绝对包你期末考试考过的20套电力电子技术试题和答案
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)
3.单相交流调压电路带阻感负载，当控制角＜(=arctan(L/R) )时,VT1的导通时间_逐渐缩短_,VT2的导通时间__逐渐延长_。
4.根据三相联接形式的不同，三相交流调压电路具有多种形式，TCR属于_支路控制三角形_联结方式，TCR的控制角的移相范围为_90O-180O_，线电流中所含谐波的次数为_6k±1_。
度。
11、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有降压斩波电路；升压斩波电路；升降压斩波电路。
12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫换流。
13、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为有源、逆变器与无源逆变器两大类。
14、有一晶闸管的型号为KK200－9，请说明KK快速晶闸管；200表示表示200A，9表示900V。
3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O_，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_ ；带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O_，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ _和__ _；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
1、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。。
电力电子技术试题20套及解答
考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM 控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。
4、面积等效原理指的是，___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR 、GTO 、IGBT 与MOSFET 中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最大的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___。
6、设三相电源的相电压为U 2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即 ，其承受的最大正向电压为 。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为 逆变，如果接到负载，则称为 逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为___VD1____；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（B ）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ C ）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。
电力电子技术试题与参考答案
电力电子技术试题与参考答案一、单选题（共25题，每题1分，共25分）1.有源逆变发生的条件为（）A、要有直流电动势B、要求晶闸管的控制角大于90°C、直流电动势极性须和晶闸管导通方向一致D、以上说法都是对的正确答案：D2.为了防止逆变失败，最小逆变角限制为()。
A、300～350B、400～450C、100～150D、200～250正确答案：A3.电流型三相桥式逆变电路，120°导通型，则在任一时刻开关管导通的个数是不同相的上、下桥臂()A、各一只A、各二只B、共三只C、共四只正确答案：A4.已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流（）A、减小至维持电流以下B、减小至擎住电流以下C、减小至门极触发电流以下D、减小至5A以下正确答案：A5.对于升降压直流斩波器，当其输出电压小于其电源电压时，有（）。
A、α无法确定B、0.5<α<1C、0<α<0.5D、以上说法均是错误的正确答案：C6.三相全波可控整流电路电阻性负载中，控制角的最大移相范围是（）。
A、120°B、180°C、90°D、150°正确答案：A7.晶闸管的伏安特性是指()A、门极电压与阳极电流的关系B、阳极电压与阳极电流的关系C、阳极电压与门极电流的关系D、门极电压与门极电流的关系正确答案：B8.下列全控器件中，属于电流控制型的器件是（）。
A、P-MOSFETB、SITC、GTRD、IGBT正确答案：C9.α为（）度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。
A、120度，B、0度C、60度D、30度正确答案：D10.目前，在中小型变频器中普遍采用的电力电子器件是（）。
A、SCRB、GTOC、MOSFETD、IGBT正确答案：D11.在晶闸管应用电路中，为了防止误触发应将幅值限制在不触发区内的信号是（）A、干扰信号B、触发电流信号C、触发电压信号D、干扰信号和触发信号正确答案：A12.单相全控桥式整流电路大电感性负载中，控制角的最大移相范围是（）A、90°B、180°C、150°D、120°正确答案：A13.采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为()。
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
电力电子技术试题
第1章电力电子器件
1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
度。
11、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有降压斩波电路；升压斩波电路；升降压斩波电路。
12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫换流。
13、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为有源、逆变器与无源逆变器两大类。
14、有一晶闸管的型号为KK200－9，请说明KK快速晶闸管；200表示表示200A，9表示900V。
12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)
第 1 章 电力电子器件1. 电力电子器件一般工作在 __开关 __状态2. 在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为 要为 __开关损耗 __。
3. 电力电子器件组成的系统，一般由 存在电压和电流的过冲，往往需添加4. 按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为复合型器件 三类5. 电力二极管的工作特性可概括为 _承受正向电压导通，承受反相电压截止6. 电力二极管的主要类型有 _普通二极管 _、_快恢复二极管 _、 _肖特基二极管 _。
7. 肖特基二极管的开 关损耗 _小于 _快恢复二极管的开关损耗。
8. 晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止 __ 。
9. 对同一晶闸管，维持电流 IH 与擎住电流 IL 在数值大小上有 IL __大于__IH 。
10. 晶闸管断态不重复电压 UDSM 与转折电压 Ubo 数值大小上应为， UDSM_大于__Ubo 。
11. 逆导晶闸管是将 _二极管 _与晶闸管 _反并联 _（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12. G TO 的__多元集成 __结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13. M OSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与 GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系， 其中前者的截止区对应后者的 _截止区 _、前者的饱和区对应后者的 __放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区 __。
