氮化硅刻蚀机培训教程
刻蚀培训计划
刻蚀培训计划一、培训概述刻蚀技术是一种在材料表面制造微细结构的加工技术，广泛应用于半导体制造、光电子器件制造、微纳米加工等领域。
随着科技的不断发展，刻蚀技术在相关行业中的需求日益增加。
为了培养专业的刻蚀技术人才，满足行业需求，本次培训计划就专门针对刻蚀技术进行培训，内容包括刻蚀工艺原理、设备操作、安全技术等方面。
二、培训目标1.了解刻蚀技术的基本原理和应用范围。
2.熟练掌握刻蚀工艺过程和设备操作方法。
3.掌握刻蚀技术相关的安全知识和常用故障排除方法。
4.具备一定的刻蚀工程实践能力，能够独立进行一定程度的刻蚀加工。
5.了解国内外刻蚀技术的发展趋势和最新应用领域。
三、培训内容1. 刻蚀技术概述- 刻蚀技术的定义和历史发展- 刻蚀技术的应用范围和发展前景2. 刻蚀工艺原理- 刻蚀过程的基本原理- 刻蚀材料和刻蚀介质的选择- 刻蚀参数对加工效果的影响3. 刻蚀设备操作- 常见刻蚀设备的结构和原理- 刻蚀设备的使用方法和注意事项- 刻蚀设备的日常维护和保养4. 刻蚀工艺实践- 刻蚀样品的准备和加工- 刻蚀工艺中常见问题的解决方法- 刻蚀实验数据的处理和分析5. 刻蚀安全技术- 刻蚀工艺中的安全隐患和预防措施- 突发事件的应急处理和救援措施- 刻蚀设备和材料的安全操作规范6. 刻蚀技术的发展趋势- 国内外刻蚀技术的最新进展- 刻蚀技术在相关领域中的应用案例- 刻蚀技术未来的发展方向和挑战四、培训方法1. 理论讲解：由资深专家讲解刻蚀技术的基本原理和应用知识。
2. 案例分析：通过实际案例分析，让学员了解刻蚀技术在实际应用中的重要性和难点。
3. 实践操作：提供实际的刻蚀设备和材料，让学员亲自操作，掌握刻蚀工艺和设备的操作方法。
4. 网络学习：提供在线学习平台，定期组织学员进行网络学习和交流，分享学习心得和技术经验。
五、培训流程1. 第一阶段：刻蚀技术基础知识培训- 刻蚀技术的基本概念和原理- 刻蚀工艺参数的选择和优化- 刻蚀设备的使用和维护2. 第二阶段：刻蚀工艺实践操作- 刻蚀样品的准备和操作- 常见问题的解决方法和设备操作技巧- 刻蚀实验数据的处理和分析3. 第三阶段：刻蚀安全技术和应急处理- 刻蚀工艺中的安全隐患和预防措施- 突发事件的应急处理和救援措施- 刻蚀设备和材料的安全操作规范4. 第四阶段：刻蚀技术的发展趋势和应用案例- 国内外刻蚀技术的最新进展- 刻蚀技术在相关领域中的应用案例- 刻蚀技术未来的发展方向和挑战六、培训考核1. 理论考核：结合培训内容，进行书面考核，测试学员对刻蚀技术基础知识的掌握程度。
氮化硅刻蚀机培训教程
氮化硅刻蚀机培训教程本页仅作为文档封面，使用时可以删除This document is for reference only-rar21year.MarchTel/lam 氮化硅刻蚀机培训教案一简介：Tel/lam 氮化硅刻蚀机是一种平板式的干法刻蚀设备，用于氮化硅的干法刻蚀，其工作原理为特种气体SF6,CHF3在RF下电离并与氮化硅发生反应。
二结构组成它由以下几部分组成：主机部分、电源部分、泵组部分、射频部分和气体供给部分部分。
1主机部分：它是氮化硅刻蚀机的主体部分，包括显示器、传递腔、反应腔、传动系统及设备的主要控制系统。
2电源部分：系统供电208V进入，经变压器，继电器等变为所需的电压输出。
该设备泵组电源由电源柜控制。
3射频部分：在气体反应时提供的高频电源，以便气体在高真空环境下电离，产生等离子体。
射频匹配系统位于主机上部，用于对射频源所提供的高频通过可变的电感电容进行匹配，以便提供给设备稳定高效的射频。
射频电源为208VAC供电，外接冷却水为本体发热元件降温。
4泵组部分：由机械泵、增压泵和真空管线构成抽反应腔的真空系统，以达到工艺反应时所需的真空度要求。
由18泵及配套的真空管线用于抽传递腔的真空。
现在我们使用的泵组位于一楼回风区内。
5 气体供给部分：由特气柜、特气瓶和特气管线构成。
用于提供反应所需的特种气体，其中用于提供特气的特气瓶至于一楼回风区内，特气经二次减压提供给设备，并由质量流量计进行控制。
三T el/lam 氮化硅刻蚀机的基本操作1 当操作本台设备时，应首先检查该设备的动力条件，具体条件如下：压缩空气：±氮气: ±用于射频冷却的冷却水是否有，反应所用的特气是否有，设备面板的电极温度是否和设定的温度相符，排风是否正常。
