薄膜组件封装工艺简介

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薄膜太阳能电池封装工艺简介

薄膜太阳能电池封装工艺简介

薄膜太阳能电池封装工艺简介概述薄膜太阳能电池作为一种高效、轻薄、柔性的太阳能电池,已经在能源领域得到广泛应用。

其中,薄膜太阳能电池封装工艺是整个生产过程中非常重要的一部分,它是将薄膜太阳能电池片与封装材料合理结合,以保护电池片,并提高电池的稳定性和效率的过程。

本文将介绍薄膜太阳能电池封装的基本工艺和流程。

薄膜太阳能电池封装工艺流程薄膜太阳能电池封装工艺包括以下几个主要步骤:1.准备工作:对薄膜太阳能电池片进行检查,确保其质量符合要求。

同时,准备好所需的封装材料,如背电极、背板、封装胶等。

2.封装背电极:将背电极粘贴在薄膜太阳能电池片的背面,以提供电流的传导和连接功能。

背电极的粘贴需要使用特殊的胶水,确保背电极与电池片之间无空隙。

3.安装背板:将背板固定在背电极上,以保护电池片,并提供良好的支撑。

背板通常采用耐候性较好的材料,如塑料或金属。

4.填充封装胶:在背板上涂覆一层封装胶,将封装胶均匀地涂抹在整个背板上,确保电池片能够被充分覆盖。

封装胶的材料可根据具体需求选择,常见的有有机硅、聚氨酯等。

5.封装胶固化:待封装胶涂覆完毕后,需要将其进行固化,以提高胶水的稳定性。

固化的方法可以是自然固化或烘箱固化,根据具体工艺和生产需求进行选择。

6.切割:将已固化的薄膜太阳能电池进行切割,得到所需尺寸的电池片。

切割时需要注意切口的平整和尺寸的一致性,以保证后续组装的顺利进行。

7.电池片测试:对切割好的电池片进行测试,检查其光电性能和其他关键指标是否符合要求。

测试的方法可以是电流-电压曲线测试、光谱响应测试等。

8.组装:根据具体的产品需求,将电池片与其他组件进行组装,如连接导线、安装支架等。

组装工艺需要严格控制每个环节的精度和质量,确保组装的稳定性和可靠性。

9.封装测试:对已组装好的薄膜太阳能电池组件进行全面的测试,包括电池组件的电性能、机械性能等。

测试结果将直接影响组件的质量和性能。

结论薄膜太阳能电池封装工艺是保护和提升电池性能的关键环节,它涉及多个步骤和工艺参数的控制。

光伏组件工艺分类

光伏组件工艺分类

光伏组件工艺分类光伏组件是太阳能光伏电站的核心部件,负责将太阳光转化为电能。

在光伏组件的制造过程中,采用了不同的工艺分类,以满足不同需求和应用场景。

本文将介绍几种常见的光伏组件工艺分类。

1. 结晶硅光伏组件工艺结晶硅光伏组件是目前市场上最常见的一种光伏组件。

其制造工艺主要包括单晶硅和多晶硅两种。

单晶硅光伏组件由单晶硅片制成,具有较高的转换效率和稳定性,但成本较高。

多晶硅光伏组件由多晶硅片制成,成本较低,但转换效率相对较低。

结晶硅光伏组件制造过程中,需要进行硅片切割、表面处理、电池片组装等工艺步骤。

2. 薄膜光伏组件工艺薄膜光伏组件是一种相对较新的光伏组件,其制造工艺主要包括非晶硅、铜铟镓硒等材料的薄膜沉积工艺。

薄膜光伏组件相比于结晶硅光伏组件具有较低的制造成本和较高的柔性,可以应用于更多的领域。

在薄膜光伏组件制造过程中,需要进行材料沉积、电池片组装、封装等工艺步骤。

3. 高效光伏组件工艺为了提高光伏组件的转换效率,人们不断研究和开发高效光伏组件工艺。

其中最具代表性的是多接触栅线和背接触工艺。

多接触栅线工艺通过增加光伏电池片上的接触栅线数量,减少电流传输的电阻,提高光伏组件的效率。

背接触工艺则通过将电池片的电极放置在背面,减少光照损失,提高光伏组件的效率。

4. 双面光伏组件工艺传统的光伏组件只能利用正面的太阳光进行发电,而双面光伏组件则可以同时利用正面和背面的太阳光。

双面光伏组件工艺相对于传统的单面光伏组件工艺来说更加复杂。

在制造过程中,需要对电池片进行背面反射镀膜处理,以提高背面太阳光的反射率,并且需要设计特殊的安装结构,使背面的太阳光可以充分照射到电池片上。

5. 柔性光伏组件工艺柔性光伏组件是一种可以弯曲和折叠的光伏组件,可以应用于更加复杂的曲面和可穿戴设备上。

柔性光伏组件的制造工艺主要包括薄膜沉积、柔性基板制备、电池片组装等步骤。

相比于传统的硅基光伏组件,柔性光伏组件的制造工艺更加复杂,需要使用柔性基板和特殊的材料。

封装薄膜技术

封装薄膜技术

封装薄膜技术封装薄膜技术,是一种高效、节能、环保、安全的涂膜技术,已经在许多行业得到广泛应用。

封装薄膜技术可以对物品的表面进行处理,防止其受到外部环境和物质的影响。

例如,在食品行业,封装薄膜技术可以对食品进行密封,防止空气、水分和细菌的侵入,保持食品的新鲜度和营养价值。

在医药行业,可以使用封装薄膜技术来包裹药物,以控制其释放速度,缓解药效的过强或过弱,增强药物的有效性和安全性。

封装薄膜技术还可以用于电子行业的IC等器件。

通过对电子元件进行包裹,可以保护其免受静电、耐热、湿氧化和化学腐蚀等不利因素的影响,从而延长其使用寿命。

此外,封装薄膜技术还可以用于汽车、建筑、包装和印刷行业等领域。

例如,在汽车行业,可以使用封装薄膜技术加工防护膜,以保护汽车的漆面、玻璃和灯具等部件免受划伤和UV光的侵害。

目前,封装薄膜技术已经取代了传统的喷涂、浸涂和刷涂等方法。

相比于传统的涂膜方法,封装薄膜技术有着诸多优势。

首先,封装薄膜技术可以实现高效、精准的表面涂覆。

通过控制涂层的厚度、粘度和物理性质等参数,可以使涂层的性能得到极大的改善。

其次,封装薄膜技术可以实现无 VOC(挥发性有机化合物)排放,符合环保要求。

通过使用无溶剂涂料和少量挥发性有机化合物的涂料,可以有效减少有害气体的排放,对环境和人类健康造成的影响也得到很好的遏制。

再次,封装薄膜技术可以实现低温处理,减少能源消耗。

相比传统的涂膜方法,封装薄膜技术的涂覆温度低,甚至可以通过光敏反应在室温下进行,从而节省能源并降低涂料材料的成本。