14. 电力 MOSFET 的通态电阻具有 __正__温度系数。
15. I GBT 的开启电压 UGE （th ）随温度升高而 _略有下降 __，开关速度 __小于 __电力MOSFET 。
16. 按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为 _电压驱动型 _和_电流驱动型 _两类。
电力电子技术试题__通态损耗 __，而当器件开关频率较高时， 功率损耗主 __控制电路 __、 _驱动电路 主电路 三部分组成，由于电路中_单极型器件 _ 、 _双极型器件17.I GBT的通态压降在1/2 或1/3 额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2 或1/3 额定电流以上区段具有__正___温度系数。
电力电子技术期末考试试题及答案
电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
3晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
4.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有I L__大于__IH。
5.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有__ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。
第2章整流电路1.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时，α的移相范围为__0-90o _2.逆变电路中，当交流侧和电网连结时，这种电路称为_有源逆变_第3章直流斩波电路1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。
2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路和_升压斩波电路_。
3.斩波电路有三种控制方式：_脉冲宽度调制（PWM）_、_频率调制_和_（t on和T都可调，改变占空比）混合型。
第4章交流—交流电力变换电路1.改变频率的电路称为_变频电路_，变频电路有交交变频电路和_交直交变频_电路两种形式，前者又称为_直接变频电路__，后者也称为_间接变频电路_。
2.单相调压电路带电阻负载，其导通控制角α的移相范围为_0-180O_，随 α 的增大， Uo_降低_，功率因数λ_降低__。
电力电子技术试题20套答案
20套答案第一套题答案！一、填空题（共8小题，每空1分，共20分）1、空1 信息电子技术2、空1 开关；空2 开关3、空1 载波比；空2 同步；空3 分段同步4、空1 冲量；空2 形状5、空1 MOSFET；空2 GTO；空3 IGBT6、空1 ；空27、空1 有源；空2 无源8、空1 VD1；空2 V1；空3 VD2；空4 V2；空5 VD1二、选择题（共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、（B）2、（D）3、（C）4、（C）5、（D）6、（A）7、（C）8、（B）9、（A）10、（B）三、简答题（共3 小题，共22分）1、（7分）晶闸管导通的条件是：阳极承受正向电压，处于阻断状态的晶闸管，只有在门极加正向触发电压，才能使其导通。
门极所加正向触发脉冲的最小宽度，应能使阳极电流达到维持通态所需要的最小阳极电流，即擎住电流ＩＬ以上。
导通后的晶闸管管压降很小。
（3分）使导通了的晶闸管关断的条件是：使流过晶闸管的电流减小至某个小的数值－维持电流ＩＨ以下。
其方法有二：（1）减小正向阳极电压至某一最小值以下，或加反向阳极电压；（2分）（2）增加负载回路中的电阻。
（2分）2、（8分）(1) 直流侧为电压源或并联大电容，直流侧电压基本无脉动；（2分）(2) 输出电压为矩形波，输出电流因负载阻抗不同而不同；（3分）(3) 阻感负载时需提供无功。
为了给交流侧向直流侧反馈的无功提供通道，逆变桥各臂并联反馈二极管。
（3分）3、（7分）（1）外部条件：要有一个能提供逆变能量的直流电源，且极性必须与直流电流方向一致，其电压值要稍大于Ud；（2分）（2）内部条件：变流电路必须工作于β<90°区域，使直流端电压Ud的极性与整流状态时相反，才能把直流功率逆变成交流功率返送回电网。
这两个条件缺一不可。
（2分）当出现触发脉冲丢失、晶闸管损坏或快速熔断器烧断、电源缺相等原因都会发生逆变失败。
当逆变角太小时，也会发生逆变失败。
绝对包你期末考试考过电力电子技术试题和答案（DOC）
绝对包你期末考试考过电⼒电⼦技术试题和答案（DOC）答案在最后，我已填上了，有的答案我已⾃⼰修改过，我有把握的。
考试试卷( 1 )卷
⼀、填空题（本题共6⼩题，每空1分，共15分）
1、_____ GTR ____存在⼆次击穿现象，____ IGBT ________存在擎住现象。
2、功率因数由基波电流相移和电流波形畸变这两个因素共同决定的。
3、晶闸管串联时，给每只管⼦并联相同阻值的电阻R是电流波形畸变_措施。
4、同⼀晶闸管，维持电流I H与掣住电流I L在数值⼤⼩上有I L_ 2~4 I H。
5、电⼒变换通常可分为：交流变直流；直流变交流；直流变直流；交流变交流。
6、在下图中，__V1_____和____VD1____构成降压斩波电路使直流电动机电动运⾏，⼯作
于第1象限；____V2___和___VD2____构成升压斩波电路，把直流电动机的动能转变成为电能反馈到电源，使电动机作再⽣制动运⾏，⼯作于_第2__象限。
⼆、选择题（本题共11⼩题，9，10，11⼩题每题2分，其余每题1分共14分）
1、下列电路中，不可以实现有源逆变的有（ D ）。
A、三相半波可控整流电路
B、三相桥式全控整流电路
C、单相桥式可控整流电路
D、单相全波可控整流电路外接续流⼆极管
2、晶闸管稳定导通的条件（ A ）
A、晶闸管阳极电流⼤于晶闸管的擎住电流
B、晶闸管阳极电流⼩于晶闸管的擎住电流
C、晶闸管阳极电流⼤于晶闸管的维持电流
D、晶闸管阳极电流⼩于晶闸管的维持电流
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绝对包你期末考试考过电力电子技术试题和答案(DOC)
答案在最后，我已填上了，有的答案我已自己修改过，我有把握的。
考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共6小题，每空1分，共15分）1、_____ GTR ____存在二次击穿现象，____ IGBT ________存在擎住现象。
2、功率因数由基波电流相移和电流波形畸变这两个因素共同决定的。
3、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是电流波形畸变_措施。
4、同一晶闸管，维持电流I H与掣住电流I L在数值大小上有I L_ 2~4 I H。
5、电力变换通常可分为：交流变直流；直流变交流；直流变直流；交流变交流。
6、在下图中，__V1_____和____VD1____构成降压斩波电路使直流电动机电动运行，工作于第1象限；____V2___和___VD2____构成升压斩波电路，把直流电动机的动能转变成为电能反馈到电源，使电动机作再生制动运行，工作于_第2__象限。
二、选择题（本题共11小题，9，10，11小题每题2分，其余每题1分共14分）1、下列电路中，不可以实现有源逆变的有（ D ）。