2操作：按照设备操作流程进行操作3面板按键：LOAD 用于下载初始化程序 SAVE保存程序 RECIPE用于编辑反应的程序 STATUS 用于观察设备所处的状态 PARAMETERS用于设置设备参数 OPTIONS用于设备的手动操作及观察设备运行时的参数变化 START 开始设备开始运行 STOP终止下一片硅片从传片筐传出 FIELD SELECT 用于切换设定状态设备面板另有四个用于光标移动的按健及一个数字键盘四 Tel/lam 氮化硅刻蚀机的常见故障及应急故障处理1真空故障：主要显示为反应腔或者传递腔真空达不到，真空漏率较大。
蚀刻培训讲义
蚀刻培训讲义一、流程入板→膨松→退膜→水洗→蚀刻→氨水洗→水洗→孔处理（沉金板）→水洗→退锡→水洗→烘干→出板二、目的将板面上多余之铜蚀去得到符合要求的线路图形三、控制要点与工作原理膨松: 一种浸泡式过程, 先将其软泡, 将给后工序退膜。
控制条件: 浓度3-5% 温度50±5℃行板速率2．退膜1．用3%的强碱或10-13%的RR-2有机去膜液剥除, 抗氧化剂防止铜面氧化, 除泡剂消泡。
2．蚀刻a.概述目前, 印刷电路板（PCB）加工的典型工艺采用“图形电镀法”。
即先在板子外层需保留的铜箔上, 也就是电路的图形部分上预镀一层铅锡抗蚀层, 然后用化学方式将其余的铜箔腐蚀掉, 称为蚀刻。
要注意的是, 这时的板子上面有两层铜, 在外层蚀刻工艺中仅仅有一层铜是必须被全部蚀刻掉的, 其余的将形成最终所需要的电路。
在这种类型的电镀叫图形电镀, 其特点是镀铜层仅存在于铅锡抗蚀层。
另外一种工艺称为“全板镀铜工艺”, 与图形电镀相比, 全板镀铜的最大缺点是板面各处都要镀两次铜而且蚀刻时还必须都把它们腐蚀掉。
因此当导线线宽十分精细时将会产生一系列的问题。
同时, 侧腐蚀会严重影响线条的均匀性。
目前, 锡或铅锡是最常用的抗蚀层, 用在氨性蚀刻剂的蚀刻工艺中, 氨性蚀刻剂是普遍使用的化工药液, 与锡或铅锡不发生任何化学反应。
氨性蚀刻剂主要是指氨水/氯化氨蚀刻液, 下面作主要介绍。
对蚀刻质量的基本要求就是能够将除抗蚀层下面以外的所有铜层完全去除干净, 止此而已。
从严格意义上讲, 如果要精确地界定, 那么蚀刻质量必须包括导线线宽的一致性和侧蚀程度。
由于目前腐蚀液的固有特点, 不仅向下而且对左右各方向都产生蚀刻作用, 所以侧蚀几乎是不可避免的。
侧蚀问题是蚀刻参数中经常被提出来讨论的一项,它被定义为蚀刻深度与侧蚀宽度之比, 称为蚀刻因子。
在印刷电路工业中, 它的变化范围很宽泛, 从1到5。
显然, 小的侧蚀度或大的蚀刻因子是最令人满意的。
刻蚀机作业指导
刻蚀机作业指导一、概述刻蚀机是一种用于制作微细器件的设备，通过将光刻胶涂覆在基板上，然后使用刻蚀机将光刻胶上的图案转移到基板上。
本文将详细介绍刻蚀机的操作步骤、注意事项和常见问题解决方法。
二、操作步骤1. 准备工作a. 确保刻蚀机的电源温和源已连接并正常工作。
b. 检查刻蚀机内部是否有残留的光刻胶，如有需要进行清理。
c. 将待刻蚀的基板放置在刻蚀机的夹具上，并确保夹具稳固。
2. 设定刻蚀参数a. 打开刻蚀机的控制面板，进入参数设置界面。
b. 根据所需的刻蚀深度和图案要求，设定刻蚀时间、功率温和体流量等参数。
c. 确认参数设置无误后，保存并退出参数设置界面。
3. 开始刻蚀a. 关闭刻蚀机的安全门，并确保周围环境无尘。
b. 打开刻蚀机的真空泵，并等待真空度稳定。
c. 按下启动按钮，刻蚀机开始工作。
d. 在刻蚀过程中，观察刻蚀情况，确保刻蚀深度和图案质量符合要求。
4. 刻蚀完成a. 刻蚀时间到达设定值后，刻蚀机会自动住手工作。
b. 打开刻蚀机的安全门，取出刻蚀完成的基板。
c. 检查刻蚀结果，如有问题需要重新进行刻蚀。
三、注意事项1. 安全操作a. 在操作刻蚀机之前，必须戴好防护眼镜和手套，确保自身安全。
b. 刻蚀机操作过程中，严禁将手指或者其他物品伸入刻蚀区域，以免发生意外。
2. 参数设定a. 在设定刻蚀参数时，应根据实际需要进行调整，避免刻蚀过深或者过浅。
b. 不同材料的刻蚀参数可能不同，需要根据实际情况进行调整。