除此之外,封装薄膜技术还可以使表面防污、耐磨、防水和防紫外线等性质得到大幅提升,有效地延长物品的使用寿命。

总之,封装薄膜技术是一种高效、经济、环保和安全的涂膜方法,已经被广泛应用于多个领域。

随着技术的不断提升和成熟,相信封装薄膜技术必将在更多领域展现出它的独特优势和无限潜力。

封装薄膜技术的实现主要依靠各种先进的涂布工艺和设备,如机械式、电性、热致和光致等涂布方法。

光伏薄膜组件生产工艺流程

光伏薄膜组件生产工艺流程

光伏薄膜组件生产工艺流程
首先是薄膜制备。

薄膜材料是光伏薄膜组件的核心,常见的薄膜材料有非晶硅、微晶硅、铜铟镓硒等。

薄膜制备的方法多种多样,常见的制备方法有物理气相沉积、化学气相沉积、溶液法等。

制备好的薄膜要进行表面处理和检测,确保质量合格。

接下来是电池片及背电极制备。

电池片是将薄膜材料转化为电能的关键部分,背电极则用于导电。

制备电池片需要将薄膜切割成合适的尺寸,并在其上进行光电转换材料的沉积和处理。

背电极的制备主要包括导电膜的沉积、导电层的制备等步骤,以提高电池的导电性能。

然后是组装封装。

在组装封装工艺中,将制备好的电池片组装到适当的基板上,形成组件的结构。

组件的基板可以是玻璃、聚合物等材料。

组装的过程中需要注意清洁和密封性,以确保组件不受外界环境的影响。

接下来是性能测试。

完成组装封装后,对光伏薄膜组件的性能进行测试。

常见的性能测试项目有电流-电压曲线测试、光强依赖性测试、温度依赖性测试等。

这些测试项目可以评估组件的性能指标,比如效率、功率输出等。

最后是包装。

完成性能测试后,对光伏薄膜组件进行包装。

包装的目的是防止组件受到外界的物理、化学和环境影响。

常见的包装材料有塑料薄膜、泡沫等,包装后的组件可以存放、运输和安装。

总结起来,光伏薄膜组件的生产工艺流程包括薄膜制备、电池片及背电极制备、组装封装、性能测试和包装等多个环节。

这些步骤的顺序和方法会因制造商和产品类型的不同而有所差异,但整个工艺流程的目标是制造出性能稳定、质量可靠的光伏薄膜组件。

光伏组件的封装方案

光伏组件的封装方案

光伏组件的封装方案一、引言随着清洁能源的日益重要,光伏能源已成为未来可持续发展的重要组成部分。

光伏组件作为光伏能源核心部件之一,其封装方案直接影响着光伏发电的效率和寿命。

光伏组件的封装方案至关重要。

本文旨在对光伏组件的封装方案进行详细介绍,包括封装材料、封装结构和封装工艺等内容。

二、封装材料1. 玻璃光伏组件的封装通常采用双层玻璃结构,其中夹层采用特殊的EVA(乙烯醋酸乙烯)材料,具有良好的透光性和保护性能。

玻璃的选择应考虑其耐候性、抗紫外线能力以及透光率等因素,以确保光伏组件长期稳定运行。

2. 背板背板是支撑光伏组件的重要部件,一般采用聚酯薄膜或者铝合金材料。

其主要功能是提供组件的结构支撑和保护作用,同时要具备一定的阻燃性能和电气绝缘性能,以确保光伏组件在各种恶劣环境下都能安全稳定运行。

3. 边框光伏组件的边框一般采用铝合金材料,主要用于固定玻璃和背板,同时也可以提供对组件的保护作用。

边框的连接处通常采用特殊的角码进行连接,以提高组件的结构强度和密封性。

4. 导线光伏组件的导线通常采用特殊的电气连接线,具有良好的耐高温、耐紫外线和抗老化能力。

导线的连接点应采用焊接或压接方式,确保连接稳固可靠。

5. 封装胶EVA(乙烯醋酸乙烯)是光伏组件封装中最重要的材料之一,主要用于夹层封装。

EVA 具有优良的光伏特性、机械性能和耐老化性能,能够有效地保护电池片不受外界环境的影响。

三、封装结构1. 电池片光伏组件的核心部件是电池片,一般采用硅片或薄膜电池片。

硅片电池一般采用多晶硅或单晶硅材料,其尺寸和电池布局将直接影响光伏组件的封装结构。

2. 夹层夹层是光伏组件封装的关键部位,主要由EVA封装胶材料构成。

夹层的主要功能是粘合和封装电池片,同时具备良好的光透过性和保护作用。

3. 玻璃光伏组件的面板采用双层玻璃结构,主要用于保护夹层和电池片,并提供光学透光性。

玻璃的选择应考虑其透光性、机械性能和耐候性等因素。

4. 背板背板主要用于支撑和保护光伏组件,同时通过边框固定在一起。

薄膜组件封装工艺简介薄膜组件封装工艺简介

薄膜组件封装工艺简介薄膜组件封装工艺简介

超声波焊 接
功率测试

装接线盒

清洗包装 入库
检验 不合格
返修
裁切PVB 摊铺PVB
背玻璃清 洗
合背板
高压釜
层压工序 成品层压
半成品层压
薄膜组件封装工艺简介薄膜组件封装 工艺简介
二、清洗工序
薄膜组件封装工艺简介薄膜组件封装 工艺简介
清洗工序:
清洗工序的作用:把钢化玻璃清洗干净,达到 工艺要求; 封装车间清洗机所清洗的是电池的背玻璃,这 种背板玻璃是一种钢化玻璃;
薄膜组件封装工艺简介薄膜组件封装 工艺简介
PVB的性质:
(2)PVB的化学性质: 涂料具有高适用性、弹性、高韧性、兼容性。 耐强碱、耐油性、可挠性与低温抗冲击性。 添加可塑剂后,皮膜柔软性特优。 使用胶合安全玻璃中间膜,使玻璃具有强大的 耐冲击与耐穿透力。 与无机材质之接着强度、架桥性、放蚀性优良。 依PVB之不同能基(Functional group)可溶于醇、 酮、酯等类溶剂。
薄膜组件封装工艺简介薄膜组件封装 工艺简介
层压:(非晶)
1)钢化玻璃 2)PVB胶膜 3)前电池板
背板玻璃 PVB胶膜
前电池板
薄膜组件封装工艺简介薄膜组件封装 工艺简介
层压:(晶硅)
1)钢化玻璃 2)EVA 3)电池串 4)EVA 5)背板(TPT)
薄膜组件封装工艺简介薄膜组件封装 工艺简介
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以非晶硅车间1#层压机为例, 具体的介绍层压机的性能:
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三、层压机工序 裁切与摊铺
薄膜组件封装工艺简介薄膜组件封装 工艺简介
PVB材料的概述:

