中南大学模拟电子技术试卷1

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中南大学2021年《模拟电子技术基础》期末试题

中南大学2021年《模拟电子技术基础》期末试题

一、填空题1、半波整流电路电阻负载时,理想二极管承受的最高反压是(√2U2)。

2、晶体管电流放大系数是频率的函数,随着频率的升高而(下降)。

共基极电路比共射极电路高频特性(好)。

3、为了提高三极管放大电路的输入电阻,采用(串联)负反馈。

为了稳定输出电流,采用()负反馈。

4、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。

5、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。

6、有偶数级共射电路组成的多级放大电路中,输入和输出电压的相位_________,有奇数级组成的多级放大电路中,输入和输出电压的相位__________。

7、电压负反馈稳定的输出量是__________,使输出电阻__________,电流负反馈稳定的输出量是__________,使输出电阻__________。

8、稳压二极管是利用二极管的__________特性工作的。

9、晶体管工作在放大状态的外部条件是。

10、经测试某电路中晶体管的基极电位为0.7V,发射极电位为0V,集电极电位为5V,则该管是型的晶体管,工作在状态.11、多级放大电路的耦合方式有、、等。

12、如果想要改善电路的性能,使电路的输出电压稳定而且对信号源的影响减小,应该在电路中引入反馈。

13、有源滤波器的功能是,按电路的幅频特性可分为低通滤波、高通滤波、、和全通滤波五种。

14、在有源滤波器中,运算放大器工作在区;在滞回比较器中,运算放大器工作在区,在比例运算电路中工作在区。

=0时,漏源之间存在导电沟道的称为型场效应管,漏源之间不15、当UGs存在导电沟道的称为型场效应管。

16、两级放大电路的第一级电压放大倍数为100,即电压增益为 dB,第二级电压增益为26dB,则两级总电压增益为 dB。

17、差分电路的两个输入端电压分别为Ui1=2.00V,Ui2=1.98V,则该电路的差模输入电压Uid 为 V,共模输入电压Uic为 V。

中南大学数字电子技术基础期末考试试卷四套附答案

中南大学数字电子技术基础期末考试试卷四套附答案

中南大学数字电子技术基础期末考试试卷四套附答案Prepared on 21 November 2021中南大学信息院《数字电子技术基础》期终考试试题(110分钟)(第一套)一、填空题:(每空1分,共15分)=+的两种标准形式分别为()、()。

1.逻辑函数Y AB C2.将2004个“1”异或起来得到的结果是()。

3.半导体存储器的结构主要包含三个部分,分别是()、()、()。

4.8位D/A转换器当输入数字量为5v。

若只有最低位为高电平,则输出电压为()v;当输入为,则输出电压为()v。

5.就逐次逼近型和双积分型两种A/D转换器而言,()的抗干扰能力强,()的转换速度快。

6.由555定时器构成的三种电路中,()和()是脉冲的整形电路。

7.与PAL相比,GAL器件有可编程的输出结构,它是通过对()进行编程设定其()的工作模式来实现的,而且由于采用了()的工艺结构,可以重复编程,使它的通用性很好,使用更为方便灵活。

二、根据要求作题:(共15分)1.将逻辑函数P=AB+AC写成“与或非”表达式,并用“集电极开路与非门”来实现。

2.图1、2中电路均由CMOS门电路构成,写出P、Q的表达式,并画出对应A、B、C的P、Q波形。

三、分析图3所示电路:(10分)1)试写出8选1数据选择器的输出函数式;2)画出A2、A1、A0从000~111连续变化时,Y的波形图;3)说明电路的逻辑功能。

四、设计“一位十进制数”的四舍五入电路(采用8421BCD码)。

要求只设定一个输出,并画出用最少“与非门”实现的逻辑电路图。

(15分)五、已知电路及CP、A的波形如图4(a)(b)所示,设触发器的初态均为“0”,试画出输出端B和C的波形。

(8分)BC六、用T触发器和异或门构成的某种电路如图5(a)所示,在示波器上观察到波形如图5(b)所示。

试问该电路是如何连接的?请在原图上画出正确的连接图,并标明T的取值。

(6分)七、图6所示是16*4位ROM和同步十六进制加法计数器74LS161组成的脉冲分频电路。

中南大学模拟电子线路考试题3(附答案

中南大学模拟电子线路考试题3(附答案

中 南 大 学模拟电子技术试卷(第3套)一. 填空题 (每空1分,共20分) (注:同一题中可能只给出部分“空”的选项) 1. U GS = 0时,能够工作在恒流区的场效应管有: 。

A. JFET ;B.增强型MOSFET ;C.耗尽型MOSFET ;2. 测得放大电路中某BJT 各极直流电位V 1=12V , V 2 =11.3V , V 3 =0V ,则该BJT 的基极电位等于 ,由 材料制成,管型为 。

3. 现测得两个共射放大电路空载时的u A均为 –100,将它们连成两级放大电路后,其电压放大倍数应 10000,且与级间耦合方式 。

A.大于;B. 等于;C.小于; E. 有关; F. 无关;4. 差分放大电路的等效差模输入信号u d 等于两个输入信号u 1和u 2的 , 等效共模输入信号u c 是两个输入u 1和u 2的 。

