高纯金属及其化合物的用途

光敏电阻、磁敏电阻传感器、
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ＧａＳｂ是一种Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体材料，热光伏电池 和光纤通信，ＧａＳｂ 材料在制作长波长光纤通信器件 方面具有极大的潜力。 AlSb 是具有闪锌矿结构的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体。是一种 具有良好应用前景的太阳电池材料。 ZnSb 作为一种比较有前途的半导体，金属合金型热电材 料。 碲化镉太阳能电池的制造成本低，目前已获得的最高效率 为 16%，是应用前景很好的太阳能电池。 光谱分析、CO2 激光器的 Q 调制。红外调制器、HgxCdl-xTe 衬底、红外窗场致发光器件、红外探测、X 射线探测、核 放射性探测器、接近可见光区的发光器件等。 电子发射器和光谱分析、光导体、半导体、光敏元件等。
用于特种高级合金等；国防工业用无氧铜。
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InSb、InP、InAs 以及晶体管基材、红外线接受器、合金等。
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Pb1～xSn-xTe 材料及焊锡。掺杂、合金等。
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ZeS、ZnSe、ZnSb、掺杂等。
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玻璃导电膜，靶材、电子元器件、光电显示半导体薄膜等。 99.999 ～
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作于 Ga 基半导体材料的绝缘层,紫外线滤光片及激光材料等领 99.999 ～
域。
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99.999 ～ 99.9999 99.999 ～ 99.9999
99.999 ～ 99.9999 99.999 ～ 99.9999
ZnS Bi2O3
三氧化二铋
靶材、电子陶瓷、激光窗口材料、紫外辐射、激光辐射 99.999 ～
探测器材料等。
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用于制备新型激光介 Bi4Ge3O12 单晶、电子陶瓷、锗酸铋、 99.999
种超导材料等。
CdSe、Bi2-Se3、CuIn-Se2/CdS 薄膜电池及光敏器件等。
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Bi2Te3、Pb2Te3、CdTe、PbTe、Hg～xCdxTe、Pb～xSnxTe 等，Te 单 99.999 ～
晶用于红外材料，红外截止滤光片、光子牵引探测器等。
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这些合金，特别是 InSb，在红外光电技术有特殊的应用，红外滤光 99.99999
片、红外光电池；高纯锑用于制备温差电材料如 ZnSb、Bi-Sb-Te 等。
铋的电阻随温度升高而下降，在温差电制冷和低温差发电的应用方 99.999 ～
面，制备 Bi2-Se3、 Bi2-Te3、Bi-Sb-Te。In-Bi 和 Pb-Bi 合金是一 99.99999
压敏电阻、氧传感器、固体氧化物燃料电池、铋系高温超
导材料、钼铋催化剂、钇铋催化剂 Bi2O3 的复合物均能
提高电池的放电容量。
Al2O3 TeO2
二氧化碲
电子陶瓷、激光晶体材料等。
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用于激光“光计算机”的主要部件之一的光偏转器件，及 99.999 激光“光通讯”的调制器件。
In2O3 氧化铟 Ga2O3 氧化镓
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CdS、PbS、ZnS、Cd-ZnS/CuS 薄膜电池等。
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CdS、CdSe、CdSb、CdTe 及光电转换器、原子反应堆中的截浮中子流 99.999 ～
的控制棒等。
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GaAs、GaP、GaSb、GaAsP、CdAlAs 及掺杂、合金等。
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高纯金属及其化合物的用途
1、高纯金属
元 中文名称 素 Sb 高纯锑
Bi 高纯铋
Se 高纯硒 Te 高纯碲 Cu 高纯铜 In 高纯铟 Sn 高纯锡 Zn 高纯锌 S 高纯硫 Cd 高纯镉 Ga 高纯镓 Au 高纯金 Ag 高纯银 As 高纯砷 P 高纯磷 B 高纯硼
用途
纯度
（％）
制备Ⅲ~Ⅴ族化合物半导体，如 InSb、GaSb、AlSb、GaSb、ZnSb 等； 99.999 ～
为红外装置上的光学窗口滤镜、红外透镜、棱镜、滤光片 等元件的重要材料,激光器件，硒化锌是 l～VI 族半导体 化合物,按材料功能分,它属于透光材料；圆偏振镜，扩束 镜，平场透镜等.广泛应用于激光,医学，天文学和红外夜 视等领域中；将氧化锌和硒化锌两种宽带隙半导体材料用 作太阳能电池,
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微温反射材料、温度标准、高级合金的接点、掺杂等。
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原子反应堆操纵杆、光电转换元件、合金。
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GaAs、InAs、GaAlAs，半导体材料添加剂、高纯合金。
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半导体材料、医药原料，主要用于 GaP 和掺杂等。
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电子陶瓷、靶材、BN 坩埚、军事工业抗弹陶瓷材料。
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形状
2、高纯化合物
InSb 锑化铟 GaSb 镓化锑 AlSb 铝化锑 ZnSb 锑化锌 CdTe 碲化镉
CdSe 硒化镉 ZnSe 硒化锌
高灵敏度型霍尔元件、热红外成像夜视仪、光电探测器、 99.999 ～