A、三相半波可控整流电路B、三相桥式全控整流电路C、单相桥式可控整流电路D、单相全波可控整流电路外接续流二极管2、晶闸管稳定导通的条件（ A ）A、晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流B、晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流C、晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流D、晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流3、三相半波可控整流电路的自然换相点是（ B ）A、交流相电压的过零点B、本相相电压与相邻相电压正半周的交点处C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°4、若增大SPWM逆变器的输出电压基波频率，可采用的控制方法是（ C ）A、增大三角波幅度B、增大三角波频率C、增大正弦调制波频率D、增大正弦调制波幅度5、三相半波可控整流电路中，晶闸管可能承受的反向峰值电压为（ D ）A、U2B、U2C、2U2 D.U26、晶闸管电流的波形系数定义为（ B ）A、B、C、K f =I dT·I T D、K f =Id T-I T7、降压斩波电路中，已知电源电压U d=16V，负载电压U o=12V，斩波周期T=4ms，则开通时T on=（ C ）A、1msB、2msC、3msD、4ms8、关于单相桥式PWM逆变电路，下面说法正确的是（ C ）A、在一个周期内单极性调制时有一个电平，双极性有两个电平B、在一个周期内单极性调制时有两个电平，双极性有三个电平C、在一个周期内单极性调制时有三个电平，双极性有两个电平D、在一个周期内单极性调制时有两个电平，双极性有一个电平9、对于单相交交变频电路如下图，在t2~t3时间段内，P组晶闸管变流装置与N组晶闸管变流装置的工作状态是（ D ）A、P组阻断，N组整流B、P组阻断，N组逆变C、N组阻断，P组整流D、N组阻断，P组逆变10、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如图所示，在t2~t3时间段内，有（ B ）晶闸管导通。
电力电子技术试题20套及答案【范本模板】
考试试卷( 1 ）卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者.2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态.当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。
4、面积等效原理指的是,___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同.5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是__MOSFET_,单管输出功率最大的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___.6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为.7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载,则称为逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2，VD2表示）。
（1) 0～t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2) t1~t2时间段内,电流的通路为___V1____；(3）t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____;（4）t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；（5) t4~t5时间段内,电流的通路为___VD1____;二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（B ）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断,V3与V4交替通断C、V1与V4关断,V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ C ）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时,晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通.A、1个B、2个C、3个D、4个4、对于单相交交变频电路如下图，在t1～t2时间段内，P组晶闸管变流装置与N组晶闸管变流装置的工作状态是（）A、P组阻断，N组整流B、P组阻断,N组逆变C、N组阻断,P组整流D、N组阻断，P组逆变5、电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是( D ）A、30°～150B、0°～120°C、15°～125°D、0°～150°6、桓流驱动电路中加速电容C的作用是( A ）A、加快功率晶体管的开通B、延缓功率晶体管的关断C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件7、直流斩波电路是一种（ C )变换电路。
电力电子技术试题20套及答案解析
考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM 控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。
4、面积等效原理指的是，___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR 、GTO 、IGBT 与MOSFET 中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最大的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___。
6、设三相电源的相电压为U 2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即 ，其承受的最大正向电压为 。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为 逆变，如果接到负载，则称为 逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为___VD1____；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（B ）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ C ）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。
电力电子期末考试20套题库电力电子技术期末考试试题及答案
电力电子期末考试20套题库电力电子技术期末考试试题及答案电力电子复习姓名：电力电子技术试题第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、 _双极型器件_、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
15.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
电力电子技术试题(卷)20套与答案解析
考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。
4、面积等效原理指的是，___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最大的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___。
6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1)0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2)t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____；(3)t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4)t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；(5)t4~t5时间段内，电流的通路为___VD1____；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（B ）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ C ）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。
(完整版)电力电子技术试题20套
