第二讲电力电子器件1
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电力电子器件概述
4. 最高工作结温 TJM:125~175℃
5. 反向恢复时间trr 6. 浪涌电流IFSM
1.2.4 主要类型
1. 普通二极管——又称整流二极管 1KHZ以下 数千安和数千伏以上
2. 快恢复二极管 5μs以下 3. 肖特二极管
1.3 半控型器件——晶闸管(SCR)
常用晶闸管的结构
螺栓型晶闸管
晶闸管模块
Id
1
2
3
Im
sin td
t
3
4
Im
0.24Im
I
1
2
Im
sin t
2
d
t
0.46Im
3
Kf
I Id
0.46 0.24
1.92
IT ( AV )
100 2
50
Id
1.57 50 1.92
41 A
Im
Id 0.24
41 0.24
171
A
⑵ 维持电流IH 使晶闸管维持通态所必需的最小主电流。 ⑶ 擎住电流IL ⑷ 浪涌电流ITSM
4. 光控晶闸管LTT
⑴又称光触发晶闸 管,是利用一定 波长的光照信号 触发导通的晶闸 管。
⑵光触发保证了主 电路与控制电路 之间的绝缘,且 可避免电磁干扰 的影响。
⑶在高压大功率的 场合占有重要地位。
1.4 典型全控型器件
门极可关断晶闸管——在晶闸管问世后不久出现。 20世纪80年代以来,电力电子技术进入了一个崭新时代。
不可控器件:电力二极管
半控型器件:晶闸管及其派生器件 全控型器件:功率场效应管、绝缘栅双极性晶体管、
门极可关断晶闸管
⑵ 按照控制信号性质可分为: 电流控制型 电压控制型:控制功率小
5. 反向恢复时间trr 6. 浪涌电流IFSM
1.2.4 主要类型
1. 普通二极管——又称整流二极管 1KHZ以下 数千安和数千伏以上
2. 快恢复二极管 5μs以下 3. 肖特二极管
1.3 半控型器件——晶闸管(SCR)
常用晶闸管的结构
螺栓型晶闸管
晶闸管模块
Id
1
2
3
Im
sin td
t
3
4
Im
0.24Im
I
1
2
Im
sin t
2
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t
0.46Im
3
Kf
I Id
0.46 0.24
1.92
IT ( AV )
100 2
50
Id
1.57 50 1.92
41 A
Im
Id 0.24
41 0.24
171
A
⑵ 维持电流IH 使晶闸管维持通态所必需的最小主电流。 ⑶ 擎住电流IL ⑷ 浪涌电流ITSM
4. 光控晶闸管LTT
⑴又称光触发晶闸 管,是利用一定 波长的光照信号 触发导通的晶闸 管。
⑵光触发保证了主 电路与控制电路 之间的绝缘,且 可避免电磁干扰 的影响。
⑶在高压大功率的 场合占有重要地位。
1.4 典型全控型器件
门极可关断晶闸管——在晶闸管问世后不久出现。 20世纪80年代以来,电力电子技术进入了一个崭新时代。
不可控器件:电力二极管
半控型器件:晶闸管及其派生器件 全控型器件:功率场效应管、绝缘栅双极性晶体管、
门极可关断晶闸管
⑵ 按照控制信号性质可分为: 电流控制型 电压控制型:控制功率小
第2章电力电子器件0810
当:IG =0时 1和2很小 IA=IK≈IC0 正向阻断 当UAK↑→ IC0 ↑→ 1、2↑→IA↑ 当1+2 ≈1 时 IA急剧增大 当UAK达到某一电压,使晶闸管由阻断状态转为导
通状态,称为正向转折现象
晶闸管的工作原理
➢ 晶闸管的关断
由式:
当: 1+2«1,晶闸管便可恢复关断。
通常规定:能维持晶闸管导通的最小电流 称为维持电流 IH
A
G
KK
A A G
a)
P1
N1
J1
G
P2 N2
J2 J3
K b)
晶闸管的外形、结构和电气图形符号
a) 外形 b) 结构 c) 电气图形符号
K G
A c)
2.晶闸管的工作原理
➢门级控制开通原理 A
当S闭和,形成门级电流
IG →Ib2→IC2=Ib1→IC1 G
↑------------↓
P1
N1 N1
➢ 晶闸管(Thyristor)及其大部分派生器件
通➢过控器件制的信关号断可由以其在控主制电其路导中通承受而的不电能压控和制电流其决关定断。 2) 全控型器件
➢ 绝 缘 栅 双 极 晶 体 管 ( Insulated-Gate Bipolar Transistor——IGBT)
通➢ 过电控力制场信效号应晶既体可管控(制Po其we导r-M通O又SF可ET控)制其关断。
➢ 晶闸管往往专指晶闸管的一种基本类型——普通晶闸管,广义上 讲,晶闸管还包括其许多类型的派生器件
1.晶闸管外型、结构及符号
➢ 外形有塑封式、螺栓型和平板型三种封装形式 ➢ 引出阳极A、阴极K和门极(控制端)G三个联接端 ➢ 对于螺栓型封装,通常螺栓是其阳极,能与散热器紧密联接且
通状态,称为正向转折现象
晶闸管的工作原理
➢ 晶闸管的关断
由式:
当: 1+2«1,晶闸管便可恢复关断。
通常规定:能维持晶闸管导通的最小电流 称为维持电流 IH
A
G
KK
A A G
a)
P1
N1
J1
G
P2 N2
J2 J3
K b)
晶闸管的外形、结构和电气图形符号
a) 外形 b) 结构 c) 电气图形符号
K G
A c)
2.晶闸管的工作原理
➢门级控制开通原理 A