A.差; B.和; C.平均值;5. 互补输出级通常采用 接法,是为了提高 。

“互补”是指两个 类型三极管交替工作。

A. 负载能力;B.最大不失真输出电压;6. 通用型集成运放通常采用 耦合方式;适合于放大 频率信号;输入级一般为 放大器,其目的是为了 。

7. 恒流源在集成运放中有两个作用: 一是为各级提供 , 二是作为有源负载用来提高 。

8. 信号处理电路中,为了避免50Hz 电网电压的干扰进入放大器, 应该选用 滤波器;欲从输入信号中取出低于20kHz 的信号,应该选用 滤波器。

9. 由FET 构成的放大电路也有三种接法,与BJT 的三种接法相比,共源放大器相当于 放大器。

二. 放大电路及晶体管的输出特性如图所示。

设U BEQ =U CES = 0.7V 。

(10分) 1.用图解法确定静态工作点I CQ ,U CEQ ;2.确定放大电路最大不失真输出电压的有效值U om 。

三. 电路如图所示,已知:BJT 的β= 80, r be =1k Ω,R L =3 k Ω。

《模拟电子技术》习题册

《模拟电子技术》习题册

《模拟电子技术》习题册学号姓名班级《二极管》练习1一、填空题1、在本征半导体中加入( )元素可形成N型半导体,加入()元素可形成P 型半导体。

2、N型半导体中多数载流子是(),P型半导体中多数载流子是()。

3、PN结上外加电源,其()极接P区,()极接N区,这种接法称为正向偏置,简称正偏。

4、多子的运动称为()运动,少子的运动称为()运动。

5、给PN结外加正向电压,产生外电场,会()内电场,打破PN结动态平衡,一方面促进()的运动,另一方面抑制()的运动,从而形成较大的正向电流。

6、二极管具有()特性。

7、按照半导体材料的不同,二极管可以分为()和()二极管。

二、简答题1、请问温度影响P型半导体(或N型半导体)多子的浓度吗?2、如何用万用表判断二极管的极性?三、选择题1、当温度升高时,二极管的反向饱和电流将()。

A. 增大B. 不变C. 减小四、在下图所示电路中,发光二极管导通电压UD=1.5V,正向电流在5~15mA 时才能正常工作。

试问:(1)开关S在什么位置时发光二极管才能发光?(2)R的取值范围是多少?《二极管》练习2一、填空题1、稳压管工作在( )区。

二、分析下图所示各电路,写出其输出电压值,设二极管导通压降为0.7V。

三、电路如下图所示,已知u i=10sinωt(v),试画出u O的波形(设二极管为理想二极管)。

四、电路如下图所示,已知ui=5sinωt (V),二极管导通压降为0.7V,试画出ui 与u O的波形。

《二极管》、《三极管》强化练习一、选择题1、本征半导体温度升高以后,()。

A自由电子增多空穴数基本不变B空穴数增多自由电子数基本不变C自由电子和空穴数都增多数目相同D自由电子和空穴数都不变2、空间电荷区是由()构成的。

A电子B空穴C离子D分子3、二极管电路如下图所示,设二极管是理想二极管,求出AO两端的电压()。

A 12B —12C 15D 04、测得电路中NPN型硅管的各级电位如图所示,试分析管子的工作状态。

中南大学模电作业题第一章答案

中南大学模电作业题第一章答案

第1章半导体器件1.电路如下图所示,已知u i=5sinωt (V),二极管导通电压U D=0.7V。

试画出u i与u0的波形,并标出其幅值。

当ui大于3。

7时D1导通,uo等于3。

7ui小于-3。

7当D2导通uo等于-3。

7当ui小于3。

7大于-3。

7时uo等于ui2.电路如下图(a)所示,其输入电压u Il和u I2的波形如图(b)所示,二极管导通电压U D=0.7V。

试画出输出电压u0的波形,并标出其幅值。

3.现有两只稳压管,它们的稳压值分别为6V和8V,正向导通电压为0.7V。

1试问:(1)若将它们串联相接,则可得到哪几种数值的稳压值?画出相应电路图。

(2)若将它们并联相接,则又可得到哪几种数值的稳压值?画出相应电路图。

4.已知两只晶体管的电流放大系数β分别为100和50,现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如下图所示。