考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为____________调制。
4、面积等效原理指的是，_________相等而_______不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是_________，单管输出功率最大的是_____________，应用最为广泛的是___________。
6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内，电流的通路为________；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为_______；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为_______；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为_______；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。
电力电子技术试题库(附答案)
电力电子技术试题库（附答案）一、判断题（共100题，每题1分，共100分）1.触发脉冲具有一定的脉宽，前沿要陡。
（）A、正确B、错误正确答案：A2.有源逆变装置是把逆变后的交流能量送回电网。
（）A、正确B、错误正确答案：A3.在DC/DC变换电路中，可以采用电网换流方法。
（）A、正确B、错误正确答案：B4.单结晶体管触发电路结构简单、抗干扰能力强和运行可靠。
（）A、正确B、错误正确答案：A5.双向晶闸管的额定电流的定义与普通晶闸管不一样，双向晶闸管的额定电流是用电流有效值来表示的。
（）A、正确B、错误正确答案：A6.电流的波形系数是电流的有效值与平均值之比。
（）A、正确B、错误正确答案：A7.快速熔断器必须与其它过电流保护措施同时使用。
（）A、正确B、错误正确答案：A8.单相半波可控整流电路带电阻负载时的移相范围为0.5π。
（）A、正确B、错误正确答案：B9.直流变换电路输出的电压都小于输入电压。
（）A、正确B、错误正确答案：B10.单相半波可控整流电路带电阻负载时输出电压平均值的最大值为U2。
（）A、正确B、错误正确答案：B11.有源逆变器是将直流电能转换为交流电能馈送回电网的逆变电路。
（）A、正确B、错误正确答案：A12.两个以上晶闸管串联使用，是为了解决自身额定电压偏低，不能胜用电路电压要求，而采取的一种解决方法，但必须采取均压措施。
（）A、正确B、错误正确答案：A13.在GTO、GTR、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是MOSFET，单管输出功率最大的是GTO，应用最为广泛的是IGBT。
（）A、正确B、错误正确答案：A14.触发脉冲必须具有足够的功率。
（）A、正确B、错误正确答案：A15.在三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反压为2倍相电压U2。
（）A、正确B、错误正确答案：B16.三相半波可控整流电路也必需要采用双窄脉冲触发。
（）A、正确B、错误正确答案：B17.降压斩波电路斩波开关关断时，电感充电。
电力电子技术试题20套及答案【范本模板】
考试试卷( 1 )卷一、填空题(本题共8小题，每空1分,共２0分）1、电子技术包括__________＿＿＿_和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者．2、为减少自身损耗，提高效率,电力电子器件一般都工作在＿____＿＿_＿状态。
当器件的工作频率较高时，__＿＿_____损耗会成为主要的损耗。
３、在PWM控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为__＿______＿___，当它为常数时的调制方式称为____＿＿__＿调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段,每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步____＿____调制。
4、面积等效原理指的是,＿_＿冲量__＿＿_＿相等而＿_形状___＿_不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。
５、在ＧTR 、ＧTO、ＩGBT与MＯSFET中,开关速度最快的是__ＭOSFET_，单管输出功率最大的是＿_ＧTO_,应用最为广泛的是__ＩＧBT___。
6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值,即，其承受的最大正向电压为.７、逆变电路的负载如果接到电源,则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
8、如下图,指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路（用V1,VD１,V2，VD2表示)。
(1) 0~ｔ1时间段内，电流的通路为_＿_VD１_＿_＿_;(2) t1~t2时间段内,电流的通路为___V1＿___;（３) t2～t3时间段内，电流的通路为_＿VＤ２＿＿__＿；（4) ｔ3~t4时间段内，电流的通路为＿_V2_____;(5）ｔ4～ｔ５时间段内,电流的通路为___VＤ１____;二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分,其余每题1分,共14分)1、单相桥式PＷM逆变电路如下图,单极性调制工作时,在电压的正半周是（B )A、V１与V4导通，V2与Ｖ3关断Ｂ、V1常通,Ｖ2常断,Ｖ3与V4交替通断Ｃ、V1与V４关断,V2与V3导通D、Ｖ1常断，V ２常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路,下面说法错误的是(Ｃ)Ａ、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角小于１8０度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时,必须加宽脉冲或脉冲列触发,电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内,有( )晶闸管导通.A、1个B、2个Ｃ、3个D、4个4、对于单相交交变频电路如下图,在t1～ｔ2时间段内，P组晶闸管变流装置与Ｎ组晶闸管变流装置的工作状态是()Ａ、P组阻断,Ｎ组整流B、P组阻断,N组逆变C、Ｎ组阻断,P组整流D、N组阻断,Ｐ组逆变5、电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是( D )A、3０°～150B、0°~120°Ｃ、1５°~125°Ｄ、0°~１50°6、桓流驱动电路中加速电容Ｃ的作用是（ A ）A、加快功率晶体管的开通B、延缓功率晶体管的关断C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件７、直流斩波电路是一种（ C ）变换电路。
绝对包你期末考试考过的20套电力电子技术试题和答案
考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括__信息电子技术___和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在____开关_____状态。
当器件的工作频率较高时，__开关_______损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为______载波比_______，当它为常数时的调制方式称为_____同步____调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为_____分段同步_______调制。
4、面积等效原理指的是，_____冲量____相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是___MOSFET______，单管输出功率最大的是____GTO_________，应用最为广泛的是___IGBT________。
