金8.Alumi num：铝9.Ammon ia：氨水10. Ammo niumfluor ide：N H4F 11. A mmoni um hy droxi de：NH4OH 12. A morph ous s ilico n：α-S i，非晶硅（不是多晶硅）13. An alog：模拟的14. A ngstr om：A（1E-10m）埃15. A nisot ropic：各向异性（如POL Y ETC H）16. AQ L(Acc eptan ce Qu ality Leve l)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）17.ARC(A ntire flect ive c oatin g)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）18. Ant imony(Sb)锑19. Argo n(Ar)氩20. Ars enic(As)砷21.Arsen ic tr ioxid e(As2O3)三氧化二砷22. A rsine(AsH3)23. Ash er：去胶机24. Asp ect r ation：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）25. A utodo ping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）26. Bac k end：后段（C ONTAC T以后、P CM测试前）27. Bas eline：标准流程28. Benc hmark：基准29. B ipola r：双极30.Boat：扩散用（石英）舟31. C D：（C ritic al Di mensi on）临界（关键）尺寸。
半导体专业术语
半导体专业术语
1. “晶圆”呀，就像半导体世界的大舞台，各种芯片都要在这上面表演呢！比如你手机里的芯片，就是在晶圆上诞生的哟。
2. “光刻”不就是给半导体画画嘛，精细得很嘞！你想想看，能把那么复杂的电路画得那么准确，是不是很厉害呀！就像一个超级厉害的画家。
3. “掺杂”，这就像是给半导体加点特别的调料，让它有不同的性能呢！好比做菜，加点盐味道就不一样了，掺杂能让半导体变得更独特哦。
4. “封装”，可以说是给半导体穿上保护衣啦！就像给宝贝手机套上手机壳一样，能保护里面的芯片好好工作呀。
5. “MOSFET”，这可是半导体里的大明星呢！很多电子设备都离不开它，它就像一个超级能干的小助手，默默地奉献着。
比如电脑里就有它在努力工作哦。
6. “PN 结”，就像是半导体里的一道神奇关卡，控制着电流的通过呢！就像小区门口的保安，决定谁能进出一样。
7. “蚀刻”，这简直就是给半导体做雕刻呀，把不需要的部分去掉，留下精华！就像雕刻大师精心雕琢作品一样。
8. “半导体器件”，那可是各种各样的宝贝呀！从小小的二极管到复杂的集成电路，它们就像一个神奇的宝库，给我们的生活带来便利。
你家里的电器里肯定有它们的身影呢！
9. “禁带宽度”，这就像是半导体的一个小秘密，决定了它的很多特性呢！是不是很神秘呀？
10. “外延生长”，可以想象成让半导体像小树苗一样长大，变得更强大更优秀！是不是很有意思呀？。
半导体常用术语
半导体常用术语1. PN结：两种不同材料的半导体晶体形成的界面，其中一侧为正电荷载体（P区），另一侧为负电荷载体（N区）。
2. 栅极：在MOSFET器件中，用于控制电流和开关的电极。
3. 基极：在双极型晶体管中，用于控制电流和放大信号的电极。
4. 门极：在MOSFET器件中，类似于基极的功能，用于控制电流和信号。
5. 整流器：将交流电转换为直流电的电子器件。
6. 极化：在半导体器件中，通过施加电压或电流来改变材料的电特性。
7. 导电性：半导体材料具有可变的电导率，可以是n型（负载体）或p型（正载体）。
8. 掺杂：在半导体材料中添加杂质以改变其电导率或电特性。
9. 流明：用于衡量光通量的单位，表示单位面积上通过的光的总量。
10. 电子迁移率：表示材料中电子在电场中移动的能力，是衡量材料导电性能的指标。
11. 集成电路：将多个电子元件集成到一个芯片上的电路。
12. 噪声：随机电信号中的不规则波动，对电子设备和电路性能产生不利影响。
13. 功耗：电子器件或电路从电源耗电的功率。
14. 延迟：在电子器件或电路中，信号传播的时间延迟。
15. 反向偏置：对PN结施加电场，使电流不流过结的过程。
16. 正向偏置：对PN结施加电场，使电流流过结的过程。
17. 散射：电子或光子在材料中碰撞并改变方向或能量的过程。
18. 热传导：通过材料中原子或分子之间的振动转移热量的机制。
19. 量子效应：在纳米尺度下，量子力学效应对材料电子行为的影响。
20. 功能集成：将多个不同功能的电子元件或系统集成到一个芯片上的过程。
半导体业界常用术语
半导体业界常用术语
1. “晶圆，那可是半导体的根基啊！就好比是大楼的基石，没有它怎么能行呢？你想想，要是没有晶圆，那些芯片从哪儿来呀！”
2. “封装，这就像是给半导体穿上一件保护衣，让它能安全地工作呀！你看，把那些精细的器件包裹起来，多重要啊！”
3. “光刻机，哇哦，这可是半导体制造的关键设备呀！没有它，就像画家没有画笔，怎么能画出美丽的图案呢？”
4. “蚀刻，这简直就是在半导体上进行精细雕琢呀！就跟雕刻大师精心塑造作品一样，厉害吧！”
5. “掺杂，这可是改变半导体性能的重要手段呢！就好像给它注入了特别的力量，让它变得与众不同。
”
6. “外延，这就像是给半导体不断添砖加瓦，让它成长壮大呀，你说神奇不神奇？”
7. “MOS 管，嘿，这可是半导体里的小能手啊！在电路里发挥着大作用，就像一个勤劳的小蜜蜂！”
8. “集成电路，哇，这可是把好多好多的半导体元件集合在一起呀，那威力可大了去了，你能想象吗？”
9. “半导体材料，这可是一切的源头啊！没有好的材料，怎么能做出优秀的半导体呢，对吧？”
10. “PN 结，这可是半导体的重要结构呢！就像是一个神奇的开关，控制着电流的通过，厉害吧！”。