当S闭和,形成门级电流
IG →Ib2→IC2=Ib1→IC1 G
↑------------↓
P1
N1 N1
➢ 晶闸管(Thyristor)及其大部分派生器件
通➢过控器件制的信关号断可由以其在控主制电其路导中通承受而的不电能压控和制电流其决关定断。 2) 全控型器件
➢ 绝 缘 栅 双 极 晶 体 管 ( Insulated-Gate Bipolar Transistor——IGBT)
通➢ 过电控力制场信效号应晶既体可管控(制Po其we导r-M通O又SF可ET控)制其关断。
➢ 晶闸管往往专指晶闸管的一种基本类型——普通晶闸管,广义上 讲,晶闸管还包括其许多类型的派生器件
1.晶闸管外型、结构及符号
➢ 外形有塑封式、螺栓型和平板型三种封装形式 ➢ 引出阳极A、阴极K和门极(控制端)G三个联接端 ➢ 对于螺栓型封装,通常螺栓是其阳极,能与散热器紧密联接且
电力电子技术第二章电力电子器件课件
2.2.3 晶闸管基本特性
1. 晶闸管静态伏安特性
图2.4 晶闸管的伏安特性
2.2.3 晶闸管基本特性
1) 正向伏安特性 晶闸管在门极开路(IG=0)的情况下,在阳极与阴极间施加 一定的正向阳极电压,器件也仍处于正向阻断状态,只有 很小的正向漏电流流过。 外加的阳极正向电压在其转折电压以下时,只要在门极注 入适当的电流(一般为毫安级),器件也会立即进入正向导 通状态 。
图2.5 晶闸管门极伏安特性
2.2.3 晶闸管基本特性
2. 晶闸管动态特性 1) 晶闸管开通过程
第一阶段:延迟阶段。所需时间为延迟时间td。从门极 电流iG阶跃时刻开始,到阳极电流iA上升到稳态电流的 10%所需的时间。在这一期间,晶闸管的正向压降略有 减小。 第二阶段:上升阶段。此阶段所需时间为上升时间tr。 阳极电流从稳态值的10%上升到90%所需的时间。在该 阶段,伴随着阳极电流迅速增加,器件两端的压降uAK 也迅速下降。 第三阶段:扩散阶段。所需时间为扩散时间tex。它是阳 极电流上升到90%之后载流子在整个芯片面积上分布的 过程,最终使iA上升到100%稳态值,器件压降达到稳 定值。
2.2.3 晶闸管基本特性
4) 断态电压临界上升率du/dt 因此过高的du/dt,会产生对J2结过大的充 电电流,可能造成晶闸管的误导通。
图2.8 位移电流产生示意图
2.2.3 晶闸管基本特性
5) 晶闸管的动态损耗 晶闸管在低频运行时,由于主要工作于稳定阻断 或导通状态,其开、关过程时间相对较短,该阶 段产生的损耗可以忽略。该阶段的损耗主要是由 通态压降与阳极电流,以及阻断电压和断态漏电 流产生的静态损耗。这种损耗是晶闸管低频运行 时结温升高的主要因素。 然而,晶闸管在高频运行时,晶闸管开关过程时 间占了很大成分,开关过程中晶闸管的压降和电 流值都较大,产生的损耗更是不容忽略的,这部 分损耗称作动态损耗。
电力电子器件课件2
UBO——正向转折电压
曲线族。Ig=0时,逐渐增大阳极电压Ua, 只有很小的正向漏电流,晶闸管正向阻断; 随着阳极电压的增大,当达到正向转折电压 UBO时,漏电流突然剧增,晶闸管由正向阻断突
变为正向导通状态。这种在Ig=0时,依靠增大 阳极电压而强迫晶闸管导通的方式称为“硬开
URO——反向击穿电压
通过控制信号既可以控制其导通,又可以控制其关断的 电力电子器件称为全控型器件.常用的有门极可关断晶 闸管,大功率晶体管,功率场效应管,绝缘栅双极型晶体管, 静电感应晶体管及静电感应晶闸管等.
根据器件内部载流子参与导电的种类不同全控型器件又 分为单极型,双极型和复合型.
第3页,共43页。
1.1 普通晶闸管
第16页,共43页。
1.2 全控型电力电子器件
1.2.2 电力晶体管
⑤饱和压降UCES:GTR工 作在深饱和区时,集射 极间的电压值。
⑥共射直流电流增益β: β=IC/IB表示GTR的电 流放大能力。
⑦动态参数如图2.2.5 开通时间 ton=td+tr 关断时间 toff=ts+tf
第17页,共43页。
第5页,共43页。
1.1 晶闸管
综述:晶闸管的导通条件是 晶闸管的内部结构和等效电路 阳极与阴极之间为正偏和 门极与阴极之间为正偏。 晶闸管导通后,即使撤除 门极驱动信号Ug,也不能使
晶闸管关断,只有设法使阳极
电流Ig减小到维持电流IH以
下,导致内部已建立的正反馈 无法维持,晶闸管才能恢复阻 断能力。门极电压只能触发晶 闸管开通,不能控制它的关断, 故称为半控型器件。
3、GTO有能承受反压和不能承受反 压两种类型,使用时应注意。
常用的GTO驱动电路。
a图中,T导通时,E经过T使GTO触发导 通,同时C被充电,极性左+右-。当 T关断时,C经L、SCR、GTO阴极、GTO 门极放电,反向电流使GTO关断。
曲线族。Ig=0时,逐渐增大阳极电压Ua, 只有很小的正向漏电流,晶闸管正向阻断; 随着阳极电压的增大,当达到正向转折电压 UBO时,漏电流突然剧增,晶闸管由正向阻断突
变为正向导通状态。这种在Ig=0时,依靠增大 阳极电压而强迫晶闸管导通的方式称为“硬开
URO——反向击穿电压
通过控制信号既可以控制其导通,又可以控制其关断的 电力电子器件称为全控型器件.常用的有门极可关断晶 闸管,大功率晶体管,功率场效应管,绝缘栅双极型晶体管, 静电感应晶体管及静电感应晶闸管等.