微电子封装中的薄膜技术

微电子封装中的薄膜技术

一些主要的厚膜导体:
Ag-Pd; Ag-Pd; Ag中添加Pd,当Pd/(Pd+Ag)>0.1左右时即产生效果。 Ag中添加Pd,当Pd/(Pd+Ag)>0.1左右时即产生效果。 Ag/Pd比一般控制在(2.5:1) Ag/Pd比一般控制在(2.5:1)~(4.0:1)。 4.0:1)。 Ag/Pd比与厚膜的电阻值及耐焊料浸蚀关系如下图1 Ag/Pd比与厚膜的电阻值及耐焊料浸蚀关系如下图1:
备注:目数=25.4[mm]/(丝径[mm]+开口长度[mm])
丝网印刷工艺
刮板
刮板的形状有下三种:菱形刮板、平行刮板、剑 形刮板。刮板的材料硬度按橡胶常用的HS(肖氏 形刮板。刮板的材料硬度按橡胶常用的HS(肖氏 硬度)来标定,厚膜印刷使用的刮板硬度一般在 60~80HS范围内。材料一般为聚氨酯类、氯丁橡 60~80HS范围内。材料一般为聚氨酯类、氯丁橡 胶、炭氟化合物等,选材聊特别要注意不能受浆 料中溶剂等浸蚀。
3. 厚膜介质材料
通常分为HK(高介电常数)介电体和LK 通常分为HK(高介电常数)介电体和LK (低介 电常数)介电体。 前者介电常数在数百以上,主要用于厚膜电容器 的介电质,后者的K值在10以下,多用于表面钝 的介电质,后者的K值在10以下,多用于表面钝 化、交叉层绝缘层、多层布线绝缘层以及低容量 电容器等。 LK介电质:非晶玻璃(filled glass: FG)和晶态玻 LK介电质:非晶玻璃(filled FG)和晶态玻 璃(crystallizable 璃(crystallizable glass: CG)二类玻璃系列。 CG)二类玻璃系列。 HK介电质:以BaTiO3为主要成分的介电质。 HK介电质:以BaTiO
蚀刻法基板表面成膜成膜材料基板光刻胶蚀刻光刻胶剥离基板薄膜光刻胶光致优点是选择性好重复性好生产效率高设备简单成本低基片薄膜光刻胶光致光刻胶金属薄膜ar干法蚀刻法对图形的控制精度较好但速度较慢rie刻蚀装置光刻胶sio或硅原子腐蚀性气化学腐蚀物理轰击用机械或光刻等方法制作正掩膜将掩膜按需要的电路图位置定位再由真空蒸镀等方法成膜

光伏组件封装工艺流程及主要原材料解析

光伏组件封装工艺流程及主要原材料解析

光伏组件封装工艺流程及主要原材料解析前工序包括:切割硅片、清洗硅片、扩散和涂层。

切割硅片是将硅大块切割成具有正常长度和宽度的薄片,一般为0.2mm到0.3mm厚。

清洗硅片是为了去除硅片表面的灰尘、油污等杂质,保证后续工艺的顺利进行。

扩散是将硅片浸泡在含有掺杂物的化学液体中,使得硅片表面形成p-n结构,从而具有光电转换的能力。

涂层是在硅片上涂上一层保护材料,以保护硅片的表面,同时增强光伏组件的耐环境性能。

后工序包括:接触、封装和外壳。

接触是利用导电胶或金属线将光伏芯片的正负极与电路板连接起来,从而实现电能的输出。

封装是将光伏芯片和电路板固定在一起,形成一个组件。

封装材料一般采用硅胶,以提高对温度、湿度和机械冲击的抵抗能力。

外壳是将封装好的光伏组件放入一个保护外壳中,以保护光伏组件内部的芯片和电路不受外部环境的影响。

外壳一般采用透明材料,以便吸收更多的太阳光。

主要原材料有:硅片、导电胶、金属线、封装材料和外壳材料。

硅片是光伏组件的核心材料,主要是用于光电转换。

导电胶是用于连接光伏芯片和电路板的介质,需要具有良好的导电性和粘性。

金属线是用于连接光伏芯片的正负极和电路板的导线,需要具有良好的导电性和抗腐蚀性。

封装材料一般采用硅胶,以提高光伏组件的耐环境性能。

外壳材料一般采用透明材料,如玻璃或塑料,以便吸收更多的太阳光。

总之,光伏组件封装工艺流程是一个复杂的过程,涉及到多个步骤和多种材料。

这些材料在保证光伏组件性能的同时,还需要具备耐环境性能和耐久性,以使光伏组件能够长期、稳定地发电。

光伏组件的封装工艺与密封性能评估

光伏组件的封装工艺与密封性能评估

光伏组件的封装工艺与密封性能评估随着全球能源环境问题日益严峻,可再生能源市场竞争也越来越激烈。

而光伏组件则成了可再生能源市场中的一个重要领域。

为了提高光伏组件的耐用性和使用寿命,封装工艺以及密封性能评估成了重要的研究方向。

一、光伏组件封装工艺光伏组件的封装工艺对其性能具有至关重要的影响。

目前市场上常见的封装工艺主要有以下三种:1. 玻璃化膜封装玻璃化膜封装即将光伏电池与玻璃层逐层镶嵌,最终密封。

这种封装工艺具有良好的透光性和较高的抗紫外线性能,同时也可以保证组件免受潮湿及机械损坏的影响。

2. 胶封工艺胶封工艺也叫有机封装工艺,是将光伏电池放入容器中,利用有机硅或橡胶材料封住。

这种封装工艺具有成本低、施工方便等优点。

但由于有机材料易老化,所以其对组件的保护效果较弱。

3. 单晶硅片封装单晶硅片封装是将光伏电池融合在硅片中,再利用特殊工艺封装而成。

这种封装工艺具有良好的封装效果和抗风雨性能,但是成本较高。

二、光伏组件密封性能评估密封性能评估是对光伏组件封装效果的重要评价指标,其好坏关乎光伏组件的整体质量。

目前市场上常见的密封性能评估指标有以下两种:1. 湿度测定湿度测定通常是通过在环境温度保持相对恒定的条件下将光伏组件放置在恒湿箱内,不断增加湿度值来测定组件的耐潮湿性能。

