材料分析方法第3章

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现代材料学第03章晶体的范性变形分析

现代材料学第03章晶体的范性变形分析

在基体中的指数[um vm wm]的关系为:
ut
um um
vt
(DT
)1 vm
Dvm
wt
wm wm
2a
2 21
1
其中D=
2a21a22
2a21a23
2a21a22 2a 222 1
2a 22 a 23
2a21a23 2a 22 a 23
2a 2 23 1
3.2孪生
注:矩阵D只取决于孪生面法线与基体的晶轴
由上式可见,a值越大,τp越小,故滑移面应该是晶面间距最大,即原子 最密排的晶面。b值越小,则τp越小,故滑移方向应该是原子最密排的晶向。
3滑.移1.的1S动c力hm:i分d 切定应律力3.1滑移
由图可得作用在滑移面上沿着滑移方向的分切应力为:
F cos F cos cos cos cos
孪生前晶体是半径为1的球体,其方程为:
x2+y2+z2=1
孪生将三个正交基i,j,k变为
i, j, k
且 =ii, j j ,i k=k ,所以孪生后方程变为:
(x’)2+(1 + γ 2)(y’)2+(z’)2-2 γ来自x’y’=13.2孪生
3.2.3孪生时长度变化规律 从图易看出,位于K1和K2面相交成锐
位移的 量
宏观上看,二者都是在剪(切)应力作用下发生的均匀剪切应变
微观上看,二者都是晶体范性变形的基本方式,是晶体的一部分相对于另一部分沿一定的晶面和晶向平 移。 二者都不改变晶体结构类型
晶体中已滑移部分和未滑移部分的 位向相同
已孪生部分(孪晶)和未孪生部分(基体)的 位向不同,且两部分之间具有特定的位向关系 (镜面对称)

2020智慧树知道网课《材料分析方法》课后章节测试满分答案

2020智慧树知道网课《材料分析方法》课后章节测试满分答案

绪论单元测试
1
【多选题】(2分)
材料研究方法分为()
A.
成分价键分析
B.
组织形貌分析
C.
物相分析
D.
分子结构分析
2
【多选题】(2分)
材料科学的主要研究内容包括()
A.
材料应用
B.
材料的成分结构
C.
材料的性能
D.
材料的制备与加工
3
【单选题】(2分)
下列哪些内容不属于材料表面与界面分析()
A.
晶粒大小、形态
B.
表面结构
C.
气体的吸附
D.
晶界组成、厚度
4
【多选题】(2分)
下列哪些内容属于材料微区分析()
A.
晶格畸变
B.
位错
C.
晶粒取向
D.
裂纹大小
5
【多选题】(2分)
下列哪些内容不属于材料成分结构分析()
A.
物相组成
B.
晶界组成、厚度
C.
杂质含量
D.
晶粒大小、形态
第一章测试
1
【单选题】(2分)
扫描电子显微镜的分辨率已经达到了()
A.
100nm
B.
10nm
C.
1.0nm
D.
0.1nm
2
【单选题】(2分)
利用量子隧穿效应进行分析的仪器是
A.
扫描隧道显微镜
B.
扫描探针显微镜
C.
扫描电子显微镜
D.
原子力显微镜
3
【判断题】(2分)
能够对样品形貌和物相结构进行分析的是透射电子显微镜。

A.