根据器件内部载流子参与导电的种类不同全控型器件又 分为单极型,双极型和复合型.
第3页,共43页。
1.1 普通晶闸管
第16页,共43页。
1.2 全控型电力电子器件
1.2.2 电力晶体管
⑤饱和压降UCES:GTR工 作在深饱和区时,集射 极间的电压值。
⑥共射直流电流增益β: β=IC/IB表示GTR的电 流放大能力。
⑦动态参数如图2.2.5 开通时间 ton=td+tr 关断时间 toff=ts+tf
第17页,共43页。
第5页,共43页。
1.1 晶闸管
综述:晶闸管的导通条件是 晶闸管的内部结构和等效电路 阳极与阴极之间为正偏和 门极与阴极之间为正偏。 晶闸管导通后,即使撤除 门极驱动信号Ug,也不能使
晶闸管关断,只有设法使阳极
电流Ig减小到维持电流IH以
下,导致内部已建立的正反馈 无法维持,晶闸管才能恢复阻 断能力。门极电压只能触发晶 闸管开通,不能控制它的关断, 故称为半控型器件。
3、GTO有能承受反压和不能承受反 压两种类型,使用时应注意。
常用的GTO驱动电路。
a图中,T导通时,E经过T使GTO触发导 通,同时C被充电,极性左+右-。当 T关断时,C经L、SCR、GTO阴极、GTO 门极放电,反向电流使GTO关断。
第二章 电力电子器件
第1章
二、 PN结与电力二极管工作原理(续)
PN结的正向导通状态:
电导调制效应使得PN结在正向电流较大 时压降仍然很低,维持在1V左右,所以正 向偏置的PN结表现为低阻态。
PN结的反向截止状态:
PN结有单向导电性。 二极管的基本原理就在于PN结的单 向导电性这一主要特征。
PN结的反向击穿:
第1章
附表1.1.1:主要电力半导体器件 的特性及其应用领域
开关 功能 不可 控
器件种类 电力 二极管 晶闸管 可关断 晶闸管 MOSFET IGBT
器件特性概略 5kV/3kA—400Hz 6kV/6kA—400Hz 8kV/3.5kA—光 控SCR 6kV/6kA— 500Hz
600V/70A— 100kHz
第1章
3、电力二极管的主要参数(续)
(2)反向重复峰值电压URRM:
指器件能重复施加的反向最高峰值电压(额定电压) 此电压通常为击穿电压UB的2/3。
( 3 )
正向压降UF:
指规定条件下,流过稳定的额定电流时,器件两端 的正向平均电压(又称管压降)。
(4) 反向漏电流IRR:
指器件对应于反向重复峰值电压时的反向电流。
第1章
1.2 电力二极管
• 1.2.1 电力二极管及其工作原理 • 1.2.2 电力二极管的特性与参数
第1章
1.2.2
电力二极管的特性与参数
• 1、电力二极管的伏安特性 • 2、电力二极管的开关特性 • 3、电力二极管的主要参数
第1章
1、电力二极管的伏安特性
特性曲线:
当电力二极管承受的 正向电压大到一定值(门 槛电压UTO),正向电流才 开始明显增加,处于稳定 导通状态。与正向电流IF对 应的电力二极管两端的电 压UF即为其正向电压降。 当电力二极管承受反向 电压时,只有少子引起的 微小而数值恒定的反向漏 电流。
第二章 电力电子器件PPT课件
或者关断的控制,这类电力电子器件被称为电压控制型电力电子器件或者电 压驱动型电力电子器件。
第4页/共82页
2.1 电力电子器件概述
电力电子器件的使用特点 从使用角度出发,主要可从以下五个方面考察电力电子器件的性能特点。 (1)导通压降。电力电子器件工作在饱和导通状态时仍产生一定的管耗,管耗 与器件导通压降成正比。 (2)运行频率。受到开关损耗和系统控制分辨率的限制,器件的开关时间越短, 器件可运行的频率越高。 (3)器件容量。器件容量包括输出功率、电压及电流等级、功率损耗等参数。 (4)耐冲击能力。这主要是指器件短时间内承受过电流的能力。半控型器件的 耐冲击能力远高于全控型器件。 (5)可靠性。这主要是指器件防止误导通的能力。
不可控型、半控型和全控型器件 双极型、单极型和混合型器件 电流控制型和电压控制型器件
第1页/共82页
2.1 电力电子器件概述
1. 不可控型、半控型和全控型器件
1) 不可控型器件:电力二极管
不可控型器件是指不能用控制信号来控制其通断的电力电子器件。这种
器件只有两个端子,导通和关断完全是由其在主电路中承受的电压和电流决
第5页/共82页
