第四章 半导体存储器

第三节 只读存储器（ROM）
一、掩膜ROM
二、可编程ROM（PROM）
三、EPROM：光擦除可编程ROM
EPROM2716 (a)基本结构 (b)精外品引课线件排列图
第四章 半导体存储器
第三节 只读存储器（ROM）
一、掩膜ROM
二、可编程ROM（PROM）
三、EPROM：光擦除可编程ROM
四、ROM举例
第四章 半导体存储器
第一节 概述
一、存储器的分类 按存取速度和用途
内存 ：通过系统总线直接与CPU相连 外存 ：通过I/O接口与CPU相连
二、半导体存储器的分类
按制造工艺
按应用角度
双极型 CMOS型 HMOS型
RAM：随机读写存储器
Random Access
M ROeMm：or只y 读存储器
精品课件
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第四章 半导体存储器
第一节 概述
一、存储器的分类 二、半导体存储器的分类
精品课件
第四章 半导体存储器
第一节 概述
一、存储器的分类 二、半导体存储器的分类 三、半导体存储器的指标
半导体存储器的指标：可靠性、功耗、价格、电源种 类、芯片的容量和存取速度等等。
(一) 容量 存储器的容量是指每个存储器芯片所能存储的二进
D 1F 1(A 1,A 0)A 1A 0A 1A 0 D 0F 0(A 1,A 0)A 1A 0A 1A 0
精品课件
内容 D3D2D1D0
1010 0100 1101 1011
第四章 半导体存储器
第三节 只读存储器（ROM）
一、掩膜ROM 二、可编程ROM（PROM）
精品课件
第四章 半导体存储器
(2)电容C上的信息输出至 数据输入/输出线。
单管动态存储电路
精品课件
第四章 半导体存储器
第二节 随机读写存储器（RAM）
一、静态RAM
三、RAM的基本结构
(一) 存储矩阵
A5
二、动态RAM
A6
A7
A4
A3
行
X0
地 X1
A2
址
A1
译
A0
码 X31
列地址译码
Y0
Y7
精品课件
第四章 半导体存储器
第二节 随机读写存储器（RAM）
精品课件
第四章 半导体存储器
第二节 随机读写存储器（RAM）
一、静态RAM (一) 静态RAM的基本存储电路
1. 双稳态触发器 T1、T2：放大管 T3、T4：负载管
如: T1管截止，A=1， 则导T通2管，B=0。
同时保证了T1管的截止。
六管静态RAM存储电路
精品课件
第四章 半导体存储器
第二节 随机读写存储器（RAM）
制数的位数。 存储器容量表示方法：单元数 X 数据线位数
例如：Intel 2114容量为1k 4位/片
精品课件
第四章 半导体存储器
第一节 概述
一、存储器的分类 二、半导体存储器的分类 三、半导体存储器的指标 (一) 容量
(二) 存取速度
存取速度由存取时间衡量。从CPU给出有效的存储 器地址到存储器给出有效数据所需要的时间。
单管动态存储电路
(2)数据输入/输出线高电平 电容C充电，为高电平。
(3)数据输入/输出线低电平 精品课件电容C放电，为低电平。
第四章 半导体存储器
第二节 随机读写存储器（RAM）
一、静态RAM 二、动态RAM (一) 动态RAM存储电路
1.信息存放：电容C
2.电容漏电现象：刷新
3. 写数据
4. 读数据 (1)行、列选择线高电平
第四章 半导体存储器
第二节 随机读写存储器（RAM）
一、静态RAM
二、动态RAM
三、RAM的基本结构 四、RAM举例
6116 容量：？2kX8 6精2品6课4件 容量：？8kX8
第四章 半导体存储器
第一节 概述 第二节 随机读写存储器（RAM） 第三节 只读存储器（ROM）
工作时，ROM中的信息只能读出，要用特殊方式写入 (固化信息)，失电后可保持信息不丢失。
只读存储器（ROM）的发展
掩膜ROM
可编程ROM
EPROM：光擦除（可PR编O程M）
REEOPMROM：电擦除可编程
ROM
精品课件
EPROM EEPROM
第四章 半导体存储器
第三节 只读存储器（ROM）
一、掩膜ROM
地址 A1A0 00 01 10 11
D 3 F 3 (A 1 ,A 0 ) A 1A 0 A 1 A 0 A 1 A 0 D 2F 2(A 1,A 0)A 1A 0A 1A 0
1. 双稳态触发器 2. 写数据 3. 读数据
(1)选择线高电平 则T5、T6：导通 (2)I/O A，I/O B
六管静态RAM存储Fra Baidu bibliotek路
精品课件
第四章 半导体存储器
第二节 随机读写存储器（RAM）
一、静态RAM 二、动态RAM (一) 动态RAM存储电路
1.信息存放：电容C
2.电容漏电现象：刷新
3. 写数据 (1)行、列选择线高电平
2716、2816：2kX8
精品课件
将内存的数据段中存放了若干个8位带符号数，数据块的长
度为 count（不超过255），首地址位table。试统计其中
正数、负数和零的个数，分别存入 plus、minus 和zero单
元。
Data segment
Table db 256 dup (?)
Count
db 1 dup (?)
一、静态RAM
二、动态RAM
三、RAM的基本结构
精品课件
存储器容量表示方法：mkXn
8kX1
单元数：？8k 地址线：1？3
单元中的位数：1？ 数据线：？1
1kX4 ?
精品课件
第四章 半导体存储器
第二节 随机读写存储器（RAM）
一、静态RAM
二、动态RAM
三、RAM的基本结构 四、RAM举例
精品课件
Plus db 1 dup (?)
一、静态RAM (一) 静态RAM的基本存储电路
1. 双稳态触发器
2. 写数据 T5、T6：控制管 (1)选择线高电平
则T5、T6：导通
六管静态RAM存储电路
(2)I/O=1，I/O=0 则A=1 B=0
精品课件
第四章 半导体存储器
第二节 随机读写存储器（RAM）
一、静态RAM (一) 静态RAM的基本存储电路
存取速度
超高速存储器 中速存储器 低速存储器
< 20ns 100 ~ 200ns 精品课件 >300ns
第四章 半导体存储器
第一节 概述 第二节 随机读写存储器（RAM）
RAM 按功能可分为 静态、动态两类 静态RAM(SRAM)：存储单元使用双稳态触发器，可 带电信息可长期保存。 动态RAM(DRAM): 使用电容作存储元件，需要刷新 电路。集成度高，反应快，功耗低，但需要刷新电路。