电子电路基础
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Ic（A）集电极电流
Vce（sat）（V）集电极－发射极饱和压降
深圳市晶导电子有限公司 Shenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
TEL：0755-29799516 FAX：0755-29799515
Http://www.jdsemi.cn
静态输出特性 -1
-1.0mA -0.8
共发射极直流电流增益
集电极－发射极饱和压降 下降时间 特征频率
符号
BVCEO BVCBO BVEBO
I CEO I CBO I EBO
HFE
VCE (sat) tf fT
测试条件
IC=1mA；
I B =0
IC=1mA；
I E =0
IE=1mA；
பைடு நூலகம்I C =0
VCE=28V； IB=0
VCB=38V； IE=0
深圳市晶导电子有限公司 Shenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
TEL：0755-29799516 FAX：0755-29799515
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D882P-E NPN 功率三极管
* 主要用途 ：
主要用于高频放大电路、应急灯、 电动玩具控制电路。
Http://www.jdsemi.cn
静态输出特性 -1
-1.0mA -0.8
-0.8mA
-0.6
-0.6mA
-0.4
-0.4mA
-0.2mA -0.2
Ib=0
0
-2
-4
-6
-8
-10
Vce（V）集电极－发射极电压
Vce（sat）集电极 - 发射极饱和压降－ Ic 集电极电流 -2
Ic=10Ib -1
* 主要特点：
硅外延平面工艺、输出特性好、电流容量大。
极限值：( Tc=25 ℃ )
参 数 名称
集电极－发射极击穿电压 集电极－基极击穿电压 发射极－基极击穿电压 最大集电极直流电流 最大耗散功率 最高结温 贮存温度
符号
BVCEO BVCBO BVEBO Icm Pcm Tjm Tstg
E 发射极 C 集电极 B 基极
-0.1
0
-0.1
-1
-2
-3
Ic（A）集电极电流
SOA（DC）安全工作区 -10
-5 -1
Pc（W ％）耗散功率
HFE 直流电流增益
HFE 直流电流增益－ Ic 集电极电流 500
400
300
Vce= -2V
200
100
1 -0.01
-0.1
-1
-2
-3
Ic（A）集电极电流
Pc 耗散功率－ Tj 结温 50 40 30 20 10
VEB=6V；
I C =0
VCE=2V；
I C =1A
VCE=5V；
IC=1mA
IC=2A；
IB=0.2A
IC=1A；IB1=IB2=0.2A；VCE=20V
VCE=10V；IC=0.1A；f =1MHz
规范值 单位
最小值 最大值
30
V
40
V
6
V
-20
uA
-10
uA
-10
uA
120
400
60
-0.5
额定值
≥ 30 ≥ 40 ≥6
3 30 150 － 55 ～ 150
单位
V V V A W ℃ ℃
电特性： ( Tc=25 ℃ )
参数名称
集电极－发射极击穿电压 集电极－基极击穿电压 发射极－基极击穿电压 集电极－发射极反向漏电流 集电极－基极反向漏电流 发射极－基极反向漏电流
共发射极直流电流增益
集电极－发射极饱和压降 下降时间 特征频率
符号
BVCEO BVCBO BVEBO
I CEO I CBO I EBO
HFE
VCE (sat) tf fT
测试条件
IC=1mA；
I B =0
IC=1mA；
I E =0
IE=1mA；
I C =0
VCE=28V； IB=0
VCB=38V； IE=0
VEB=6V；
I C =0
VCE=2V；
I C =1A
VCE=5V；
IC=1mA
IC=2A；
IB=0.2A
IC=1A；IB1=IB2=0.2A；VCE=20V
VCE=10V；IC=0.1A；f =1MHz
规范值 单位
最小值 最大值
30
V
40
V
6
V
-20
uA
-10
uA
-10
uA
120
400
60
-0.5
V
0.2
uS
80
MHz
Jingdao Electronic Corporation V01 1/3
封装形式： TO-126D ( 单位：mm，无其他特别说明公差 ±0.1mm)
TEL：0755-29799516 FAX：0755-29799515
Http://www.jdsemi.cn
D882P-E
Jingdao Electronic Corporation V01 3/3
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D882P-E NPN 功率三极管
* 主要用途 ：
主要用于高频放大电路、应急灯、 电动玩具控制电路。
* 主要特点：
硅外延平面工艺、输出特性好、电流容量大。
极限值：( Tc=25 ℃ )
参 数 名称
集电极－发射极击穿电压 集电极－基极击穿电压 发射极－基极击穿电压 最大集电极直流电流 最大耗散功率 最高结温 贮存温度
TEL：0755-29799516 FAX：0755-29799515
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D882P-E
Jingdao Electronic Corporation V01 3/3
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-5 -1
Pc（W ％）耗散功率
HFE 直流电流增益
HFE 直流电流增益－ Ic 集电极电流 500
400
300
Vce= -2V
200
100
1 -0.01
-0.1
-1
-2
-3
Ic（A）集电极电流
Pc 耗散功率－ Tj 结温 50 40 30 20 10
0
40
80
120
160 200
Tj（℃）结温
-0.1
V
0.2
uS
80
MHz
Jingdao Electronic Corporation V01 1/3
Ic（A）集电极电流
Vce（sat）（V）集电极－发射极饱和压降
深圳市晶导电子有限公司 Shenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
TEL：0755-29799516 FAX：0755-29799515
符号
BVCEO BVCBO BVEBO Icm Pcm Tjm Tstg
E 发射极 C 集电极 B 基极
额定值
≥ 30 ≥ 40 ≥6
3 30 150 － 55 ～ 150
单位
V V V A W ℃ ℃
电特性： ( Tc=25 ℃ )
参数名称
集电极－发射极击穿电压 集电极－基极击穿电压 发射极－基极击穿电压 集电极－发射极反向漏电流 集电极－基极反向漏电流 发射极－基极反向漏电流
-0.01
0.1
1
10
100
Vce（V）集电极－发射极电压
Ic（A）集电极电流
D882P-E
Jingdao Electronic Corporation V01 2/3
深圳市晶导电子有限公司 Shenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
封装形式： TO-126 ( 单位：mm，无其他特别说明公差 ±0.1mm)
-0.8mA
-0.6
-0.6mA
-0.4
-0.4mA
-0.2mA -0.2
Ib=0
0
-2
-4
-6
-8
-10
Vce（V）集电极－发射极电压
Vce（sat）集电极 - 发射极饱和压降－ Ic 集电极电流 -2
Ic=10Ib -1
-0.1
0
-0.1
-1
-2
-3
Ic（A）集电极电流
SOA（DC）安全工作区 -10
0
40
80
120
160 200
Tj（℃）结温
-0.1
-0.01
0.1
1
10
100
Vce（V）集电极－发射极电压
Ic（A）集电极电流
D882P-E
Jingdao Electronic Corporation V01 2/3
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