分别求另一电极的电流,标出其实际方向,并在圆圈中画出管子的图形符号。

5.测得放大电路中六只晶体管的直流电位如下图所示。

在圆圈中画出管子,并分别说明它们是硅管还是锗管。

6.写出下图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

37.电路如下图(b)所示,场效应管T的输出特性如图(a)所示,分析当u1=4V、8V、12V三种情况下场效应管分别工作在什么区域。

(a) (b)8.在下图所示电路中,发光二极管导通电压U D=1.5V,正向电流在5~15mA 时才能正常工作并发光。

试问:(1)开关S在什么位置时发光二极管才能发光?(2)限流电阻R的取值范围是多少?。

模电模拟试卷及答案

模电模拟试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案一、填空(18分)1.二极管最主要的特性是 单向导电性 . 3.差分放大电路中,若u I1=100μV ,u I 2=80μV 则差模输入电压u Id =20μV;共模输入电压u Ic=90μV 。

4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz 时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于10 kHz 时,可选用 高通 滤波器;希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用 带通 滤波器。

6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。

这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到 78。

5% ,但这种功放有 交越 失真.二、选择正确答案填空(20分)1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,—10 V ,-9。

3 V ,则这只三极管是( A )。

A .NPN 型硅管 B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管 D 。

PNP 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。

A .P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管C 、N 沟道增强型MOS 管D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。

A .输入电阻高B 。

输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大 6。

RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和( D )。

A. 基本共射放大电路 B 。

基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路7。

已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是( A ). A.积分运算电路 B.微分运算电路 C 。

过零比较器 D 。

滞回比较器8.与甲类功率放大方式相比,乙类互补对称功放的主要优点是( C )。

a .不用输出变压器b .不用输出端大电容c .效率高d .无交越失真 9.稳压二极管稳压时,其工作在( C ),发光二极管发光时,其工作在( A )。

中南大学模电试题四套

中南大学模电试题四套

---○---○------○---○---………… 评卷密封线 ……………… 密封线内不要答题,密封线外不准填写考生信息,违者考试成绩按0分处理 ……………… 评卷密封线 ………… 中南大学考试试卷 2011 ~2012 学年2学期 模电II 课程 时间100分钟 48 学时, 3 学分,闭卷,总分100分,占总评成绩 70 %—、填空题(10分,每空1分) 1.在本征半导体中加入__五价___元素可形成N 型半导体,加入__三价___元素可形成P 型半导体。

2.集成运放的输入级采用差动放大电路的原因是__减小温漂__。

3.对于放大电路,所谓开环是指 _无反馈通路_,而所谓闭环是指 __存在反馈通路__。

4.交流负反馈是指__在交流通路中的负反馈___。

5.为了稳定静态工作点,应引入 直流负反馈 ;为了稳定放大倍数,应引入 交流负反馈 。

6.为了获得输入电压中的低频信号,应选用 低通滤波电路。

7.功率放大电路的转换效率是指__最大输出功率与电源提供的平均功率之比_。

二、已知稳压管的稳定电压U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA ,最大功耗P ZM =150mW 。

试求图所求电路中电阻R 的取值范围。

(10分) 解:稳压管的最大稳定电流 I ZM =P ZM /U Z =25mA 电阻R 的电流为I ZM ~I Zmin ,所以其取值范围为 Ω=-=k 8.136.0Z Z I ~I U U R三、电路如图所示,晶体管的β=60,r bb '=100Ω。

求解Q 点、u A 、R i 和R o ; (15分)解:Q 点:A R R U V I e b BEQ CC BQ μβ31)1(≈++-= mA I I BQ CQ 86.1≈=βV R R I V U e c EQ CC CEQ 56.4)(=+-≈ u A 、R i 和R o 的分析: Ω≈++=952mV 26)1(EQ bb'be I r r β Ω≈=952be b i r R R ∥95)(be L c -≈-=r R R A u ∥β Ω==k 3c o R R四、通用型集成运放一般由几部分电路组成?每一部分常采用哪种基本电路?通常对每一部分性能的要求分别是什么? (10分)解: 通用型集成运放通常由输入级、中间级、输出级和偏置电路等四部分组成。

模拟电子技术模拟试题及答案

模拟电子技术模拟试题及答案

模拟电子技术模拟试题及答案一、单选题(共103题,每题1分,共103分)1.测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA,3.6mA和3.66mA,该晶体管的β等于()A、50B、60C、61D、100正确答案:B2.基本放大电路中,经过晶体管的信号有( )。

A、直流成分;B、交流成分;C、交直流成分均有。

正确答案:C3.放大电路的集电极电流超过极限值ICM,就会造成管子烧损。

( )A、正确 ;B、错误正确答案:B4.低频小信号放大电路中,输入、输出具有反相关系的放大电路是()A、共漏放大电路B、共集放大电路C、共基放大电路D、共射放大电路正确答案:D5.集成电路内部,各级之间的耦合方式通常采用 ( )A、变压器耦合B、光电耦合C、直接耦合D、阻容耦合正确答案:C6.集成运放一般分为两个工作区,它们分别是()。

A、虚断和虚短。

B、正反馈与负反馈;C、线性与非线性;正确答案:C7.NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形顶部出现失真为()失真。

