电工学下册考试复习重点试题
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电工学下册考试复习重点试题
一、填空题:(27分)
1、电压负反馈减小输出电阻;电流负反馈增
大输出电阻;串联负反馈增
大输入电阻;并联负反馈减小输入电阻。(填增大、减小)
2、PN结构的一个重要特征是___单向导电性____ ____,利用它的这一特性,可用来
进行整流、检波、限幅等。
3、三极管有________型和________型两种组合形式,其正常的电流放大条件是:发电结____
偏、集电结____偏。
4、数字电路通常用_逻辑状态表____________、__函数表达式
_____________和__逻辑电路图
_____________等方法分析。
5、在直接耦合的多级放大电路中,由于温度的影响将产生____零点漂移
________现象,可采
用__差动放大__________电路来克服这种现象。
6、三极管如图,判断工作状态。A图_截止_____B图__放大_____
7、多级放大器有三种耦合形式:直接耦合、变压器耦合________、_阻容耦合_______
和________。
8、根据逻辑函数表达式,F=A+AB可以表达
为。
9、分析集成运放器时,通常把它看成是一个理想元件,即开环电压放大倍数________,差模输入电阻________,共模抑制比________及开环输出电阻为
________。
10、场效应管是一种________控制器件。它可分为________型和________型两大类。
二、选择题:(20分)
1、欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流Iz,动态内阻rz及温度系数α等各项参数,大一些好还是小一些好()
A:Iz 小一些,rz 、αz大一些;B:Iz 大一些,rz 、αz小一
些;C:Iz 、rz大一些,、αz小一些;D;Iz 、αz大一些,rz 、
小一些;
2、单相桥式整流加电容滤波,直流输出电压为30V,则交流输入电压有效值为() A.30V B.33V C.25V D.27V
3、分压式偏置电路稳定静态工作点的原理是利用了( )
A:交流电流负反馈B:交流电压负反馈C:直流电流负反馈D:直流电压
负反馈4、D触发器在D=1时,输入一个CP脉冲,其逻辑功能是
()。
A.置1 B.清0 C.保持D.翻转
5、射极输出器属_______放大电路()
-1V -1.7V
-5V (B)
(A) 3V 2V
6V
2
A:电流串联负反馈B:电压串联负反馈C:电压并联负反馈D:电流并联负反馈
6、典型差动放大电路的公共射极电阻R,对()有抑制作
用。A:差模信号有B:共模信号有C:差模与共模信号均有D:差模与共模信号均没有7、理想运放的“虚短”特性指的是()
A:i+= i- B: i+= i-=0 C: U+= U-=0 D:
U+= U-
8、若三级放大电路中的各级电压增益Au1=40dB、Au2= Au3=20dB,则该放大
电路的电压放大倍数为()
A:100 B:80 C:1000 D:10000
9、在某晶体管放大电路中测得某晶体管的各个电极的电位分别为v1=2.2v 、
v2=5.3v 、v3=6v,则该管是()
A:PNP型硅管B:PNP型锗管C:NPN型硅管D:NPN型锗管10、在互补对称功率放大电路中,为提高效率和克服失真,一般
器件的工作状态应选在()。A:甲类B:甲乙
类C:乙类D:丁类
三、综合题:(23分)
1、试画出用与非门来实现函数Y=AB+BC+AC的逻辑图。(6分)
《电工学》下册期末考试试卷A参考答案
一、填空题:
⑴减小;增大;增大;减小;⑵单向导电性;
⑶NPN;PNP;正;反;
⑷逻辑状态表;函数表达式;逻辑电路图;⑸零点漂移;差动放大电路;⑹截止;放大;
⑺阻容耦合;直接耦合;变压器耦合;⑻A+ B
⑼∞;∞;∞;0;
⑽电压;结型场效应管;绝缘栅型场效应管;二、选择题:⑴B ⑻ B ⑵A⑼ C ⑶C⑽ B ⑷ A ⑸ A ⑹ B ⑺ A
第10章电子电路中常用的元件习题参考答案
一、填空题:
1. PN结的单向导电性指的是 PN结正向偏置时导通,反向偏置时阻断的特性。
2. 硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压U BE分别为 0.7 V和 0.3 V。
3. 晶体三极管有两个PN结,分别是发射结和集电结,分三个区域饱和区、放大区和截止区。晶体管的三种工作状态是放大状态、饱和状态和截止状态。
4. 一个NPN三极管发射结和集电结都处于正偏,则此三极管处于饱和状态;其发射结和集电结都处于反偏时,此三极管处于截止状态;当发射结正偏、集电结反偏时,三极管为放大状态。
5. 物质按导电能力强弱可分为导体、绝缘体和半导体。
6. 本征半导体掺入微量的三价元素形成的是 P 型半导体,其多子为空穴。
7. 某晶体三极管三个电极的电位分别是:V1=2V,V2=1.7V,V3=-2.5V,可判断该三极管管脚“1”为发射极,管脚“2”为基极,管脚“3”为集电极,且属于锗材料 PNP 型三极管。
8. 稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅二极管,工作在特性曲线的反向击穿区。
三、选择题:
1. 处于截止状态的三极管,其工作状态为( B )。
A、发射结正偏,集电结反偏;
B、发射结反偏,集电结反偏;
C、发射结正偏,集电结正偏;
D、发射结反偏,集电结正偏。
2. P型半导体是在本征半导体中加入微量的( A )元素构成的。
A、三价;
B、四价;
C、五价;
D、六价。
3. 稳压二极管的正常工作状态是( C)。
A、导通状态;
B、截止状态;
C、反向击穿状态;
D、任意状态。
4. 用万用表直流电压挡测得晶体管三个管脚的对地电压分别是V1=2V,V2=6V,V3=
2.7V,由此可判断该晶体管的管型和三个管脚依次为( B )。
A、PNP管,CBE;
B、NPN管,ECB;
C、NPN管,CBE;
D、PNP管,EBC。
5. 用万用表R×1K的电阻挡检测某一个二极管时,发现其正、反电阻均约等于1KΩ,这说明该二极管是属于( D )。
A、短路状态;
B、完好状态;
C、极性搞错;
D、断路状态。
6. 测得某电路板上晶体三极管3个电极对地的直流电位分别为V E=3V,V B=3.7V,V C =3.3V,则该管工作在( B )。
A、放大区;
B、饱和区;
C、截止区;
D、击穿区。
7. PN结加正向电压时,其正向电流是( A )。
A、多子扩散而成;
B、少子扩散而成;
C、少子漂移而成;
D、多子漂移而成。
8. 三极管组成的放大电路在工作时,测得三极管上各电极对地直流电位分别为V E=
2.1V,V B=2.8V,V C=4.4V,则此三极管已处于( A )。
A、放大区;
B、饱和区;
C、截止区;
D、击穿区。
四、计算题
1. 计算图7.1所示电路的电位U Y(设D为理想二极管)。
(1)U A=U B=0时;
(2)U A=E,U B=0时;
(3)U A=U B=E时。
解:此题所考查的是电位的概念以及二极管应用的有关知识。从图中可以看出A、B两点电位的相对