这种评估方法可以直观地反映出组件在不同湿度值下的性能。

2. 密封性测试密封性测试主要是通过在组件外设加压来测试封装效果。

一般情况下,对光伏组件加压不低于1000Pa,并使用淋水测试等方法来检验封装效果。

这种评估方法可以更加准确地评估光伏组件的封装效果和耐压性。

三、结论通过对光伏组件封装工艺以及密封性能评估的介绍,可以看到不同的封装工艺对光伏组件的保护效果是不同的,而密封性能评估则是衡量组件整体保护效果的重要指标。

因此,在实际应用中,要综合考虑成本、施工方便度以及组件所处环境等因素选择合适的封装工艺,并采取科学的评估方法来确保组件的质量和性能。

薄膜太阳能电池封装工艺简介

薄膜太阳能电池封装工艺简介

薄膜太阳能电池封装工艺简介引言薄膜太阳能电池是一种新型的太阳能电池技术,其与传统的硅基太阳能电池相比具有成本低、柔性强、适应性广等优势。

封装工艺是薄膜太阳能电池生产中的关键环节,本文将对薄膜太阳能电池封装工艺进行简要介绍。

1. 封装工艺概述薄膜太阳能电池封装工艺是指将制作好的薄膜太阳能电池组件进行包封,以保护电池组件并提高其性能。

封装工艺主要包括背电极、前电极、封装材料的选择和应用等多个步骤。

2. 背电极制备背电极是薄膜太阳能电池中重要的组成部分,其作用是提供电池的支撑和导电功能。

背电极的制备包括以下几个步骤:•基片清洗:在背电极制备过程中,首先需要将基片进行清洗,以去除表面的污垢和杂质,保证基片的纯净度。

•背电极材料涂布:在清洗完成后,将背电极所需的材料溶液涂布在基片上,通常采用印刷工艺或者真空沉积工艺进行涂布。

•背电极烘烤:涂布完成后,将基片放入烘烤炉中进行烘烤,以将材料烘干并使其形成完整的背电极。

3. 前电极制备前电极是薄膜太阳能电池中接收光能的部分,其作用是将光能转化为电能。

前电极的制备包括以下几个步骤:•前电极材料涂布:前电极通常采用透明导电材料制成,如氧化锌等。

将透明导电材料溶液涂布在背电极上,形成前电极层。

•前电极烘烤:将涂布完成的前电极放入烘烤炉中进行烘烤,使其烘干并形成均匀的前电极。

•光罩制作:为了增强前电极对光能的吸收能力,可以通过制作光罩来实现。

光罩可以选择性地增加前电极的厚度,从而提高电池的光吸收效率。

4. 封装材料的选择和应用封装材料是保护薄膜太阳能电池组件的重要组成部分,其选择和应用直接影响电池的稳定性和寿命。

常用的封装材料有有机胶水、硅胶、树脂等。

在封装过程中,需要将电池组件与封装材料紧密结合,形成完整的封装结构。

5. 检测与封装在封装工艺的最后阶段,需要对电池组件进行检测,以保证其品质和性能。

常用的检测手段包括电学性能检测、外观检查等。

通过检测后,将电池组件放入封装材料中,进行真空封装或者热封装,确保封装材料与电池组件的紧密结合。

电子封装薄膜材料与工艺

电子封装薄膜材料与工艺

一、电子封装工程中至关重要的膜材料及膜技术1、薄膜和厚膜:相对于三维块体材料,从一般意义上讲,所谓膜,由于其厚度尺寸很小,可以看作是物质的二维状态。

在膜中又有薄膜和厚膜之分,薄膜和厚膜如何划分,有下面一些见解:a.按膜厚对膜的经典分类认为,小于1um的为薄膜,大于1um的为厚膜;b.按制作方法分,由块体材料制作的,例如经轧制、锤打、碾压等,为厚膜,而由膜的构成物(species)一层层堆积而成的为薄膜;c.按膜的存在形态分类认为,只能成形于基体之上的为薄膜(包覆膜,又可分为沉积膜和化合形成膜),不需要基体而能独立成形的为厚膜(自立膜);d.就电子封装工程涉及的膜层而论,膜厚一般在1um到数百微米之间,按膜层的形成方法,将真空法(干式)和溶液法(湿式)沉积得到的膜层称为薄膜,而由浆料印刷法形成的膜层称为厚膜,前者膜厚多为数微米,后者膜厚多为20um上下;e.薄膜的真空沉积法有下述优点:■由于镀料的气化方式很多(如电子束蒸发、溅射、气体源等),通过控制气氛还可以进行反应沉积,因此可以等到各种材料的膜层;■通过基板、镀料、反应气氛、沉积条件的选择,可以对界面结构、结晶状态、膜厚等进行控制,还可以制取多层膜,复合膜及特殊界面结构的膜层等,由于膜层表面精细光洁,故便于通过光刻制取电路图形;■可以较方便地采用光、等离子体等激发手段,在一般的工艺条件下,即可获得在高温、高压、高能量密度下才能获得的物质;■真空薄膜沉积涉及从气态到固态的超急冷(super-quenching)过程,因此可以获得特异成分、组织及晶体结构的物质;■由于在LSI工艺中薄膜沉积及光刻图形等已有成熟的经验,很便于在电子封装工程中推广;f.厚膜的丝网印刷法有下述优点:■通过丝网印刷,可直接形成电路图形;■膜层较厚,经烧结收缩变得致密,电阻率低,容易实现很低的电路电阻;■导体层、电阻层、绝缘层、介电质层及其他功能层都可以印刷成膜;■容易实现多层化,与陶瓷生片共烧可以制取多层共烧基板;■设备简单,投资少;2、膜及膜电路的功能:对于电子封装工程而言,膜及膜电路主要由电气连接、元件搭载、特殊功能、表面改性等四大功能;3、成膜方法:a.按干式法和湿式法分类:干式:真空蒸镀、溅射镀膜、离子镀、等离子喷涂、等离子喷射、切削(切片机)、压延轧制、化学的制膜法、热分解法、气相反应法、吸附反应、聚合反应、光聚合反应(CVD)、放电(等离子体)聚合、蒸镀聚合;湿式:电镀、化学镀、阳极氧化、蚀刻、丝网印刷、涂敷、溶胶-凝胶、L-B法;b.物理气相沉积PVD和化学气相沉积CVD:PVD法:真空蒸镀、溅射镀膜、离子镀、蒸镀聚合法(反应蒸镀法);CVD法:热分解法、气相反应法(CVD)、等离子体CVD法、放电(等离子体)聚合法;4、电路图形的形成方法:填平法、蚀刻法(化学蚀刻法和薄膜光刻法)、掩模法、厚膜印刷法、喷沙法;5、膜材料:常见成膜法得到的薄膜物质如下:■离子镀:金属、氧化物、氮化物、碳化物、合金;■CVD:金属、非金属化合物;■溅射镀膜:金属、合金、非金属化合物;■喷涂:金属、氧化物、合金混合物;■印刷法:金属、氧化物、非金属混合物;■电镀:金属、合金;■化学镀:金属、合金;■阳极氧化:氧化物;二、薄膜材料:1、导体薄膜材料:a.材料的种类及性质:导体薄膜的主要用途是形成电路图形,为半导体元件、半导体芯片、电阻、电容等电路搭载部件提供电极及相互引线,以及金属化等,在上述用途中,为保证金属-半导体间的连接为欧姆连接,需要达到下述要求:■金属与半导体的结合部位不形成势垒;■对于n型半导体,金属的功函数要比半导体的功函数小;■对于p型半导体,与上述相反;■金属与半导体结合部的空间电荷层的宽度要尽量窄,电子直接从金属与半导体间向外迁移受到限制等;b.除了半导体与金属间连接应注意的上述事项外,对于其他布线及电极用的导体材料,应具有下述特性:■电导率要高;■对电路元件不产生有害影响,为欧姆连接;■热导率高,机械强度高,对于碱金属离子及湿度等的电化学反应要尽量小;■置于高温状态,电气特性也不发生变化,不发生蠕变现象;■附着力大,成膜及形成图形容易;■可形成电阻、电容,可进行选择性蚀刻;■可进行Au丝、Al丝引线键合及焊接等加工;c.铝Al作为以Si为基的IC中的常用导体时,需注意以下几点:■随环境、气氛温度上升,Al和Au发生相互作用,生成金属间化合物、致使接触电阻增加,进而发生接触不良;■当Al中通过高密度电流时,向正极方向会发生Al的迁移,即所谓电迁移;■在500℃以上,Al会浸入下部的介电体中;■在MOS元件中难以使用;■尽管Al的电阻率低,与Au不相上下,但由于与水蒸气及氧等发生反应,其电阻值会慢慢变高;d.连接与布线的形成及注意点;e.导体膜的劣化及可靠性:■成膜后造成膜异常的主要原因有两个:一是由于严重的热失配,存在过剩应力状态,膜层从通常的基板或者Si、SiO2膜表面剥离,造成电路断线;二是由于物质的扩散迁移引起,其中包括电迁移、热扩散、克根达耳效应、反应扩散等;■造成物质扩散迁移的外应有高电流密度、高温度、大的温度梯度、接触电阻等,特别是几个因素联合作用时,效果更明显。

