微纳加工PPT
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微纳制造PPT
二、国内外微纳技术研究现状
纳米制造在工业应用上更少。究其原因,一方 面是因为我国工业底子薄,一些最适合应用到 微纳技术的领域如芯片、大规模集成电路、汽 车以及飞机发动机系统、高端制导系统等,核 心技术、核心装备并没有掌握在我们手里;另 一方面.我国的科研体系更倾向于能够产生市 场效益的工程研究,而对于短期无法看到效益 的基础研究支持力度不够,甚至有逐年下滑的 趋势:第三。微纳制造技术不只是加工方法的 问题,同样是制造装备的问题。高精密仪器设 备及高精度制造、测量技术也是制约我国微纳 技术发展的因素之一。
三、聚合物在微纳技术中的作用
3.在印刷复制技术中作用: (1)电子束和光照技术都是基于高分子材料光敏 化学作用,而印刷复制技术是一种物理成型 表面浮雕图案的方法,有高产量,低成本的 优势。 (2)成型方法:热压成型
三、聚合物在微纳技术中的作用
注塑成型:微注塑成型不仅仅是缩小模具尺 寸的问题,还有许多新问题。
四、微纳技术面临的问题
2.纳米制造的精度理论和体系、纳米结构的 物理性能和机械性能的表征、以及纳米器件 可制造性和可检测性的评价都是当前尚未解 决的难题或研究的热点问题。
一、微纳技术简介ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
3.微纳技术主要特征有:
(1)制造对象与过程涉及跨(纳/微)尺度;
(2)制造过程中界面/表面效应占主导作用;
(3)制造过程中原子/分子/行为及量子效应影 响显著;
(4)制造装备中微扰动的影响显著。
二、国内外微纳技术研究现状
1. 微纳加加工技术一般指微米、纳米级( 1100nm) 的材料、设计、制造、测量、控制和产 品的研究、加工、制造以及应用术由于受到基 础装备、工艺技术、科研经费、行业基础等多 方面因素的影响。我国的微纳制造技术的研究 与世界先进水平之间尚有差距。 从制造角度来说,国内的微纳技术应用除了 在微电子技术、生命科学生物工程及材料应用 外,在机电工程领域如静电陀螺等精确制导系 统方面也有应用。但总体上来说,国内微纳制 造加工成熟度不高
(完整版)微纳加工
11
上图为该工艺过程的说明
二、横向抽减法
1、定义 2、应用 3、目的 4、其他方法
12
1、定义
? 横向抽减加工方法 : 横向抽减法是将一个宽图形从两侧逐渐抽减使之最后变
成窄图形的方法。 利用化学湿法腐蚀的各向同性和反应离子刻蚀的部分各
向同性,是实现横向抽减的一种有效途径。使用这一技术 的关键是要 尽可能使刻蚀达到各向同性 ,即达到尽可能显 著的横向刻蚀 。
2、工艺步骤
? 纳米球阵列掩膜制作点阵结构的过程包括:纳米球 自组装、蒸发镀膜、去除纳米球掩膜层等步骤。
32
2、工艺步骤
? 1、纳米球自组装:利用普通甩胶机将含有纳米球的悬浮 液旋转涂覆到样品表面,通过纳米球间液体毛细管作用 形成规则排列,形成纳米球阵列掩膜。
? 2、蒸发金属镀膜。镀膜厚度为10~20nm。 ? 3、酸中溶解
? 二氧化硅纳米球阵列还可以作为微透镜阵列。每一 个二氧化硅都是一个球形透镜,可以将入射光汇聚 成一点。
35
纳米球阵列刻蚀掩膜
? 将二氧化硅小球排列在光刻胶层上,入射光进入球 透镜阵列会聚对光刻胶曝光,显影后在光刻胶上形 成孔阵列。小孔的大小不仅与球透镜会聚光斑的大 小有关,还与曝光剂量有关。
如用0.97微米直径的二氧化硅小球和365nm波长紫外光 可以在光刻胶上得到250nm的孔阵列。若要制作100nm 以下的孔阵列,需要用深紫外波长的光源曝光。
将镀膜后的样品放在氯乙酸中,将聚苯乙烯纳米球溶解, 最后在衬底材料表面留下纳米金属点阵。
33
图示金属点阵
如图所示,这些只有几十个纳米的金属点 阵可以用于量子点器件、高密度磁存储器 件等应用。
34
纳米球阵列刻蚀掩膜