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1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子3. ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统4. Acid：酸5. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）6. Align mark(key)：对位标记7. Alloy：合金8. Aluminum：铝9. Ammonia：氨水10. Ammonium fluoride：NH4F11. Ammonium hydroxide：NH4OH12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）13. Analog：模拟的14. Angstrom：A（1E-10m）埃15. Anisotropic：各向异性（如POL Y ETCH）16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）18. Antimony(Sb)锑19. Argon(Ar)氩20. Arsenic(As)砷21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷22. Arsine(AsH3)23. Asher：去胶机24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）27. Baseline：标准流程28. Benchmark：基准29. Bipolar：双极30. Boat：扩散用（石英）舟31. CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。
在工艺上通常指条宽，例如POL Y CD 为多晶条宽。
32. Character window：特征窗口。
用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。
33. Chemical-mechanical polish（CMP）：化学机械抛光法。
一种去掉圆片表面某种物质的方法。
34. Chemical vapor deposition（CVD）：化学汽相淀积。
一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。
35. Chip：碎片或芯片。
36. CIM：computer-integrated manufacturing的缩写。
用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。
37. Circuit design ：电路设计。
一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。
38. Cleanroom：一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。
39. Compensation doping：补偿掺杂。
向P型半导体掺入施主杂质或向N型掺入受主杂质。
40. CMOS：complementary metal oxide semiconductor的缩写。
一种将PMOS和NMOS在同一个硅衬底上混合制造的工艺。
41. Computer-aided design（CAD）：计算机辅助设计。
42. Conductivity type：传导类型，由多数载流子决定。
在N型材料中多数载流子是电子，在P型材料中多数载流子是空穴。
43. Contact：孔。
在工艺中通常指孔1，即连接铝和硅的孔。
44. Control chart：控制图。
一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。
45. Correlation：相关性。
46. Cp：工艺能力，详见process capability。
47. Cpk：工艺能力指数，详见process capability index。
48. Cycle time：圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。
通常用来衡量流通速度的快慢。
49. Damage：损伤。
对于单晶体来说，有时晶格缺陷在表面处理后形成无法修复的变形也可以叫做损伤。
50. Defect density：缺陷密度。
单位面积内的缺陷数。
51. Depletion implant：耗尽注入。
一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。
（耗尽晶体管指在栅压为零的情况下有电流流过的晶体管。
）52. Depletion layer：耗尽层。
可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的区域。
53. Depletion width：耗尽宽度。
53中提到的耗尽层这个区域的宽度。
54. Deposition：淀积。
一种在圆片上淀积一定厚度的且不和下面层次发生化学反应的薄膜的一种方法。
55. Depth of focus（DOF）：焦深。
56. design of experiments (DOE)：为了达到费用最小化、降低试验错误、以及保证数据结果的统计合理性等目的，所设计的初始工程批试验计划。
57. develop：显影（通过化学处理除去曝光区域的光刻胶，形成所需图形的过程）58. developer：Ⅰ）显影设备；Ⅱ）显影液59. diborane (B2H6)：乙硼烷，一种无色、易挥发、有毒的可燃气体，常用来作为半导体生产中的硼源60. dichloromethane (CH2CL2)：二氯甲，一种无色，不可燃，不可爆的液体。
61. dichlorosilane (DSC)：二氯甲硅烷，一种可燃，有腐蚀性，无色，在潮湿环境下易水解的物质，常用于硅外延或多晶硅的成长，以及用在沉积二氧化硅、氮化硅时的化学气氛中。
62. die：硅片中一个很小的单位，包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上的部分划片槽区域。
63. dielectric：Ⅰ）介质，一种绝缘材料；Ⅱ）用于陶瓷或塑料封装的表面材料，可以提供电绝缘功能。
