单相全桥逆变电路讲解

基础知识介绍 （电阻）
电阻器阻值标示方法 4、色标法：用不同颜色的带或点在电阻器表面 标出标称阻值和允许偏差。国外电阻大部分采 用色标法。 棕-1、红-2、橙-3、黄-4、绿-5、蓝-6、紫-7、 灰-8、白-9、黑-0、金-±5%、银-±10%、无 色-±20%

基础知识介绍 （电阻）
电阻器阻值标示方法 当电阻为四环时，最后一环必为金色或银色，前 两位为有效数字，第三位为乘方数，第四位为 偏差。 当电阻为五环时，最後一环与前面四环距离较大。 前三位为有效数字，第四位为乘方数，第五位 为偏差。
电阻器阻值标示方法 贴片电阻还有两种表示方法: 1)2位数字后加R标注法:(单位为Ω).两位数字为 两位有效字,R表两位有效数字之间的小数点. 如10R表示1.0Ω,41R表示4.1Ω,89R为8.9Ω. 2) 2位数字中间加R标注法: (单位为Ω).如1R0为 1.0Ω,1R3表示1.3Ω,1R5表示1.5Ω.

基础知识介绍 （电阻）

电阻器阻值标示方法（色环法）
基础知识介绍 （电阻）
电阻器阻值标示方法（色环法） 判别色环的排列顺序: 1)四环电阻的第四环为误差环,一般为金色或银色,因此如 靠近电阻器的一个引脚的色环为金、银色，则该色环 为第四环； 2）对于色环标注规范的电阻器，一般最后一环与倒数第 二环间隔较远； 3）色环电阻的阻值一般小于10M，若大于10M，则色环 顺序判别错误。
基础知识介绍 （MOSFET）

MOSFET:可控开，可控关 什么是MOSFET “MOSFET”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的缩写，译成中文是“金属 氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物 (SiO2或SiN)及半导体三种材料制成的器件。所谓功 率MOSFET(Power MOSFET)是指它能输出较大的工 作电流(几安到几十安)，用于功率输出级的器件。
单相全桥逆变电路讲解
首先介绍学习硬件电路的重要性和必要性


重要性：找工作面试、考研面试和在以后工作 中都是很好的基础，起到良好的作用。 以此为基点，展开，引用李泽元老师的话： “现在知识面很宽很大，不可能面面具到，且 搞的人很多，要找一个自已感兴趣的点，深入 研究，动手实践做实验，在实验中发现问题和 解决问题，然后再扩展。”
基础知识介绍 （电阻）
电阻器额定功率的识别 方法一：对于标注了功率的电阻器，可根据标注 的功率值来识别功率大小，如“10W330RJ” 5% 表示额定功率为10W，阻值为330，误差 。 方法二：对于没有标注功率的电阻器，可根据长 度和直径来判别其功率大小。长度和直径越大， 功率越大。见下表：

基础知识介绍 （电阻）
电阻器额定功率的识别 电阻功率与长度和直径关系

基础知识介绍 （电阻）
电阻器额定功率的识别 方法三，在电路图中，为了表示电阻器的功率大 小，一般会在电阻器符号上标注一些标志，电 阻器上标志与功率值如图所示，1W以下用线 条表示，1W以上的直接用数字表示功率大小。

基础知识介绍 （电阻）

基础知识介绍 （电阻）
电阻主要特性参数：标称阻值 、允许误差 、额定功 率、额定电压 、最高工作电压、温度系数 、老化系 数、电压系数 、噪声 等。 1、标称阻值：电阻器上面所标示的阻值。 2、额定电压：由阻值和额定功率换算出的电压。 3、最高工作电压：允许的最大连续工作电压。在低气压 工作时，最高工作电压较低。 4、温度系数 ：阻值随温度升高而增大的为正温度系数， 反之为负温度系数。

基础知识介绍 （电容）
电容器主要特性参数 2、额定电压 在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在 电容器的最高直流电压有效值，一般直接标注 在电容器外壳上，如果工作电压超过电容器的 耐压，电容器击穿，造成不可修复的永久损坏。