? 纳米球阵列可以做刻蚀掩膜,将纳米球阵列的间隙 图形转移到衬底材料上,此处需要二氧化硅纳米球 阵列做掩膜,刻蚀形成纳米孔的点阵。
上图为该工艺过程的说明
二、横向抽减法
1、定义 2、应用 3、目的 4、其他方法
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1、定义
? 横向抽减加工方法 : 横向抽减法是将一个宽图形从两侧逐渐抽减使之最后变
成窄图形的方法。 利用化学湿法腐蚀的各向同性和反应离子刻蚀的部分各
向同性,是实现横向抽减的一种有效途径。使用这一技术 的关键是要 尽可能使刻蚀达到各向同性 ,即达到尽可能显 著的横向刻蚀 。
2、工艺步骤
? 纳米球阵列掩膜制作点阵结构的过程包括:纳米球 自组装、蒸发镀膜、去除纳米球掩膜层等步骤。
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2、工艺步骤
? 1、纳米球自组装:利用普通甩胶机将含有纳米球的悬浮 液旋转涂覆到样品表面,通过纳米球间液体毛细管作用 形成规则排列,形成纳米球阵列掩膜。
? 2、蒸发金属镀膜。镀膜厚度为10~20nm。 ? 3、酸中溶解
? 二氧化硅纳米球阵列还可以作为微透镜阵列。每一 个二氧化硅都是一个球形透镜,可以将入射光汇聚 成一点。
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纳米球阵列刻蚀掩膜
? 将二氧化硅小球排列在光刻胶层上,入射光进入球 透镜阵列会聚对光刻胶曝光,显影后在光刻胶上形 成孔阵列。小孔的大小不仅与球透镜会聚光斑的大 小有关,还与曝光剂量有关。
如用0.97微米直径的二氧化硅小球和365nm波长紫外光 可以在光刻胶上得到250nm的孔阵列。若要制作100nm 以下的孔阵列,需要用深紫外波长的光源曝光。
将镀膜后的样品放在氯乙酸中,将聚苯乙烯纳米球溶解, 最后在衬底材料表面留下纳米金属点阵。
33
图示金属点阵
如图所示,这些只有几十个纳米的金属点 阵可以用于量子点器件、高密度磁存储器 件等应用。
34
纳米球阵列刻蚀掩膜
? 纳米球阵列可以做刻蚀掩膜,将纳米球阵列的间隙 图形转移到衬底材料上,此处需要二氧化硅纳米球 阵列做掩膜,刻蚀形成纳米孔的点阵。
微纳电子材料与工艺PPT演示文稿
Solidification of an isomorphous alloy such as Cu-Ni.
(a) Typical cooling curves (b) The phase diagram marking the regions of existence for the phases
zhouh81pkuszeducn311975年spear通过辉光放电技术分解硅烷得到的非晶硅薄膜中含有一定量的氢使得许多悬挂键被氢化大大降低了材料的缺陷态密度并且成功地实现了对非晶硅材zhouh81pkuszeducn32反应腔内抽上真空充入氢气或氩气稀释的硅烷气体直流或高频电源用电容或电感耦合的方式加在反应腔内的电极上腔内气体在电源作用下电离分解形成辉光的等离子体
zhouh81@32
反应腔内抽上真空,充入氢气或氩气 稀释的硅烷气体,直流或高频电源用电容 或电感耦合的方式加在反应腔内的电极 上,腔内气体在电源作用下电离分解,形 成辉光的等离子体。非晶硅薄膜就淀积在 加热的衬底上,一般衬底温度在250-500度 之间。若在反应气体中加入适当比例的 PH3或B2H6气体,便可以得到n型或p型的 掺杂非晶硅薄膜。
晶体
非晶体
zhouh81@30
当电子态密度增 加到一定数量的 时候,局域态会 质变成扩展态, 电子便能自由的 在非晶硅里迁移, 电子迁移率陡增。
zhouh81@31
1975 年,Spear通过辉光放电技术 分解硅烷,得到的非晶硅薄膜中含 有一定量的氢,使得许多悬挂键被 氢化,大大降低了材料的缺陷态密 度,并且成功地实现了对非晶硅材 料的p型和n型掺杂。
zhouh81@46
Diffusion Coefficient