B.
错。

材料分析方法

材料分析方法

第一章材料的电子结构与物理性能1. 1.主量子数n (n =1、2、3、4……)主量子数确定核外电子离原子核的远近和能级的高低。

2.次量子数l (l = 0、1、2、3……)次量子数反映的是电子轨道的形状。

在由主量子数n确定的同一主壳层上的电子的能量有差异,可分成若干个能量水平不同的亚壳层,其数目随主量子数而定,习惯上以s、p、d、f 表示。

3.磁量子数m (m = 0、±1、±2、±3……)磁量子数表示电子云在空间的伸展方向,它确定轨道的空间取向。

4.自旋量子数ms (ms = +1/2、-1/2)自旋量子数表示在每个状态下可以存在自旋方向相反的两个电子。

2. 三个基本原理:泡利不相容原理在一个原子中不可能存在四个量子数完全相同(即运动状态完全相同)的两个电子。

或者,在同一个原子中,最多只能有两个电子处在同样能量状态的轨道中,而且这两个电子的自旋方向必定相反。

最低能量原理电子总是优先占据能量低的轨道,使系统处于最低的能量状态。

最多轨道规则(洪特规则)相同能量的轨道(也称等价轨道)上分布的电子将尽可能分占不同的轨道,而且自旋方向相同。

作为洪特规则的特例,对于角量子数相同的轨道,当电子层结构为全充满、半充满或全空的状态是比较稳定的。

即:全充满: p 6或d 10或f 14 ;半充满: p 3或d 5或f 7 ;全空: p 0或d 0或f 0 。

3.能带的形成p10:各个原子的能级因电子云的重叠产生分裂现象。

能级分裂后,其最高和最低能级之间的能量差只有几十个eV。

电子的能量或能级几乎就是连续变化的,于是形成了能带。

能带之间也存在着一些无电子能级的能量区域,称为禁带或能隙。

4.金属的能带结构重要概念:满带:被电子填满的能带。

空带:没有被电子填充的能带。

价带:被价电子占据的能量最高的能带。

导带:价带以上的空带。

5.6. 金属的电阻率与温度的关系一般而言,金属的电阻率与温度的关系是线性的,且具有正的温度系数,即随着温度上升,电阻率增加。

材料分析方法-第三章

材料分析方法-第三章

一、填空题:1、X射线貌相术通过分析衬度变化情况和规律可以研究近完整晶体缺陷种类和分布,探明晶体的完整程度。

2、高木方程较好的解释了畸变晶体的动力学衍射问题。

3、X射线貌相中衍射干涉条纹可以标志晶体的完整性。

4、位错有刃型位错和螺位错两种类型,它们有直接像、动力学像、中间像三种衍射像。

消像判据分别是g ∙b=0和g ∙b×1=0,g ∙u=0或g ∙b=0。

5、形貌术有取向衬度形貌术、透射投影形貌术、反射形貌术三种。

6、X射线形貌术最主要的方法是透射投影形貌术,特点是对位错、层错、杂质分凝等微观缺陷和亚晶界、生长带、长程应力场都能进行显示,且分辨率很高。

其直接像主要出现在底片中。

7、Lang法得到是晶体表面和内部缺陷直接像的叠加貌相图,可得到晶片的纵向深度方向缺陷分布的信息。

8、透射投影貌相术有Lang法(扫描透射投影貌相术),截面透射貌相术,限制透射貌相术三种方法。

二、简答题:1、什么是X射线衍射衬度,它是如何产生的?由样品各处衍射束强度的差异形成的衬度,或是由样品各处满足布拉格条件程度的差异,经成像放大后,在显示装置上显示的强度差异产生的明暗条纹。

一束X射线在晶体中向一定方向传播,当其到达晶体的出光面时,由于干涉效应会出现干涉条纹,如果晶体中存在缺陷,这些干涉条纹和缺陷像会一起叠加在均匀的背景上,形成特征的衍衬形貌。

2、什么是投射貌相图的直接像?要获得直接像对样品有什么要求,为什么?缺陷的应变场直接衍射入射X射线束形成了直接像。

要求晶体较薄,满足μt<1(μ为晶体的线吸收系数,t为射线穿透行程),晶体的最大厚度为T=tsinα(α为入射线与晶体表面的夹角)3、以Lang法(扫描透射投影貌相术)与扫描反射貌相术(SRT)有什么区别和联系?二者的本质是一样的,以扫描的方式得到貌相图。