3. 刻蚀质量控制a. 在刻蚀过程中，应随时观察刻蚀情况，确保刻蚀深度和图案质量符合要求。
b. 如发现刻蚀不均匀或者刻蚀深度不符合要求，应及时调整参数或者重新进行刻蚀。
四、常见问题解决方法1. 刻蚀不均匀a. 检查刻蚀机内部是否有残留的光刻胶，如有需要进行清理。
b. 检查刻蚀参数是否合适，如需调整参数。
c. 检查刻蚀机的真空泵是否正常工作，如需更换或者维修。
2. 刻蚀深度不符合要求a. 检查刻蚀参数是否合适，如需调整参数。
刻蚀机作业指导
刻蚀机作业指导一、引言刻蚀机是一种用于制造微细结构的设备，广泛应用于半导体、光电子、生物医学等领域。
本文将为您提供刻蚀机的作业指导，包括准备工作、操作步骤和注意事项。
二、准备工作1. 确保刻蚀机处于正常工作状态，检查电源和气源是否正常。
2. 确保刻蚀机周围环境整洁，无杂物和易燃物。
3. 穿戴好防护设备，包括防护眼镜、手套和工作服。
三、操作步骤1. 打开刻蚀机的电源开关，待设备启动完毕后，进入主界面。
2. 根据实际需求，选择合适的刻蚀模式和参数。
常见的刻蚀模式包括湿法刻蚀和干法刻蚀。
3. 将待刻蚀的样品放置在刻蚀机的夹持台上，并调整夹持力度，确保样品牢固固定。
4. 在主界面上设置刻蚀时间、功率和温度等参数。
根据样品的材料和要求，合理选择参数。
5. 点击“开始”按钮，刻蚀机开始工作。
在刻蚀过程中，可以实时监控刻蚀深度和温度等参数。
6. 刻蚀完成后，关闭刻蚀机的电源开关，将样品取出。
四、注意事项1. 在操作刻蚀机前，请详细阅读设备的操作手册，并遵守相关的安全规定。
2. 刻蚀机工作时会产生有害气体和腐蚀性液体，请确保操作环境通风良好，并佩戴好防护设备。
3. 刻蚀机的操作应由经过培训的专业人员进行，不得擅自操作。
4. 在刻蚀过程中，及时观察刻蚀深度和温度等参数的变化，如有异常情况，请立即停止操作并联系维修人员。
5. 刻蚀机的维护保养应定期进行，包括清洁设备、更换耗材和校准参数等。
6. 刻蚀机不适用于刻蚀高硬度和易燃材料，刻蚀前应确认样品适用于刻蚀机的工艺。
五、总结刻蚀机作业指导为您提供了刻蚀机的准备工作、操作步骤和注意事项。
在操作刻蚀机时，请确保安全，并遵循操作手册中的规定。
刻蚀机的正确操作和维护保养，将有助于提高工作效率和样品质量。
如有任何疑问或问题，请及时联系相关人员。
刻蚀工序培训
6、后清洗常见异常图片分析
7、后清洗常见异常处理流程
一、刻蚀设备构造
刻蚀工艺步骤： 边缘刻蚀→碱洗 →酸洗→吹干 RENA InOxSide后清洗设备的主体分为以下七个槽，此外还有滚轮、 排风系统、自动及手动补液系统、循环系统和温度控制系统等。
Etch bath
Rinse1 Rinse2
Alkaline Rinse
RENA清洗设备 注：前、后清洗设备外观相同，内部构造和作用原理稍有不同
Etch bath：刻蚀槽，用于边缘刻蚀。 所用溶液为 HF+HNO3+H2SO4， 作用：边缘刻蚀，除去边缘PN结，使电流朝同一方向流动。 注意扩散面须向上放置， H2SO4的作用主要是增大液体浮 力，使硅片很好的浮于反应液上（仅上边缘2mm左右和下表 面与液体接触）。 Alkaline Rinse：碱洗槽 。 所用溶液为KOH， 作用：中和前道刻蚀后残留在硅片表面的酸液。 HF Bath：HF酸槽 。 所用溶液为HF， 作用：中和前道碱洗后残留在硅片表面的碱液；去 PSG
碱洗槽的作用： 1.洗去硅片表面多孔硅； 2.中和前道刻蚀后残留在硅片表面的酸液。
HF酸槽 ： 所用溶液为HF，主要工艺参数： Firstfill concentration of chemical: HF(5%); Bath ifetime:250hours; Bath processtemperature:22± 4 ℃ 当药液寿命（ Bath lifetime ）到后，需更换整槽药液。 影响因素：浓度、时间
HF bath
Rinse3
Dryer2
上 片
刻蚀槽 H2SO4/ HNO3/ HF
水 喷 淋
碱洗槽 NaOH
水 喷 淋
刻蚀间工艺培训2
HF/HNO3体系腐蚀机理特点
大致旳腐蚀机制是先氧化再清除，酸对硅旳腐蚀 速度与晶粒取向无关，所以酸腐蚀又称为各向同性腐 蚀。
