电磁兼容单位换算
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常量计算如下： 磁通密度 B（T）等于磁场强度 H（A/m）除以磁导率 μ(H/m)。 对于自由空间，μ0=4π×10-7H/m 将 T 转换成 pT 将 A/m 转换成 mA/m，两边取对数，则： 240 - 120 + 20Log10[4π x 10 ]-7 = 2.0
磁感应强度的单位用高斯 (G) ，它与国际单位制中的特斯拉 (T) 的换算关系是 1T= 10000G 1mT=10G 1μT=0.01G 1nT=0.00001G
对于 50Ω电阻以及 1 mW 功率
-30 = 20Log10[I] + 17 20Log10[I] = 73 dB
功率密度
dBw/M2 = 10Log10[V/M - A/M]
dBm/M2 = dBw/M2 + 30 常量 30 是 1000 按下式换算后的对数值： 10Log10[1000] = 30
AF (对于 50 Ω) = 20 log f (MHz) - G(dBi) - 29.78 dB. 这里 f 是频率，G 是天线全向增益（dBi）.
(E) dBμv/M = (Vo) dBμv + (AF) dB/M
AF 是天线因子。 E 是电场强度。 Vo 频谱仪的校准输出。
磁通量密度
dBpT = dBμA/M + 2.0
电场与功率密度
dBm/M2 = dBμV/M - 115.8
115.8 计算如下： P=|E|2/Ζo Ζo 是自由空间特性阻抗，等于 120π。 将等式两边取对数 ，将 dBW/M2 转换成 dBmW/M2 将 dBV/M 转换成 dBμV/M. 则可得 115.8
电场电压
V/M = 10{[(dBμV/M) -120]/20}
1pT=0.00000001G dBpT 是指相对于 1pT(皮特)的分贝数 dBpT = 20 log (G/1pT) dBG = 160 + dBpT
单位转换
dB = decibels (Log10) m = milli = 10-3 μ = micro = 10-6 p = pico = 10-12 dBw = 相对于 1W 的分贝数 dBm =相对于 1mW 的分贝数 dBv =相对于 1V 的分贝数 dBμv =相对于 1mV 的分贝数 dBμA =相对于 1mA 的分贝数 dBpT =相对于 1pT 的分贝数 V = 福特 A = 安培 I = 电流 R = 电阻 (50 欧姆) W = 瓦特 P = 功率 H = 亨利 T = 特斯拉 AF = 天线因子 M= 米
Electric Field Current
dBμA/M = dBμv/M - 51.5 51.5 是自由空间特性阻抗 120π的 dΒ值: 20Log10[120π] = 51.5
A/M = 10{[(dBμA/M) -120]/20}
天线因子
AFdB = EdB - VrdB 这里: AF = 天线因子 dB/M E = 电场强度 dBµv/M Vr = 天线输出电压 dBµv
分贝数与功率 dB = 10 log [P2/P1]
电磁兼容单位换算
分贝数与电压 dB = 20 log [V1/V2]
分贝数与电流 dB = 20 log [I1/I2]
分贝数与毫瓦 dBm = 10 log [Signal (mW)/1mW]
毫伏与分贝数 dBμv = 20 log [Signal (μV)/1μV]
对于 50Ω电阻以及 1 mW 功率
20Log10[223000μV] = 107 dB
dBμΑ 与 dBm
dBm = dBμA - 73
换算如下: * RF 系统阻抗为 50Ω P = I2 * R 10Log10[P] = 20Log10[I] + 10Log10[50Ω] P = 1mW = 10-3W
分贝数与毫安 dBμA = 20 log [Signal (μA)/1μA]
dBw 与 dBBaidu Nhomakorabea dBm = dBw + 30
dBv 与 dBμv dBμv = dBv + 120
dBμv 与 dBm
dBm = dBμv - 107
换算如下: * RF 系统阻抗为 50Ω P = V2 / R 10Log10[P] = 20Log10[V] - 10Log10[50Ω] V = (PR)0.5 = 0.223 V = 223000 μV
磁感应强度的单位用高斯 (G) ，它与国际单位制中的特斯拉 (T) 的换算关系是 1T= 10000G 1mT=10G 1μT=0.01G 1nT=0.00001G
对于 50Ω电阻以及 1 mW 功率
-30 = 20Log10[I] + 17 20Log10[I] = 73 dB
功率密度
dBw/M2 = 10Log10[V/M - A/M]
dBm/M2 = dBw/M2 + 30 常量 30 是 1000 按下式换算后的对数值： 10Log10[1000] = 30
AF (对于 50 Ω) = 20 log f (MHz) - G(dBi) - 29.78 dB. 这里 f 是频率，G 是天线全向增益（dBi）.
(E) dBμv/M = (Vo) dBμv + (AF) dB/M
AF 是天线因子。 E 是电场强度。 Vo 频谱仪的校准输出。
磁通量密度
dBpT = dBμA/M + 2.0
电场与功率密度
dBm/M2 = dBμV/M - 115.8
115.8 计算如下： P=|E|2/Ζo Ζo 是自由空间特性阻抗，等于 120π。 将等式两边取对数 ，将 dBW/M2 转换成 dBmW/M2 将 dBV/M 转换成 dBμV/M. 则可得 115.8
电场电压
V/M = 10{[(dBμV/M) -120]/20}
1pT=0.00000001G dBpT 是指相对于 1pT(皮特)的分贝数 dBpT = 20 log (G/1pT) dBG = 160 + dBpT
单位转换
dB = decibels (Log10) m = milli = 10-3 μ = micro = 10-6 p = pico = 10-12 dBw = 相对于 1W 的分贝数 dBm =相对于 1mW 的分贝数 dBv =相对于 1V 的分贝数 dBμv =相对于 1mV 的分贝数 dBμA =相对于 1mA 的分贝数 dBpT =相对于 1pT 的分贝数 V = 福特 A = 安培 I = 电流 R = 电阻 (50 欧姆) W = 瓦特 P = 功率 H = 亨利 T = 特斯拉 AF = 天线因子 M= 米
Electric Field Current
dBμA/M = dBμv/M - 51.5 51.5 是自由空间特性阻抗 120π的 dΒ值: 20Log10[120π] = 51.5
A/M = 10{[(dBμA/M) -120]/20}
天线因子
AFdB = EdB - VrdB 这里: AF = 天线因子 dB/M E = 电场强度 dBµv/M Vr = 天线输出电压 dBµv
分贝数与功率 dB = 10 log [P2/P1]
电磁兼容单位换算
分贝数与电压 dB = 20 log [V1/V2]
分贝数与电流 dB = 20 log [I1/I2]
分贝数与毫瓦 dBm = 10 log [Signal (mW)/1mW]
毫伏与分贝数 dBμv = 20 log [Signal (μV)/1μV]
对于 50Ω电阻以及 1 mW 功率
20Log10[223000μV] = 107 dB
dBμΑ 与 dBm
dBm = dBμA - 73
换算如下: * RF 系统阻抗为 50Ω P = I2 * R 10Log10[P] = 20Log10[I] + 10Log10[50Ω] P = 1mW = 10-3W
分贝数与毫安 dBμA = 20 log [Signal (μA)/1μA]
dBw 与 dBBaidu Nhomakorabea dBm = dBw + 30
dBv 与 dBμv dBμv = dBv + 120
dBμv 与 dBm
dBm = dBμv - 107
换算如下: * RF 系统阻抗为 50Ω P = V2 / R 10Log10[P] = 20Log10[V] - 10Log10[50Ω] V = (PR)0.5 = 0.223 V = 223000 μV