6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内，电流的通路为________；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为_______；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为_______；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为_______；.二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。
电力电子技术试题20套及答案（可编辑）
电力电子技术试题20套及答案考试试卷 1 卷一填空题本题共8小题每空1分共20分1电子技术包括______________和电力电子技术两大分支通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者2为减少自身损耗提高效率电力电子器件一般都工作在_________状态当器件的工作频率较高时_________损耗会成为主要的损耗3在PWM控制电路中载波频率与调制信号频率之比称为_____________当它为常数时的调制方式称为_________调制在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为____________调制4面积等效原理指的是_________相等而_______不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时其效果基本相同5在GTRGTOIGBT与MOSFET中开关速度最快的是_________单管输出功率最大的是_____________应用最为广泛的是___________6设三相电源的相电压为U2三相半波可控整流电路接电阻负载时晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值即其承受的最大正向电压为7逆变电路的负载如果接到电源则称为逆变如果接到负载则称为逆变8如下图指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路用V1VD1V2VD2表示 1 0t1时间段内电流的通路为________ 2 t1t2时间段内电流的通路为_______3 t2t3时间段内电流的通路为_______4 t3t4时间段内电流的通路为_______ 5 t4t5时间段内电流的通路为_______二选择题本题共10小题前4题每题2分其余每题1分共14分1单相桥式PWM逆变电路如下图单极性调制工作时在电压的正半周是AV1与V4导通V2与V3关断BV1常通V2常断V3与V4交替通断CV1与V4关断V2与V3导通DV1常断V2常通V3与V4交替通断2对于单相交流调压电路下面说法错误的是A晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时晶闸管的导通角小于180度B晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时必须加宽脉冲或脉冲列触发电路才能正常工作C晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时晶闸管的导通角为180度D晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时晶闸管的导通角不为180度3在三相三线交流调压电路中输出电压的波形如下图所示在t1t2时间段内有晶闸管导通A1个 B2个 C3个 D4个4对于单相交交变频电路如下图在t1t2时间段内P组晶闸管变流装置与N 组晶闸管变流装置的工作状态是AP组阻断N组整流 BP组阻断N组逆变CN组阻断P组整流 DN组阻断P组逆变5电阻性负载三相半波可控整流电路中控制角的范围是A30°～150 B0°～120° C15°～125° D0°～150°6桓流驱动电路中加速电容C的作用是A加快功率晶体管的开通 B延缓功率晶体管的关断C加深功率晶体管的饱和深度 D保护器件7直流斩波电路是一种变换电路AACAC BDCACCDCDC DACDC8为限制功率晶体管的饱和深度减少存储时间桓流驱动电路经常采用Adudt抑制电路 B抗饱和电路Cdidt抑制电路 D吸收电路9已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流A减小至维持电流以下 B减小至擎住电流以下C减小至门极触发电流以下 D减小至5A以下10IGBT是一个复合型的器件它是AGTR驱动的MOSFET BMOSFET驱动的GTRCMOSFET驱动的晶闸管 DMOSFET驱动的GTO三简答题共3小题22分1简述晶闸管导通的条件与关断条件7分2电压型逆变电路的主要特点是什么8分3简述实现有源逆变的基本条件并指出至少两种引起有源逆变失败的原因7分四作图题共 2 小题每题12分共24分1三相全控桥阻感负载主回路整流变压器的接法是Dy5采用NPN管的锯齿波触发器要求在整流与逆变状态运行同步变压器二侧电压经R-C滤波器滤波后滞后角为30°接到触发电路同步变压器的的接法为YY-104接法如下图所示选择晶闸管的同步电压要给出分析过程分析依据晶闸管VT1 VT2 VT3 VT4 VT5 VT6 主电路电压Uu -Uw Uv -Uu Uw-Uv 同步电压2电路与波形如图所示1若在t1时刻合上K在t2时刻断开K画出负载电阻R上的电压波形2若在t1时刻合上K在t3时刻断开K画出负载电阻R上的电压波形ug宽度大于3600a电路图b输入电压u2的波形图五计算题共 1 小题共20分1电路如图所示单相全控桥式整流电路接大电感负载R 4ΩU2 220V1触发角为60°时 a 试求UdId晶闸管电流平均值IdVT晶闸管电流有效值IVT变压器副边电流有效值I2b作出udidiVT2i2 的波形图图标清楚比例适当2当负载两端接有续流二极管时a试求UdIdIdVTIVTIVDIdVD I2b作出udidiVT2iVDi2 的波形图图标清楚比例适当填空题共小题1_________存在二次击穿现象____________存在擎住现象功率因数由和这两个因素共同决定的晶闸管串联时给每只管子并联相同阻值的电阻R是 _措施同一晶闸管维持电流IH与掣住电流IL在数值大小上IL_IH 电力变换通常可分为和在下图中_______和________构成降压斩波电路使直流电动机电动运行工作于第1象限_______和_______构成升压斩波电路把直流电动机的动能转变成为电能反馈到电源使电动机作再生制动运行工作于____象限选择题共小题下列电路中不可以实现有源逆变的有 A三相半波可控整流电路 B三相桥式全控整流电路C单相桥式可控整流电路D单相全波可控整流电路外接续流二极管2晶闸管稳定导通的条件A晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流B晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流C晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流D晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流3三相半波可控整流电路的自然换相点是A交流相电压的过零点B本相相电压与相邻相电压正半周的交点处C比三相不控整流电路的自然换相点超前30°D比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°4若增大SPWM逆变器的输出电压基波频率可采用的控制方法是A增大三角波幅度B增大三角波频率C增大正弦调制波频率D增大正弦调制波幅度5三相半波可控整流电路中晶闸管可能承受的反向峰值电压为AU2 BU2 C2U2 DU26晶闸管电流的波形系数定义为 A B CKf IdT·IT DKf IdT-IT7降压斩波电路中已知电源电压Ud 16V负载电压Uo 12V斩波周期T 4ms则开通时TonA1ms B2ms C3ms D4ms8关于单相桥式PWM逆变电路下面说法正确的是A在一个周期内单极性调制时有一个电平双极性有两个电平B在一个周期内单极性调制时有两个电平双极性有三个电平C在一个周期内单极性调制时有三个电平双极性有两个电平D在一个周期内单极性调制时有两个电平双极性有一个电平9对于单相交交变频电路如下图在t2t3时间段内P组晶闸管变流装置与N 组晶闸管变流装置的工作状态是AP组阻断N组整流BP组阻断N组逆变CN组阻断P组整流 DN组阻断P组逆变10在三相三线交流调压电路中输出电压的波形如图所示在t2t3时间段内有晶闸管导通A1个 B2个C3个 D4个三简答题共 4 