(整理)常用存储器总结

目次

1 存储器分类 (2)

1.1 按存储介质分类 (2)

1.2 按存取方式分类 (2)

1.3 按应用可分类 (3)

2 存储器概述 (4)

2.1 主储存器结构 (4)

2.2 主存中存储单元地址的分配 (4)

2.3 主存的技术指标 (5)

3 半导体存储芯片的基本结构 (6)

3.1 随机存取存储器（RAM） (7)

3.3.1 静态RAM（SRAM） (7)

3.3.2 动态RAM(DRAM) (9)

3.2 只读存储器（ROM） (16)

3.2.1 掩膜ROM (16)

3.2.2 PROM (17)

3.2.3 EPROM (17)

3.2.4 EEPROM (18)

3.2.5 闪速存储器(Flash Memory) (18)

3.3 内存卡 (19)

3.4 存储器与CPU的连接 (21)

3.3.1 存储容量的扩展 (21)

3.3.2 存储器与CPU的连接 (23)

1 存储器分类

1.1 按存储介质分类

（1）半导体存储器。存储元件由半导体器件组成的叫半导体存储器。其优点是体积小、功耗低、存取时间短。其缺点是当电源消失时，所存信息也随即丢失，是一种易失性存储器。

半导体存储器又可按其材料的不同，分为双极型（TTL）半导体存储器和MOS半导体存储器两种。前者具有高速的特点，而后者具有高集成度的特点，并且制造简单、成本低廉，功耗小、故MOS半导体存储器被广泛应用。

（2）磁表面存储器。磁表面存储器是在金属或塑料基体的表面上涂一层磁性材料作为记录介质，工作时磁层随载磁体高速运转，用磁头在磁层上进行读写操作，故称为磁表面存储器。

由于用具有矩形磁滞回线特性的材料作磁表面物质，它们按其剩磁状态的不同而区分“0”或“1”，而且剩磁状态不会轻易丢失，故这类存储器具有非易失性的特点。

（3）光盘存储器。光盘存储器是应用激光在记录介质(磁光材料)上进行读写的存储器，具有非易失性的特点。光盘记录密度高、耐用性好、可靠性高和可互换性强等。

1.2 按存取方式分类

按存取方式可把存储器分为随机存储器、只读存储器、顺序存储器和直接存取存储器四类。

（1）随机存储器RAM(Random Access Memory)。RAM是一种可读写存储器，其特点是存储器的任何一个存储单元的内容都可以随机存取，而且存取时间与存储单元的物理位置无关。计算机系统中的主存都采用这种随机存储器。由于存储信息原理的不同， RAM又分为静态RAM (以触发器原理寄存信息)和动态RAM(以电容充放电原理寄存信息)。

DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM 是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准－Rambus DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。

（2）只读存储器ROM(Read only Memory)。只读存储器是能对其存储的内容读出，而不能对其重新写入的存储器。这种存储器一旦存入了原始信息后，在程序执行过程中，只能将内部信息读出，而不能随意重新写入新的信息去改变原始信息。因此，通常用它存放固定不变的程序、常数以及汉字字库，甚至用于操作系统的固化。它与随机存储器可共同作为主存的一部分，统一构成主存的地址域。

只读存储器分为掩膜型只读存储器MROM（Masked ROM）、可编程只读存储器PROM(Programmable ROM)、可擦除可编程只读存储器EPROM(Erasable Programmable ROM)、用电可擦除可编程的只读存储器EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)。以及近年来出现了的快擦型存储器Flash Memory，它具有EEPROM的特点，而速度比EEPROM 快得多。

1.3 按应用可分类

存储器有三个主要特性：速率、容量和价格/位（简称位价）。一般说来，速度越高，价位就越高；容量越大，价位就越低；而且容量越大，速度必越低。可以用一个形象的存储器分层结构图，来反映上述的问题，如下图所示。

实际上，存储器的层次结构主要体现在缓存—主存、主存—辅存这两个存储层次上，如下图所示。

2 存储器概述

2.1 主储存器结构

主存的实际结构如上图所示，当根据MAR中的地址访问某个存储单元时，需经过地址译码、驱动等电路，才能找到所需访问的单元。读出时，需经过读出放大器，才能将被选中单元的存储字送到MDR。写入时，MDR中的数据也必须经过写入电路才能真正写入到被选中的单元中。

现代计算机的主存都由半导体集成电路构成，图中的驱动器、译码器和读写电路均制作在存储芯片中，而MAR和MDR制作在CPU芯片内。存储芯片和CPU芯片可通过总线连接，如下图所示。

当要从存储器读出某一信息字时，首先由CPU将该字的地址送到MAR，经地址总线送至主存，然后发读命令。主存接到读命令后，得知需将该地址单元的内容读出，便完成读操作，将该单元的内容读至数据总线上，至于该信息由MDR送至什么地方，远已不是主存的任务，而是由CPU决定的。若要向主存存入—个信息字时，首先CPU将该字所在主存单元的地址经MAR 送到地址总线，并将信息字送入MDR，然后向主存发写命令，主存按到写命令后，便将数据线上的信息写入到对应地址线指出的主存单元中。

2.2 主存中存储单元地址的分配

主存各存储单元的空间位置是由单元地址号来表示的，而地址总线是用来指出存储单元