基础知识介绍 （电容）
电容器主要特性参数 3、绝缘电阻 直流电压加在电容上，并产生漏电电流，两者之比称 为绝缘电阻. 当电容较小时，主要取决于电容的表面状态，容量〉 0.1uf 时，主要取决于介质的性能，绝缘电阻越大越好。 电容的时间常数：为恰当的评价大容量电容的绝缘情 况而引入了时间常数，等于电容的绝缘电阻与容量的 乘积。

基础知识介绍 （电容）
常用电容器 铝电解电容器 、钽电解电容器 、薄膜电容器 、 瓷介电容器 、独石电容器 、纸质电容器、微 调电容器 、陶瓷电容器 、玻璃釉电容器 电容极性：引脚长的为正，引脚短的为负。或 标有“+”“—”

基础知识介绍 （电容）
电容器主要特性参数 1、标称电容量和允许偏差 标称电容量是标志在电容器上的电容量。 电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差，在允 许的偏差范围称精度。 精度等级与允许误差对应关系：00（01）-±1%、0 （02）-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、 Ⅳ-（+20%-10%）、Ⅴ-（+50%-20%）、Ⅵ（+50%-30%） 一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级，电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、 Ⅵ级，根据用途选取。

基础知识介绍 （电阻）



5.额定功率 ：在正常的大气压力90-106.6KPa 及环境 温度为－55℃～＋70℃的条件下，电阻器长期工作所 允许耗散的最大功率。 线绕电阻器额定功率系列为（W）：1/20、1/8、1/4、 1/2、1、2、4、8、10、16、25、40、50、75、100、 150、250、500 非线绕电阻器额定功率系列为（W）：1/20、1/8、 1/4、1/2、1、2、5、10、25、50、100 固定电阻器额定功率标称系列为：1/8、1/4、1/2、1、 2、5、10W，小电流电路一般采用1/8、1/4、1/2的电 阻器，而大电流电路中的常采用1W以上的电阻器。
电阻器阻值标示方法 1、直标法：用数字和单位符号在电阻器表面标 出阻值，其允许误差直接用百分数表示，若电 阻上未注偏差，则均为±20%。 1).数值+单位+误差：如12k 10%。 2）用单位代表小数点：1k2,表示1.2KΩ， 3M3表示3.3MΩ,3R3(3Ω3) 表示3.3Ω， R33(Ω33)表示0.33Ω, 3)数值+单位或数值直接表示.如12KΩ或12K
首先介绍学习硬件电路的重要性和必要性

必要性：这个电路的选取有代表性，由于桥式 逆变电源在选择功率开关器件耐压要求可以稍 低，并有较高的功率输出，现通常采用全桥式 逆变电路来实现较大功率输出。单相三相全桥 逆变电路应用范围广（各种开关电源如电源车 载电源、航空电源、电信电源等；各种电机调 速如空调、电焊机等；变频器；牵引传动等领 域）。
整体安排
四、焊板调试 （计划两个半天） PCB画好后，制板需要一周左右的时间，可休 息） 在同学画的板当中选一个PCB去腐蚀 调试需要两个半天或更长时间，调好为止，完 成后将自已的作品带走。 以上时间可随工作进展情况调节
基础知识介绍 （晶闸管）

晶闸管:只能控制开，不能控制关
基础知识介绍 （晶闸管）
电阻：导电体对电流的阻碍作用称为电阻，用 符号R 表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别 用Ω、kΩ、MΩ表示。 电阻器的分类 一种分类:固定电阻器（R）、电位器（W）、 敏感电阻器、贴片电阻器

基础知识介绍 （电阻）
另一种分类如下： 1、线绕电阻器：通用线绕电阻器、精密线绕电阻器、大 功率线绕电阻器、高频线绕电阻器。 2、薄膜电阻器：碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜 电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻 璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器。 3、实心电阻器：无机合成实心碳质电阻器、有机合成实 心碳质电阻器。 4、敏感电阻器：压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、 力敏电阻器、气敏电阻器、湿敏电阻器。
基础知识介绍 （MOSFET）