在HF-HNO3溶液中旳刻蚀速率是各向同性，（100）面旳刻蚀速 率和（111）面旳腐蚀速率非常接近。
三、滚轴和内槽槽边高度（水平）:滚轴高度决定硅片经过刻蚀 槽时旳高度，而内槽槽边高度（水平）决定刻蚀槽液面旳大致 高度，两者旳高度差距只有在合理范围内，硅片才干吸附到刻 蚀液；
四、滚轴水平：滚轴水平，5道轨道内运营旳硅片才干与刻蚀 液水平面平行，只有平行于水平面，硅片吸附刻蚀液才均匀， 也即刻蚀均匀，无过刻或刻不通现象；
SiO2+6HFH2SiF6+2H2O
HF/HNO3体系腐蚀机理
大致旳腐蚀机制是HNO3 (一种氧化剂)腐蚀，在硅片表 面形成了一层SiO2，然后这层SiO2在HF 酸旳作用下清除。
在低HNO3及高HF浓度区，生成SiO2旳能力 弱而清除SiO2旳能力强，反应过程受HNO3氧 化反应控制，所以腐蚀曲线平行于等HNO3 浓度线 。
刻蚀工艺培训
检测
•热探针和N型半导体接触时，传导电 子将流向温度较低旳区域，使得热探 针处电子缺乏，因而其电势相对于同 一材料上旳室温触点而言将是正旳。 •一样道理，P型半导体热探针触点相 对于室温触点而言将是负旳。 •此电势差能够用简朴旳微伏表测量。 •热探针旳构造能够是将小旳热线圈 绕在一种探针旳周围，也能够用小型 旳点烙铁。
简朴设备构造与工艺阐明图示
HF/HNO3体系腐蚀机理
硅在HON3+HF溶液中旳腐蚀速率大，而在纯HNO3或纯HF溶液中旳腐蚀速率很小。
刻蚀间工艺培训2培训资料共27页文档
谢谢
11、越是没有本领的就越加自命不凡。——邓拓 12、越是无能的人，越喜欢挑剔别人的错儿。——爱尔兰 13、知人者智，自知者明。胜人者有力，自胜者强。——老子 14、意志坚强的人能把世界放在手中像泥块一样任意揉捏。——歌德 15、最具挑战性的挑战莫过于提升自我。——迈克尔·F·斯特利
刻蚀间工艺培训2培训资料
16、自己选择的路、跪着也要把它走 完。 17、一般情况下)不想三年以后的事， 只想现 在的事 。现在 有成就 ，以后 才能更 辉煌。
18、敢于向黑暗宣战的人，心里必须 充满光 明。 19、学习的关键--重复。
20、能 所向披 靡。
蚀刻培训教材1
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蚀刻培训教材
八.生产安全与环境保护 生产安全与环境保护 因蚀刻工序使用了强碱(如NaOH)、氨水等化学品，生 产过程中有较大气味产生，同时产生大量废液、废渣，故 应加强抽风以及及时将废液、废渣运走，同时可进行蚀刻 液循环利用。
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蚀刻培训教材
九.参考资料 参考资料 1.TCM退膜机操作说明 2.TCM蚀刻机操作说明 3.丰洋PC-512 Alkaline Etching salt or solution on outter process
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蚀刻培训教材
3.基本工艺原理 褪膜:经电镀工序后的干膜在碱性褪膜液下溶解或部 褪膜 分成片状脱落,我司使用的是3% ±0.5%氢氧化钠 溶液. 为维持药液的效果,需注意过滤的效果,及时过滤 去片状的干膜碎,防止堵塞喷嘴.
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蚀刻培训教材
蚀刻:化学反应原理 蚀刻 Cu+Cu(NH3)4Cl2 2Cu(NH3)2Cl <1>
13蚀刻培训教材来自七.工序潜力与展望 工序潜力与展望
由于我司全板电镀较薄,且切匀性较好,故蚀刻的均匀性也 相对较好。随着未来PCB的发展，如挠性板、密的线路板的生 产将采取相应的措施，比如可将钻孔后之板适当蚀去1/3到1/2 的底铜，再做PTH全板，Dryfilm、图形电镀即可减少侧蚀，从 而保证线宽足够。
4Cu(NH3)2Cl + 4NH3H2O + 4NH4Cl + O2 4Cu(NH3)4Cl2+6H2O <2>
反应<1>和<2>重复进行,因此需要有良好抽气,使喷淋形成 负压,使空气中的氧气与药液充分混合,从而利于蚀刻反应进 行。注意抽气不可过大,否则造成氨水消耗量的增大.