薄膜封装结构电子器件与组件结构设计

薄膜封装结构电子器件与组件结构设计

辉光放电区
衬底
阳极
溅射气体
真空泵
靶材是要溅射的材料,它作为阴极, 相对于真空室内其他
部分处于负电位。阳极可以是接地的,也可以是浮动的
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薄膜溅射法的分类
直流溅射(即二极溅射) 三极、四极溅射 磁控溅射 射频溅射 偏压溅射 反应溅射 中频孪生靶溅射和脉冲溅射
靶材:可以是纯金属、合金以及各种化合物
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化学气相沉积
化学气相沉积(chemical vapor deposition, CVD)是经由气态的先驱物,通过气相原子、分子 间的化学反应,生成薄膜(及其他材料)的技术手 段。
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真空蒸发法的特点
蒸发法的显著特点之一是其较高的背底 真空度。在较高的真空度下:
不仅蒸发出来的物质原子或分子具有较长 的平均自由程,可以直接沉积到衬底表面 上;
(Ti,Si)N
9
薄膜材料
介质薄膜:主要用于形成电容器和实现绝缘 与表面钝化的作用
表面钝化:SiO2、Si3N4 电容器:SiO2(介电常数=3.8)
Si3N4 (介电常数=7) Ta2O5 (介电常数=28) Y2O3 (介电常数=16)
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薄膜置备方法
气相沉积
物理气相沉积:真空蒸发、溅射、离子镀、外延生长 化学气相沉积:传统CVD、激光CVD、光CVD、PECVD
2
薄膜材料的应用
耐磨、防腐与装饰涂层 光学涂层 光电薄膜 微电子技术 磁存储技术 微机电系统 ……
3
耐磨、防腐与装饰涂层
4
光学涂层材料
5
微机电系统中的薄膜材料: 微型反射镜组
6
微电子技术中的薄膜材料: MOSFET
Interconnect metal