zhouh81@47
《微纳加工技术》课件
聚焦离子束技术
特点:精度高、可控性好、 可加工复杂结构
原理:利用高能量的离子束 轰击材料表面,形成微纳结 构
应用:微纳电子、微纳光学、 微纳机械等领域
发展趋势:与光刻技术相结 合,提高加工精度和效率
化学气相沉积技术
原理:通过化学反应在气相中形成 薄膜
应用:广泛应用于微电子、光电子 等领域
添加标题
热管理:微纳加工 技术用于制造高性 能的热管理设备, 如热交换器、散热 器等
06
微纳加工技术的挑战与 展望
微纳加工技术的挑战
精度要求高:需要达到纳 米级精度
材料选择困难:需要选择 适合微纳加工的材料
工艺复杂:需要掌握多种 微纳加工工艺
成本高昂:微纳加工设备 的研发和制造成本高
微纳加工技术的发展趋势
2004年,美国科学家查尔斯·利伯发明 纳米碳管,为纳米材料研究提供新方向
2010年,美国科学家乔治·怀特塞兹发 明石墨烯,为纳米电子学研究提供新领 域
03
微纳加工技术的基本原 理
微纳加工技术的物理基础
微纳加工技术的基本原理: 利用物理或化学方法,在微 米或纳米尺度上对材料进行 加工
物理基础:包括光学、电学、 磁学、热学等物理原理
微纳加工技术在生物医学 领域的应用
微纳加工技术在生物医学 领域的优势
微纳加工技术在生物医学 领域的挑战
微纳加工技术在生物医学 领域的未来发展趋势
能源领域的微纳加工技术应用
太阳能电池:微纳 加工技术用于提高 太阳能电池的效率 和稳定性
燃料电池:微纳加 工技术用于制造高 性能的燃料电池电 极
储能设备:微纳加 工技术用于制造高 性能的储能设备, 如超级电容器、锂 离子电池等
超快激光微纳加工:原理、技术与应用(程亚等)PPT模板全文
光刻
和焦面强度倾斜
第3章超快激光 脉冲时空整形
3.4光束整形加工应用 举例
3.4.1无 衍射光束
加工
3.4.2脉 冲偏振整
形加工
3.4.3飞 秒激光超 分辨加工
0
7
第4章超快激光对材料的表面处理
材第
料 的 表 面 处 理
章 超 快 激 光 对
4
01 4 .1 飞 秒激 光加工薄 02 4 .2 材 料表 面的钻孔
6.3光子器件的制备
6.4高品质光学微腔
参考文献
第6章透明介电 材料内部的三维 光子学集成
6.2透明材料内部中三维光波 导的制备
6.2.2波导的 制作方式
1
2
3
6.2.1制作波导 的影响因素
6.2.3不同材 料
第6章透明介电材料 内部的三维光子学集 成
6.3光子器件的制备
0 1
6.3.1分束器
0 2
超快激光微纳加工:原 理、技术与应用(程亚等)
演讲人 2 0 2 x - 11 - 11
0
1
丛
书
序
丛书序
0
2
序
言
序言
0
3
前
言
前言
0
4
第1章超快激光加工概述
第1章超快激光加 工概述
1.1超快激光加工介绍 1.2超快激光加工的特点 1.3超快激光材料处理 参考文献
第1章超快激 光加工概述
0 3
8.3精密切割
0 6
参考文献
第8章超快激光加工 在现代工业中的应用
8.1表面处理
8.1.1抗 摩擦损耗
结构
8.1.2浮 雕和成型
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1、晶圆处理工序
• 本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及 电子元件(如晶体管、电容、逻辑开关 等),其处理程序通常与产品种类和所使 用的技术有关,但一般基本步骤是先将晶 圆适当清洗,再在其表面进行氧化及化学 气相沉积,然后进行涂膜、曝光、显影、 蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤, 最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与 制作。
微纳技术的重要地位