小题1电压型逆变电路的主要特点是什么7分2某一晶闸管额定电压为300V额定电流为100A维持电流为4mA使用在下图所示的各电路中是否合理说明其理由不考虑电压电流裕量 8分3下面BOOST升压电路中电感L电容C与二极管的作用是什么7分4变压器漏感对整流电路有什么影响8分四作图题共小题2出下图对应的UdiT1VT1的波形其中虚线为脉冲信号计算题共小题1有一个三相全控桥整流电路已知电感负载L 02Hα 60°R 1Ω变压器二次相电压U2 100V试画出d的波形计算负载端输出的直流电压Ud和负载电流平均值Id计算变压器二次电流的有效值I2电力晶体管可关断晶闸管功率场效应晶体管绝缘栅双极型晶体管 IGBT是和的复合管2晶闸管对触发脉冲的要求是和3多个晶闸管相并联时必须考虑的问题解决的方法是4在电流型逆变器中输出电压波形为波输出电流波形为波5三相桥式逆变电路晶闸管换相是在同一桥臂上的上下二个开关管间进行称为_______°导电型6当温度降低时晶闸管的触发电流会正反向漏电流会7常用的过电流保护措施有二选择题本题共10小题每题1分共10分1单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差度A180° B60° C360° D120°2α为度时三相半波可控整流电路电阻性负载输出的电压波形处于连续和断续的临界状态A0度 B60度 C30度 D120度3晶闸管触发电路中若改变的大小则输出脉冲产生相位移动达到移相控制的目的A同步电压 B控制电压 C脉冲变压器变比 D以上都不能4可实现有源逆变的电路为A三相半波可控整流电路 B三相半控桥整流桥电路C单相全控桥接续流二极管电路 D单相半控桥整流电路5在一般可逆电路中最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理A30o-35o B10o-15o C0o-10o D0o6单相半波可控整流电阻性负载电路中控制角α的最大移相范围是90°B120° C150° D180°7若增大SPWM逆变器的输出电压基波频率可采用控制方法是增大三角波频率增大正弦调制波幅度采用多重化电压源型逆变器的目的主要是为增大输出幅值减小输出功率A抑制电路抗饱和电路抑制电路吸收电路2在用两组反并联晶闸管的可逆系统使直流电动机实现四象限运行时其中一组逆变器工作在整流状态另一组工作在逆变状态3晶闸管串联使用时必须注意均流问题4逆变角太大会造成逆变失败5并联谐振逆变器必须是略呈电容性电路6给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通7有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载8在单相全控桥整流电路中晶闸管的额定电压应取U29三相半波可控整流电路中电路输出电压波形的脉动频率为300Hz10变频调速是改变电动机内旋转磁场的速度达到改变转速的目的四简答题本题共3小题共32分1试说明IGBTGTRGTO和电力MOSFET各自的优缺点12分器件优点缺点IGBTGTRGTO电力MOSFET2试分析下图间接交流变流电路的工作原理并说明其局限性10分3软开关电路可以分为哪几类各有什么特点10分五作图题本题共1小题共16分1在三相半波整流电路中如果U相的触发脉冲消失试绘出在电阻负载下整流电压ud的波形和V相上晶闸管VT2上的管压降波形设触发角分别为15o和60o 1触发角为15o时2触发角为60o时六计算题本题共1小题共12分1单相桥式全控整流电路U2＝100V负载中R 20ΩL值极大反电动势E＝60V 当α＝30°时要求1作出udid和i2的波形3分2求整流输出平均电压Ud电流Id变压器二次电流有效值I2 4分3考虑安全裕量确定晶闸管的额定电压和额定电流 5分考试试卷 4 卷一填空题本题共5小题每空1分共20分1由波形系数可知晶闸管在额定情况下的有效值电流为ITn等于倍ITAV如果ITAV 100安培则它允许的有效电流为安培通常在选择晶闸管时还要留出倍的裕量2三相桥式全控整流电路是由一组共极三只晶闸管和一组共极的三只晶闸管串联后构成的晶闸管的换相是在同一组内的元件进行的每隔换一次相在电流连续时每只晶闸管导通度要使电路工作正常必须任何时刻要有只晶闸管同时导通一个是共极的另一个是共极的元件且要求不是的两个元件3为了减小变流电路的开关损耗通常让元件工作在软开关状态软开关电路种类很多但归纳起来可分为与两大类4提高变流置的功率因数的常用方法有几种5三相半波可控整流电路电阻性负载时电路的移相范围三相全控桥电阻性负载时电路的移相范围三相半控桥电阻性负载时电路的移相范围二判断题本题共10小题每题1分共10分12逆变器采用负载换流方式实现换流时负载谐振回路不一定要呈电容性3无源逆变指的是把直流电能转换成交流电能送给交流电网4对三相桥式全控整流电路的晶闸管进行触发时只有采用双窄脉冲触发电路才能正常工作5PWM脉宽调制型逆变电路中采用不可控整流电源供电也能正常工作6在变流装置系统中增加电源的相数也可以提高电网的功率因数7过快的晶闸管阳极dudt会使误导通8电流可逆斩波电路可实现直流电动机的四象限运行9为避免三次谐波注入电网晶闸管整流电路中的整流变压器应采用YY接法10在DCDC变换电路中可以采用电网换流方法三选择题本题共10小题每题1分共10分1三相全控桥式整流电路带电阻负载当触发角α 0o时输出的负载电压平均值为 A045U2 B09U2 C117U2 D234U22变流装置的功率因数总是A大于1 B等于1 C小于1大于0 D为负3三相全控桥式整流电路带大电感负载时控制角α的有效移相范围是A0°-90° B30°-120° C60°-150° D90°-150°4三相半波可控整流电路在换相时换相重叠角γ的大小与哪几个参数有关AαId XLU2φ BαId CαU2 DαU2XL5为限制功率晶体管的饱和深度减少存储时间桓流驱动电路经常采用Adudt 抑制电路B抗饱和电路Cdidt抑制电路D吸收电路度时可控整流输出的电压波形处于连续和断续的临界状态A0度 B60度 C30度 D120度10在晶闸管触发电路中改变的大小则输出脉冲产生相位移动达到移相控制的目的A同步电压 B控制电压 C脉冲变压器变比 D整流变压器变比四简答题本题共4小题共28分什么是逆变失败逆变失败后有什么后果形成的原因是什么8分2下面BOOST升压电路中电感L与电容C的作用是什么6分3晶闸管变流装置中为什么在主电路上要加入整流变压器进行降压7分4单相电压型逆变电路中电阻性负载和电感性负载对输出电压电流有何影响电路结构有哪些变化7分五作图题本题共2小题共14分1对于下图所示的桥式可逆斩波电路若需使电动机工作于反转电动状态试分析电路的工作情况并绘出相应的两条电流流通路径同时标注电流流向8分2设三相桥式可控整流电路工作于有源逆状态试画出β 60o时的整流输出电压波形6分六计算题本题共1小题共18分1三相全控桥式整流电路L 02HR 4Ω要求Ud从0220V之间变化试求1不考虑控制角裕量时的整流变压器二次线电压3分2如电压电流裕量取2倍计算晶闸管额定电压电流值8分3变压器二次电流有效值I24分4计算整流变压器二次侧容量S23分考试试卷 5 卷一填空题本题共17小题每空1分共20分1晶闸管是硅晶体闸流管的简称常用的有与选用晶闸管的额定电流时根据实际最大电流计算后至少还要乘以把晶闸管承受正压起到触发导通之间的电角度称为触发脉冲可采取宽脉冲触发与双窄脉冲触发两种方法目前采用较多的是触发方法可控整流电路是三相可控整流电路最基本的组成形式在三相半波可控整流电路中电感性负载当控制角时输出电压波形出现负值因而常加续流二管三相桥式整流电路控制角α＝30在对应的线电压波形上脉冲距波形原点为考虑变压器漏抗的可控整流电路中如与不考虑漏的相比则使输出电压平均值有源逆变器是将直流电能转换为交流电能馈送回的逆变电路有源逆变产生的条件之一是变流电路输出的直流平均电压Ud的极性必须保证与直流电源电势Ed的极性成相连且满足Ud Edmin应取以保证逆变时能正常换相15载波比又称频率比 K是PWM主要参数设正弦调制波的频率为fr三角波的频率为fc则载波比表达式为K斩波器的时间比控制方式分为三种方式1晶闸管的伏安特性是指A阳极电压与门极电流的关系B门极电压与门极电流的关系C阳极电压与阳极电流的关系D门极电压与阳极电流的关系2晶闸管电流的波形系数定义为A B CKf IdT·IT DKf IdT-IT3接有续流二极管的单相半控桥式变流电路可运行的工作象限是A第二象限B第三象限C第四象限D第一象限电阻性负载三相半波可控整流电路相电压的有效值为U2α≤30°时整流输出电压平均值等于117U2cosαB117U2sinαC141U2cosαD141U2sinα5在大电感负载三相全控桥中整流电路工作状态的最大移相范围是60°B180° C120° D90°6对于三相半波可控整流电路换相重叠角γ与哪几个参数有关AαU2负载电流Id以及变压器漏抗XC