SRT是布拉格几何,而Lang是劳埃几何。

SRT是表面分析技术,Lang法在分析厚度上要大于SRT。

材料分析方法 近代材料分析技术 第三章 倒易点阵

材料分析方法 近代材料分析技术 第三章 倒易点阵

例如,对于立方晶系, a = 0.25 nm; a*= 4 nm-1
b c* b*
a*
a
3、倒空间的倒空间为正空间。
4、倒空间的单胞体积互为倒数。
5、正倒空间的基矢间角度的关系
,, 分别为正空间b与c, a与c,a与b之间的夹角; *,*,* 分别为倒空间b*与c*, a*与c*,a*与b*之间的夹角;
b O
a
a*
因为倒易基矢的方向垂直于正点阵两异名基矢组成的平面。
故:
a b a* c b* a b* c c* a c* b 0
异名基矢点乘积为0
倒易基矢的大小
因为a*垂直于b、c所在的平面
a bcsin
bc s in
1
V
bcsin a cos a cos
其中,为a与a*之间的夹角
|a* |= |r*200 |= 1/d200 = 2/(a·sin[180-])= 2/(a·sin)
|b*| = |r*020 |= 1/d020 = 2/b |c* |= |r*001| = 1/d001 = 1/(c·sin[180-)= 1/(c·sin)
* 180
18
3、体心点阵
b
倒易矢量r(hRkelc*1ip.rocrahlhl*akatlt*icevekc(tborh)*kll)c*
倒易矢量rhkl的方向垂直于正点阵中(hkl)晶面
2. rh*kl 1 d hkl
倒易矢量rhkl的长度等于正点阵中(hkl)晶面间距的倒数
9
性质一证明:
OA a / h OB b / k OC c / l
cos b * c * cos a * c * cos a * b *

材料分析测试 第三章 粒子(束)与材料的相互作用

材料分析测试 第三章 粒子(束)与材料的相互作用

为什么扫描 电镜的分辨 率和信号的 种类有关? 6-初级X射线激发体积
入射电子产生的各种信息的深度和广度范围 (a) 电子束散射区域形状(梨形作用体积) (b)重元素样品的电子束散射区域形状(半球形作用体积)
16
3. 电子能谱
二次电子像—— 扫描电镜的主要 成像方式 俄歇电子能谱 (AES) 电子能量损失谱 (EELS) 背散射电子像、低能电子 衍射(LEED)、反射式高 能电子衍射(RHEED)、 透射电子衍射(TEM上的 ED)、电子背散射衍射 (electron backscattered diffraction, EBSD)

21
1. 弹性散射

入射离子一般用Ar离子
离子弹性散射的两大特点: ①散射几率正比于Zl和Z2的平方,因此,当入射离子由H+变为He+时, 散射几率增加4倍; ②散射几率正比于1/sin4,强烈地依赖于散射角2,2=90的散射 几率是2=180的4倍。
散射后离子的能量 散射角
13
从表面发射出去的二次电子流与入射电子流的比值 (IS/I0)称为二次电子产额,用表示。
入射角 越大, 越大;电子能量增加, 开始增加,达极 大值后反而减少.
入射角:电子束入射 方向与表面法线之夹 角。

二次电子产额与电子能量和入射角的普遍关系
14
2. 电子非弹性散射平均自由程和信息深度
入射电 子流I0
哪些是入射电子?哪些是 入射电子激发的信号? 背散射电子流IR ,包括 弹性背散射电子和非弹性 背散射电子。
二次电子流IS ,它包括 (真)二次电子和特征二次 电子(俄歇电子)
表面元素发射 的总强度IE
样品吸收电流IA
透射电子流IT

第三章__多晶体X射线衍射分析方法-材料分析测试方法

第三章__多晶体X射线衍射分析方法-材料分析测试方法




德拜照相法

3.1.3 实验参数选择 ⒈ 选靶和滤波


选靶:Z靶≤Z样或Z靶>> Z样
滤波: Z靶≤ 40,Z滤=Z靶-1;Z靶>40, Z滤=Z靶-2 ⒉ 其他参数 通常管电压为靶材临界电压的35倍,在不超过额定 功率前提下尽可能选大的管电流。对于曝光时间, 因其影响因素很多,最佳方法是先通过做实验进行 选择。
3.2 X射线衍射仪法

⑵ 性能
优点:效率高,分辨时间短,产生的脉冲高度 与入射X光子能量成正比。

缺点:背底脉冲高,易产生“无照电流”;磷 光体易受潮分解。
3.2 X射线衍射仪法

⒊ 计数测量电路 ——将探测器接收的信号转换成电信号并进行计 量,输出可读取数据的电子电路。主要由脉冲高 度分析器、定标器和计数率仪组成。

德拜照相法

3.1.4 德拜花样标定 ——是指确定花样上每个衍射线条对应的晶面指数。 具体过程如下: ⒈ 花样的测量和计算 以偏装法为例:在低角反射区
57.3 2 L 4 R 2 L 4R
2 L