ipd薄膜工艺技术

ipd薄膜工艺技术

ipd薄膜工艺技术1. 引言ipd薄膜工艺技术是一种用于集成电路封装中的关键工艺,其主要应用于制造集成电路中的薄膜电容器。

在现代集成电路中,薄膜电容器被广泛应用于模拟电路、射频电路和传感器等领域。

ipd薄膜工艺技术能够在集成电路的表面上制备出具有高质量和稳定性的薄膜电容器,为集成电路的性能提供了重要支持。

本文将介绍ipd薄膜工艺技术的基本原理、工艺步骤以及应用领域,并对其进行详细的分析和讨论。

2. ipd薄膜工艺技术的基本原理ipd薄膜工艺技术是一种基于化学沉积的工艺方法,通过在集成电路表面上沉积薄膜材料来制备薄膜电容器。

其基本原理是利用化学反应在表面上形成一层薄膜,然后通过控制反应条件和工艺参数来调节薄膜的厚度和性能。

ipd薄膜工艺技术主要包括以下几个步骤:2.1 表面准备在开始薄膜沉积之前,需要对集成电路表面进行准备。

这包括清洗、去除氧化物和其他杂质等步骤,以确保薄膜能够牢固地附着在表面上。

2.2 薄膜沉积薄膜沉积是ipd薄膜工艺技术的核心步骤。

常用的薄膜材料包括二氧化硅、氮化硅、氧化铝等。

沉积方法主要有热氧化、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)等。

通过控制沉积条件和工艺参数,可以实现对薄膜厚度和性能的精确控制。

2.3 薄膜退火薄膜沉积后,还需要进行薄膜退火处理,以提高薄膜的结晶度和稳定性。

退火温度和时间的选择对薄膜的性能有重要影响,需要根据具体的应用需求进行调节。

2.4 薄膜刻蚀在薄膜沉积完成后,可能需要进行薄膜刻蚀。

刻蚀可以用于调节薄膜的形状和尺寸,以满足特定的电路设计要求。

常用的刻蚀方法包括湿法刻蚀和干法刻蚀等。

3. ipd薄膜工艺技术的应用领域ipd薄膜工艺技术在集成电路封装中有广泛的应用。

以下是一些常见的应用领域:3.1 模拟电路在模拟电路中,薄膜电容器被用于存储和调节电荷。

通过ipd薄膜工艺技术,可以制备出具有高质量和稳定性的薄膜电容器,从而实现模拟电路的高性能和高稳定性。

光伏胶膜的封装工艺_概述及解释说明

光伏胶膜的封装工艺_概述及解释说明

光伏胶膜的封装工艺概述及解释说明1. 引言1.1 概述光伏胶膜封装工艺是太阳能光伏模组生产过程中必不可少的一步。

该工艺主要通过将有机胶膜涂覆于太阳能电池片和玻璃基板之间,形成保护层和电气隔离层,起到保护电池片、提高光吸收效率、减少电池功率损失等作用。

1.2 文章结构本文将从以下几个方面对光伏胶膜封装工艺进行介绍和解释:- 光伏胶膜封装工艺的概念和原理:包括定义、重要性与作用以及基本原理。

- 光伏胶膜封装工艺的主要步骤和方法:详细介绍清洗与准备基板表面、胶水涂布与固化过程以及背板与光伏模组组装过程。

- 光伏胶膜封装工艺的优势和挑战:探讨光伏胶膜封装的优势、应用前景以及所面临的挑战与解决方案。

- 结论:总结光伏胶膜封装工艺的重要性和影响因素,并展望光伏胶膜封装领域的未来发展。

1.3 目的本文旨在系统介绍光伏胶膜封装工艺的概念、原理、步骤和方法,分析其优势与挑战,并探讨其未来发展趋势。

通过深入了解光伏胶膜封装工艺,读者可以更好地认识和应用这一关键技术,推动太阳能光伏产业的发展。

2. 光伏胶膜封装工艺的概念和原理2.1 光伏胶膜封装的定义光伏胶膜封装是太阳能光伏模组制造过程中的一项重要步骤。

它指的是将太阳能电池片与透明背板之间覆盖一层特殊的光伏胶膜,旨在保护电池片并提高太阳能电池模块的性能和稳定性。

2.2 光伏胶膜封装的重要性和作用光伏胶膜封装在太阳能电池模块中起到多种重要作用。

首先,它可以防止外界灰尘、水分等对电池片表面的侵蚀,延长电池片的使用寿命。

其次,通过使用具有抗紫外线功能的光伏胶膜,可以减少紫外线对电池片材料的损害,并降低光衰。

此外,光伏胶膜还可以提供一层保护来避免机械冲击或温度变化引起的损坏。

最后,在安装过程中,光伏胶膜起到了固定电池片和背板的作用,保证了光伏模组的稳定性和强度。

2.3 光伏胶膜封装工艺的基本原理光伏胶膜封装工艺是一个复杂的过程,主要包括准备基板表面、胶水涂布与固化、以及背板与光伏模组的组装。

光伏组件封装工艺

光伏组件封装工艺

光伏组件封装工艺
光伏组件封装工艺是将光伏电池片、玻璃、EVA、背板、铝框等材料组合在一起,形成一个完整的光伏组件的过程。

它是保证光伏组件正常发电和长久使用的重要环节。

1.清洗:将光伏电池片的表面清洗干净,以确保EVA和背板可以完全贴合在电池片上。

2.贴合:将EVA材料铺在电池片上,然后将背板覆盖在EVA上。

3.热压:将贴合好的电池片、EVA和背板放置在热压机中进行热压,以确保EVA从电池片的两侧正确地贴合在玻璃和背板上。

4.铝框固定:将热压好的组件放入铝框内,然后用铆钉将铝框和组件固定在一起。

5.排气:将组件在真空包装机内进行排气处理,以确保组件内部无气泡存在。

6.玻璃固定:将清洗好的透明玻璃固定在组件上,以保护组件内部结构。

7.背板密封:将贴合在组件上的背板向外翻起,用铝箔或丙烯酸密封胶将跟背板接触的空气隔离起来,以确保组件内部不受潮,防止背板氧化生锈。

8.背板铆钉:将铝框和背板之间的空隙用铆钉填塞好,以增加组件的强度。

EVA、PVB组件封装(2011-05-18)

EVA、PVB组件封装(2011-05-18)
不同的EVA层压过程有所不同。两种类型的EVA胶膜均可使用这 两种方法(下图仅为两种层压方法)
EVA胶膜规格
产品厚度:根据不同需要,可分别采用0.3-0.8mm厚的EVA 膜,常规厚度0.5mm,表面压花厚度为0.66mm。
产品宽度:根据电池芯片宽度的不同选择,可采用2002200mm。
产品外形:生产厂家不同,外观花型也不尽相同,常见的有 明面,压花面,绒面等。压花类型有平面型、菱形花纹型、细 花纹型。为了尽可能缓冲电池片和排尽空气,使用F806是应该 将EVA胶膜的压花面朝下!
产品长度:常规厚度0.5mm的长度为100m,厚度不同,长 度略有不同。
EVA胶膜作用
a). 封装电池片,防止外界环境对电池片的电性能造成影响。
b). 增强组件的透光性。 c). 将电池片,钢化玻璃,TPT等粘接在一起,具有一定的粘 接强度。
光伏组件EVA性能要求
a). 熔融指数 影响EVA的融化速度。 b). 软化点 影响EVA开始软化的温度点。 c). 透光率 对于不同的光谱分布有不同的透过率,这里主要指的是在AM1.5 的光谱分布条件下的透过率。 d). 密度 胶联后的密度。 e). 比热 胶联后的比热,反映胶联后的EVA吸收相同热量的情况下温度升 高数值的大小。 f). 热导率 胶联后的热导率,反映胶联后的EVA的热导性能。 g). 玻璃化温度 反映EVA的抗低温性能。 h). 断裂张力强度 胶联后的EVA断裂张力强度,反映了EVA胶联后的抗断裂 机械强度。 i). 断裂延长率 胶联后的EVA断裂延长率,反映了EVA胶联后的延伸性能。 j). 张力系数 胶联后的EVA张力系数,反映了EVA胶联后的张力大小。 k). 吸水性 直接影响其对电池片的密封性能。 l). 交联度 EVA的胶联度直接影响到它的抗渗水性。 m). 剥离强度 反映了EVA与玻璃的粘接强度。 n). 耐紫外光老化 影响到组件的户外使用寿命。 o). 耐热老化 影响到组件的户外使用寿命 p). 耐低温环境老化: 影响到组件的户外使用寿命 r). 热收缩率 影响组件生产工艺过程。 s).可见杂质和异物 影响组件生产工艺过程。

集成电路薄膜工艺

集成电路薄膜工艺

集成电路薄膜工艺是微电子领域中的一项关键技术,它涉及到材料科学、物理和化学等多个学科。

下面将简要介绍集成电路薄膜工艺的基本原理、步骤和注意事项。

一、基本原理集成电路薄膜工艺是通过物理或化学方法,将半导体材料、金属或绝缘材料等沉积在基板上,形成所需的薄膜。

这些薄膜可以是半导体材料、金属或绝缘材料,用于制造集成电路中的元件和电路。

二、工艺步骤1. 清洗基板:清洗基板表面,去除表面的杂质和污染物,为沉积薄膜做好准备。

2. 溅射沉积:使用物理方法,如高速粒子轰击,将所需的材料沉积在基板上。

3. 热处理:通过加热基板,改变材料的物理化学性质,如蒸发、分解或凝聚,形成所需的薄膜。

4. 薄膜表征:对薄膜的厚度、成分、结构和性能进行测量和分析,以确保薄膜符合设计要求。

三、注意事项1. 严格控制工艺参数:不同的薄膜工艺需要不同的工艺参数,如温度、压力、气体流量等。

需要严格控制这些参数,以确保薄膜的质量和性能。

2. 保证基板质量:基板的质量直接影响薄膜的质量和性能。

需要选择质量良好的基板,并确保基板的清洁度。

3. 防止污染:在薄膜工艺过程中,需要防止杂质和污染物进入基板表面,否则会影响薄膜的性能。

4. 监测薄膜性能:在薄膜制备完成后,需要监测薄膜的厚度、成分、结构和性能等指标,以确保薄膜符合设计要求。

四、总结集成电路薄膜工艺是微电子领域中的一项关键技术,涉及到材料科学、物理和化学等多个学科。

该工艺包括清洗基板、溅射沉积、热处理和薄膜表征等多个步骤。

在操作过程中,需要注意严格控制工艺参数、保证基板质量、防止污染和监测薄膜性能等事项。

只有通过不断优化和改进薄膜工艺,才能制造出更高质量、更小尺寸和更高性能的集成电路产品。

请注意,以上内容是对集成电路薄膜工艺的简要介绍,实际操作中可能涉及更多细节和复杂的技术问题。

如有需要,建议咨询专业人士。

cof封装工艺

cof封装工艺

cof封装工艺【实用版】目录1.COF 封装工艺的概述2.COF 封装工艺的流程3.COF 封装工艺的优点4.COF 封装工艺的缺点5.COF 封装工艺的应用领域正文【概述】COF 封装工艺,全称为 Chip on Film,即芯片在膜上,是一种将集成电路芯片直接封装在柔性薄膜上的先进封装技术。