2.1 电力电子器件概述
电力电子器件的现状和发展趋势 目前电力电子器件的种类和发展历史如图2.2所示。电力电子器件的主要
性能指标为电压、电流和工作频率三个参数,通过对这三项参数的比较即可 明白每种器件的应用范围。
图2.2 电力电子器件的种类和发展历史
第6页/共82页
2.1 电力电子器件概述
时在门极施加正向电压。正向阳极电压和正向门极电压两者缺一不可。 (4) 晶闸管一旦导通,门极就失去控制作用。晶闸管门极只能控制其导通,
而不能使已导通的晶闸管关断。 (5) 要使晶闸管关断,必须去掉阳极正向电压,或者给阳极加反压,或者
第4页/共82页
2.1 电力电子器件概述
电力电子器件的使用特点 从使用角度出发,主要可从以下五个方面考察电力电子器件的性能特点。 (1)导通压降。电力电子器件工作在饱和导通状态时仍产生一定的管耗,管耗 与器件导通压降成正比。 (2)运行频率。受到开关损耗和系统控制分辨率的限制,器件的开关时间越短, 器件可运行的频率越高。 (3)器件容量。器件容量包括输出功率、电压及电流等级、功率损耗等参数。 (4)耐冲击能力。这主要是指器件短时间内承受过电流的能力。半控型器件的 耐冲击能力远高于全控型器件。 (5)可靠性。这主要是指器件防止误导通的能力。
不可控型、半控型和全控型器件 双极型、单极型和混合型器件 电流控制型和电压控制型器件
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2.1 电力电子器件概述
1. 不可控型、半控型和全控型器件
1) 不可控型器件:电力二极管
不可控型器件是指不能用控制信号来控制其通断的电力电子器件。这种
器件只有两个端子,导通和关断完全是由其在主电路中承受的电压和电流决
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2.1 电力电子器件概述
电力电子器件的现状和发展趋势 目前电力电子器件的种类和发展历史如图2.2所示。电力电子器件的主要
性能指标为电压、电流和工作频率三个参数,通过对这三项参数的比较即可 明白每种器件的应用范围。
图2.2 电力电子器件的种类和发展历史
第6页/共82页
2.1 电力电子器件概述
时在门极施加正向电压。正向阳极电压和正向门极电压两者缺一不可。 (4) 晶闸管一旦导通,门极就失去控制作用。晶闸管门极只能控制其导通,
而不能使已导通的晶闸管关断。 (5) 要使晶闸管关断,必须去掉阳极正向电压,或者给阳极加反压,或者
电力电子技术基础课件:电力电子器件
10
2.1 电力电子器件概述
3、电力电子器件的分类
2)按照控制信号的性质分:
电流驱动型:SCR、GTO、GTR; 电压驱动型:MOSFET、IGBT。
3)按照控制信号的信号波形分:
脉冲触发型
电平控制型
4)按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分:
单极型器件
双极型器件
复合型器件 11
思考:晶闸管的出现带来了电气工程领域的哪些变化?
对人类生活社会产生了哪些影响?
24
2.3半控型电力电子器件-晶闸管
1、晶闸管的结构
晶闸管为“三端四层”结构。
“三端”指外部有三个极:阳极A,阴极K,门极G;
“四层”指内部有“四层三个PN结”,即四层半 导体P1、N1、P2、N2形成三个PN结。
不论阳极和阴极间施加什么样的电压,总 有PN结被反向偏置,SCR不会导通。
电路3:阳极与阴极之间经指示灯与负电源相连, 门极接负电源,指示灯不亮;
电路4:阳极与阴极之间经指示灯与负电源相连, 门极接正电源,指示灯不亮。
由电路3和电路4知,当晶闸管阳极和阴 极之间施加负电压时,无论门极施加什么样的 电压,晶闸管不会导通。
27
2.3半控型电力电子器件-晶闸管
2、晶闸管的开通与关断条件
电力二极管的主要参数有额定电压、额定电流、结温、管压降等。 1)额定电压
能够反复施加在二极管上,二极管不会被击穿的最高反向 重复峰值电压URRM。
在使用时,额定电压一般取二极管在电路中可能承受的最 高反向电压,并增加一定的安全裕量,如下式:
式中 (2~3)——电压安全裕量;UDM——二极管承受的最大峰值电压。19
那么晶闸管怎么能关断呢?