在高角反射区:
2 L 4 R 57.3 2 L , 90 4R
第三章 多晶体X射线衍射分析方法

分类 ——按成像原理可分为劳厄法、粉末法和周 转晶体法。粉末衍射法按记录方式可分为照相法和 衍射仪法。
X射线衍射方法 单晶分 析法
德拜照相法

照相法

——以光源(X射线管)发出的特征X射线照 射多晶体样品使之发生衍射,用照相底片记录 衍射花样的方法。按底片与样品位置不同分为 三种:
此时,输出端有电流产

(完整版)材料分析方法部分课后习题答案

(完整版)材料分析方法部分课后习题答案

第一章X 射线物理学基础2、若X 射线管的额定功率为1.5KW,在管电压为35KV 时,容许的最大电流是多少?答:1.5KW/35KV=0.043A。

4、为使Cu 靶的Kβ线透射系数是Kα线透射系数的1/6,求滤波片的厚度。

答:因X 光管是Cu 靶,故选择Ni 为滤片材料。

查表得:μ m α=49.03cm2/g,μ mβ=290cm2/g,有公式,,,故:,解得:t=8.35um t6、欲用Mo 靶X 射线管激发Cu 的荧光X 射线辐射,所需施加的最低管电压是多少?激发出的荧光辐射的波长是多少?答:eVk=hc/λVk=6.626×10-34×2.998×108/(1.602×10-19×0.71×10-10)=17.46(kv)λ 0=1.24/v(nm)=1.24/17.46(nm)=0.071(nm)其中h为普郎克常数,其值等于6.626×10-34e为电子电荷,等于1.602×10-19c故需加的最低管电压应≥17.46(kv),所发射的荧光辐射波长是0.071纳米。

7、名词解释:相干散射、不相干散射、荧光辐射、吸收限、俄歇效应答:⑴当χ射线通过物质时,物质原子的电子在电磁场的作用下将产生受迫振动,受迫振动产生交变电磁场,其频率与入射线的频率相同,这种由于散射线与入射线的波长和频率一致,位相固定,在相同方向上各散射波符合相干条件,故称为相干散射。

⑵当χ射线经束缚力不大的电子或自由电子散射后,可以得到波长比入射χ射线长的χ射线,且波长随散射方向不同而改变,这种散射现象称为非相干散射。

⑶一个具有足够能量的χ射线光子从原子内部打出一个K 电子,当外层电子来填充K 空位时,将向外辐射K 系χ射线,这种由χ射线光子激发原子所发生的辐射过程,称荧光辐射。

或二次荧光。

⑷指χ射线通过物质时光子的能量大于或等于使物质原子激发的能量,如入射光子的能量必须等于或大于将K 电子从无穷远移至K 层时所作的功W,称此时的光子波长λ称为K 系的吸收限。

材料现代分析技术 课件 第3--5章 衍射原理、 X射线应用、电子衍射

材料现代分析技术 课件   第3--5章 衍射原理、 X射线应用、电子衍射

二 、单原子对非偏振入射X射线的散射强度
非偏振入射-单电子:
设原子核外有Z个电子,受核束缚较紧,且集中于一点,则单原子对 X射线的散射强度Ia就是Z个电子的散射强度之和,即
注意:


得 瞬时值: 平均值:
定义原子散射因子f为:
注意:
推导过程:
原子散射因子的讨论:
1.当核外的相干散射电子集中于一点时,各电子的散射波之间无相位差, =0 即:f=Z。
材料研究方法 劳埃方程与布拉格方程知识点
课程内容
— 二 三 四
劳埃方程 布拉格方程 布拉格方程的讨论 衍射矢量方程
一、劳埃方程
标量式: 矢量式:
一维
二维
三维
二 、布拉格方程
几点假设: 1 原子静止不动; 2 电子集中于原子核; 3 X射线平行入射; 4 晶体由无数个平行晶面组成,X射线可同时作用于多个晶面; 5 晶体到感光底片的距离有几十毫米,衍射线视为平行光束。
2dHKLsin =
三 、布拉格方程的讨论
2.衍射条件分析
要求
减小入射波长时,参与衍射的晶面数目将增加!
例如, -Fe体心立方结构中,晶面间距依次减小的晶面(110)、(200)、
(211)、(220)、(310)、(222)
中,当采用铁靶产生的特征X射线
为入射线时, K =0.194nm,仅有前四个晶面能满足衍射条件参与衍射, 若采用铜靶产生的特征X线入射时, 降至0.154nm,参与衍射的晶面
课后思考:多晶平板试样转动过程中,衍射晶面平行于试样表面?
谢谢!
材料研究方法
电子、原子、单胞对x射线的散射知识点
课程内容
X射线的散射强度介绍顺序:

