多晶硅还原炉内的8大反应

多晶硅还原炉内的8大反应

钟罩式多晶硅还原炉内各反应我认为主要有以下8种，希望和大家探讨一下如何控制取得最大的沉积速度

⑴SiHCl3＋H2＝Si＋3HCl↑(1050-1100℃)

⑵2SiHCl3＝Si＋2HCl↑＋SiCl4 （热分解）

⑶SiHCl3＝SiH2Cl2＋HCl↑(900-1000℃)

⑷Si＋2HCl≒SiH2Cl2(＞1200℃或低温腐蚀)

⑸SiHCl3＝SiH2Cl2＋SiCl4（Si＋SiCl4≒SiCl2）

⑹SiCl4＋2H2＝Si＋4HCl↑（高温下）

⑺4SiHCl3＝Si＋2H2↑＋3SiCl4（热分解）

⑻Si＋4HCl＝2H2↑＋SiCl4（腐蚀）

⑴SiHCl3＋H2＝Si＋3HCl↑(1050-1100℃)

⑺4SiHCl3＝Si＋2H2↑＋3SiCl4（热分解）

不是什么秘密，还原炉里面主要发生以上2个反应，主要看操作条件怎样控制，希望大家能够交流一下

改良西门子法的[wiki]多晶硅[/wiki]反应已经路人皆知了，什么涉密不涉密的。还原炉控制的关键还是配料比、温度等，根据所要得到的产品质量不同（太阳能级、[wiki]电子[/wiki]级）操作有所差别，这才是秘密。

回复上面各楼的兄弟，特别是5楼的，如果反应都是按照您说的那样那多晶硅早就降价了。上面一位楼主说的对，其实上面7个反应都会发生，谁占主要反应主要还是靠温度还是配比。另回复9楼，二氯二氢硅进去要长硅粉阻塞尾气管线要[wiki]爆炸[/wiki]的，在实际中非常危险的。兄弟

原料混合气是SiHCl3＋H2，产物是Si、HCl、SiCl4以及多余的H2，当然，由于是可逆反应，还会有剩余的SiHCl3，但是总的来说，原料气的利用率并不高，只有30％左右

主要是要控制反应温度，还有电流了！其中还会生成大量的SICL4.

在压力和原料配比变化不大的时候，温度很关键。

温度合适的时候，主要是⑴SiHCl3＋H2＝Si＋3HCl↑(1050-1100℃)

⑺4SiHCl3＝Si＋2H2↑＋3SiCl4（热分解）

为主，其他几个反应其次。但温度超过规定值或者低于规定值，其他的几个反应就要多起来了，影响沉积速率，甚至产品质量。所以，多晶硅生产中，对还原炉内的温度控制相当严格的，是专门有一套系统来控制的。