28
《电力电子器件》PPT课件
流。)
h
7
晶闸管的特性总结如下:
承受反向电压时,不论门极是否有触 发电流,晶闸管都不会导通。
承受正向电压时,仅在门极有触发电 流的情况下晶闸管才能开通。
晶闸管一旦导通,门极就失去控制作 用。
结论:
要使晶闸管关断,只能使晶闸管的电 流降到接近于零的某一数值以下 。
SCR导通条件: UAK>0 同时 UGK>0 由导通→关断的条件:使流过SCR的电流降低至维持电流以下。
2IG ICBO1ICBO2
IA 1(1 2)
(1-5) 图1-7 晶闸管的双晶体管模型及其工作原理
h
a) 双晶体管模型 b) 工作原理 9
➢ 正 向 阻 断 : 开 关 S 断 开 , IG=0 ,
1+2很小。流过晶闸管的漏电流稍大
于两个晶体管漏电流之和。
➢ 触发导通:开关S闭合,注入触发电
流IG。管子内部形成电流正反馈,V1、 V2饱和,1+2趋近于1,流过晶闸管 的电流IA急剧增大,晶闸管导通。IA实
普通晶闸管的关断时间约几
百微秒
h
trr URRM tgr
晶闸管的开通和关断过程波形
15
(2)关断过程
反向阻断恢复时间trr:正向电流 降为零到反向恢复电流衰减至接
近于零的时间
正向阻断恢复时间tgr:晶闸管要 恢复其对正向电压的阻断能力还
需要一段时间
h
16
在正向阻断恢复时间内如果重新对晶闸管施加正向电压,晶闸管会重新正 向导通
第一章 电力电子器件
h
1
电力电子器件(2)--晶闸管
• 1. 晶闸管的结构与工作原理 • 2. 晶闸管的基本特性 • 3. 晶闸管的主要参数 • 4. 晶闸管的派生器件
h
7
晶闸管的特性总结如下:
承受反向电压时,不论门极是否有触 发电流,晶闸管都不会导通。
承受正向电压时,仅在门极有触发电 流的情况下晶闸管才能开通。
晶闸管一旦导通,门极就失去控制作 用。
结论:
要使晶闸管关断,只能使晶闸管的电 流降到接近于零的某一数值以下 。
SCR导通条件: UAK>0 同时 UGK>0 由导通→关断的条件:使流过SCR的电流降低至维持电流以下。
2IG ICBO1ICBO2
IA 1(1 2)
(1-5) 图1-7 晶闸管的双晶体管模型及其工作原理
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a) 双晶体管模型 b) 工作原理 9
➢ 正 向 阻 断 : 开 关 S 断 开 , IG=0 ,
1+2很小。流过晶闸管的漏电流稍大
于两个晶体管漏电流之和。
➢ 触发导通:开关S闭合,注入触发电
流IG。管子内部形成电流正反馈,V1、 V2饱和,1+2趋近于1,流过晶闸管 的电流IA急剧增大,晶闸管导通。IA实
普通晶闸管的关断时间约几
百微秒
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晶闸管的开通和关断过程波形
15
(2)关断过程
反向阻断恢复时间trr:正向电流 降为零到反向恢复电流衰减至接
近于零的时间
正向阻断恢复时间tgr:晶闸管要 恢复其对正向电压的阻断能力还
需要一段时间
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16
在正向阻断恢复时间内如果重新对晶闸管施加正向电压,晶闸管会重新正 向导通
第一章 电力电子器件
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1
电力电子器件(2)--晶闸管
• 1. 晶闸管的结构与工作原理 • 2. 晶闸管的基本特性 • 3. 晶闸管的主要参数 • 4. 晶闸管的派生器件
第二讲电力电子器件 (1)
2.4.3 电力场效应晶体管
电力场效应晶体管简称电力MOSFET,属于场 控型器件(指用电压信号控制工作电流的器件)。 优点:输入阻抗高,所需驱动电路简单,驱动功率 小,开关速度快(10~100ns),工作频率可达 500KHZ甚至MHZ以上,是目前工作频率最高的电力 电子器件,此外还具有优异的热稳定性和抗干扰性能。 缺点:电流容量小,耐压低、通态电阻大(提高耐压 时通态电阻急剧增大),功率等级低。 应用:多用于功率不超过10kW的电力电子装置(高 性能开关电源、斩波器、逆变器等)。
电力电子应用技术
第二章 电力电子器件
学习电力电子器件应重点关注: 1、三类器件:不可控、半控、全控 2、器件的简单工作原理 3、器件的两特:特性、特点 4、器件的主要参数 5、器件的应用
理想开关:
电力电子技术——利用电力电子器件对电能进行变 换的技术 变换方法——开关变流:利用开关把直流电或交流 电分段或切片(甚至粉碎),然后重 新组合为希望波形的电。 理想开关: ①关断(截止)时,可承受高电压,漏电流为零。 ②开通(导通)时电压为零,可流过足够大电流。 ③可双向导通,并可方便地控制。 ④导通与关断过程的时管的派生器件,在晶闸管问世后不久 出 现,可用负门极信号实现关断,故属于全控型器件。 优点:耐压高、电流大、耐浪涌能力强,与普通晶闸 管接近;开通时间和关断时间较晶闸管短. 缺点:关断时门极电流大,是阳极电流的0.2~0.33 倍,控制功率极大,对驱动电路、吸收回路的杂散电 感特敏感,设计、制造困难很大,应用受限。静态特 性参数与晶闸管类同,但反向重复峰值电压仅为几十 伏,用于电路中时必须反并联大容量快速二极管。 应用:多应用于兆瓦级以上的大功率场合。比如在电 力机车及大型轧机上的大功率变频器的开关器件。
第二章电力电子器件141页PPT
V1
LR
心的主电路组成.
电
① 控制电路按系统的工作要求形成控 路
驱动 电路
V2 主电路
制信号,通过驱动电路去控制主电
2.0
路中电力电子器件的通或断,来完 图2-A 用电力电子器
电 力
成整个系统的功能 .