材料分析方法周玉第二版

材料分析方法周玉第二版

第一章X射线物理学基础1、在原子序24 ( Cr)到74 (W )之间选择7种元素,根据它们的特征谱波长( K a),用图解法验证莫塞莱定律。

(答案略)2、若X射线管的额定功率为1.5KW,在管电压为35KV时,容许的最大电流是多少?答:1.5KW/35KV=0.043A 。

4、为使Cu靶的K B线透射系数是K a线透射系数的1/6,求滤波片的厚度。

答:因X光管是Cu靶,故选择Ni为滤片材料。

查表得:(im a = 49.03cm2 /g, (im 3 =290cm2 /g , 有公式,,,故:,解得:t=8.35um t6、欲用Mo靶X射线管激发Cu的荧光X射线辐射,所需施加的最低管电压是多少?激发出的荧光辐射的波长是多少?答:eVk=hc/ 入Vk=6.626 X10-34 >2.998 X108/(1.602 X10-19 >0.71 X10-10)=17.46(kv)入0=1.24/v( nm)=1.24/17.46( nm)=0.071( nm)其中h为普郎克常数,其值等于 6.626 20-34e为电子电荷,等于1.602 X10-19C故需加的最低管电压应羽7.46(kv),所发射的荧光辐射波长是0.071纳米。

7、名词解释:相干散射、非相干散射、荧光辐射、吸收限、俄歇效应答:⑴ 当X射线通过物质时,物质原子的电子在电磁场的作用下将产生受迫振动,受迫振动产生交变电磁场,其频率与入射线的频率相同,这种由于散射线与入射线的波长和频率一致,位相固定,在相同方向上各散射波符合相干条件,故称为相干散射。