A、饱和B、交越C、频率D、截止正确答案:D8.共模信号和差模信号都是电路传输和放大的有用信号。

( )A、正确 ;B、错误正确答案:B9.P型半导体中的少数载流子是 ( )A、自由电子B、负离子C、空穴D、正离子正确答案:A10.共发射极放大电路的反馈元件是()。

A、电阻RB;B、电阻RE;C、电阻RC。

正确答案:B11.P沟道场效应管的电流ID是由沟道中的( )在漏源极之间电场作用下形成的。

A、自由电子;B、空穴;C、电子和空穴;D、负离子正确答案:B12.分压式偏置的共发射极放大电路中,若VB点电位过高,电路易出现()。

A、截止失真;B、饱和失真;C、晶体管被烧损。

正确答案:B13.单极型半导体器件是( )。

A、二极管;B、场效应管;C、晶体三极管;D、稳压管。

正确答案:B14.无论是双极型三极管还是单极型三极管,其导电机理是相同的。

A、错误B、正确 ;正确答案:A15.P型半导体中多数载流子是______。

中南大学模电作业答案

中南大学模电作业答案

I R max
UImax UZ R
52.5mA
>IZmax 40mA
所以电路不能空载
第6页/共21页
5 2)作为稳压电路的指标,负载电流IL的范围?
解:(2)
根据
I DZ min
U Imin U Z R
I L max
得负载电流的最大值
I L max
U Imin U Z R
I DZ min
U REF
输出电压的表达式:
R3 R4 R5 R3 R4
UR
UO
R3
R4 R3
R5
UR
第11页/共21页
9
DC Sweep
第12页/共21页
9 DC Sweep
第13页/共21页
第14页/共21页
第15页/共21页
第16页/共21页
9 求出各电路输出电压的表达式。
解:
UO=UZ+UREF=(UZ+1.25)V
(2)电容滤波电路适用于小负载电流, 而电感滤波电路适用于大负载电流。
(√)
(3)在单相桥式整流电容滤波电路中,若有一只整流管断开,
输出电压平均值变为原来的一半。
(× )
第8页/共21页
7 判断下列说法是否正确:
1)对于理想的稳压电路,△UO/△UI=0,Ro=0。 ( )√ 2)线性直流电源中的调整管工作在放大状态, 开关型直流电源中的调整管工作在开关状态。(√ ) 3)因为串联型稳压电路中引入了深度负反馈,
因此也可能产生自激振荡。
(√ )
4)在稳压管稳压电路中,稳压管的最大稳定电流必须
大于最大负载电流;
×( )
而且最大稳定电流与最小稳定电流之差应大于

中南大学模拟电子技术习题解

中南大学模拟电子技术习题解

+VCC IB +IC IC
+ UCE -
+12V
②由放大区电流方程:
RB1
IC = IB
③由输出回路方程得:
V R I U I R CC C E CE E E
IB
RE1 100 RE2
1K
IE
2-13
R R B 2 // C A u r ( 1 ) R be E 1
解: 1)各管基极的静态电位 分别为: VB1=1.4V
VB3=-0.7V VB5=-17.3V
4-3 2)设R2=10kΩ,R3=100Ω。 若T1和T3管基极的静态电流
可忽略不计,则T5管集电极静态电流为多少? 解:2)静态时 T5管集电极电流:
V U CC B1 I 1 . 66 mA CQ R 2

② ① ③ ② ③

② ① ②
2-1
放大电路改错 +Vcc
+
2-2
改错,并保证共源接法
2-3
画出两级放大电路的直流通路和交流通路
T2 T1
直流通路
交流通路
2-4
放大电路及三极管输出特性如图所示: 1)在输出特性上画直流负载线。 当 ICQ = 2 mA 时, 确定Q点和 RB值; 2)若RB = 150K且iB的交流分量, i sin t ( A ) b 20 画出iC和uCE的波形,这时出现什么失真? 3)利用图解法分别求RL=∞和RL= 3K时的最大不失真输出 电压有效值Uom
20 lg A 100 dB od
5 A 10 od
输出电压uO=Aod uI;
4-1
已知VCC=16V,RL=4Ω,T1和T2管的饱和管压降│UCES│=2V, 输入电压足够大。试问: 1)最大输出功率Pom和效率η各为多少? 2)晶体管的最大功耗PTmax为多少? 3)为了使输出功率达到Pom,输入电压的有效值约为多少?

