多晶硅块检验标准

多晶硅锭/块

质量检验规范

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年月日发布年月日正式

实施

目录

一. 适用范围

二. 引用标准

三. 检验项目

四. 检验工具

五. 实施细则

1. 硅锭/块电性能检测

2. 多晶硅块阴影检验

3. 硅块电性能阴影判定

4. 多晶硅块外观尺寸检验

附表1：硅锭/块性能检验标准

附表2：硅块外观尺寸检验标准

一.适用范围

本细则规定了多晶硅锭/块的电性能/阴影杂质/外观尺寸的检验项目、测量器具、检测方法、操作步骤、判定依据，适用于正常生产的多晶硅锭/硅块的质量检验。

二. 引用标准

《硅锭内控标准》

《Q/BYL02太阳能级多晶硅片》

《硅片切割工艺文件》

三.检验项目

电阻率、少子寿命、导电类型、氧/碳含量、外观、几何尺寸、硅块杂质/隐形裂纹

四.检验工具

四探针电阻率测试仪、导电类型测试仪、少子寿命测试仪、红外阴影扫描测试仪、游标卡尺（0.02mm精度）、万能角度尺、钢板尺

五.实施细则

1. 硅锭/块电性能检测

1.1 硅块测试取样及测试面的选取

16块规格的硅块每锭抽测A块、B块和F块三块，25块规格的硅锭每锭抽测A块、B块、G块、M块四块，若“测量样块”表面无法测试时可选用对称位置的其他硅块代替。（测量样块表面手感平整无明显“锯痕”、“台阶”等现象，测试时保证测试平面与少子寿命测试仪测试头无摩擦，防止损伤“测试头”，测试过程中“测试头”与测试平面距离(2±1mm)基本保持一致）。

通常选择“测量样块”的第2或3面（硅块上箭头所指方向为第1面，顺时针依次为2、3、4面）。若A块第2或3面质量不符合测试要求，则选取D块第3、4面或M块第1、2面或P块第1、4面其中一面进行测试；B、G、F、M样块的测量出现质量不符合测试要求的情况可按以上A块测量方式测量；并在记录中注明。

D H L P

E J O T Y

16块规格 25块规格

注：

电性能参数不影响209mm切割高度的生产锭：

16块规格:A块代表该硅锭四角的硅块（硅块A、D、M、P块，共4块）；B块代表四周的硅块（B、C、E、H、I、L、N、O块，共8块）F块代表该硅锭中间的硅块（硅块F、G、J、K块，共4块)；

25块规格：A块代表该硅锭四周的硅块（硅块A、D、M、P块，共4块）；B块代表四周的硅块（B、C、D、F、J、K、O、P、T、V、W、X块，共12块）；G、M块代表中间的硅块（G、H、I、L、M、N、Q、R、S块，共9块）。

电性能参数影响209mm切割高度的生产锭：

根据实际情况进行测试，保证数据准确，并具有代表性，并在记录中注明。

1.2 电阻率测试

用四探针电阻率测试仪对报检硅块首、中、尾三个部位进行电阻率测试，（测试点

要求距底10＋5

mm左右、距顶25

＋5

mm左右、距侧棱大于7mm，电阻率测试采取5点取平

均值法测试并符合附表1要求。（测试时，四个探针所在的平面平行于硅块底面，尽可能在同一晶界内。）

对于表面电阻率分布有一级、二级、不合格区域之分的“测量样块”，要将一级、二级、不合格区域划出分界线（此时样块不具备代表性，应逐块测量），并测量记录各高度。

1.3 导电类型测试

用导电类型测试仪测试样块各表面导电类型为p型，以样块导电类型判定其硅锭导电类型；如有“反型现象”，在4个面反型最低点作出标记线（如样块反型高度影响有效切割高度时，样块不具备代表性，应逐块测量），并测量记录反型高度。

1.4 少子寿命测试

1.4.1仪器的选定及校对

a.正常生产中的工序少子寿命检验，可使用Semilab公司生产的“WT-2000”和GT公司生产的“GT－LSS-100”。

b.设备使用前需进行标准校对，通过标准块少子寿命曲线比对来确定仪器的准确性。

c.当对测试仪测试的结果产生疑问时，应进行复测比对。

1.4.2测量前的准备

使用测试仪时，检验员先测试、查看存放的标准硅块的少子寿命，比较少子寿命图的一致性，以确定测量仪器的准确性；每班至少一次。

1.4.3具体测试

用少子寿命测试仪测试“样块”少子寿命，将少子寿命曲线存入计算机。使用Semilab“WT-2000”设备时，记录少子寿命的平均值（指去除底部14mm以上剩余的209mm高度内硅块少子寿命的平均值）。

1.5 合格判定

根据《硅锭的内控标准》，电阻率、平均少子寿命有一项以上符合二级品等级的硅块或硅块相应区域，判定为二级品或二级区域；有一项以上存在不合格等级的硅块或硅块相应区域，判定为不合格品或不合格区域。

1.6 记录

a.根据硅块的一级品高度、二级品高度、不合格高度，填写《硅锭质量检验记录表》，计算该锭一、二等级高度、不合格高度及最终结果。

b.对于少子寿命的测量，在指定文件夹内保存测试结果图（文件名命名规则：“锭号-硅块规格-电阻率值-面号”）。

2. 多晶硅块阴影检验

2.1 阴影的分类

2.1.1形状

①水平带状②珊瑚状③圆斑状

④分散点状⑤单独点状⑥竖直条状

2.1.2位置

①顶部②中部③底部

2.1.3颜色

①深黑②浅黑

2.2 判定方法

2.2.1杂质一般存在顶部、底部、局部团聚（较硬）、分散细点状（较软），中部圆形、顶底花形、颜色较黑。

（1）硅块杂质的判定

a.自顶部开始向下连续延伸的直接沿下边缘去除，并查看切割断面是否有杂质未去除完全。