显影刻蚀和剥膜设备培训资料
显影刻蚀和剥膜设备培训资料
显影、刻蚀和剥膜设备是半导体行业中常用的工艺设备，用于在半导体芯片制造过程中对芯片表面进行处理和加工。
以下是关于显影、刻蚀和剥膜设备的培训资料：
一、显影设备
1. 显影设备的作用：用于去除芯片表面的光刻胶，使芯片上的图形或结构得以显现。
2. 显影设备的操作流程：将芯片放置在显影液中浸泡一定时间，然后将其清洗干净即可。
3. 显影设备的注意事项：操作时需戴好防护眼镜和手套，防止显影液溅到皮肤和眼睛。
另外，要确保显影设备处于稳定状态，以免影响显影效果。
二、刻蚀设备
1. 刻蚀设备的作用：用于在芯片表面进行局部的溶解和去除，从而形成所需的图形和结构。
2. 刻蚀设备的操作流程：将芯片放置在刻蚀设备中，启动设备进行刻蚀处理，直至所需图形和结构形成后停止操作。
3. 刻蚀设备的注意事项：操作时需保持设备处于干燥状态，避免发生水汽对刻蚀的影响。
另外，对于有毒或腐蚀性的刻蚀液要谨慎使用，同时要确保设备处于良好通风的环境下操作。
三、剥膜设备
1. 剥膜设备的作用：用于去除芯片表面的光刻胶或残留物，使芯片表面变得干净。
2. 剥膜设备的操作流程：将芯片放置在剥膜设备中，启动设备
进行剥膜处理，直至芯片表面完全清洁。
3. 剥膜设备的注意事项：操作时需确保设备处于稳定状态，避免出现异常情况导致芯片损坏。
另外，要注意剥膜设备的清洁和维护，以保证设备的正常运行。
总之，显影、刻蚀和剥膜设备在半导体制造过程中扮演着重要的角色，操作人员在使用这些设备时需要严格遵守操作规程和注意事项，确保设备能够安全、稳定地运行，并达到良好的加工效果。
刻蚀工艺培训
液，去除硅片表面的磷硅玻璃，主要发生下列化学反应：
HF+SiO2→ H2SiF6 + H2O
四、工艺常见问题以及解决方法
4.1、腐蚀深度：工艺控制在1.2±0.2μm
检测仪器：电子称
腐蚀深度是表征片子刻通与否的一个重要参数，通过
测量刻蚀前后片子减薄量，可以计算出腐蚀深度，根据具
体测量情况可以改变工艺参数:
3.2 碱洗槽
KOH喷淋中和前道刻蚀后残留在硅片表面的酸液，去 除硅片表面的多孔硅及其杂质，去除扩散形成的染色， KOH溶液依靠冷却水降温保持在20℃左右，主要发生下列 化学反应：
Si+2KOH+H2O = K2SiO3+2H2↑
3.3 酸洗槽
HF循环冲刷喷淋中和前道碱洗后残留在硅片表面的碱
负责刻蚀工序点检表格（各台设备的运行情况与关键参数点检表）的编写。
协助工程师，安排刻蚀段的排查或改进实验，如有需要，与其他工序或是其他 职能部门进行沟通，实验结束后，及时给出实验报告。
完成安排的其他工作
工程师： 关注当天的效率、碎片率、良品率等参数、化学品用量，对于出现的外观不良、漏电或是效
Rinse2
HF bath
Rinse3
Dryer2
3.1 刻蚀槽
所用溶液为HF+HNO3+H2SO4，边缘刻蚀，除去边缘PN结，使电流朝同一方
向流动，发生下列化学反应：
3Si + 18HF + 4HNO3 → 3H2SiF6 + 8H2O + 4NO↑
注意：扩散面须向上放置， H2SO4硫酸不参与反应，仅仅是增加氢离子浓度 ，加快反应，增加溶液黏度（增大溶液与PSG薄层间的界面张力）和溶液密度 ，使硅片很好的浮于反应液上（仅上边缘2mm左右和下表面与液体接触）。
刻蚀原理及工艺培训
维护保养
辉光前必须按下橙色按钮对电子管预热10—15min。 。 辉光前必须按下橙色按钮对电子管预热 辉光结束后须冷却15min后，才可关闭电源。 高频电源实际使用功率不能超过800W。 高频电源地线必须独立接地，不允许与其它设备共用地。 反应管需定期旋转，以便延长其使用寿命。 长期停机时反应室应抽为真空状态，以免被污染。 做完一个循环后，若不立即做下一个循环，应盖上盖子。 每天要清洁反应室，特别是密封部位，否则真空漏气。 非设备人员请勿调节高频部分，有问题通知设备人员。
冷热探针测试注意
确认万用表工作正常，量程置于200mV。 冷探针连接电压表的正电极，热探针与电压表的负极相连。
等离子体刻蚀工艺原理