电子技术复习题及参考答案

电子技术复习题及参考答案

电⼦技术复习题及参考答案中南⼤学⽹络教育课程考试复习题及参考答案电⼦技术⼀、填空题:1.在本征半导体中掺⼊微量五价元素形成型半导体,掺⼊微量三价元素形成型半导体。

2.晶体管⼯作在放⼤区时,发射结向偏置,集电结向偏置。

3.晶体管⼯作在饱和区时,发射结向偏置,集电结向偏置。

4.晶体管⼯作在截⽌区时,发射结向偏置,集电结向偏置。

5.硅稳压管的⼯作区为 _ 区。

6.为了避免50Hz电⽹电压的⼲扰进⼊放⼤器,应选⽤滤波电路。

7.已知输⼊信号的频率为10kHz~12kHz,为了防⽌⼲扰信号的混⼊,应选⽤滤波电路。

8.为了获得输⼊电压中的低频信号,应选⽤滤波电路。

9.按⼯作频率不同,滤波器主要分为滤波器,滤波器,滤波器和带阻滤波器。

10.为了稳定静态⼯作点,应引⼊负反馈。

11.为了提⾼放⼤倍数的稳定性,应引⼊负反馈。

12.为了提⾼放⼤电路的输出电阻,应该引⼊负反馈。

13.为了增⼤放⼤电路的输⼊电阻,应该引⼊负反馈。

14.为了减⼩放⼤电路的输出电阻,应该引⼊负反馈。

15.深度负反馈的条件是。

16.当使⽤集成运放构成运算电路时,运放⼀般⼯作在状态。

17.当使⽤集成运放构成电压⽐较器时,运放⼀般⼯作在或状态。

18.在整流电路的输⼊电压相等的情况下,半波与桥式两种整流电路中,输出电压平均值最低的是整流电路。

19.直流电源由变压、、和稳压四部分组成。

20.串联型稳压电路由取样电路、、和四部分组成。

21.在图1所⽰串联稳压电路中,调整管为,采样电路由组成,基准电压电路由组成,⽐较放⼤电路由组成。

图122.欲将⽅波电压转换成三⾓波电压,应选⽤运算电路。

23.常⽤的正弦波振荡电路有振荡电路和LC振荡电路。

24.正弦波⾃激振荡的幅值平衡条件为,相位平衡条件为。

25.⼄类功放电路的主要缺点是输出波形易产⽣失真。

26. 运算电路的⽐例系数⼤于1,⽽运算电路的⽐例系数⼩于零。

27.NPN型共集电极放⼤电路中的输出电压顶部被削平时,电路产⽣的是失真。

模拟电子技术(中南大学)智慧树知到答案章节测试2023年

模拟电子技术(中南大学)智慧树知到答案章节测试2023年

第一章测试1.BJT管的输入电阻比MOSFET的输入电阻高。

A:错B:对答案:A2.稳压管的稳压作用是利用了PN结的反向截止特性。

A:错B:对答案:A3.要实现BJT的放大作用,对发射结与集电结的要求是()。

A:发射结正偏,集电结反偏B:发射结反偏,集电结正偏C:发射结正偏,集电结正偏D:发射结反偏,集电结反偏答案:A4.工作在放大区的某晶体三极管,如果当IB从12μA增大到22μA时,IC从1mA变为2mA,那么它的β约为()。

A:90B:100C:83D:50答案:B5.在放大电路中,测得BJT管三个管脚电位分别为6V、6.7V、12V,则这三个管脚分别是()。

A:C、B、EB:E、C、BC:E、B、CD:C、E、B答案:C6.A:8.7B:4.3C:5.7D:73答案:C7.设某增强型N沟道MOS管UGS(th)=3V,试问当它的栅源电压uGS=2.5V时,该管处于()区。

A:击穿B:截止C:放大D:可变电阻答案:B8.A:cB:aC:bD:d答案:AB9.A:cB:dC:bD:a答案:AD10.A:bB:cC:dD:a答案:AC第二章测试1.阻容耦合两级放大电路各级的Q点相互独立,所以可以各级独自计算各自的Q点。

A:错B:对答案:B2.耗尽型NMOS管的多子与少子都参与导电。

()A:对B:错答案:B3.A:12B:0.5C:6D:0.7答案:A4.设某增强型N沟道MOS管UGS(th)=3V,试问当它的栅源电压uGS=2.5V时,该管处于()状态。

A:截止B:饱和C:击穿D:放大答案:A5.A:5.7B:4.24C:6D:4.03答案:D6.A:= -1200B:>1200C:=1200D:<1200答案:D7.A:10B:100C:40答案:B8.现有直接耦合基本放大电路如下,有电流放大作用的电路是()。

A:共集电路B:共源电路C:共基电路D:共漏电路E:共射电路答案:ABDE9.A:B:C:D:答案:BCD10.在多级放大电路下列三种三种耦合方式中,()耦合不能放大直流信号。

模拟电子技术基础期末试题

模拟电子技术基础期末试题

填空题1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V;锗二极管的门槛电压约为_0.1_V,导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。

2、二极管的正向电阻小;反向电阻大。

3、二极管的最主要特性是单向导电性。

PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄。

4、二极管最主要的电特性是单向导电性,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。

5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术,称为模拟电子技术。

6、PN结反向偏置时,PN结的内电场增强。

PN具有具有单向导电特性。

7、硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型值为0.7伏;其门坎电压V th 约为0.5伏。