为什么MOSFET G-S之间往往并联一个电阻, 这个电阻选择依据什么?
这个电阻的主要作用是防止静电损坏MOS，静电 损伤是因为GS之间结电容太小导致(U=Q/C)也就是即 使有很小的静电电荷就有可能产生很大的电压, 使的 MOSFET损坏，这个电阻提供寄生电容电荷泻放通道 ， 这个电阻是需要的，并且很重要 。 一般情况，取个10k或5.1K已能适应大部分情况
整体安排
一、基础知识讲解（计划两至三个半天）

开关管（MOSFET和IGBT）知识、电阻 电
容等基本知识、芯片 管脚功能（IR2110 、 SG3525、LM339、 MUR8100 、IRFP450 ）

主电路、控制电路的工作原理、参数的 确定
整体安排
二、PROTEL介绍 、原理图绘制（计划三个半天） 两个图，主电路和控制电路（各1.5个半天） 初步认识元器件封装，画原理图尽量选正确的封 装 三、 生成PCB、手动布线（计划两个半天） 两个PCB图，主电路和控制电路（各一个半天） 认真核对元器件封装，检查PCB的各种规则

基础知识介绍 （电阻）
电阻器阻值标示方法 2、文字符号法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的 组合来表示标称阻值，其允许偏差也用文字符号表示。 符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示 第一位小数阻值和第二位小数阻值。 表示允许误差的文字符号如：DFGJKM 分别代表允许偏差： ±0.5%±1%±2%±5%±10%±20%
基础知识介绍 （IGBT）


IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同 IGBT的开关速度低于MOSFET，但明显高于 GTR。 非常适合应用于直流电压为600V及以上的变 流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明 电路、牵引传动等领域。 IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件
基础知识介绍 （电阻）

基础知识介绍 （电容）


电容：电容是电子设备中大量使用的电子元件 之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路，滤波， 调谐回路，能量转换，控制电路等方面。用C 表示电容，电容单位有法拉（F）、微法拉 （uF）、皮法拉（pF） 。 1F=10^6uF=10^12pF
基础知识介绍 （电容）
电容器的分类 1、按照结构分三大类：固定电容器、可变电容 器和微调电容器。 2、按电解质分类有：有机介质电容器、无机介 质电容器、电解电容器和空气介质电容器等。 3、按用途分有：高频旁路、低频旁路、滤波、 调谐、高频耦合、低频耦合、小型电容器。
基础知识介绍 （IGBT）

IGBT:可控开，可控关
基础知识介绍 （IGBT）


IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双 极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅 型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体 器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压 降两方面的优点，（输入极为MOSFET，输出极为 PNP晶体管 ） GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大; MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大， 载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，即： 驱动功率小和开关速度快,且饱和压降低和容量大的优 点。
基础知识介绍 （MOSFET）

MOSFET的结构
基础知识介绍 （MOSFET）

MOSFET体内电容和二极管
基础知识介绍 （MOSFET）

为什么要在MOS管前串接一个电阻?有什么作 用? MOS导通瞬间,由于D、S近似短路,G、D间电 容可看作变成G、S间电容,G极驱动电路立刻 对其进行充电,这样就产生了驱动电压振荡现 象.为了防止MOSFET产生震荡而串接的,一般 情况下阻值较小, 过高的振荡有可能击穿G,S 间的氧化层.也可以接一个稳压管防止产生振 荡

基础知识介绍 （电阻）
电阻器阻值标示方法 3、数码法：在电阻器上用三位数码表示标称值 的标志方法。数码从左到右，第一、二位为有 效值，第三位为指数，即零的个数，单位为欧。 偏差通常采用文字符号表示。 如:100为10Ω,103表示10KΩ,105表示1MΩ,多用 于贴片电阻上.

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