晶体管温度传感器及电子温度计

中国石油大学

智能仪器

实验报告

成 绩：

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—晶体管温度传感器及电子温度计

【实验目的】

1. 了解半导体晶体管的温度特性。

2. 了解晶体管温度传感器的结构、工作原理及响应特性。

3. 掌握晶体管温度传感器电压一一温度特性的测量方法。

4. 了解电子温度计的电路结构和设计方法。

【实验原理】

1. 半导体二极管及其特性

当用扩散的方法在 P 型半导体中掺入 N 型杂质或在N 型半导体中掺入 P 型杂质时，扩散的结 果使得两种材料的交界处空穴与电子达到动态平衡并形成

PN 结。由于PN 结具有单向导电性，因

此可用来制作半导体二极管、稳压管、可控硅及三极管；其中半导体二极管和稳压管由一个 PN 结

构成，半导体三极管和可控硅

图1-1二极管的结构及符号

由两个PN 结构成。二极管的结构及符号见图 1-1，根据使用的半导体材料不同二极管分为锗（ Ge ）

型和硅（Si ）型，根据结构划分为点接触型（图

1-1（a ））、面接触型（图1-1（b ））和硅平面型二极管

（图1-1（c ））；其中点接触型二极管由于结面积小、结电容小而适用于高频工作，常用于高频检波和 用作高速开关，面接触型和硅平面型二极管由于结面积大而适用于低频大电流整流。二极管在正向 电压作用下会使 PN 结变薄，从而形成正向电流，在反向电压作用下会使 PN 结变厚，无法形成反

向电流，这就是二极管的单向导电性，二极管的正向特性见图

1-2。

从图1-2中可以看到，二极管的正向特性曲线呈非线性，根据半导体理论可以得出二极管的正

阳松弓【垛

N 塑碇

向电流为:

V d _V g

1 d = 1s (e T -1)

（1-1）

正向电压为： kT I

V d 二 V g - ln( s ) q I d +l s

（1-2）

式（1-1）、（ 1-2）中:

V g ――禁带宽度 /V ； V T -kT/q ；

k = 1.381 1023 J / K ――波耳兹曼常数；

q= 1.602 10 “Q

单位电荷；

I s

二极管反向饱和电流（与温度有关）

/A ；

由式（1-2）得，二极管的正向电压不但与电流有关，而且与环境温度有关，当二极管电流

I d 一定

时，二极管的电压 V d 与温度成一定关系，在温度不太高的情况下， V d 与环境温度成正比，

即：

V d 二 V g T

（ 1-3）

这里，［是与二极管电流有关的系数， 当二极管电流一定时，1为常数，因此［被称之为二极管的

电压一一温度系数或测温灵敏度，可表示为:

(1-4)

［表示环境温度变化1 C 所引起的二极管电压变化,

单位为mV / C ，通常在- 40 C ~150 C 范

图1-2 二极管正向特性

围内，一：:._2mV / C 。

利用二极管的电压一一温度特性可以制做成温度传感器，电子温度计和电子控温仪等测温与控温设备，图1-3为用半导体PN结制成的铠装温度传感器示意图。

1 半导体PN结

2 引线

3 填充材料

4 金属外壳

图1-3铠装半导体PN结温度传感器示意图

2. 半导体电子温度计的组成与温度测量

半导体电子温度计以半导体温度传感器作为传感器件，由测温传感器、恒流源、放大器、零点调节、量程调节和显示仪表等组成。来自温度传感器的信号经过相应的信号处理后得到反映被测温度的电压信号，通过经过标定的显示仪表显示出温度值，其测温精度可以达到_0.1 C。

图1-4为半导体电子温度计的组成框图，图1-5为电路原理图。

图1-4 半导体电子温度计组成框图

图1-5中的半导体二极管D密封在薄铜管中作为温度传感器，T1、D1、R1、R2组成恒流源为

温度传感器供电，电位器RW1、RW2起零点调节和量程调节作用，显示仪表为指针式或数字式电压表，测温范围：0 ~ 100 C，测量精度可以达到一0.5%。

图1-5 半导体电子温度计电路原理图

3. 晶体管温度传感器的响应特性

传感器的响应特性反映传感器对被测对象的反应速度，反应速度越快，说明传感器对被测量的

快速跟踪能力越强。由于每种传感器均存在响应惯性，对于铠装晶体管温度传感器来讲，其响应惯

性主要来源于金属外壳内填充材料的热传导能力或铠装体的热容量，填充材料的热传导能力强，则

热惯性小，传感器的热响应速度快，因此填充材料最好采用导热硅脂或导热硅胶。由于传感器的响应特性符合指数规律，相当于在阶跃信号作用下惯性电路的输出特性，即：

V。二KV i（1 一「）（1-5）

式（1-5）中，K ――比例系数，V i ――阶跃输入信号或测量环境突变，.一一时间常数（秒）。当

t =•时，输出能力达到最大能力的63%，当t =4.时，输出能力达到最大能力的98%。

因此，.被看作是惯性系统响应能力的标志，.越小，响应速度越快，见图1-6。

晶体管电子温度计实验仪、电热杯、直流数字式电压表、秒表、标准温度计、数字温度计等。

【实验内容】

1. 半导体二极管电压一一温度特性的测量

直流数字电压表接晶体管电子温度计实验仪“PN+ ”和“ PN-”输出口，打开电源开关，直流数

字电压表选择2V档。将铠装晶体管温度传感器与标准温度计捆绑在一起组成搅拌棒，在保温杯中加入适量的冰块和少量的水，以冰为主，用搅拌棒充分搅拌成0 C的冰水混和液，读取并记录0 C

时直流数字电压表的读数一PN结电压，然后在玻璃杯中加入约100ml水，用注射器抽取适量冰水

注入玻璃杯中，调水温为10匸（水温高于20 °C时，先调20 °C后调10 9），将电压表读数V d记入表1-1，电热杯中加入约400ml水开始加热并不断用搅拌棒搅拌，使水中各部分温度均匀，同时使铠装晶体管温度传感器热传导加快，水温每升高10 C读取一下直流数字电压表读数V d并记入表1-1, 一直到100 C水沸腾为止，在直角坐标纸上绘出半导体二极管的结电压一一温度关系曲线。

2. 晶体管电子温度计的标定测量

将铠装晶体管温度传感器再放入0 C的冰水混和液中，调整晶体管电子温度计实验仪上的“零点”调节旋钮，使实验仪上的仪表指到零；然后将温度传感器放入100 C的开水中，调整实验仪上

的“满度”调节旋钮，使实验仪上的仪表指到100 C。电热杯停止加热，将开水倒入另一烧杯中（电热杯再装入约半杯以上的水继续加热，为下一内容做准备），烧杯放在平台上，使水自然降温，水

温每下降10 C读取一次实验仪上的仪表读数，降温过程可向烧杯中逐渐加入少许冷水，用搅拌棒