等离子体刻蚀机是基于真空中的高频激励而产生的辉光 等离子体刻蚀机是基于真空中的高频激励而产生的辉光 真空中的高频激励而产生的 放电将四氟化碳中的氟离子电离出来从而获得化学活性 放电将四氟化碳中的氟离子电离出来从而获得化学活性 微粒与被刻蚀材料起化学反应产生辉发性物质进行刻蚀 的。同时为了保证氟离子的浓度和刻蚀速度必须加入一 氧气生成二氧化碳 定比例的氧气生成二氧化碳。 定比例的氧气生成二氧化碳。 这种腐蚀方法也叫做干蚀法 干蚀法。 这种腐蚀方法也叫做干蚀法。 生产过程中， 中掺入O2，这样有利于提高Si和 生产过程中，在CF4中掺入 ，这样有利于提高 和 中掺入 SiO2的刻蚀速率。 的刻蚀速率。 的刻蚀速率
压力控制系统
压力控制仪 电容式薄膜压力 变送器 电子执行器 蝶阀
高频电源和匹配器技术性能
最大输出功率10~1000W 板极电压200~2700V 板极电流0~500mA 转换效率大于80% 振荡频率13.56MHz 反射功率调配小于5% 连续工作时间小于4h
刻蚀机作业指导
刻蚀机作业指导一、引言刻蚀机是一种用于制造微细结构和纳米级图案的重要设备。
本文将提供一份刻蚀机的作业指导，以帮助操作人员正确使用刻蚀机，并确保作业过程的安全和高效。
二、设备准备在开始操作刻蚀机之前，需要进行以下设备准备工作：1. 确保刻蚀机的电源连接正常，并检查所有的电源线路是否接地良好。
2. 检查刻蚀机的液氮供应是否充足，并确保液氮罐连接正确。
3. 检查刻蚀机的真空泵是否正常工作，并确保真空泵的油位充足。
4. 检查刻蚀机的刻蚀槽是否清洁，并确保刻蚀槽内没有杂质。
三、操作步骤1. 打开刻蚀机的主电源开关，并将液氮供应开关打开，确保刻蚀机和液氮供应正常工作。
2. 打开刻蚀机的真空泵开关，等待真空泵达到所需的真空度。
3. 将待刻蚀的样品放置在刻蚀槽中，并确保样品与刻蚀槽底部的电极接触良好。
4. 关闭刻蚀槽的盖子，并确保盖子密封良好，避免气体泄漏。
5. 调节刻蚀机的刻蚀参数，如刻蚀时间、功率、气体流量等，根据实际需求进行设置。
6. 按下启动按钮，开始刻蚀过程。
在刻蚀过程中，要密切观察刻蚀槽内的气体状态和样品的变化情况。
7. 刻蚀完成后，按下停止按钮，关闭刻蚀机的电源开关和真空泵开关。
8. 打开刻蚀槽的盖子，取出刻蚀好的样品，并进行必要的后续处理。
四、安全注意事项在操作刻蚀机时，需要注意以下安全事项：1. 穿戴好防护眼镜和手套，以防止化学品溅入眼睛或接触皮肤。
2. 在操作刻蚀机时，要保持刻蚀槽周围的工作区域整洁，避免杂物堆积。
3. 使用刻蚀机时，要注意气体的安全使用，确保气体流量适中，避免气体泄漏和爆炸。
4. 在刻蚀机操作过程中，如发现异常情况，如气体泄漏、电源故障等，应立即停止操作，并通知维修人员进行检修。
五、常见问题及解决方法1. 刻蚀过程中出现刻蚀不均匀的情况：可能是样品表面不平整或刻蚀参数设置不当。
可以尝试调整样品位置或重新设置刻蚀参数。
2. 刻蚀槽内出现杂质的情况：可能是刻蚀槽清洁不彻底或刻蚀槽密封不良。
磷酸 氮化硅 选择刻蚀
磷酸氮化硅选择刻蚀磷酸氮化硅选择刻蚀是一种常用的微纳加工技术，用于制备各种微纳器件和集成电路。
本文将介绍磷酸氮化硅选择刻蚀的原理、方法和应用。
1. 原理磷酸氮化硅选择刻蚀是利用磷酸对氮化硅具有较高的选择性，通过控制刻蚀条件，使磷酸优先刻蚀氮化硅而不刻蚀其他材料。
这种选择性主要是由于氮化硅在磷酸中形成了稳定的硅酸盐膜，而其他材料不易形成这种膜。
因此，在磷酸中进行刻蚀时，磷酸会优先与氮化硅反应，使其被刻蚀掉。
2. 方法磷酸氮化硅选择刻蚀的方法主要有湿法刻蚀和干法刻蚀两种。
湿法刻蚀是将氮化硅样品浸泡在含有磷酸的溶液中，通过控制溶液的温度、浓度和刻蚀时间等参数，使磷酸与氮化硅发生反应，从而实现刻蚀的目的。
湿法刻蚀具有刻蚀速度快、刻蚀深度均匀等优点，但也存在一些问题，例如刻蚀后需要进行清洗处理，否则会留下残留物。
干法刻蚀是将氮化硅样品放置在磷酸蒸气环境中，通过磷酸蒸气与氮化硅表面的反应，实现刻蚀作用。
干法刻蚀具有刻蚀速度可控、刻蚀深度均匀等优点，但对设备的要求较高，需要使用特殊的刻蚀设备。
3. 应用磷酸氮化硅选择刻蚀在微纳加工领域有广泛的应用。
其中一个重要应用是在集成电路的制备过程中。
氮化硅常用作集成电路中的绝缘层或衬底材料，通过磷酸氮化硅选择刻蚀可以制备出各种器件结构，如MOSFET、光电二极管等。
