第四章异质结双极型晶体管ppt课件

若ΔEg=0.2eV，与相同掺杂(NE/NB相同）的BJT相比，则 HBT的β提高了2191倍
-
化合物半导体器件
4.2 HBT的增益
4.2.2 考虑界面复合后HBT的增益
1）发射结界面态的影响：引起复合电流Ir（在基区） 2）发射极电流Ie：Ie=In+Id+Ip 3）基极电流Ib：Ib=Ip+Id+Ir 4）收集极电流Ic：Ic=In-Ir 5）共射极增益：β=γ/1-γ≈In/Id 6）复合电流的影响：
图 4.10 Si1-xGex的临界厚度与Ge组分的关-系
应变Si1-xGex带隙与组分的关系
化合物半导体器件
4.4 先进的HBT
4.4.1 硅基HBT-SiGe HBT 4、SiGe HBT的电学特性
不同Ge组分x时，SiGe HBT的IC-VBE
SiGe HBT和Si BJT的IC、IB与VBE的关
-
化合物半导体器件
4.1 HBT的基本结构
4.1.5 突变发射结、缓变基区HBT
①两个重要的影响因素： ②总的τB： ③ΔEC和ΔEgB要适中： ④νd与ΔEC和ΔEgB的关系 ： ⑤电流增益：
-
化合物半导体器件
第四章 异质结双极型晶体管
• HBT的基本结构 • HBT的增益 • HBT的频率特性 • 先进的HBT
• τd为集电结耗尽层渡越时间（信号延迟时间）。
小信号下影响fT的主要因素：
-
化合物半导体器件
4.1 HBT的基本结构
4.1.4 缓变发射结、缓变基区HBT ①缓变发射结： ②缓变基区： ③自建电场：
-
化合物半导体器件
4.1 HBT的基本结构
4.1.34 缓变发（射渐结变、）缓HB变T基区HBT ④速度过冲；⑤基区渡越时间；⑥电流增益； ⑦缓变基区的作用；⑧缓变基区的形成
-
化合物半导体器件
4.3 HBT的频率特性
4.3.2 开关时间τb
b
W
2 B
2Dn
例如，AlGaAs/GaAs开关晶
体
管的τb ： ①比合金扩散结晶体管快5倍
②比Si BJT快8倍。
缓变基区HBT能带
减小τb的方法：组分渐变的基区（ν=μE )
-
化合物半导体器件
4.3 HBT的频率特性
4.3.3 宽带隙集电区
4.1 HBT的基本结构
4.1.1 HBT的基本结构与特点
④HBT的典型异质结构：
a.突变发射结； b.缓变发射结； c.缓变发射结，缓变基区； d.突变发射结，缓变基区。
⑤HBT的特性：（与 BJT相比）
a.高注入比； b.高发射效率； c.高电流增益； d.高频、高速度。
-
HBT的典型结构图
化合物半导体器件
好处： ①可阻止空穴从基区向集电区注入； ②增大了击穿电压； ③减小了漏电流。
图4.9 双异质结的能带（发射区和 集电区都采用宽带隙半导体）
-
化合物半导体器件
第四章 异质结双极型晶体管
• HBT的基本结构 • HBT的增益 • HBT的频率特性 • 先进的HBT
-
化合物半导体器件
4.4 先进的HBT
4.1 HBT的基本结构
4.1.2 突变发射结HBT
①器件特点：
基区渡越初始速度高
②基区输运模型：
弹道式渡越
③晶格散射的影响： ④电流增益β：
高的β
⑤ΔEc：
应小于基区导带的 能谷差EL-EΓ
图4.2 (a) 突变发射结HBT的能带图图
-
化合物半导体器件
4.1 HBT的基本结构
4.1.3 缓变（渐变）发射结HBT ①电流输运：扩散模型 ②发射极电流： ③发射效率： ④电流增益：
①HBT:Heterojunctiong Bipolar Transistor，
异质结双极晶体管
②HBT的能带结构特点：
a.宽禁带的e区： 利于提高γ；
b.窄禁带的b区： Eg小于b、c区；
c.pn结： 异质的eb结； 同质或异质的cb结。
③HBT的基本结构
图4.1 npn HBT结构的截面图
-
化合物半导体器件
-
化合物半导体器件
4.3 HBT的频率特性
4.3.1 最大振荡频率fmax
1
fmax
1 2
fT
1
fC 2
8R fTbCc
2
fT
1
2(EBCd)
1
fC 2 RbCe
截止频率（特征频率）fT：共发射极电流增益为1（0dB)时 的频率
最大振荡频率fman：晶体管具有功率放大作用的极限频率， 即晶体管功率增益下降为1（输出功率=输出功率）时的频率。
图4.5 npn HBT中的载流子输运示意图
-
化合物半导体器件
4.2 HBT的增益
4.2.3 HBT增益与温度的关系
图4.7 不同温度下SiGe HBT电流增益(β= IC/ IB ) 与集电极电流的关系
-
化合物半导体器件
第四章 异质结双极型晶体管
• HBT的基本结构 • HBT的增益 • HBT的频率特性 • 先进的HBT
4.4.1 硅基HBT-SiGe HBT
1、SiGe HBT的优点 2、SiGe HBT的结构特
点
SiGe HBT的缓变发射结 和缓变基区能带图
n-p-n Si/SiGe/Si HBT的器件结构 -
化合物半导体器件
4.4 先进的HBT
4.4.1 硅基HBT-SiGe HBT 3、应变Si1-xGex 材料的特性
-
化合物半导体器件
4.2 HBT的增益
4.2.1 理想HBT的增益
共射极： 1
1
1
1
1JpE JnE
1D DE BW W B En pB E00 1D DB EW W E BN NE B
N N E Bexp E gE k 0T E gB N N E Bexp k0 E T g
化合物半导体器件
Compound Semiconductor Devices
微电子wk.baidu.com院 戴显英
2013.9
-
化合物半导体器件
第四章 异质结双极型晶体管
• HBT的基本结构 • HBT的增益 • HBT的频率特性 • 先进的HBT
-
化合物半导体器件
4.1 HBT的基本结构
4.1.1 HBT的基本结构与特点
N N E Bexp E gE k 0T E gB N N E Bexp k0 E T g
图4.2 (b) 渐变发射结HBT的能带图
-
化合物半导体器件
4.1 HBT的基本结构
4.1.3 缓变（渐变）发射结HBT ⑤频率特性：
fT
1
2(EBCd)
1
fmax
2
fT
fC
1 2
• τE为发射结电容充放电时间； • τB为渡越基区的时间； • τC为集电结电容的充放电时间；