件组成的系统框图
电
子 器
②
主电路中的电压和电流一般都较大,而控制电路的元器
件 概
件只能承受较小的电压和电流,一般需要进行电气隔离,
电 个联结在主电路中,而第三端被称为控制端(或
力
电 子
控制极)。器件通断是通过在其控制端和一个主
器 件
电路端子之间加一定的信号来控制的,这个主电
概 述
路端子是驱动电路和主电路的公共端,一般是主
第2章第8页 电路电流流出器件的端子。
2.0.3 电力电子器件的分类
01.04.202 0
一、按照器件能够被控制电路信号所控制的程度,分为三类:
2. 电压驱动型——仅通过在控制端和公共端之间施加一定 的电压信号就可实现导通或者关断的控制(P-MOSFET、 IGBT) ;
2.0
电 力
3. 电压驱动型器件实际上是通过加在控制端上的电压在器
电 子
件的两个主电路端子之间产生可控的电场来改变流过器
器 件
件的电流大小和通断状态,所以又称为场控器件,或场
第2章第3页
01.04.202
0
2.0.1 电力电子器件的概念和特征
1.电力电子器件的特征:
(1) 能处理电功率的大小,即承受电压和电流的能力,
是最重要的参数
➢ 其处理电功率的能力,大至兆瓦级, 大多都远大于处理信息的电子
电力电子器件(1)(5)幻灯片PPT
电力电子器件(1)(5)幻灯片 PPT
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第1章 电力电子器件〔4学时〕
1.1 电力电子器件概述 1.2 不可控器件——电力二极管 1.3 半控型器件——晶闸管 1.4 典型全控型器件 〔POWER MOSFET、IGBT〕 1.5 其他新型电力电子器件 〔自学〕 1.6 电力电子器件的驱动 1.7 电力电子器件的保护 1.8 电力电子器件的串联和并联使用〔自学〕
➢ 对某些器件来讲,驱动电路向其注入的功率也是 造成器件发热的原因之一。
■
应用电力电子器件的系统组成
➢电力电子系统:由控制电路、驱动电路和 以电力电子器件为核心的主电路组成
控
制
电
路
检测 电路
驱动 电路
V1 LR
V2 主电路
图1-1 电力电子器件在实际应用中的系统组成
■
应用电力电子器件的系统组成
➢ 控制电路:按系统的工作要求形成控制信 号,通过驱动电路去控制主电路中电力电 子器件的通或断,来完成整个系统的功能;
➢ (1) 能处理电功率的大小,即承受电压 和电流 的能力是最重要的参数。
➢ 其处理电功率的能力小至毫瓦〔mW〕 级,大至兆瓦〔GW〕级, 大多都远大于 处理信息的电子器件。
■
电力电子器件的概念和特征
(2) 电力电子器件一般都工作在开关状态 导通时〔通态〕阻抗很小,接近于短路,管压降接近于零,
而电流由外电路决定。 阻断时〔断态〕阻抗很大,接近于断路,电流几乎为零,
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第1章 电力电子器件〔4学时〕
1.1 电力电子器件概述 1.2 不可控器件——电力二极管 1.3 半控型器件——晶闸管 1.4 典型全控型器件 〔POWER MOSFET、IGBT〕 1.5 其他新型电力电子器件 〔自学〕 1.6 电力电子器件的驱动 1.7 电力电子器件的保护 1.8 电力电子器件的串联和并联使用〔自学〕
➢ 对某些器件来讲,驱动电路向其注入的功率也是 造成器件发热的原因之一。
■
应用电力电子器件的系统组成
➢电力电子系统:由控制电路、驱动电路和 以电力电子器件为核心的主电路组成
控
制
电
路
检测 电路
驱动 电路
V1 LR
V2 主电路
图1-1 电力电子器件在实际应用中的系统组成
■
应用电力电子器件的系统组成
➢ 控制电路:按系统的工作要求形成控制信 号,通过驱动电路去控制主电路中电力电 子器件的通或断,来完成整个系统的功能;
➢ (1) 能处理电功率的大小,即承受电压 和电流 的能力是最重要的参数。
➢ 其处理电功率的能力小至毫瓦〔mW〕 级,大至兆瓦〔GW〕级, 大多都远大于 处理信息的电子器件。
■
电力电子器件的概念和特征
(2) 电力电子器件一般都工作在开关状态 导通时〔通态〕阻抗很小,接近于短路,管压降接近于零,
而电流由外电路决定。 阻断时〔断态〕阻抗很大,接近于断路,电流几乎为零,
第1章 电力电子器件1(湖南大学电气院)
A
G K
IA
光强度
强
弱
O
UAK
a)
b)
光控晶闸管的电气符号和伏安特性
电力电子技术
图1-6 晶闸管的外形、结构和电气图形符号
G KK
A A G 外形a)
A
G
P1 N1 P2 N2
J1 J2 J3
K G
A
K 结构b)
电气图c)
返回
➢ 电力电子器件一般工作在开关状态 ➢ 电力电子器件常常需要信息电子电路来控
制 ➢ 电力电子器件的功率损耗通常比信息电子
电路器件的大
电力电子技术
二、电力电子器件的分类
➢ 按照器件能够被控制电路信号所控制的程度,分 为三类:
(1)半控型器件——通过控制信号可以控制其导通而不 能控制其关断(晶闸管) (2)全控型器件——通过控制信号既可控制其导通又可 控制其关断,又称自关断器件(MOSFET、IGBT) (3)不可控器件——不能用控制信号来控制其通断,因 此也就不需要驱动电路(二极管)
➢ 平板型封装的晶闸管,两个平面分别是阳极和阴极, 细长端是门极
电力电子技术
2.晶闸管的工作原理
2.1晶闸管的导通实验 A
G K
EA S1
EG S2
➢A、K接正向电压,灯泡不燃亮 ➢A、K接正向电压,G、K接负电压,灯泡不燃亮 ➢A、K接正向电压,G、K接正电压,灯泡燃亮 ➢A、K接负向电压,灯泡不燃亮 ➢A、K接负向电压,无论G、K接何种电压灯泡不燃亮 ➢灯泡燃亮后,撤除G、K间电压或G、K间接负向电压,灯泡仍然燃亮 ➢灯泡燃亮后,撤除A、K间电压或A、K接负向电压,灯泡熄灭
量时,求选择晶闸管的电流定额
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2020/8/1
2.1.1 电力电子器件的概念和特征
➢ 主电路(Main Power Circuit)—电气设备或电力系统中, 直接承担电能的变换或控制任务的电路。
➢ 电力电子器件(Power Electronic Device)—可直接用于处 理电能的主电路中,实现电能的变换或控制的电子器件。