此外，磷酸氮化硅选择刻蚀还可以用于制备微纳机械结构，如微悬臂梁、微过滤器等。
4. 注意事项在进行磷酸氮化硅选择刻蚀时，需要注意以下几点：刻蚀条件的选择要合理，包括磷酸浓度、温度、刻蚀时间等参数。
这些参数会影响刻蚀速率和刻蚀深度的均匀性，需要根据具体的应用需求进行优化。
刻蚀后的样品需要进行清洗处理，以去除刻蚀产物和残留的磷酸。
清洗过程可以使用溶剂或酸碱溶液进行，但要注意控制清洗时间和温度，避免对样品造成损害。
刻蚀设备的选择也很重要。
不同的刻蚀设备具有不同的刻蚀特性，例如湿法刻蚀设备和干法刻蚀设备在刻蚀速率和刻蚀深度均匀性上有所差异。
刻蚀机作业指导
刻蚀机作业指导一、引言刻蚀机是一种用于制作微细结构的设备，广泛应用于半导体、光学和微电子等领域。
本文将详细介绍刻蚀机的作业指导，包括准备工作、操作步骤、注意事项等内容。
二、准备工作1. 确保刻蚀机的正常运行状态，检查设备的电源、气源、真空系统等是否正常。
2. 检查刻蚀机的刻蚀室是否干净，清理室内杂物和残留物，确保室内环境整洁。
3. 准备刻蚀样品，将样品固定在刻蚀台上，确保样品与台面接触良好，避免出现移动或倾斜。
三、操作步骤1. 打开刻蚀机的电源，启动刻蚀机。
待设备进入正常工作状态后，进入下一步操作。
2. 打开刻蚀机的控制面板，选择合适的刻蚀模式和参数。
根据实际需求，设置刻蚀时间、功率、气体流量等参数。
3. 打开真空系统，将刻蚀室抽成所需的真空度。
确保刻蚀室内无气泡和灰尘等杂质。
4. 将样品放入刻蚀室，关闭刻蚀室门，并确保密封良好。
5. 按下启动按钮，刻蚀机开始工作。
在刻蚀过程中，可以根据需要监控刻蚀深度、温度等参数，并进行调整。
6. 刻蚀完成后，停止刻蚀机的工作。
待刻蚀室内压力恢复正常后，打开刻蚀室门，取出样品。
7. 关闭刻蚀机的电源和真空系统，进行设备的清理和维护工作。
四、注意事项1. 在进行刻蚀操作前，确保已经了解并掌握刻蚀机的操作规程和安全注意事项。
2. 在刻蚀过程中，应定期检查刻蚀机的运行状态，如有异常及时停机检修。
3. 刻蚀室内的气体和化学物质可能具有一定的危险性，操作时应佩戴防护设备，避免直接接触和吸入。
4. 刻蚀机的操作必须由经过培训的人员进行，未经授权人员禁止操作设备。
5. 在取出样品后，应妥善保存并进行相关测试和分析，确保刻蚀效果符合要求。
五、总结刻蚀机作业指导旨在帮助操作人员正确、安全地使用刻蚀机进行微细结构的制作。
通过准备工作、操作步骤和注意事项的详细介绍，可以使操作人员掌握刻蚀机的正确使用方法，提高工作效率和产品质量。
同时，刻蚀机的安全操作也是保障人员和设备安全的重要环节，操作人员应严格遵守相关规程和注意事项，确保作业过程安全可靠。
刻蚀机作业指导
刻蚀机作业指导引言概述：刻蚀机是一种常用的半导体制造设备，用于在硅片表面进行微细加工。
正确的刻蚀机操作是确保制造过程高质量和高效率的关键。
本文将为您提供一份刻蚀机作业指导，以帮助您正确使用刻蚀机。
一、刻蚀机的基本原理与操作1.1 刻蚀机的基本原理刻蚀机利用化学反应或物理过程，将特定材料从硅片表面去除。
常用的刻蚀方法包括湿法刻蚀和干法刻蚀。
湿法刻蚀是利用化学溶液溶解材料，而干法刻蚀则是利用气体或等离子体去除材料。
1.2 刻蚀机的操作步骤（1）准备工作：首先检查刻蚀机的各项设备是否正常运行，确保刻蚀室干净无尘。
然后将硅片放置在刻蚀机的夹持装置中，并确保夹持装置牢固。
（2）设定刻蚀参数：根据所需刻蚀的材料和深度，设定刻蚀机的相关参数，如刻蚀时间、功率等。
这些参数的设定需要根据实际情况和经验进行调整。
（3）开始刻蚀：关闭刻蚀室的门，启动刻蚀机，并根据设定的参数开始刻蚀。
在刻蚀过程中，要注意观察刻蚀情况，以确保刻蚀效果符合要求。
二、刻蚀机的操作注意事项2.1 安全操作在进行刻蚀机操作时，要注意安全。
首先，佩戴适当的个人防护装备，如手套、防护眼镜等。
其次，要确保刻蚀机的电源接地良好，以防止静电引起的危险。
此外，刻蚀室内的化学品要妥善存放，避免泄漏和误操作。
2.2 确保刻蚀质量刻蚀质量是刻蚀机操作的核心目标。
在刻蚀过程中，要确保刻蚀室的温度和湿度适宜，以保证刻蚀效果。