⑵当X射线经束缚力不大的电子或自由电子散射后,可以得到波长比入射X射线长的X射线,且波长随散射方向不同而改变,这种散射现象称为非相干散射。

⑶一个具有足够能量的X射线光子从原子内部打出一个K电子,当外层电子来填充K空位时,将向外辐射K系X射线,这种由X射线光子激发原子所发生的辐射过程,称荧光辐射。

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j

(3-2)
X射线的强度IHKL与结构振幅的平方FHKL2成正比,即
F HKL
2
F HKL F HKL

(3-3)
FHKL2称结构因数,用以表征单胞中原子种类、数目、位臵 对(HKL)晶面衍射强度的影响
6
第二节 单位晶胞对X射线的散射与结构因数
二、几种点阵结构因数计算 1. 简单点阵 单胞中只有1个原子,其坐标为(0,0,0),原子散射因数为 f,则有 FHKL2 = [f cos2(0)]2 + [f sin2(0)]2 = f 2
N1 : N
2
:N3 : N
4
: N 5 3 : 4 : 8 : 11 : 12
9
第二节 单位晶胞对X射线的散射与结构因数
二、几种点阵的结构因数计算
结构因数仅与原子种类、数目及 在单胞中的位臵有关,而不受单胞形 状和大小的影响 三种点阵晶体衍射线分布见图5-20 , 图中N = H2 + K2 + L2,产生衍射的干 涉面指数平方和之比分别为, 简单点阵 体心点阵 面心点阵 12345 2 4 6 8 10 3 4 8 11 12
第四节
二、吸收因数
影响衍射强度的其他因数
由于试样本身对X射线的吸收,使衍射强度的实测值与计 算值不符,因此需用吸收因数A( )对强度进行修正。 吸收因 数A( )与试样的形状、大小、组成及衍射角有关 1. 圆柱试样 如图3-9,试样半径r和线吸收 系数 l 较大时,只有表面薄 层物质参与衍射。衍射线穿过 试样也同样受到吸收,其中透 射方向吸收较严重,而反射方 向的影响较小
18
入射线
图3-9 圆柱试样的吸收情况
第四节
二、吸收因数
影响衍射强度的其他因数
1. 圆柱试样
对同一试样, 越大吸收越小;在相同 方向, lr 越 大,A()就越小, A()随 和lr变化见图3-10。当衍射强度不 通常受吸收影响时,取A() = 1 2. 平板试样 X射线衍射仪采用平板试样,其吸收 因数与 近似无关,而与l 成反比, 即 A( ) = 1/2l
11
第二节 单位晶胞对X射线的散射与结构因数
二、几种点阵的结构因数计算 5. 有序固溶体 某些固溶体发生有序化转变后,不同原子将占据单胞中 特定位臵,将导致衍射线分布随之改变 如AuCu3为无序固溶体时,消光规律遵循面心点阵;而在有 序状态下,Au原子占据顶角,Cu原子占据面心,结果为
当H, K, L为异性数时,FHKL2 (fAufCu)2 0
衍射方向决定了衍射线的位臵,而衍 射强度决定了衍射线的亮暗程度
图3-1 d 晶面及其 衍射线的分布
图3-2 德拜相示意图
3
第二节 单位晶胞对X射线的散射与结构因数
简单点阵只有一种原子组成,每个单胞中只有一个原子, 其位于单胞的顶角上,所以简单点阵单胞的散射强度相当 于一个原子的散射强度 复杂点阵单胞中含有n个相同或不同种类的原子,它们除占 据单胞的顶角外,还可能位于体心、面心或底心位臵,所 以复杂点阵单胞的散射波振幅为单胞中所有原子散射波的 合成振幅
图3-10 A( )与 及 l r 的关系
19
第四节
三、温度因数
影响衍射强度的其他因数
原子热振动使点阵中原子排列的周期性变差,使原来严 格满足布拉格条件的相干散射产生附加的相位差,从而使衍 射强度减弱 在衍射强度公式中引入温度因数e-2M ,是在温度T 时衍射强度 与0K 时的衍射强度之比,即 IT / I = e-2M,由固体物理可导出
N1 : N
2
: N3 : N
4
: N 5 2 : 4 : 6 : 8 : 10
8
第二节 单位晶胞对X射线的散射与结构因数
二、几种点阵结构因数计算
3. 面心点阵
单胞中有4个原子,坐标分别为(0,0,0)、 (0,1/2,1/2)、 (1/2, 0,1/2)、 (1/2,1/2, 0),原子散射因数均为 f FHKL2 = f 2 [1+cos(K+L)+cos(H+K)+cos(H+L)]2 1)当H,K,L为奇偶混合时,FHKL2 = 0,衍射强度为零,如 (100)、(110)、(210)、(211)、(300) 2)当H,K,L为全奇或全偶数时, FHKL2 = 16f 2, 能产生衍射, 如(111)、(200)、(220)、(311)、(222) ,这些干涉面指数 (HKL)平方和之比为,
2 M
cos
为角因数
16
第四节
一、多重性因数
影响衍射强度的其他因数
晶体中同一晶面族{hkl}的各晶面,其原子排列相同且晶面 间距相等, 因此其衍射角 2 相同,故在多晶体衍射花样 中,其衍射将重叠在同一衍射环(衍射峰)上 某种晶面的等同晶面数增加,参与衍射的几率随之增大, 相应衍射强度也将随之增强 晶面的等同晶面数对衍射强度的影响,称多重性因数P, 多重性因数与晶体的对称性及晶面指数有关 如立方晶系{100}面族P =6, {110}面族P =12;四方晶系的 {100}面族P =4, {001}面族P =2。各晶系 、各晶面族的多 重性因数见附录E 17
第一篇 材料X射线衍射分析
第一章 X射线物理学基础
第二章 X射线衍射方向
第三章 X射线衍射强度
第四章 多晶体分析方法 第五章 物相分析及点阵参数精确测定 第六章 宏观残余应力的测定 第七章 多晶体织构的测定
1
第三章 X射线衍射强度
本章主要内容
第一节 多晶体衍射图相的形成
第二节 单位晶胞对X射线的散射与结构因数
( x ) 1 s in M 2 x mak 4 6h
2 2
(3-4)
式中,h为普朗克常数;ma为原子量;k为波尔兹曼常数; 是以热力学温度表示的晶体特征温度平均值; x = /T,T 是 试样的热力学温度;(x)是德拜函数
2 r * s in (9 0 ) r * 4 ( r * )
2
图3-6 参加衍射的晶粒分数
参加衍射的晶粒分数

