分立器件封装

-完全覆盖包裹完毕 ，成型固化
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四.模封（Molding）
Molding 参数 Molding Temp：175~185°C；

Clamp Pressure：3000~4000N； Transfer Pressure：1000~1500Psi； Transfer Time：5~15s； Cure Time：60~120s；
目的： 让无铅电镀后的产品在高温下烘烤一段时间，目的在于 消除电镀层潜在的晶须生长（Whisker Growth）的问题; 条件： 150+/-5C; 2Hrs；
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九.测试、打标（Testing/Marking）
Wedge：第二焊点。指金线在Cap的作用下，在Lead Frame上形成的焊接 点，一般为月牙形（或者鱼尾形）；
W/B四要素：压力（Force）、超声（USG Power）、时间（Time）、温度 （Temperature）；
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三.键合（Wire bond）
EFO打火杆在磁 嘴前烧球
Cap下降到芯片的Pad上 ，加Force和Power形成 第一焊点
Cap牵引金 线上升
Cap运动轨迹形成良 好的Wire Loop
Cap下降到Lead Frame形成焊接
Cap侧向划开，将金 线切断，形成鱼尾
Cap上提，完成一次 动作
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三.键合（Wire bond）
利用高纯度的金线（Au）
、铜线（Cu）或铝线（Al）把 Pad 和 Lead通过焊接的方法连接起来。Pad是芯片上电路的外接 点，Lead是 Lead Frame上的 连接点。 W/B是封装工艺中最为关键的一部工艺。

