高中化学竞赛辅导晶体结构专练(精选精编试题-并附有详细解答)全国通用
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晶体结构练习题
1.(1)一种金属化合物中晶体结构为立方面心点阵,Mg 原子采用类似金刚石的排列,每4个Cu 原子形成四面体,相互之间共用顶点连接起来,排布在Mg 原子的空隙中。请问该晶胞中有 个原子,该金属化合物最简式为 。
(2)以草酸铁和草酸锌为原料,按一定比例溶于水中充分搅拌混匀,加热并蒸去混合溶液的水分;逐渐共沉淀下来,产物几乎为Fe 3+与Zn 2+均匀分布的的固溶体型草酸盐混合物,过滤、灼烧,即成很好的固相反应原料“前驱物”的制备——即一种尖晶石型物质A :O 2-作立方最密堆积,Zn 2+占据1/8的四面体空隙,Fe 3+占据1/2的八面体空隙。请写出该反应的化学方程式 。
2.PdO 属四方晶系,在其晶体中,Pd 原子和O 原子分别以层状排布,其中O 原子层与层之间能够完全重合,而Pd 原子则每隔一层重复一次,
试画出PdO 的晶胞,并指出距Pd 最近的原子有几个,呈
何种立体构型?
3.经 X 射线分析鉴定,某一离子晶体属于立方晶系,其晶胞参数 a=403.lpm 。晶胞顶点位置为Ti 4+所占,体心位置为Ba 2+所占,所有棱心位置为O 2-所占。请据此回答或计算:
(1)用分数坐标表达各离子在晶胞中的位置。
(2)写出此晶体的化学式。
(3)指出晶体的点阵型式和结构基元。
(4)指出Ti 4+的氧配位数和Ba 2+的氧配位数。
(5)计算两种正离子的半径值(O 2-半径为 140 pm )。
(6)Ba 2+和O 2-联合组成哪种型式的堆积?
(7)O 2-的配位情况怎样?
4.SiC 具有高硬度、高耐磨性、高耐腐蚀性及较高的高温强度等特点,已成为一种重要的工程材料。其晶体具有六方ZnS 型结构,晶胞参数为a =308pm ,c =505pm , 已知C 原子的分数坐标为0,0,0和 ;Si 原子的分数坐标为 和
(1) 按比例画出SiC 六方晶胞。
(2)每个晶胞中含有SiC 个。
(3)晶体中Si 的堆积型式是 。 C 填充的空隙类型是 。
(4)列式计算C —Si 键长。
21,31,3285,0,081,31,32
5.实验表明,乙烯在很低的温度下能凝结成分子晶体,
经X-射线分析鉴定,其晶体结构属于正交晶系,晶胞参数
为:a = 4.87Å,b = 6.46 Å,c = 4.15 Å,晶体结构如图1所
示。
(1)该晶体的晶胞类型是。
(2)晶体的理论密度是cm-3。
(3)设C原子形成的双键中心对称地通过原点,离原
点最近的C原子的分数坐标为(0.11, 0.06, 0.00),试计算
C=C共价键长是Å。
6.C60分子本身是不导电的绝缘体,但它的金属化合物具有半导体性、超导性。1991年4月Hebard等首先报道掺钾C60有超导性,超导临界温度19K。研究表明KxC60的晶体结构中,C60具有面心立方结构(与NaCl晶体结构中Na+或Cl-的排列方式类似),而K+填充在其四面体和八面体空隙中,晶胞参数1.4253nm(相当于NaCl晶胞的边长)。
(1)C60晶体类型与KxC60晶体类型分别是、。
(2)占据四面体空隙和八面体空隙中的K+数之比是。
(3)X=。(4)如果K+半径为0.112nm,则C60的分子半径约为。
(5)计算KxC60的密度。
7.碳的第三种单质结构C60的发现是国际化学界的大事之一。经测定C60晶体为面心立方结构,晶胞参数a=1420pm。每个C60平均孔径为700pm,C60与碱金属能生成盐,如K3C60。人们发现K3C60具有超导性,超导临界温度为18K。K3C60是离子化合物,在晶体中以K+和C603-存在,它的晶体结构经测定也是面心立方,晶胞参数a=1424pm。阿伏加德罗常数为6.02×1023mol-1,请回答:
(1)画出C60的晶胞。
(2)计算相邻C60球体最近距离,为什么这距离大于C60笼的孔直径。
(3)相邻C60球体间的距离是多少?
(4)与石墨平面原子间距离(335pm)相比,你认为在C60晶体中C60-C60间作用力属于哪一种类型?
(5)C60晶体的晶胞中存在何种空隙?各有多少空隙?
(6)K3C60晶体的晶胞中有多少个K+?它们位于晶胞中何处?
(7)同一温度下,K3C60的晶体密度比C60的晶体密度增大了多少?
8.水在不同的温度和压力条件下可形成11种不同结构的晶
体,密度从比水轻的0.92g·cm-3到约为水的一倍半的 1.49
g·cm-3。冰是人们迄今已知的由一种简单分子堆积出结构花样最
多的化合物。其中在冰-Ⅶ中,每个氧有8个最近邻,其中与4
个以氢键结合,O-H…O距离为295pm,另外4个没有氢键结
合,距离相同。
(1)画出冰-Ⅶ的晶胞结构示意图(氧用○表示,氢用o
表示),标明共价键(—)和氢键(----)。
(2)计算冰-Ⅶ晶体的密度。
9.某同学在学习等径球最密堆积(立方最密堆积A1和六方最密堆积A3)后,提出了另一种最密堆积形式Ax。如右图所示为Ax堆积的片层形式,然后第二层就堆积在第一层的空隙上。请根据Ax的堆积形式回答:
(1)计算在片层结构中(如图所示)球数、空隙数和切点数之比
(2)在Ax堆积中将会形成正八面体空隙和正四面体空隙。确
定球数、正八面体空隙数和正四面体空隙数之比
(3)指出Ax堆积中小球的配位数
(4)计算Ax堆积的原子空间利用率。
(5)正八面体和正四面体空隙半径(可填充小球的最大半径,
设等径小球的半径为r)。
(6)已知金属Ni晶体结构为Ax堆积形式,Ni原子半径为
124.6pm,计算金属Ni的密度。(Ni的相对原子质量为58.70)
(7)如果CuH晶体中Cu+的堆积形式为Ax型,H-填充在空隙中,且配位数是4。则H-填充的是哪一类空隙,占有率是多少?
(8)当该同学将这种Ax堆积形式告诉老师时,老师说Ax就是A1或A3的某一种。你认为是哪一种,为什么?