这种技术具有许多优点,如轻薄、可弯曲、可折叠等,因此被广泛应用于各种微电子设备和电子产品中。

【流程】COF 封装工艺的流程主要包括以下几个步骤:1.制作柔性薄膜:首先,需要制作出一种具有良好导电性和绝缘性的柔性薄膜,作为芯片的封装材料。

2.芯片制作:然后,在薄膜上制作出集成电路芯片。

这一步通常采用沉积、光刻、刻蚀等微电子工艺。

3.芯片封装:将制作好的芯片直接封装在柔性薄膜上,形成 COF 封装结构。

这一步通常采用热压、焊接等方法。

4.测试与封装:最后,对封装好的 COF 结构进行测试,确保其性能符合要求,然后进行包装和运输。

【优点】COF 封装工艺具有许多优点,主要包括:1.轻薄:由于采用柔性薄膜作为封装材料,COF 封装结构具有很好的轻薄性,可以大大降低电子产品的厚度和重量。

2.可弯曲:柔性薄膜具有良好的柔韧性,因此 COF 封装结构可以弯曲,这为设计各种形状的电子产品提供了可能。

3.可折叠:在一些特定的应用场景中,COF 封装结构甚至可以折叠,这为实现三维电子设备的设计提供了新的思路。

【缺点】尽管 COF 封装工艺具有许多优点,但也存在一些缺点,如:1.成本高:COF 封装工艺的制程复杂,需要采用许多高级微电子工艺,因此其成本较高。

2.耐热性差:由于采用柔性薄膜作为封装材料,COF 封装结构的耐热性相对较差,这限制了其在一些高温应用场景中的应用。

【应用领域】COF 封装工艺被广泛应用于各种微电子设备和电子产品中,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备、智能家居设备等。

tocan封装工艺

tocan封装工艺

tocan封装工艺摘要:1.Tocan 封装工艺简介2.Tocan 封装工艺的优点3.Tocan 封装工艺的缺点4.Tocan 封装工艺的应用领域5.Tocan 封装工艺的未来发展前景正文:一、Tocan 封装工艺简介Tocan(Thin Film on Ceramic)封装工艺,即陶瓷基板上的薄膜封装技术,是一种将电子器件和电路制作在陶瓷基板上,然后通过焊接、键合等方法将器件和电路与外部电路连接的封装技术。

Tocan 封装工艺广泛应用于光电子、微电子、射频微波等领域。

二、Tocan 封装工艺的优点1.高可靠性:由于Tocan 封装工艺采用陶瓷基板,其具有较高的热导率和机械强度,可以提高器件的可靠性和稳定性。

2.小型化:Tocan 封装工艺可以实现薄膜化、轻量化,有利于器件的小型化和轻型化。

3.高集成度:Tocan 封装工艺可以实现多层薄膜的堆叠,提高器件的集成度。

4.良好的散热性能:Tocan 封装工艺采用陶瓷基板,具有较高的热导率,有利于器件的散热。

5.良好的电绝缘性:Tocan 封装工艺采用陶瓷基板,具有较高的电绝缘性,有利于器件的高频性能。

三、Tocan 封装工艺的缺点1.成本较高:Tocan 封装工艺采用陶瓷基板,其成本相对较高,可能会影响器件的普及。

2.制程复杂:Tocan 封装工艺涉及多层薄膜的制备、焊接、键合等过程,制程相对较复杂。

3.耐压能力较低:由于Tocan 封装工艺采用薄膜结构,其耐压能力相对较低,可能会限制器件的应用范围。

四、Tocan 封装工艺的应用领域1.光电子器件:如光纤通信器件、光开关、光探测器等。

2.微电子器件:如CMOS 集成电路、微波毫米波器件等。

3.射频微波器件:如微波毫米波天线、滤波器、功率放大器等。

4.传感器:如压力传感器、温度传感器、湿度传感器等。

五、Tocan 封装工艺的未来发展前景随着科技的进步,对电子器件的需求越来越高。

Tocan 封装工艺凭借其高可靠性、小型化、高集成度等优点,在未来的发展中将具有广泛的应用前景。

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超声波焊接工序:

超声波焊接工序在生产中的作用:在电池上贴双 面胶,贴铝镍复合带,焊接铝带;
焊接的工艺流程:
接收电池板:传来的电池进入焊接机 贴双面胶:粘贴绝缘双面胶 贴复合带:复合带是铝镍符合材料, 焊接铝带:超声波焊接铝带,把铝带焊接 在电池板上;

超声波:

超声波是指与声波具有相同的物理性质,但频度 达到20000Hz以上,高于人耳听力范围的波动现象; 其特征:是波长短,近似于直线传播,在固体和 液体内衰减小,能量集中,可形成高强度、剧烈 振动,引起激震波,液体中的空化作用等,产生 机械、光、热、电、化学和生物等各种效应,被 现代科技广泛应用。
PVB材料的概述:

聚乙烯醇缩丁醛(Polyvinyl butyral)简称PVB。 PVB是由聚乙烯醇和丁醛在强酸催化作用下反 应得到的高分子化合物。本身含有很多的羟基, (OH)基,可以与一些热固型树脂 (Thermosetting resin)产生架桥反应(Cross linking reaction)以提升耐化学药品性及涂膜 硬度等性能。并具有优异涂膜高透明性 (Transparent)弹性(elastic)、韧性 (Toughness)、耐强碱、耐油性及可挠性 , 与低温耐冲击性。
水分含量 % 拉伸程度 Mpa
断裂伸长率 % 雾度 % 收缩率 (60℃/15min) %
0.4-0.6 ≥20.0
≥200 < 0.4 ≤12
PVB裁切的要求:
裁切的尺寸要符合要求; 不允许一次裁切大量PVB搁臵很长时间后 才使用,原则上每次裁切最多30--60块, 裁切好的PVB要在30分钟内投入使用; 班长,要根据生产情况,安排好裁切PVB 的数量,严禁停产后仍然有大量的PVB没 有使用,出现此类情况追究班长责任;
钢化玻璃自爆的原因:
②钢化玻璃中应力分布不均匀、偏移 玻璃在加热或冷却时沿玻璃厚度方向产 生的温度梯度不均匀、不对称。使钢化制品 有自爆的趋向,有的在激冷时就产生“风爆”。 如果张应力区偏移到制品的某一边或者偏移 到表面则钢化玻璃形成自爆。 ③钢化程度的影响,实验证明,当钢化程度 提高到1级/㎝时自爆数达20—25%。由此可见 应力越大钢化程度越高,自爆量也越大。

PVB裁切的要求:
裁切完成后要包好支架上的PVB,包裹要 严密,放臵受潮污染; 没有使用的裁切好的PVB要包裹要严密, 放臵受潮污;

高压釜工序:
高压釜工序的作用:把层压的半成品进行蒸 压,使之成为成品;
高压釜工序:
高压釜内部:
高压釜:

玻璃高压釜(又称蒸压釜)设备是一个卧式 高压容器,它是对初压后的平板夹层玻璃或 弧形夹层玻璃进入釜后,通过加温加压,使 之玻璃与PVB胶片全面结合牢固,是A类干法 夹层玻璃生产线最后一道工序的关键设备。 高压釜原来是夹胶玻璃生产线的设备,现在 是把这种设备借用到了非晶硅玻璃生产线中 来了;