➢ 与信息电子器件相比,电力电子器件具有以下几个特征:
2020/8/1
电力电子器件基础_PN结原理
• PN结具有一定的反向耐压能力,但如果反向电 压过大,达到反向击穿电压时,反向电流会急剧 增加,破坏PN结反向偏置为截止的工作状态, 这种状态称为反向击穿,反向击穿有可能造成 PN结损坏。
电力电子器件基础_PN结原理
• 在PN结上外加电压称为对PN结的偏置,P区加正、N区加负为正偏 置,反之为反偏置。
• 当PN结正向偏置时,外加电场与PN结的内电场方向相反,内电场被 削弱,载流子的漂移运动受到抑制,而扩散运动增强,在外电路上则 形成自P区流入而从N区流出的电流,称为正向电流。
• 当PN结反向偏置时,外加电场与PN结内电场方向相同,少子的漂移 运动大于多子的扩散运动,形成反向电流,但由于受少数载流子浓度 低的限制,反向电流很小。
2020/8/1
2.1.1 电力电子器件的概念和特征
➢ 电力电子器件的重要参数:电压和电流 由于电力电子器件处理的电功率较大,为减少本身损耗, 电力电子器件一般工作在开关状态。导通时阻抗很小,接 近于短路,管压降接近于零;阻断时阻抗很大,接近于断 路,电流接近于零。 参数中电压指器件在阻断时所能承受的电压; 参数中电流指器件在导通时所能通过的电流。 例如:某电力电子器件型号为SGH60N80UFD
内电场
。 - 。 - 。 - - + · + · + · + 。 - 。 - 。 - - + · + · + · + 。 - 。 - 。 - - + · + · + · + 。 - 。 - 。 - - + · + · + · + 。 - 。 - 。 - - + · + · + · +
P型区 空间电荷区 N型区
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2.1.3 电力电子器件的分类
➢ 按照驱动电路加在器件控制端和公共端之间信号的性质, 分为两类:
1) 电流驱动型(Current Driving Type)——通过从 控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断 的控制
2) 电压驱动型(Voltage Driving Type)——仅通过 在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就 可实现导通或者关断的控制
2.1.3 电力电子器件的分类
• 按照器件能够被控制电路信号所控制的程度,分为以 下三类:
半控型器件 ——通过控制信号可以控制其导通而不能控制
其关断。 全控型器件
——通过控制信号既可控制其导通又可控制其关 断,又称自关断器件。 不可控器件
——不能用控制信号来控制其通断, 因此也就不 需要驱动电路。
3) 电压驱动型器件实际上是通过加在控制端上 的电压在器件的两个主电路端子之间产生可控 的电场来改变流过器件的电流大小和通断状态
, 2020/8/1 所 以 又 称 为 场 控 器 件 (Field Controlled
2.1.3 电力电子器件的分类
➢ 按照器件内部电子和空穴两种带电粒子参与导电 的情况分为三类:
阻断时所能承受的电压为600V,导通时额定电流为80A
2020/8/1
2.1.1 电力电子器件的概念和特征
电力电子器件的损耗 通态损耗
主要损耗 断态损耗 开关损耗
开通损耗 关断损耗
• 通态损耗是器件功率损耗的主要成因。
• 器件开关频率较高时,开关损耗可能成 为器件功率损耗的主要因素。
2020/8/1
电力电子器件的发展史
史前期 (黎明期)
晶体管诞生
晶迅 速发展时期
1904
1930
1947 1957 1970 1980 1990 2000 t(年)
电子管 问世
水银(汞 弧)整流 器时代
晶闸管时代
IGBT及功率
集成器件出现 和发展时代
电力电子技术的发展史是以电力电子器件的发展史为纲的。
1) 单极型器件(Unipolar Device)——由一 种带电粒子参与导电的器件
2) 双极型器件(Bipolar Device)——由电 子和空穴两种带电粒子参与导电的器件
3) 复 合 型 器 件 (Complex Device)——由 单极型器件和双极型器件集成混合而成 的器件
2020/8/1
P型区 空间电荷区 N型区
• 多子和少子 • 扩散运动和漂移运动。 • 空间电荷区
用适当的方法在本 征半导体内掺入微 量的杂质,会使半 导体的导电能力发 生显著的变化,这 种半导体称为杂质 半导体。因掺入杂 质化合价的不同, 杂质半导体分为电 子型(N型)半导体 和空穴型(P型)半 导体两类。
2020/8/1
2020/8/1
电力电子器件基础_PN结原理
• 完全纯净的、 结构完整的半 导体晶体称为 本征半导体。 在常温下,本 征半导体可以 激发出少量的 自由电子,并 出现相应数量 的空穴,这两 种不同极性的 带电粒子统称 为载流子。
内电场
•
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1.电力电子器件处理的电功率远大于信息电子器件;故电力 电子器件工作于开关状态,相当于电力开关;
2.电力电子器件需要信息电子器件和中间电路构成的驱动电 路来控制;
3.需要缓冲电路和保护电路;
4.由于电力电子器件功率损耗较大,为避免因损耗造成的热 2量020/使8/1 器件损坏,通常要安装散热器。
2.1.1 电力电子器件的概念和特征
2.1.2 应用电力电子器件的系统组成
电力电子系统:由控制电路、驱动电路、保护电
路 和以电力电子器件为核心的主电路组成。 在主电路
和控制电
路中附加
控
制
控制电路
电
检测 电路
保护 电路
V1 LR
一些电路, 以保证电 力电子器 件和整个 系统正常 可靠运行
驱动
路
电路
V2 主电路
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电气隔离 图1-1 电力电子器件在实际应用中的系统组成
2.1.1 电力电子器件的概念和特征
➢ 主电路(Main Power Circuit)—电气设备或电力系统中, 直接承担电能的变换或控制任务的电路。