Bα和U2Cα以及负载电流I DαU2以及变压器漏抗XC7单相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态在逆变角β期间处于换相进行关断的晶闸管承受的电压是正向电压零电压D交变电压三相全控桥式有源逆变电路晶闸管电流的有效值IT为A B C DId9若增大SPWM逆变器的输出电压基波频率可采用的控制方法是A增大三角波幅度 B增大三角波频率C增大正弦调制波频率 D增大正弦调制波幅度10晶闸管固定脉宽斩波电路一般采用的换流方式是A电网电压换流 B负载电压换流C器件换流 DLC谐振换流简述对触发电路的三点要求对于正弦脉冲宽度调制SPWM什么是调制信号载波信号何谓调制比α 600时的输出电压波形ud晶闸管T1的端电压波形UT12试绘出三相半波共阴极组电路当β 600时的输出电压波形ud以及晶闸管T1的端电压波形L ∞五计算题本题共1小题共15分三相全控桥式整流电路如图所示Ld 02HRd 4Ω要求Ud从0～220V之间变化试求1 不考虑控制角裕量时整流变压器二次相电压U22 如电压电流裕量取2倍选择晶闸管型号3 整流变压器二次侧容量S24 电路的功率因数cosΦ5 当触发脉冲距对应二次相电压波形原点多少电度角时Ud已为0六分析题本题共1小题共10分如图所示为电压型三相逆变器试以U相桥臂VT1VT4之间的换流过程来分析电路的工作原理并说明此电路的特点考试试卷 6 卷一填空题本题共17小题每空1分共20分1晶闸管的内部结构具有端层个PN结2在螺栓式晶闸管上有螺栓的一端是极100A的晶闸管流过单向正弦全波时的最大可能平均电流是5当晶闸管承受反向阳极电压时不论门极为何种极性触发电压管子都将工作在状态考虑变压器漏抗的可控整流电路中在换相过程期间两个相邻的晶闸管同时导通对应的电角度称为在三相全控桥中接在同一相的两个晶闸管触发脉冲的相位应相差在三相半波可控整流电路中电阻性负载当控制角时电流连续三相桥式可控整流电路适宜在电压而电流不太大的场合使用带平衡电抗器的双反星形可控整流电路是由两组三相半波可控整流电路组成100μH直流负载电流Id＝150A 则换相压降△Ｕγ12将直流电逆变为某一频率或可变频率的交流电直接的过程称为无源逆变在单相全控桥式变流器控制直流电动机卷扬机拖动系统中当a 2时电流主要是依靠电动势Ed在无源逆变与直接斩波电路中都必须设置换流强迫导通的晶闸管可靠关断晶闸管元件并联时要保证每一路元件所分担的电流根据对触发电路的要求知道触发电路应包括同步信号发生器脉冲整形与功放电路具有自关断能力的电力半导体器件称为A全控型器件B半控型器件C不控型器件D触发型器件取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个并规化为标准电压等级后定为该晶闸管的A转折电压B反向击穿电压C阈值电压D额定电压单相半控桥式整流电路带纯电阻性负载时晶闸管承受正向电压的最大值为A B C D4单相桥式半控整流电路中电阻性负载流过每个晶闸管的有效电流IT＝AI B05I C １ I D I5三相桥式全控整流电路电阻性负载时的移相范围为A00～1800 B00～1500 C00～1200 D00～9006单相全控桥式有源逆变电路控制角为a则输出电压的平均值为Ud 117U2cosa BUd 09U2cosa CUd -234U2cosaDUd 045U2cosa7三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态的条件是 AB C D8为了防止逆变失败最小逆变角限制为A100～150 B200～250 C300～350 D400～4509电流型三相桥式逆变电路120°导通型则在任一时刻开关管导通的个数是不同相的上下桥臂A各一只 B各二只C共三只 D共四只定宽调频是斩波器的一种瞬时值控制三简答题本题共5小题每题5分共25分什么是可控整流它是利用晶闸管的哪些特性来实现的5分什么是逆变失败导致逆变失败的原因是什么将右表格中空缺的部分按要求填好变压器二次相电压为U2对于电感负载满足大电感负载的条件5分4电压源型变频器和电流源型变频器的区别是什么5分5试说明PWM控制的基本原理2三相桥式全控整流电路电阻性负载试画出当α 600时输出电压ud的波形晶闸管的端电压uT1的波形五计算题本题共1小题共15分三相全控桥整流电路如图所示已知电感性负载L 02HR 1Ωα 75°变压器二次相电压U2 100V1 计算负载的平均整流电压Ud和负载电流平均值Id2 选择晶闸管的型号3 计算变压器二次电流的有效值I2六分析题本题共1小题共10分如图所示为串联二极管式电流型三相逆变器试以从VT1到VT3之间的换流过程来分析电路的工作原理并说明此电路的特点考试试卷 7 卷一填空题本题共14小题每空1分共20分1晶闸管是三端器件三个引出电极分别为阳极阴极和极为了保证晶闸管可靠与迅速地关断通常在管子阳极电压下降为零之后加一段时间的电压6从晶闸管开始承受正向电压的到晶闸管导通时刻的电度角称为7为了保证三相全控桥电路能启动工作触发脉冲必须采用或8三相半波整流电路有和两种接法9三相全控桥的共阴极组要求触发脉冲以120°为间隔依次在半周触发共阴极组的各晶闸管在单相全控桥式变流器控制直流电动机卷扬机拖动系统中若使变流器工作于有源逆变状态时需使控制角a 2同时EdUd电压型逆变器其中间直流环节以贮能晶闸管串联时给每只管子并联相同的RC电路是措施C150°D180°4三相半波可控整流电路的自然换相点是A交流相电压的过零点B本相相电压与相邻相电压正半周的交点处C比三相不控整流电路的自然换相点超前30°D比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°5在晶闸管三相桥式可控整流电路电流断续时的机械特性中当α时所有不同控制角的特性曲线实际空载转速均相同A≤300 B≤600 C≤900 D≤12006在大电感负载三相全控桥中当α 60°时在过了自然换相点之后和下一个晶闸管被触发之前整流输出ud为负值交流电源接受回馈的能量电感A释放储能B既不释放能量也不储能C吸收能量D以储能为主将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是A有源逆变器BAD变换器CDA变换器D无源逆变器180°导电型电压型三相桥式逆变电路其换相是在如下哪种情形的上下二个开关之间进行同一相不同相固定相不确定相直波斩波电是一种变换电路ACAC BDCAC CDCDC DACDC三简答题本题共5小题每题5分共25分试简述三相半控桥式整流电路与三相全控桥式整流电路的特点2将下列表格中空缺的部分按要求填好变压器二次相电压为U2对于电感负载满足大电感负载的条件3举出三种常用过电流保护电器并指出其动作时间的典型值已知三相半波。
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考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括__信息电子技术___和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在____开关_____状态。
当器件的工作频率较高时，__开关_______损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为______载波比_______，当它为常数时的调制方式称为_____同步____调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为_____分段同步_______调制。
4、面积等效原理指的是，_____冲量____相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是___MOSFET______，单管输出功率最大的是____GTO_________，应用最为广泛的是___IGBT________。
6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内，电流的通路为________；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为_______；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为_______；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为_______；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。