64. diffused layer：扩散层，即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中，在临近硅表面的区域形成与衬底材料反型的杂质离子层。
65. disilane (Si2H6)：乙硅烷，一种无色、无腐蚀性、极易燃的气体，燃烧时能产生高火焰，暴露在空气中会自燃。
在生产光电单元时，乙硅烷常用于沉积多晶硅薄膜。
66. drive-in：推阱，指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散。
67. dry etch：干刻，指采用反应气体或电离气体除去硅片某一层次中未受保护区域的混合了物理腐蚀及化学腐蚀的工艺过程。
68. effective layer thickness：有效层厚，指在外延片制造中，载流子密度在规定范围内的硅锭前端的深度。
69. EM：electromigration，电子迁移，指由通过铝条的电流导致电子沿铝条连线进行的自扩散过程。
70. epitaxial layer：外延层。
半导体技术中，在决定晶向的基质衬底上生长一层单晶半导体材料，这一单晶半导体层即为外延层。
71. equipment downtime：设备状态异常以及不能完成预定功能的时间。
72. etch：腐蚀，运用物理或化学方法有选择的去除不需的区域。
73. exposure：曝光，使感光材料感光或受其他辐射材料照射的过程。
74. fab：常指半导体生产的制造工厂。
75. feature size：特征尺寸，指单个图形的最小物理尺寸。
76. field-effect transistor（FET）：场效应管。
包含源、漏、栅、衬四端，由源经栅到漏的多子流驱动而工作，多子流由栅下的横向电场控制。
77. film：薄膜，圆片上的一层或多层迭加的物质。
78. flat：平边79. flatband capacitanse：平带电容80. flatband voltage：平带电压81. flow coefficicent：流动系数82. flow velocity：流速计83. flow volume：流量计84. flux：单位时间内流过给定面积的颗粒数85. forbidden energy gap：禁带86. four-point probe：四点探针台87. functional area：功能区88. gate oxide：栅氧89. glass transition temperature：玻璃态转换温度90. gowning：净化服91. gray area：灰区92. grazing incidence interferometer：切线入射干涉仪93. hard bake：后烘94. heteroepitaxy：单晶长在不同材料的衬底上的外延方法95. high-current implanter：束电流大于3ma的注入方式，用于批量生产96. hign-efficiency particulate air(HEPA) filter：高效率空气颗粒过滤器，去掉99.97%的大于0.3um的颗粒97. host：主机98. hot carriers：热载流子99. hydrophilic：亲水性100. hydrophobic：疏水性101. impurity：杂质102. inductive coupled plasma(ICP)：感应等离子体103. inert gas：惰性气体104. initial oxide：一氧105. insulator：绝缘106. isolated line：隔离线107. implant : 注入108. impurity n : 掺杂109. junction : 结110. junction spiking n :铝穿刺111. kerf :划片槽112. landing pad n AD113. lithography n 制版114. maintainability, equipment : 设备产能115. maintenance n :保养116. majority carrier n :多数载流子117. masks, device series of n : 一成套光刻版118. material n :原料119. matrix n 1 :矩阵120. mean n : 平均值121. measured leak rate n :测得漏率122. median n :中间值123. memory n : 记忆体124. metal n :金属125. nanometer (nm) n ：纳米126. nanosecond (ns) n ：纳秒127. nitride etch n ：氮化物刻蚀128. nitrogen (N2 ) n：氮气，一种双原子气体129. n-type adj ：n型130. ohms per square n：欧姆每平方: 方块电阻131. orientation n：晶向，一组晶列所指的方向132. overlap n ：交迭区133. oxidation n ：氧化，高温下氧气或水蒸气与硅进行的化学反应134. phosphorus (P) n ：磷，一种有毒的非金属元素135. photomask n ：光刻版，用于光刻的版136. photomask, negative n：反刻137. images：去掉图形区域的版138. photomask, positive n：正刻139. pilot n ：先行批，用以验证该工艺是否符合规格的片子140. plasma n ：等离子体，用于去胶、刻蚀或淀积的电离气体141. plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) n：等离子体化学气相淀积，低温条件下的等离子淀积工艺142. plasma-enhanced TEOS oxide deposition n：TEOS淀积，淀积TEOS的一种工艺143. pn junction n：pn结144. pocked bead n：麻点，在20X下观察到的吸附在低压表面的水珠145. polarization n：偏振，描述电磁波下电场矢量方向的术语146. polycide n：多晶硅/金属硅化物，解决高阻的复合栅结构147. polycrystalline silicon (poly) n：多晶硅，高浓度掺杂（>5E19）的硅，能导电。