cos 2

式中,r*为倒易球半径, r*为环带宽
14
第三节
三、单位弧长的衍射强度
洛伦兹因数
图3-7 为德拜法的衍射几何, 在衍射角为2 的衍射环上, 某点到试样的距离为R, 则 衍射环的半径为Rsin2,周 长为2Rsin2
图3-4 三种点阵 衍射线的分布
10
N
第二节 单位晶胞对X射线的散射与结构因数
二、几种点阵的结构因数计算 4. 异类原子组成的物质 由异类原子组成的物质,如化合物AB属于简单点阵,A 和B原子分别占据单胞顶角和中心,两种原子各自组成简单点 阵, 其结构因数FHKL2为 当H+K+L=奇数时,FHKL2 = (fAfB)2 当H+K+L=偶数时,FHKL2 = (fA+fB)2 对于化合物CuBe,因Cu和Be的原子序数差别较大,衍射线 分布与简单点阵基本相同,只是某些衍射线强度较低 而与CuBe结构相同的CuZn,但因Cu和Zn的原子序数相邻, fCu和 fZn极为接近,而使其衍射线分布与体心点阵相同
A ( ) e
2 M
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第三节
四、角因数
洛伦兹因数
将洛伦兹因数与偏振因数合并,可得到一个与掠射角 有关的函数,称角因数,或洛伦兹-偏振因数 角因数随 的变化如图3-8,常用的 角因数表达式仅适用于德拜法,因 洛伦兹因数与具体的衍射几何有关
角因数 1 c o s 2
2

cos
2
8 s in c o s
第三节 洛伦兹因数
第四节 影响衍射强度的其他因数 第五节 多晶体衍射的积分强度公式
2
第一节 多晶体衍射图相的形成
以德拜-谢乐法为例,该法以单色X射线照射多晶试样, 用条形底片记录。微晶体中满足布拉格方程的d晶面,在空间 排列成以入射线为轴、2为顶角的圆锥面;衍射线构成顶角 为4 的圆锥面,见图3-1 微晶中晶面间距d不同的晶面,产生的 衍射圆锥的顶角4ห้องสมุดไป่ตู้也不同, 4 180 时为反射圆锥, 4 180时为背反射 圆锥,记录的衍射花样见图3-2
j = rj k rj k = rj (k k)
相应的位相差为,
j = 2(Hxj +Kyj +Lzj )
单胞中所有原子散射波振幅的合 成就是单胞的散射波振幅Ab ,
n
图3-3 单胞中两原子的相干散射
Ab Ae f j e
j 1
i
j
5
第二节 单位晶胞对X射线的散射与结构因数
2
s in 2 实际应用多仅涉及相对强度,通常
2
I 相 对 P F H K A ( ) e L 称 ssinn 2 cc o s 为洛伦兹因数; 2 4 i os
角 图3-8 角因数与 的关系 因 数称 8 s in 2 1 c o s 2
2
1 2 1 c o s 2
7
第二节 单位晶胞对X射线的散射与结构因数
二、几种点阵结构因数计算 2. 体心点阵 单胞中有2个原子,坐标分别为(0,0,0)和(1/2,1/2,1/2),原 子散射因数均为 f FHKL2 = [f cos2(0) + f cos2(H+K+L)/2 ]2 + [f sin2(0) + f sin2(H+K+L)/2 ]2 = f 2 [1+ cos(H+K+L)]2 1) 当H+K+L=奇数时, FHKL2 = 0,衍射强度为零,如(100)、 (111)、(210)、(300)、(311) 2) 当H+K+L=偶数时, FHKL2 = 4f 2,晶面能产生衍射,如 (110)、(200)、(211)、(220)、(310) ,这些干涉面指数 (HKL)平方和之比为,
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