A、1个B、2个C、3个D、4个4、对于单相交交变频电路如下图，在t1~t2时间段内，P组晶闸管变流装置与N组晶闸管变流装置的工作状态是（）A、P组阻断，N组整流B、P组阻断，N组逆变C、N组阻断，P组整流D、N组阻断，P组逆变5、电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是（）A、30°～150B、0°～120°C、15°～125°D、0°～150°6、桓流驱动电路中加速电容C的作用是（ A ）A、加快功率晶体管的开通B、延缓功率晶体管的关断C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件7、直流斩波电路是一种（C ）变换电路。
A、AC/ACB、DC/ACC、DC/DCD、AC/DC8、为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用（）A、du/dt抑制电路B、抗饱和电路C、di/dt抑制电路D、吸收电路9、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流（）A、减小至维持电流以下B、减小至擎住电流以下C、减小至门极触发电流以下D、减小至5A以下10、IGBT是一个复合型的器件，它是（）A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO三、简答题（共3小题，22分）1、简述晶闸管导通的条件与关断条件。
（7分）2、电压型逆变电路的主要特点是什么？（8分）3、简述实现有源逆变的基本条件，并指出至少两种引起有源逆变失败的原因（7分）四、作图题（共 2 小题，每题12分，共24分）1、三相全控桥，阻感负载，主回路整流变压器的接法是D,y5，采用NPN管的锯齿波触发器，要求在整流与逆变状态运行。
同步变压器二侧电压经R-C滤波器滤波后（滞后角为30°）接到触发电路。
同步变压器的的接法为Y/Y-10，4接法，如下图晶闸管VT1 VT2 VT3 VT4 VT5 VT6主电路电压+U u-U w+U v-U u+U w-U v同步电压2、电路与波形如图所示。
（1）若在t1时刻合上K，在t2时刻断开K，画出负载电阻R上的电压波形；（2）若在t1时刻合上K，在t3时刻断开K，画出负载电阻R上的电压波形。
（u g宽度大于3600）。
（a）电路图（b）输入电压u2的波形图五、计算题（共 1 小题，共20分）1、电路如图所示，单相全控桥式整流电路接大电感负载，R=4Ω，U2=220V。
（1）触发角为60°时，(a) 试求U d、I d、晶闸管电流平均值I dVT、晶闸管电流有效值I VT、变压器副边电流有效值I2；（b）作出u d、i d、i VT2、i2的波形图（图标清楚，比例适当）。
（2）当负载两端接有续流二极管时，（a）试求U d、I d、I dVT、I VT、I VD、I dVD、I2；（b）作出u d、i d、i VT2、i VD、i2的波形图（图标清楚，比例适当）。
考试试卷( 2 )卷一、填空题（本题共6小题，每空1分，共15分）1、_________存在二次击穿现象，____________存在擎住现象。
2、功率因数由和这两个因素共同决定的。
3、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是_措施。
4、同一晶闸管，维持电流I H与掣住电流I L在数值大小上有I L_ I H。
5、电力变换通常可分为：、、和。
6、在下图中，_______和________构成降压斩波电路使直流电动机电动运行，工作于第1象限；_______和_______构成升压斩波电路，把直流电动机的动能转变成为电能反馈到电源，使电动机作再生制动运行，工作于____象限。
二、选择题（本题共11小题，9，10，11小题每题2分，其余每题1分共14分）1、下列电路中，不可以实现有源逆变的有（）。
A、三相半波可控整流电路B、三相桥式全控整流电路C、单相桥式可控整流电路D、单相全波可控整流电路外接续流二极管2、晶闸管稳定导通的条件（）A、晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流B、晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流C、晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流D、晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流3、三相半波可控整流电路的自然换相点是（）A、交流相电压的过零点B、本相相电压与相邻相电压正半周的交点处C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°4、若增大SPWM逆变器的输出电压基波频率，可采用的控制方法是（）A、增大三角波幅度B、增大三角波频率C、增大正弦调制波频率D、增大正弦调制波幅度5、三相半波可控整流电路中，晶闸管可能承受的反向峰值电压为（）A、U2B、U2C、2U2D.U26、晶闸管电流的波形系数定义为（）A、B、C、K f =I dT·I TD、K f =Id T-I T7、降压斩波电路中，已知电源电压U d=16V，负载电压U o=12V，斩波周期T=4ms，则开通时T on=（）A、1msB、2msC、3msD、4ms8、关于单相桥式PWM逆变电路，下面说法正确的是（）A、在一个周期内单极性调制时有一个电平，双极性有两个电平B、在一个周期内单极性调制时有两个电平，双极性有三个电平C、在一个周期内单极性调制时有三个电平，双极性有两个电平D、在一个周期内单极性调制时有两个电平，双极性有一个电平9、对于单相交交变频电路如下图，在t2~t3时间段内，P组晶闸管变流装置与N组晶闸管变流装置的工作状态是（）A、P组阻断，N组整流B、P组阻断，N组逆变C、N组阻断，P组整流D、N组阻断，P组逆变10、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如图所示，在t2~t3时间段内，有（）晶闸管导通。
A、1个B、2个C、3个D、4个三、简答题（本题共 4 小题，共30分）1、电压型逆变电路的主要特点是什么？（7分）2、某一晶闸管，额定电压为300V，额定电流为100A，维持电流为4mA，使用在下图所示的各电路中是否合理?说明其理由。
(不考虑电压、电流裕量)（8分）3、下面BOOST升压电路中，电感L、电容C与二极管的作用是什么？（7分）4、变压器漏感对整流电路有什么影响？（8分）四、作图题（本题共3小题，共26分）1、画出三相桥式全控整流电路带阻感负载的原理图，并给图中6个晶闸管写上正确的编号，编号写在晶闸管的正上方或正下方。
变压器采用Δ/Y接法。
（8分）2、画出下图对应的U d、i T1、V T1的波形其中虚线为脉冲信号。
（12分）3、将控制电路、检测电路、驱动电路、主电路填入以下框图中，组成一个电力电子应用系统。
（6分）六、计算题（本题共1小题，共15分）1、有一个三相全控桥整流电路。
已知电感负载L=0.2H、α=60°、R=1Ω、变压器二次相电压U2=100V。
试画出U d的波形，计算负载端输出的直流电压U d和负载电流平均值I d，计算变压器二次电流的有效值I2考试试卷( 3 )卷一、填空题：（本题共7小题，每空1分，共20分）1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管；可关断晶闸管；功率场效应晶体管；绝缘栅双极型晶体管；IGBT是和的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是、和。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑的问题，解决的方法是。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为波，输出电流波形为波。
5、三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个开关管间进行，称为_______°导电型6、当温度降低时，晶闸管的触发电流会、正反向漏电流会；7、常用的过电流保护措施有、、、。
二、选择题（本题共10小题，每题1分，共10分）1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差（）度。
A、180°B、60°C、360°D、120°2、α为度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。