模拟电子技术基础简明教程(第三版)杨素行版 答案全面解析

习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。

理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。

习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。

解：在20℃时的反向电流约为：3
210 1.25A A
μμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A A
μμ⨯=
习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？
答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。

一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。

但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。

温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。

100B i A
μ=80A
μ60A μ40A μ20A μ0A
μ0.9933.22
安全工作区
习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。

已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。

解：20℃时，()131CEO CBO I I A
βμ=+=50℃时，8CBO I A
μ≈()
()
()0
5020
011%3011%301301%39
t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mA
βμ=+==
习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。

①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大？输入特性的死区电压约为多大？
②为了使PNP 型三极管工作在放大区，其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零？并与NPN 型三极管进行比较。

解：①查图可知，I CE O =0.5mA ，死区电压约为0.2V ；
②为了使三极管工作在放大区，对PNP 型：u BE <0，u BC >0；对NPN 型：u BE >0，u BC <0。

F
D 、E
A
B
C
图P1-14(g)
DS =15V ，u GS =4V 时的跨导g m u DS =15V
由图可得，开启电压U GS(th)=2V ，I DO =2.5mA ，
4 1.2
2.84.5
3.5
D m GS i g mS u ∆-=
==∆-
习题1-17试根据图P1-17所示的转移特性曲线，分别判断各相应的场效应管的类型（结型或绝缘栅型，P 型沟道或N 型沟道，增强型或耗尽型）。

如为耗尽型，在特性曲线上标注出其夹断电压U GS(off)和饱和漏极电流I DSS ；如为增强型，标出其开启电压U GS(th)。

(a)绝缘栅型N 沟道增强型；(b)结型P 沟道耗尽型；(c)绝缘栅型N 沟道耗尽型；(d)绝缘栅型P 沟道增强型。

习题1-18已知一个N 型沟道增强型MOS 场效应管的开启电压U GS(th)
= +3V ，I DO
=4mA ，请示意画出其转移特性曲线。

习题1-19已知一个P 型沟道耗尽型MOS 场效应管的饱和漏极电流I DSS = -2.5mA ，夹断电压U GS(off)=4V ，请示意画出其转移特性曲线。

习题1-18图
习题1-19图
习题2-1试判断图P2-1中各电路有无放大作用，简单说明理由。

答：(a)无放大作用（发射结反偏）；
(b)不能正常放大（发射结无直流偏置）；(c)无放大作用（集电结无直流偏置）；(d)无放大作用（发射结无直流偏置）；(e)有放大作用（是射极跟随器）；(f)无放大作用（输出交流接地）；(g)无放大作用（输入交流接地）；(h)不能正常放大（栅极无直流偏置）；(i)无放大作用（电源极性接反）；
R b
(a)交流通路
R e i U +
-
-
o U
R (b)交流通路
i U +
-
-
o
U R 1(c)交流通路
i U '+
-2
1
i i N U U N '=
2
3L N R R ⎛⎫'= ⎪
习题2-3在NPN 三极管组成的单管共射放大电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一参数时，试定性说明放大电路的I BQ 、I CQ 和U CE Q 将增大、减少还是基本不变。

①增大R b ；②增大V CC ；③增大β。

答：①增大R b ，则I BQ 减少，I CQ 减少，U CE Q 增大。

②增大V CC ，则I BQ 增大，I CQ 增大，U CE Q 不确定。

③增大β，则I BQ 基本不变，I CQ 增大，U CE Q 减少。

定电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一参数将增u A ↓，↑。

u A ，↓。

u A ↓。

u A ④增大β，则I BQ 基本不变，r be ↑，
基本不变
u A
i U +--o
U +
(b)
解：①可先用近似估算法求I BQ
100.7
0.0220510
CC BEQ
b V U mA A
R μ--=
=
≈=直流负载线方程：10CE CC C C u V i R =-=-Q 1
静态工作点Q 点处，0.5,
U V I ≈≈Q 1
Q 2
Q 1
Q 2
因此，需减小R c 和R b ，可减为R c ＝4k Ω，R b ＝250Q 3
放大电路如图P2-7(a)所示，试按照给定参数，P2-7(b)中：
①画出直流负载线；
R b 2
11k Ω
i U o
U _
(b)
图P2-7
(b)
mA
的一条水平线， 2.6
7.2
点，且斜率为，其中1
L
R -
'R b 2
11k Ω
2i U o
U +
C
图P2-6(b)
，输入电阻u A i
U o U +_10A μ=0.6BQ I mA
β=0.61mA CC CQ C V I R -26
)
2.9k I ≈(u R A β=-
//b be R r =≈2-11 利用微变等效电路法估算图大倍数、输入电阻及输出电阻。

已知：(u R A β=-
//i b be R R r =
=10k Ω，则电压放大倍数
?o
u i
U A U =
= 6.6o i
u i i o
U R A U R R =≈-+i U o U +
_1.5k Ω(u R A β=-④是截止失真，应减少
i
U o U +_R e 2k Ω(u be A r β=-+//i b be R R r =⎡⎣r be
R e
β习题2-15 设图CC =10V, R c =3R b 1
+-
R i U s
U o
U +-5.3V
≈
i U
R b
-
s
U +-2.89k Ω6.5
≈-R +
-
o
U i
U (10.99
(1u be A r +=
+时，(1(1u be A r +=
+
习题2-17 P107
R +
-
1o U i
U 2
o U r be
R c
R e
R b
+
-
i
U 1o U 2o U -+-
1o i be U U r =-+2(1(1)o i be e
U U r R β+=
++R c =R e 时，12o o U U ≈-i
t
1
t
o
U R b 2=10R c =3k R L =3β=50U BE Q =0.6V r bb ’=300I =2mA ΩA μ(//c u be
R A r β=3c R k =Ω
习题2-19 P107
解：(a)共基电路
(b)共射电路(c)共集电路(d)共射电路(e)共射－共基电路
R 1
i U o
U +
-
R L
g m =1.5mS
(1)i gs d s m s gs U U I R g R U =+=+(//)o m gs d L U g U R R =-(//)9
1o m d L u i m s
U g R R A U g R ==-≈-+P109
R
R S
D
gs
U o m gs s
U g U R =(1)i gs o m s gs
U U U g R U =+=+0.776
1o m s
u i m s
U g R A U g R ∴==≈+P109
=U BE Q2=0.7，
12u be A r =-22k =Ω
P109
R c1
C R E 1
R S
s
U b 1
r be 1
解：微变等效电路：
习题2-27P110
答：①测静态工作点Q ：直流稳压电源、万用表(直流电压档)
：直流稳压电源、正弦波信号发生
②测电压放大倍数A
u
器、示波器、交流毫伏表。

：同②
③测最大输出电压幅度U
om
④测输入电阻R
：同②
i
：同②
⑤测输出电阻R
o
习题2-28P111
本题为实验题，略。