自动工作的流程: 高压釜的六个阶段:升温升压—升温(保压) 阶段—升压(保温)阶段—保温保压阶段—排 气阶段;
加热----充气------加热------充气-------保持温度和压 力-------降温------排气(减压)

高压釜的参数:
主要参数项目: 第一段温度, 第一段压力, 第二段温度, 第二段压力, 保温保压时间, 排气温度

超声波焊接的缺点:
所焊接金属件不能太厚,一般小于或等于 5mm; 焊点位不能太大; 需要加压;

超声波焊接机的主要参数:

功 率:超声波发生器的功率,输出能 量的大小; 焊接时间:焊头压在铝带上以后,发出超 声波的时间长短; 焊头压力:焊头压铝带的压力;


焊接质量的要求:
铝带表面平整,无褶皱、断裂,居中;无焊 穿,虚焊现象,焊接牢固; 铝带和复合带交汇点焊接牢固,交汇点下面 不得有双面胶; 复合带和铝带充分接触;焊点面积达到交汇 面积的60%;
层压:(非晶)

1)钢化玻璃 2)PVB胶膜 3)前电池板
背板玻璃
PVB胶膜
前电池板
层压:(晶硅)

1)钢化玻璃 2)EVA 3)电池串 4)EVA 5)背板(TPT)
封 结 图 装 构
玻 璃
电 片 池
层压机的作用:
层压机的作用就是要把这些物质压合在一
起,并要求压合后,达到以下目的: 1)、层压后无气泡 2)、相融物质要融为一体 3)、无法相融物质间要有一定的粘结强 度。
层压机的主要结构
温度控制系统: 液压系统: 真空系统: PLC工控系统: 传输系统:

共5大控制系统构成。
层压的工艺条件:
a.压力; b.温度; c.真空度; d.时间; 这4个条件是层压机封装太阳组件的必
备条件。
层压机的一些重要指标:

层压机的重要参数 1、 主体材料:铝合金或不锈钢,不建 议使用普通钢。 2、 真空抽气速率 3、 温度控制精度 4、 温度均匀性 5、 层压高度 6、 开启方式 7、 整机功率
PVB材料:
PVB材料的应用范围::

制造夹层、安全玻璃用的最佳粘合材料,同时 在建筑幕墙、橱窗、银行柜台、监狱探视窗、 炼钢炉屏幕及各种防弹玻璃等建筑领域也有广 泛的应用。
PVB的性质:

(1) PVB的物理性质: 密度:1.07g/cm3。 分子量:自30-45k. 折射率:1.488(20℃)。 吸水率:不大于4%。 软化温度:60-65℃。 玻璃化温度:66-84度(以聚合度不同而不同)。 溶解性:可以溶解于大多数醇、酮、醚、酯类 有机 溶剂,不溶于碳羟类溶剂,如汽油等石油 溶剂。

高压釜结构:
高压釜的整体机构如下:釜体,空压机,冷 干机,过滤器,进气管,排气管,水泵,进 水管,排水管,红外加热管;
釜内加热区分为四个区:上区,中区,下区, 补偿区。
高压釜操作流程:
开门 把放有电池片的小车推入高压釜 关门 点击自动运行按钮,高压釜开始自动工作;

高压釜工作的阶段
作出标记。每处定义0.5延长米。每处加放1 米
PVB的几何尺寸:
几何尺寸
厚度mm 均匀度 0.38±0.02 0.76±0.02
25mm距离内横向厚度偏差不 超过15µm 50mm距离内横向厚度偏差不 超过20µm
长度公差m 宽度偏差mm
0-5 0-10
0-2
PVB的其它技术要求
(3) PVB的其它技术要求

超声波金属焊接的原理:

超声波金属焊接是利用额每秒钟数万次的高频振
动波传递到两个需焊接的金属工件表面,再施以
一定的压力,使金属表面相互摩擦而形成分子层
之间的熔合,达到焊接的目的。

超声波焊接只适用于柔软韧性的金属焊接;
超声波金属焊接机:
超声波金属焊接机:
超声波焊接的优点:
1,节能 2,无需装备散烟散热的通风装臵 3,成本低,效率高 4,容易实现自动化生产

层压工序:
层压工序的作用:把焊好铝带的前电池板、 PVB胶膜、背板玻璃压合到一起; 太阳能电池组件层压机是实现从原材料到太 阳能电池板过渡的关键设备;
层压工序:
层压机:
层压工序:
层压机:
层压机:
层压机分为三段:
进料级
主机 (层压级)
出料级
层压机结构
机构图:
加热站 工作台 真空泵
出料台
主机
进料台
层压机的工艺流程:
开盖━上室真空━放入待压组件━合盖━ 下室抽空━上室充气(层压过程)━下室 充气━开盖━取出电池板;
层压机工作原理

层压机就是在真空条件下把多层物质进行压 合的机械设备。 真空层压机应用于太阳能电池组装生产线上。 我们称之为太阳能电池组件层压机。 无论层压机应用于哪种作业,其工作原理都 是相同的。那就是在多层物质的表面施加一 定的压力,将这些物质紧密地压合在一起。 所不同的事根据层压的目的不同,压合的条 件各不相同。
钢化玻璃的不足:

1 . 钢化后的玻璃不能再进行切割和加工,只 能在钢化前就对玻璃进行加工至需要的形状, 再进行钢化处理。
2 . 钢化玻璃强度虽然比普通玻璃强,但是钢 化玻璃在温差变化大时有自爆(自己破裂) 的可能性,而普通玻璃不存在自爆的可能性。

钢化玻璃自爆的原因:





钢化玻璃在无直接机械外力作用下发生的自动性 炸裂叫做钢化玻璃的自爆,根据行业经验,普通 钢化玻璃的自爆率在4‰左右。自爆是钢化玻璃 固有的特性之一。 产生自爆的原因很多,简单地归纳以下几种: ①玻璃质量缺陷的影响 A.玻璃中有结石、杂质 B.玻璃中含有硫化镍结晶物 C.玻璃表面因加工过程或操作不当造成有 划痕、炸口、深爆边等缺陷,易造成应力集中或 导致钢化玻璃自爆。

什么是钢化玻璃:

钢化玻璃的加工可分为物理钢化法和化学钢化 法。 这里只介绍物理法

什么是钢化玻璃:

物理钢化玻璃又称为淬火钢化玻璃。它时将普 通平板玻璃在加热炉中加热到接近玻璃的软化 温度(600℃)时,通过自身的形变消除内部 应力,然后将玻璃移出加热炉,再用多头喷嘴 将高压冷空气吹向玻璃的两面,使其迅速且均 匀地冷却至室温,即可制得钢化玻璃。
主要内容:
一.封装生产工艺流程
二.清洗工序
三.焊接工序
四.层压工序
五.高压釜工序
一、封装工艺生产流程
裁切PVB
背焊 接
摊铺PVB
合背板
功率测试 装接线盒
合 格
检验 不合格 层压工序 成品层压
清洗包装 入库
返修
高压釜
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