同时，要定期检查刻蚀机的设备和刻蚀液的质量，及时更换和维护，以确保刻蚀质量的稳定和一致性。
2.3 确保设备维护刻蚀机是一种复杂的设备，需要定期进行维护和保养。
维护工作包括清洁刻蚀室、更换刻蚀液、检查和更换刻蚀机的零部件等。
定期维护可以延长刻蚀机的使用寿命，提高设备的稳定性和可靠性。
三、常见刻蚀机故障及处理方法3.1 刻蚀液泄漏刻蚀液泄漏是刻蚀机常见的故障之一。
处理方法包括立即停止刻蚀并关闭刻蚀室的门，清理刻蚀液，并检查刻蚀机的密封性。
3.2 刻蚀不均匀刻蚀不均匀是刻蚀机操作中常见的问题。
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Tel/lam 氮化硅刻蚀机培训教案
一简介：
Tel/lam 氮化硅刻蚀机是一种平板式的干法刻蚀设备，用于氮化硅的干法刻蚀，其工作原理为特种气体SF6,CHF3在RF下电离并与氮化硅发生反应。
二结构组成
它由以下几部分组成：主机部分、电源部分、泵组部分、射频部分和气体供给部分部分。
1主机部分：它是氮化硅刻蚀机的主体部分，包括显示器、传递腔、反应腔、传动系统及设备的主要控制系统。
2电源部分：系统供电208V进入，经变压器，继电器等变为所需的电压输出。
该设备泵组电源由电源柜控制。
3射频部分：在气体反应时提供13.56MHZ的高频电源，以便气体在高真空环境下电离，产生等离子体。
射频匹配系统位于主机上部，用于对射频源所提供的高频通过可变的电感电容进行匹配，以便提供给设备稳定高效的射频。
射频电源为208V AC供电，外接冷却水为本体发热元件降温。
4泵组部分：由机械泵、增压泵和真空管线构成抽反应腔的真空系统，以达到工艺反应时所需的真空度要求。
由18泵及配套的真空管线用于抽传递腔的真空。
现在我们使用的泵组位于一楼回风区内。
5 气体供给部分：由特气柜、特气瓶和特气管线构成。
用于提供反应所
需的特种气体，其中用于提供特气的特气瓶至于一楼回风区内，特气经
二次减压提供给设备，并由质量流量计进行控制。
三T el/lam 氮化硅刻蚀机的基本操作
1 当操作本台设备时，应首先检查该设备的动力条件，具体条件如下：
压缩空气：0.7±0.1MPa 氮气: 0.3±0.05MPa 用于射频冷却的冷却水是否有，反应所用的特气是否有，设备面板的电极温度是否和设定的温度相符，排风是否正常。
2操作：按照设备操作流程进行操作
3面板按键：LOAD 用于下载初始化程序SA VE保存程序RECIPE用于编辑反应的程序STATUS 用于观察设备所处的状态PARAMETERS用于设置设备参数OPTIONS用于设备的手动操作及观察设备运行时的参数变化START 开始设备开始运行STOP 终止下一片硅片从传片筐传出FIELD SELECT 用于切换设定状态
设备面板另有四个用于光标移动的按健及一个数字键盘
四Tel/lam 氮化硅刻蚀机的常见故障及应急故障处理
1真空故障：主要显示为反应腔或者传递腔真空达不到，真空漏率较大。
可能引起该故障的主要原因为：真空泵能力下降，真空管线连接不好，设备内部密封件老化，真空监测系统不准确。
传递腔不能达到大气压.其故障原因为用于检测其是否达到大气压的压力开关松动或损坏、充气的阀门没有打开或者是系统氮气没有供给
2 射频故障：主要为射频信号加不上，反射功率大，射频源温度过高
报警。
可能引起该故障的主要原因为：射频电缆连接处接触不好，匹配单元连接不好，射频源控制板故障，温度高(OVER HEAT)是因为冷却水管线堵塞造成。
4传递系统故障：主要表现为硅片在传递皮带上不动作；装载片筐的升降台不动作；机械手传接片子位置不正，其直接的影响会使硅片碎裂，严重时会导致主反应腔内的针（用于托片子）弯曲。
可能引起故障的原因为：传递皮带断裂及带动皮带的电机出现故障；
升降台的保险断开，控制系统有故障此时系统复位即可，机械手的限位不正确或气缸(电机)有故障。
5控制系统故障：常见为屏幕出现乱码。
产生此故障的原因通常为存储块接触不良或是电源不稳定。
6电极冷却部分故障：主要表现为电极温度升高.其产生的原因为用于冷却的系统无氟利昂，热交换器水箱温度设置过低导致水冷凝，传递水的管线堵塞，用于转换水路的电磁阀不能正常动作。