➢ 电力电子器件(Power Electronic Device)—可直接用于处 理电能的主电路中,实现电能的变换或控制的电子器件。
➢ 与信息电子器件相比,电力电子器件具有以下几个特征:
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电力电子器件基础_PN结原理
• PN结具有一定的反向耐压能力,但如果反向电 压过大,达到反向击穿电压时,反向电流会急剧 增加,破坏PN结反向偏置为截止的工作状态, 这种状态称为反向击穿,反向击穿有可能造成 PN结损坏。
电力电子器件基础_PN结原理
• 在PN结上外加电压称为对PN结的偏置,P区加正、N区加负为正偏 置,反之为反偏置。
• 当PN结正向偏置时,外加电场与PN结的内电场方向相反,内电场被 削弱,载流子的漂移运动受到抑制,而扩散运动增强,在外电路上则 形成自P区流入而从N区流出的电流,称为正向电流。
• 当PN结反向偏置时,外加电场与PN结内电场方向相同,少子的漂移 运动大于多子的扩散运动,形成反向电流,但由于受少数载流子浓度 低的限制,反向电流很小。
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2.1.1 电力电子器件的概念和特征
➢ 电力电子器件的重要参数:电压和电流 由于电力电子器件处理的电功率较大,为减少本身损耗, 电力电子器件一般工作在开关状态。导通时阻抗很小,接 近于短路,管压降接近于零;阻断时阻抗很大,接近于断 路,电流接近于零。 参数中电压指器件在阻断时所能承受的电压; 参数中电流指器件在导通时所能通过的电流。 例如:某电力电子器件型号为SGH60N80UFD
内电场
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P型区 空间电荷区 N型区
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2.1.3 电力电子器件的分类
➢ 按照驱动电路加在器件控制端和公共端之间信号的性质, 分为两类:
1) 电流驱动型(Current Driving Type)——通过从 控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断 的控制
2) 电压驱动型(Voltage Driving Type)——仅通过 在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就 可实现导通或者关断的控制
2.1.3 电力电子器件的分类
• 按照器件能够被控制电路信号所控制的程度,分为以 下三类:
半控型器件 ——通过控制信号可以控制其导通而不能控制
其关断。 全控型器件
——通过控制信号既可控制其导通又可控制其关 断,又称自关断器件。 不可控器件
——不能用控制信号来控制其通断, 因此也就不 需要驱动电路。
3) 电压驱动型器件实际上是通过加在控制端上 的电压在器件的两个主电路端子之间产生可控 的电场来改变流过器件的电流大小和通断状态
, 2020/8/1 所 以 又 称 为 场 控 器 件 (Field Controlled
2.1.3 电力电子器件的分类
➢ 按照器件内部电子和空穴两种带电粒子参与导电 的情况分为三类:
阻断时所能承受的电压为600V,导通时额定电流为80A
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2.1.1 电力电子器件的概念和特征
电力电子器件的损耗 通态损耗
主要损耗 断态损耗 开关损耗
开通损耗 关断损耗
• 通态损耗是器件功率损耗的主要成因。
• 器件开关频率较高时,开关损耗可能成 为器件功率损耗的主要因素。
2020/8/1
电力电子器件的发展史
史前期 (黎明期)
晶体管诞生
晶迅 速发展时期
1904
1930
1947 1957 1970 1980 1990 2000 t(年)
电子管 问世
水银(汞 弧)整流 器时代
晶闸管时代
IGBT及功率
集成器件出现 和发展时代
电力电子技术的发展史是以电力电子器件的发展史为纲的。
1) 单极型器件(Unipolar Device)——由一 种带电粒子参与导电的器件
2) 双极型器件(Bipolar Device)——由电 子和空穴两种带电粒子参与导电的器件
3) 复 合 型 器 件 (Complex Device)——由 单极型器件和双极型器件集成混合而成 的器件
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P型区 空间电荷区 N型区
• 多子和少子 • 扩散运动和漂移运动。 • 空间电荷区
用适当的方法在本 征半导体内掺入微 量的杂质,会使半 导体的导电能力发 生显著的变化,这 种半导体称为杂质 半导体。因掺入杂 质化合价的不同, 杂质半导体分为电 子型(N型)半导体 和空穴型(P型)半 导体两类。
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2020/8/1
电力电子器件基础_PN结原理
• 完全纯净的、 结构完整的半 导体晶体称为 本征半导体。 在常温下,本 征半导体可以 激发出少量的 自由电子,并 出现相应数量 的空穴,这两 种不同极性的 带电粒子统称 为载流子。
内电场
•
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1.电力电子器件处理的电功率远大于信息电子器件;故电力 电子器件工作于开关状态,相当于电力开关;
2.电力电子器件需要信息电子器件和中间电路构成的驱动电 路来控制;
3.需要缓冲电路和保护电路;
4.由于电力电子器件功率损耗较大,为避免因损耗造成的热 2量020/使8/1 器件损坏,通常要安装散热器。
2.1.1 电力电子器件的概念和特征
2.1.2 应用电力电子器件的系统组成
电力电子系统:由控制电路、驱动电路、保护电
路 和以电力电子器件为核心的主电路组成。 在主电路
和控制电
路中附加
控
制
控制电路
电
检测 电路
保护 电路
V1 LR
一些电路, 以保证电 力电子器 件和整个 系统正常 可靠运行
驱动
路
电路
V2 主电路
2020/8/1
电气隔离 图1-1 电力电子器件在实际应用中的系统组成