焊线方式
超声波楔形焊接 打火烧结球形焊接
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六.切筋（Cropping）
目的：去掉框架上unit之间的连接部分使unit分开。
注意：要查看是否有切到模封体。
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七.电镀/浸锡（Plating/Dipping）
利用金属和化学的方法，在Leadframe的表面 镀上一层镀层，以防止外界环境的影响（潮湿 和热）。并且使元器件在PCB板上容易焊接及 提高导电性。 电镀一般有两种类型： Pb-Free：无铅电镀，采用的是>99.95%的高纯 度的锡（Tin），为目前普遍采用的技术，符合 Rohs的要求； Tin-Lead：铅锡合金。Tin占85%，Lead占 15%，由于不符合Rohs，目前基本被淘汰； 标准：引脚90%以上挂锡，plating 工艺厚度 (5-20um),dipping 工艺厚度（7-30um）
通过Saw
）上，使得即使被切割开后，不会散落；
Blade将整片Wafer切割成一个个独立的Dice，方便后面的 Die Attach等工序； Wash主要清洗Die Saw时候产生的各种粉尘，清洁Wafer；
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Wafer
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键合
QC 目检
QC 目检
切筋
去毛刺
模封
浸锡/电镀
烘烤
测试、打标
包 装 入 库
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一.划片（Die saw）
Wafer Mount 晶圆安装 Wafer Saw 晶圆切割 Wafer Wash 清洗
将晶圆粘贴在蓝膜（foil
一.划片（Die saw）
设备
设备disco DFD651 双刀切片机
主要切割参数
刀高
水温15-25℃ 水流速度 主轴转速30~50K 进刀速度 刀片寿命1800m
Saw Blade rpm
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一.划片（Die saw）
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三.键合（Wire bond）
材料及参数：
Capillary：陶瓷劈刀。W/B工艺中最核心的一个Bonding Tool，内部为 空心，中间穿上金线，并分别在芯片的Pad和Lead Frame的Lead上形成第 一和第二焊点；
EFO：打火杆。用于在形成第一焊点时的烧球。打火杆打火形成高温，将 外露于Capillary前端的金线高温熔化成球形，以便在Pad上形成第一焊 点（Bond Ball）； Bond Ball：第一焊点。指金线在Cap的作用下，在Pad上形成的焊接点， 一般为一个球形；
Before Plating
After Plating
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八.烘烤（Baking）
晶须，又叫Whisker ，是指锡在长时间 的潮湿环境和温度 变化环境下生长出 的一种须状晶体， 可能导致产品引脚 的短路。
晶须
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五.去毛刺（Deflash）
Before After
目的：Deflash的目的在于去除Molding后在管体周围Lead之间 多余的溢料； 方法：弱酸浸泡，高压水冲洗；铜粉流冲击。
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Foreign
material
框架 X-ray void
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三.键合（Wire bond）
设备OEM360/7200
OEM360
OE7200
Al wire
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二.粘片(Die bond)
设备ESEC2007/2009
主要参数
顶针高度 抓片速度 贴片速度 贴片时间 Cavity 点锡量
Solder wire /PbSnAg 92.5/5/2.5 tool
设备
为了防止外部环境的冲击，利用EMC
把Wire Bonding完成后的产品封装起 来的过程，并需要加热硬化。
主要成分：环氧树脂及各种添加剂（固
化剂，改性剂，脱模剂，染色剂，阻燃剂） 等。
主要功能：在熔融状态下将芯片与框架
包裹起来，提供物理保护和电气保护，防 止外界干扰。
塑封料（EMC)
保存条件：-5℃，使用前需常温24小时。
电参数测试，外观平整度检查，标注厂家，产品型号等。 注意：防止好次品混料。
十.包装（Package）
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Thank you Q&A
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封装流程
王连新 2015.4.16
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封装简介
1.概念
封装，Package，是把集成电路装配为芯片最终产品的过程，简单地说，就是把 生产出来的集成电路裸片（Die）放在一块起到承载作用的基板上，把管脚引出来， 然后固定包装成为一个整体。 “封装”主要关注封装的形式、类别，基底和外壳、引线的材料，强调其保 护芯片、增强电热性能、方便整机装配的重要作用。
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四.模封（Molding）
模封过程
-L/F置于模具中， 每个Die位于Cavity 中，模具合模。 -块状EMC放入模具 孔中
-高温下，EMC开始 熔化，顺着轨道流 向Cavity中
-从底部开始，逐渐 覆盖芯片
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二.粘片(Die bond)
芯片拾取过程： 1、Ejector Pin从wafer下方的foil顶起芯片，使之便于 脱离蓝膜； 2、Collect/Pick up head从上方吸起芯片，完成从Wafer 到L/F的运输过程； 3、Collect以一定的力将芯片Bond在点有焊锡的L/F 的Pad上，具体位置可控； 4、Bond Head Speed根据Dice大小调节
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三.键合（Wire Baidu Nhomakorabeaond）
Wire Bond的质量控制：
Wire Pull、Stitch Pull（金线颈部和尾部拉力） Ball Shear（金球推力）
Wire Loop（金线弧高）
Ball Thickness（金球厚度） Crater Test（弹坑测试）
轨道温度
最高410℃
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二.粘片(Die bond)
管控参数
Tilt
>60um height(10-80um)
Solder Void Chip
(single<5% total<10%) die
Crack
管控参数
模封不全 气孔气泡 崩边 漏胶 分层 封装外形尺寸
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外观不良
分层检查
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TOSHIBA 封装尺寸管控
ST封装尺寸管控
备注：不同的封装厂有自己的管控标准，但差别不大。
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管控参数
正崩(>2.5um) 背崩(<60um) Chip
die
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二.粘片(Die bond)
Solder dispense 点锡 Die Attach 芯片粘接 Solder Cure 焊锡固化
点锡过程： 1、Leadframe 通过轨道运送到点锡头正下方 2、Dispenser 点锡到L/F pad 3、Cavity tool 将融化的焊锡压成方形
2.分类
按材料分：金属封装，陶瓷封装，塑料封装 按照与PCB连接方式：PTH与SMT
按照外形：TO
、SOT、SOIC、TSSOP、QFN、QFP、BGA、CSP等.
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TO247/TO220封装流程
划片
粘片
Thickness Size
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三.键合（Wire bond）
线径延展性
拉力测试
推力测试
化学腐蚀
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