• 微纳技术是继IT、生物之后。21世纪最具 发展潜力的高新技术,是未来十年高增长 的新兴产业。也是高新技术产业发展新的 增长点,同样也是当今高科技发展的重要 领域之一。
数码相机的镜头, 数码相机的镜头,镜片生产方式
• 一、光学冷加工(传统的生产方式) • 二、以冲压形式生产
冲压式生产时的模床控制与加工精 度
• 冲压式生产的设备都是特制的,控制采用 开放式工业级计算机架构,外接普通笔记 本电脑,应用VB编程实现对马达与盛物台 的控制。马达基本控制采用omoron变频器 实现转速控制。马达是气动的,采用压缩 空气做支撑与驱动,当然采用别的形式也 行。马达转速要求20000+—1每分。冲压采 用机器人自动冲压,真空加热炉中采用类 似于磁控管方式实现急热,冷却时使用氮 气。
硬盘加工
• 硬盘作为计算机数据存储的主要部件,其 磁存储密度不断上升,磁头与磁盘磁介质 之间的距离进一步减小,对磁盘表面质量 的要求也越来越高。
• 一方面,当硬盘表面具有波度时,磁头就 会随着高速旋转的存储器硬盘的波动上下 运动,当波度超过一定的高度时,磁头就 不再能随着波度运动,它就会与磁盘基片 表面碰撞,发生所谓的“磁头压碎”导致 磁盘设备发生故障或读写信息的错误。
3、构装工序
• 就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的 芯片基座上,并把晶粒上蚀刻出的一些引 接线端与基座底部伸出的插脚连接,以作 为与外界电路板连接之用,最后盖上塑胶 盖板,用胶水封死。其目的是用以保护晶 粒避免受到机械刮伤或高温破坏。到此才 算制成了一块集成电路芯片(即我们在电 脑里可以看到的那些黑色或褐色,两边或 四边带有许多插脚或引线的矩形小块)。
• 另一方面,当存储器硬盘表面上存在数微 米的微凸起时也会发生磁头压碎。此外, 当硬盘表面存在凹坑时,就不能完整地写 入信息,由此导致所谓的“比特缺损”或 信息读出的失败。
• 因此,在盘片表面加工中,就要求制造能 够使磁头浮动高度更小、具有优异的表面 光滑度、没有表面缺陷(突起划痕和凹坑)
• 目前,大多数硬盘采用镍磷敷镀的铝合金 作为磁盘盘片,采用纳米磨料化学机械抛 光(Chemical Mechanical Polishing,简称 CMP)技术作为盘片最终 纳米技术(Nanotechnoloav)一词最早是从加工精 度研究的角度延伸出来的。制造业的发展对加工 精度提出了越来越高的要求,传统机床的加工精 度已经远远不能满足飞速发展的消费及军工领域 的要求,如电子硅芯片、大规模集成电路,以及 对表面粗糙度要求很高的液晶面板等,于是,人 们把眼光投入到精度更高的加工技术上,从最初 的毫米级,到微米级(千分之一毫米),到纳米级 (千分之一微米),于是,“微纳技术”这一概念 就应运而生了。
LED生产工艺流程 LED生产工艺流程
一、固晶 二、焊线 三、压模(灌胶/点胶) 四、切割(切脚) 五、外观检测 六、测试分光 七、包装
一、固晶
• 固晶的目的是:利用銀膠(绝缘胶)將晶 固晶的目的是:利用銀膠(绝缘胶)將晶 片與支架(PCB) 片與支架(PCB)粘連在一起。
銀膠的作用:1、導電。 2、粘接
金線
晶片 支架/PCB 上述為焊線示意圖
三、压模(灌胶/点胶)
金線
LAMP灌胶
• 目的:利用 膠水(環氧 樹脂)將已 固晶、焊線 OK半成品 OK半成品 封裝起來。
晶片 導電支架 膠體
金線 胶体 晶片 支架/PCB SMD压模 TOP点胶
支架 胶水
四、切割
• 将整片的PCB或者支架切割成单颗材料 将整片的PCB或者支架切割成单颗材料
• 到目前为止。微纳技术已经被广泛应用于 国防军工和民用产品。最主要的应用如纳 米级机械加工、电子束和离子束加、LIGA 技术、扫描隧道显微加工技术等。
我国微纳制造技术发展现状
• 由于受到基础装备、工艺技术、科研经费、 行业基础等多方面因素的影响。我国的微 纳制造技术的研究与世界先进水平之间尚 有差距。
以冲压形式生产
• 进行必要的清洗工作后,就进入镜片的粘 结程序,比较简单了,基本要求是光轴尽 可能的对齐