8、二极管正向偏置时,其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。

9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。

10、因掺入杂质性质不同,杂质半导体可为空穴(P)半导体和电子(N)半导体两大类。

11、二极管的最主要特性是单向导电性,它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。

12、在常温下,硅二极管的开启电压约为0.5 V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7 V。

13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下,输出随频率连续变化的稳态响应。

15、N型半导体中的多数载流子是电子,少数载流子是空穴。

16、按一个周期内一只三极管的导通角区分,功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。

17、在阻容耦合多级放大电路中,影响低频信号放大的是耦合和旁路电容,影响高频信号放大的是结电容。

18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中,如果电路的其它参数不变,三极管的β增加,则I BQ增大,I CQ增大,U CEQ减小。

模拟电子技术_中南大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年

模拟电子技术_中南大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年

模拟电子技术_中南大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是()。

答案:晶体管参数受温度影响2.实现输入电阻高、输出电压稳定,应该引入()负反馈。

答案:电压串联3.现有阻容耦合基本放大电路如下,输出电压与输入电压同相的电路是()。

答案:共集电路_共漏电路4.MOS管只有多子参与导电。

()答案:正确5.晶体管能够实现放大的外部条件是()。

答案:发射结正偏,集电结反偏6.二极管具有()导电特性。

答案:单向7.下图电路中,T1和T2管的饱和管压降│UCES│=2V,VCC=15V, RL=8Ω,电路的最大输出功率Pomax =()W。

【图片】答案:≈10.56W8.差动放大电路的共模抑制比KCMR越大,表明电路()。

答案:对共模信号的抑制能力越强9.甲类放大电路不适合作功率放大电路的原因是甲类放大容易()。

答案:导致效率低、静态损耗大10.用恒流源取代电阻长尾差动放大电路中的RE,将会提高电路的()。

答案:共摸抑制比11.在下图中,所有二极管均为理想二极管,则Vo=()V【图片】答案:-212.在下图电路中,设静态时ICQ=2mA,晶体管饱和管压降UCES=0.6V。

当负载电阻RL=3kΩ时电路的最大不失真输出电压有效值为()V。

【图片】答案:2.1213.现有直接耦合基本放大电路如下,有电流放大,但没有电压放大作用的电路是()。

答案:共集电路_共漏电路14.关于多级放大电路,下列说法正确的是()。

答案:多级放大电路的输入电阻就是第1级的输入电阻_多级放大电路的输出电阻就是最后1级的输出电阻_多级放大电路的放大倍数就是各级放大倍数之积15.现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数应小于10000。

()答案:正确16.直接耦合多级放大电路不能放大交流信号。

()答案:错误17.MOS管一旦预夹断,管子立即进入截止区。

中南大学电子技术模拟卷-第1套

中南大学电子技术模拟卷-第1套

---○---○------○---○---………… 评卷密封线 ……………… 密封线内不要答题,密封线外不准填写考生信息,违者考试成绩按0分处理 ……………… 评卷密封线 ………… 中南大学考试试卷(1) 20 ~20 学年 1 学期 电子技术 课程 时间100分钟一、选择题(本题10分,每小题2分) 1、电路如图所示,所有二极管均为理想元件,则D1、D2、D3的工作状态为()。

A .D1导通,D2、D3截止; B .D1、D2截止,D3导通; C .D1、D3截止,D2导通; D .D1、D2、D3均截止; 2、存储器的电路结构中包含( )、存储电路和输入/输出电路(或读写控制电路)这三个组成部分。

3、已知Intel2114是1K* 4位的RAM 集成电路芯片,它有地址线( )条,数据线( )条。

4、右图所示波形反映的逻辑函数是( )。

(其中A 、B 为输入波形,Y 为输出波形) A .与非; B .异或; C .同或; D .或; 5、对功率放大电路的基本要求是在不失真的情况下能有( )。

A .尽可能高的电压放大倍数 B.尽可能大的输出功率 C. 尽可能小的零点漂移 6、位D/A 转换器当输入数字量10000000为5v 。

若只有最低位为高电平,则输出电压为( )v ;当输入为10001000,则输出电压为( )v 。

7、已知被转换的信号的上限截止频率为10kHz ,则A/D 转换器的采样频率应高于( )kHz ;完成一次转换所用的时间应小于( )。

二、简答题(16分)1.测得放大电路中晶体管的直流电位如图,在圆圈中画出管子,标出各电极的名称,并指出是硅管还是锗管?(4分)2.写出下图电路输出逻辑表达式。

(8分)3.图中各触发器的初始状态Q=0,试画出在CP信号连续作用下各触发器Q端的电压波形。

(4分)4.如图所示为一555定时器应用电路(1)说明该电路的功能;(2)试画出电路的电压传输特性曲线。

中南大学模电试题(卷)与答案解析

中南大学模电试题(卷)与答案解析

中 南 大 学 模拟电子技术试卷(第1套)一、一、填空题(20分,每空1分)1.双极型三极管是 控制器件,当其工作在放大区时发射结需要加 偏置,集电结需要加 偏置。

