硅材料中英文对照表

硅材料中英文对照表

1、Small Pot Scrap with Quartz 带石英渣的小块埚底料

(瓜子料)

2、Contaminated Pot Scrap 被沾污了的埚底料

3、Cast Ingot Side-Walls (Tops,Sides, Bottoms)

废弃晶锭边皮料(指浇铸硅的顶、边、底部料)

4、Sigle-Crystal -silicon 单晶硅

5、Remelt Ingots 回熔晶锭

6、Remelt Goods 回熔料

7、Poly Virgin Vac Pack 多晶原料真空包装

8、Poly Virgin Goods 多晶原始料

9、Poly Virgin Surface Contaminated 多晶原料表面沾污

10、Poly Virgin Flakes 多晶料片

11、Remelt Siabs

12、Remelt Small Pcs 回熔小片

13、Remelt Plugs 回熔小锭

14、Plugs 小锭

15、Chips 切片

16、Semicon Grade silicon 半导体级硅

17、Granular Poly 粒状多晶

18、Multicrystalline (or Polysilicon) 多晶硅

19、Recliam Wafers 回收硅片

20、Broken Cells 碎电池片

21、N-type N型

22、P-type P型

23、Resistivity (ohm-cm ) 电阻率(欧姆-厘米)

24、Orintation 晶向

25、Beam 横樑料

26、Polysilicon with Carbon (or Graphite) 碳头料

27、Solar Grade Silicon 太阳能级硅

28、Minor Carrier life-time 少数载流子寿命

29、Acceptor Impurity 受主杂质。又称P型杂质(如硅

中的硼、铝、镓、铟等杂质)，这是指为半导体材料提供空穴的一类杂质。

30、Donor Impurity 施主杂质。又称N型杂质（如硅中

的磷、砷、锑等杂质），这是指为半导体材料提供电子的一类杂质。

31、Dislocation-free Single Crystal 无位错单晶。通常是将

位错密度小于500个/㎝2的单晶称为无位错单晶，这种单晶并非是真正意义上的无位错，只是因为这种低位错的单晶中位错较少而分散，对材料性能的影响不大。

32、Twin Crystal 孪晶。这是指由两部分取向不同但有一

个共同晶面组成的一块晶体称为孪晶，又叫双晶。该共

用晶面叫孪晶面，这两部分晶体的取向以孪生面为镜面对称。组成孪晶的两个单晶体的取向间的夹角是某个确定的角度，而不能是任意的。

33、Slip Plane 滑移面。这是指晶体在受力时，其内部往

往会在某些面上沿着某个确定的方向产生平动滑移，即相当于晶体的一部分相当于另一部分作剪切位移，我们把这种运动称为滑移，产生滑移的面称为滑移面，滑移实际上是一种非均匀的畸变过程，通常是在原子密度较大，或面间距较大的晶面容易产生滑移，而且容易沿着原子分布较密的方向滑移。

34、Cleavage Plane 解理面。在晶体中易于劈裂的晶面较

解理面，最易滑移的面也是易于劈裂的面，所以滑移面本身就是解理面。

35、Crystalline Defect 晶体缺陷。在半导体单晶体中原子

的位置和原子的种类都是有序排列的。但是由于某种原因当原子的位置或原子的种类均偏离了理想晶格中原子有规则的排列，就会出现严重影响晶体的机械、电学及其它晶体特性的缺陷，我们称之为晶体缺陷。晶体缺陷产生的机理非常复杂，它在单晶生长、加工、热处理等工艺中都会产生晶体缺陷。晶体缺陷的存在，会极大地影响晶体的物理性质和电学性能，直接影响着半导体器件的质量和寿命，因此晶体缺陷是人们研究最多的领

域。根据缺陷的形状不同,可分为：

点缺陷（包括杂质原子、点阵空位和间隙原子等）

线缺陷（如位错等）

面缺陷（如层错和晶粒间界等）

微缺陷（如空位团、微杂质沉淀、应力图型等）36、Oxygen Content 氧含量。氧是直拉硅单晶内的主要有

害杂质之一，大量的氧一般是在单晶生长时由石英坩埚

引入的，在硅的熔点（1410℃）附近，硅中氧的最大熔

解度可高达2×1018/㎝3，一般用于IC工业的直拉单晶

硅的氧含量应小于5×1016/㎝3，而用于太阳能工业的

直拉单晶硅的氧含量应小于1×1018/㎝3。

37、Carbon Content 碳含量,。碳也是直拉单晶硅的主要

有害杂质之一，大量的碳主要是由于石墨加热器的沾污

引起的，在单晶拉制过程中，在硅的熔点（1410℃）附

近碳在硅中的最大溶解度为3.5×1017/㎝3。通常用于IC

和太阳能级的直拉单晶硅的碳含量应小于1×1017/㎝3。

38、TTV---T otal Thickness Variation 总厚度偏差。这是表

征硅片整体各处厚度变化的参数，指硅片表面与基准平

面距离的最大值与最小值之差，即整个硅片厚度最大值

与最小值之差，其单位往往采用µm。

39、Bow 弯曲度。这是指硅片在无外力作用下呈弓型状态

时的度量值,它是与硅片厚度变化无关的体性质变量。

由于弯曲度是与硅片厚度及其变化无关的，所以测定硅

片的弯曲度往往是测定硅片中心点正反两面与参考平面两次测量值之差，取这个差值的1/2为弯曲度值。弯

曲度的单位也是µm。

40、Warp 翘曲度。翘曲是硅片的一种较复杂的体形变，

与硅片的厚度无关，它表示的是硅片中心线平面与基准

面的偏离，其测量定义是硅片厚度中心面上各处在轴向

偏离基准面的最大值与最小值之差。硅片的弯曲和翘曲

多是由于在机加工过程中的刀具设置不当或晶体内部的热应力引起的。

41、Chip 崩边。这是指硅片或晶锭边缘的缺损，常用径向

深度或周边弦的长度给出崩边的大小。

42、Contaminant 沾污。是指晶片表面上仅凭目测便可观

测到的众多外来异物的总称。大多数情况下，沾污可通

过干燥氮气气吹、洗涤或化学处理即可去除。

43、Dirt 不洁物。指不能用一般溶剂去除的表面沾污物。

它们可能是表面局部区域的外来物，如污迹、色斑、斑

纹等，或由于外来物薄膜引起的呈大面雾状形态。44、Mark 痕迹。由真空吸盘、真空吸笔或使用不清洁的

镊子夹持硅片边缘所引起的表面的局部污染区。环绕整

个边缘区域的痕迹多属于包装引起。

45、Partculat 微粒。停留在晶片表面上明显分立的粒子。