光学镜片生产的难点
• 1、镜片设计 • 2、镜头设计 • 3、加工难度
光学冷加工时的的模床控制与加工 精度
• 光学冷加工时的模具生产采用精度稳定的 CNC ,即可对普通的铸铁材料进行取形。 MC对铜片钻孔,但不是钻透,而是保留35um用来在其上放置需要被镀膜的镜片
光学冷加工
• 此过程离不开模具的生产,重点是实现镜 片外形与生产时夹持的功能的模具,基本 上用5轴CNC设备便可。另外在镀膜时的参 数设置(主要是镀膜机的温度,镀膜材料 的选择等),以及,镀膜时使用的用来盛 放镜片的盛具对加工要求精度比较高,对 加工设备,检查设备,以及人员素质 要求 也较高。
以冲压形式生产
4、测试工序
• 芯片制造的最后一道工序为测试,其又可分为一 般测试和特殊测试,前者是将封装后的芯片置于 各种环境下测试其电气特性,如消耗功率、运行 速度、耐压度等。经测试后的芯片,依其电气特 性划分为不同等级。而特殊测试则是根据客户特 殊需求的技术参数,从相近参数规格、品种中拿 出部分芯片,做有针对性的专门测试,看是否能 满足客户的特殊需求,以决定是否须为客户设计 专用芯片。经一般测试合格的产品贴上规格、型 号及出厂日期等标识的标签并加以包装后即可出 厂。而未通过测试的芯片则视其达到的参数情况 定作降级品或废品。
沿着红线 地方切割
五、切割
• 将整片的PCB或者支架切割成单颗材料 将整片的PCB或者支架切割成单颗材料
外观检测, 将不良产品 剔除。比如: 杂物、多, 杂物、多, 少膠、插深, 淺、插偏、 淺、插偏、 切割偏移、 等等
LED芯片的制造工艺简介 芯片的制造工艺简介
LED芯片的制造过程可概分为 芯片的制造过程可概分为: 芯片的制造过程可概分为 晶圆处理工序( 晶圆处理工序(Wafer Fabrication) ) 晶圆针测工序( 晶圆针测工序(WaferProbe) ) 构装工序( 构装工序(Packaging) ) 测试工序( 测试工序(Initial Test and FinalTest)等 ) 几个步骤。 几个步骤。 • 其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段 (Front End)工序,而构装工序、测试工 )工序,而构装工序、 序为后段( 序为后段(BackEnd)工序。 )工序。 • • • • •
微纳加工报吿
报告人:王成勇 教授
报告提纲
• 微纳加工技术的概念发展现状与发展趋势 • 微纳加工的应用
微纳加工技术
• 微纳技术一般指微米、纳米级(O,1100nm)的材料、设计、制造、测量、控制 和产品的研究、加工、制造以及应用技术。 在基础科研以及制造行业中,微纳技术的 研究从其诞生之初就一直牢据行业的尖端 位置。
(主要用於單電極的晶片,單電極 即發光區表面只有一個電極)
支架/PCB
絕緣膠(白膠)作用:粘接 (主要用於雙電極的晶片,即晶片
發光區有二個電極)
晶片
銀膠(絕緣膠)
二、焊線
• 焊線的目的是:利用金線將晶片與支架 焊線的目的是:利用金線將晶片與支架 /PCB焊接在一起,形成一個導電回路。 /PCB焊接在一起,形成一個導電回路。
2、晶圆针测工序
• 经过上道工序后,晶圆上就形成了一个个 的小格,即晶粒,一般情况下,为便于测 试,提高效率,同一片晶圆上制作同一品 种、规格的产品;但也可根据需要制作几 种不同品种、规格的产品。在用针测 (Probe)仪对每个晶粒检测其电气特性, 并将不合格的晶粒标上记号后,将晶圆切 开,分割成一颗颗单独的晶粒,再按其电 气特性分类,装入不同的托盘中,不合格 的晶粒则舍弃。
• 玻璃原材料放到相应的模具中放在900度左 右的冲压环境中进行冲压,此环节是高度 自动化的环境,同时对速度要求也比较高。 成型后的镜片会送入表面检查环节,主要 是人工,检查表面是否有划伤 。
以冲压形式生产
• 检查合格的镜片会送入取型工序,主要是 一些半自动机器使用砂轮在径向进行加工 得到想要的尺寸 。