场效应管是 控制器件。

2. 在有源滤波器中,运算放大器工作在 区;在滞回比较器中,运算放大器工作在 区。

3. 在三极管多级放大电路中,已知A u1=20,A u2=-10,A u3=1,则可知其接法分别为:A u1是 放大器,A u2是 放大器,A u3是 放大器。

4. 在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极R e 公共电阻对 信号的放大作用无影响,对 信号具有抑制作用。

差动放大器的共模抑制比K CMR= 。

5. 设某一阶有源滤波电路的电压放大倍数为2001200fj A+= ,则此滤波器为 滤波器,其通带放大倍数为 ,截止频率为 。

6. 如图所示的功率放大电路处于 类工作状态;其静态损耗为 ;电路的最大输出功率为 ;每个晶体管的管耗为最大输出功率的倍。

二、基本题:(每题5分,共25分)1.如图所示电路中D 为理想元件,已知u i = 5sin ωt V ,试对应u i 画出u o 的波形图。

2.测得电路中NPN 型硅管的各级电位如图所示。

试分析管子的工作状态(截止、饱和、放大)。

3. 已知BJT 管子两个电极的电流如图所示。

求另一电极的电流,说明管子的类型(NPN或PNP )并在圆圈中画出管子。

4.如图所示电路中,反馈元件R 7构成级间负反馈,其组态为 ;其作用是使输入电阻 、放大电路的通频带变 。

三、如图所示电路中,β=100,Ω='100b b r ,试计算:(15分)1.放大电路的静态工作点;(6分)2.画出放大电路的微变等效电路;(3分)3.求电压放大倍数A u、输入电阻R i和输出电阻R o;(6分)四、判断如图所示电路中引入了何种反馈,并在深度负反馈条件下计算闭环放大倍数。

(9分)五、电路如图所示。

试用相位条件判断下面的电路能否振荡,将不能振荡的电路加以改正。

中南大学2018-2019学年模电考试试卷

中南大学2018-2019学年模电考试试卷

---○---○------○---○---………… 评卷密封线 ……………… 密封线内不要答题,密封线外不准填写考生信息,违者考试成绩按0分处理 ……………… 评卷密封线 …………中南大学考试试卷2018~2019学年 2学期 模电II 课程 时间100分钟48 学时, 3 学分,闭卷,总分100分,占总评成绩 70 %—、选择正确答案填入空内。

(10分)1. 二极管加正向电压时,其正向电流是由(A )。

A. 多数载流子扩散形成B. 多数载流子漂移形成C. 少数载流子漂移形成D. 少数载流子扩散形成 2. 稳压二极管是利用PN 结的( D )。

A. 单向导电性B. 反偏截止特性C. 电容特性D. 反向击穿特性3. 只用万用表判别晶体管3个电极,最先判别出的应是 B 。

A. c 极B. b 极C. e 极4. 集成运放电路采用直接耦合方式是因为 C 。

A .可获得很大的放大倍数B . 可使温漂小C .集成工艺难于制造大容量电容 5. 通用型集成运放适用于放大 B 。

A .高频信号B . 低频信号C . 任何频率信号 6. 已知交流负反馈有四种组态:A .电压串联负反馈B .电压并联负反馈C .电流串联负反馈D .电流并联负反馈 选择合适的答案填入下列空格内,只填入A 、B 、C 或D 。

(1)欲得到电流-电压转换电路,应在放大电路中引入 B ;(2)欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号,应在放大电路中引入 C ;(3)欲减小电路从信号源索取的电流,增大带负载能力,应在放大电路中引入 A ;(4)欲从信号源获得更大的电流,并稳定输出电流,应在放大电路中引入 D 。

二、基本题(共18分)1.设题图中的二极管均为理想二极管,试判断电路中的二极管是导通还是截止,并求出端电压U AO。

(本题6分)解:题图示的电路图中,图(a)所示电路,二极管D导通,U AO=-6V,图(b)所示电路,二极管D1导通,D2截止,U AO=0V 。

2020年智慧树知道网课《模拟电子技术(中南大学)》课后章节测试满分答案

2020年智慧树知道网课《模拟电子技术(中南大学)》课后章节测试满分答案

第一章测试1【判断题】(5分)BJT管的输入电阻比MOSFET的输入电阻高。

A.对B.错2【判断题】(5分)稳压管的稳压作用是利用了PN结的反向截止特性。

A.错B.对3【单选题】(5分)要实现BJT的放大作用,对发射结与集电结的要求是()。

A.发射结正偏,集电结正偏B.发射结反偏,集电结正偏C.发射结反偏,集电结反偏D.发射结正偏,集电结反偏4【单选题】(5分)工作在放大区的某晶体三极管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C从1mA变为2m A,那么它的β约为()。

A.90B.50C.83D.1005【单选题】(5分)在放大电路中,测得BJT管三个管脚电位分别为6V、6.7V、12V,则这三个管脚分别是()。

A.E、B、CB.E、C、BC.C、E、BD.C、B、E6【单选题】(5分)A.73B.8.7C.5.7D.4.37【单选题】(5分)设某增强型N沟道MOS管U GS(th)=3V,试问当它的栅源电压u GS=2.5V时,该管处于()区。

A.放大B.可变电阻C.截止D.击穿8【多选题】(5分)A.aB.bC.dD.c9【多选题】(5分)A.bB.dC.cD.a10【多选题】(5分)A.bB.dC.cD.a第二章测试1【判断题】(5分)阻容耦合两级放大电路各级的Q点相互独立,所以可以各级独自计算各自的Q点。

A.对B.错2【判断题】(5分)耗尽型N MOS管的多子与少子都参与导电。

()A.错B.对3【单选题】(5分)A.12B.0.5C.0.7D.64【单选题】(5分)设某增强型N沟道MOS管U GS(th)=3V,试问当它的栅源电压u GS=2.5V时,该管处于()状态。

A.截止B.放大C.饱和D.击穿5【单选题】(5分)A.6B.4.24C.5.7D.4.036【单选题】(5分)A.=-1200B.=1200C.>1200D.<12007【单选题】(5分)A.40B.10C.1008【多选题】(5分)现有直接耦合基本放大电路如下,有电流放大作用的电路是()。

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4.在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极Re公共电阻对信号的放大作用无影响,对信号具有抑制作用。差动放大器的共模抑制比KCMR=。
5.设某一阶有源滤波电路的电压放大倍数为 ,则此滤波器为滤波器,其通带放大倍数为,截止频率为。
6.如图所示的功率放大电路处于类工作状态;其静态损耗为;电路的最大输出功率为;每个晶体管的管耗为最大输出功率的
中南大学
模拟电子技术试卷(第1套)
一、一、填空题(20分,每空1分)
1.双极型三极管是控制器件,当其工作在放大区时发射结需要加偏置,集电结需要加偏置。场效应管是控制器件。
2.在有源滤波器中,运算放大器工作在区;在滞回比较器中,运算放大器工作在区。
3.在三极管多级放大电路中,已知Au1=20,Au2=-10,Au3=1,则可知其接法分别为:Au1是放大器,Au2是放大器,Au3是放大器。
6.乙类、0、 、0.2。
二、
2.放大状态。
4.电压串联负反馈、增大、宽。
三、
பைடு நூலகம்1.
2.
四、反馈组态为:电压-串联负反馈
五、该放大电路为共基接法,根据瞬时极性法可知引入了负反馈,不能振荡。
更正:将变压器副边的同名端标在“地”的位置即可。
六、
1.
七、运放构成差动输入形式,反相端输入为UI,同相端输入 。
4.如图所示电路中,反馈元件R7构成级间交流负反馈,其组态为;
其作用是使输入电阻、放大电路的通频带变。
三、如图所示电路中,β=100, ,试计算:(共15分)
1.放大电路的静态工作点;(6分)
2.画出放大电路的微变等效电路;(3分)
3.求电压放大倍数Au、输入电阻Ri和输出电阻Ro;(6分)
四、判断如图所示电路中引入了何种反馈,并在深度负反馈条件下计算闭环放大倍数。(9分)
八、
1.误差放大器的同相在下方、反相端在上方。
2.电路由四个部分构成:(1)由R1、R2和RW构成的取样电路;(2)由运放构成负反馈误差放大器;(3)由R和DW构成基准电压电路;(4)由T1和T2复合管构成调整管。
3.
倍。
二、基本题:(每题5分,共25分)
1.如图所示电路中D为理想元件,已知ui= 5sinωtV,试对应ui画出uo的波形图。
2.测得电路中NPN型硅管的各级电位如图所示。试分析管子的工作状态(截止、饱和、放大)。
3.已知BJT管子两个电极的电流如图所示。求另一电极的电流,说明管子的类型(NPN或PNP)并在圆圈中画出管子。
五、电路如图所示。试用相位条件判断下面的电路能否振荡,将不能振荡的电路加以改正。(6分)
六、用理想运放组成的电压比较器如图所示。已知稳压管的正向导通压降UD=0.7V,UZ= 5V。(10分)
1.试求比较器的电压传输特性;
2.若ui=6sinωtV,UR为方波如图所示,试画出uo的波形。
七、理想运放电路如图所示,设电位器动臂到地的电阻为KRW,0≤K≤1。试求该电路电压增益的调节范围。(10分)
八、一串联型稳压电路如图所示。已知误差放大器的Au>>1,稳压管的Uz=6V,负载RL=20Ω。(10分)
1.试标出误差放大器的同相、反相端;
2.说明电路由哪几部分组成?
3.求Uo的调整范围;
参考答案
一、
1.电流、正向、反向;电压。
2.线性、非线性。
3.共基、共射、共集。
4.差模、共模、 。
5.低通、200、200。
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