《模拟电子》第01章在线测试
华工网络教育模拟电子随堂练习及答案
第1章常用半导体器件1. N型半导体的多数载流子是电子，因此它应( )。
A.带负电B.带正电C.不带电答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：2.将PN结加适当的反向电压，则空间电荷区将( )。
A.变窄B.变宽C.不变答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：3.二极管的死区电压随环境温度的升高而( )。
A.增大B.不变C.减小答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：4.电路如图所示，设全部二极管均为理想元件，当输入电压ui=10sin tV 时，输出电压最大值为10V的电路是( )。
答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：5.电路如图所示，D1，D2均为理想二极管，设U1=10V，ui=40sinωtV,则输出电压uO应为( )。
A.最大值为40V，最小值为0VB.最大值为40V，最小值为+10VC.最大值为10V，最小值为－40VD.最大值为10V，最小值为0V答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：D问题解析：6.稳压管的动态电阻rZ是指( )。
A.稳定电压与相应电流IZ之比B.稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：7.在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是( )。
A.PNP管的集电极B.PNP管的发射极C.NPN管的发射极D.NPN管的基极答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：8.已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型为( )。
A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.NPN型硅管D.PNP型硅管答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：A第2章基本放大电路1.如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导通改为反偏，则集电极电流( )。
模拟电子技术(第2版)第一章习题答案.doc
第一章习题答案一、填空题1.增大、增大、下2.浓度差异、电场3.五、三4.自由电子、空穴、空穴、自由电子5. N、自由电子、空穴6.本征半导体、杂质半导体7.高于8.正偏、反偏、单向导电性9.电击穿、热击穿10.高、低、单向导电11.限流电阻12.点接触、面接触13.减小、增大14.大、小15.反向击穿16.正向电流、反向电流17.电、光、正向18.光、电、反向19.反向击穿区、反向击穿区20.阻碍、促进二、单选题1.C2.D3.D4.C5.B6.A7.B8.B9.A10.C三、判断题1.错误2.错误3.错误4.正确5.错误四、计算分析题1.对（a）图，u I > 4V时稳压管稳压，u O1 = u I– 4V；u I≤4V时稳压管截止，u O1 = 0。
对（b）图，u I > 4V时稳压管稳压，u O2 = 4V；u I≤4V时稳压管截止，u O2 = u I。
波形图如下：2. （1）开关S 闭合时发光二极管才能发光。
（2）R 的取值范围Ω=-=-=26715)15(max min mA VI U V R D D DDΩ=-=-=8005)15(min max mAVI U V R D D DD计算的最后结果：Ω≤≤Ω800267R3. 稳压管的最大稳定电流为mA VmWU P I Z ZM ZM 256150===稳压管正常工作时要求ZM DZ Z I I I ≤≤min ，所以mA RVmA 25)612(5≤-≤求得Ω≤≤Ωk R k 2.124.0。
计算的最后结果：Ω≤≤Ωk R k 2.124.04. （1）当开关S 闭合时，Z DZ U V V U <≈+⨯=8.5725230，所以稳压管截止。
电压表读数U V =8.57V ，而mA k VI I A A 4.29)25(3021=Ω+==（2）当开关S 断开时，I A2 = 0，稳压管能工作于稳压区，故得电压表读数U V =12V ，A 1读数为mA k VI A 3.65)1230(1=Ω-=计算的最后结果：（1）U V = 8.57V ，I A1 = I A2 = 4.29mA（2）U V = 12V ，I A1 = 3.6mA ，I A2 = 0mA5. （a ）首先假定稳压管断开，求得U PN = -8V ，绝对值大于U Z 值，所以可以工作于反向击穿区。
模拟电子技术基础(李国丽)第一章习题答案
1半导体二极管自我检测题一. 选择和填空1．纯净的、结构完整的半导体称为本征半导体, 掺入杂质后称杂质半导体。
若掺入五价杂质, 其多数载流子是电子。
2. 在本征半导体中, 空穴浓度 C 电子浓度；在N型半导体中, 空穴浓度B 电子浓度；在P型半导体中, 空穴浓度 A 电子浓度。
（A．大于, B．小于, C．等于）3.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决..，而少数载流子的浓度..关系十分密切。
（A. 温度, B. 掺杂工艺, C. 杂质浓度）4.当PN结外加正向电压时，扩散电..漂移电流，耗尽. . ；当PN结外加反向电压时，扩散电..漂移电流，耗尽.. .（A. 大于, B. 小于, C. 等于, D. 变宽, E. 变窄, F不变）5. 二极管实际就是一个PN结, PN结具有单向导电性, 即处于正向偏置时, 处于导通状态；反向偏置时, 处于截止状态。
6.普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_.，反向电流一般_C_；普通小功率锗二极管的正向导通压降约为_A_，反向电流一般_D_。
（A. 0.1～0.3V, B. 0.6～0.8V, C. 小于, D. 大于）7.已知某二极管在温度为25℃时的伏安特性如图选择题7中实线所示，在温度.T1时的伏安特性如图中虚线所示。
在25℃时，该二极管的死区电压. 0..伏，反向击穿电压. 16. 伏，反向电流.10-. 安培。
温度T.小..25℃。
（大于、小于、等于）图选择题78. PN结的特性方程是。
普通二极管工作在特性曲线的正向区；稳压管工作在特性曲线的反向击穿区。
二. 判断题（正确的在括号内画√, 错误的画×）1. N型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。
（×）2. 在P型半导体中, 掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N型半导体。
（√）3．P型半导体带正电, N型半导体带负电。
（×）4. PN 结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
模拟电子技术基础(西安邮电大学)智慧树知到课后章节答案2023年下西安邮电大学
模拟电子技术基础（西安邮电大学）智慧树知到课后章节答案2023年下西安邮电大学西安邮电大学第一章测试1.Which of the following is not a commonly used semiconductor material'?（）答案:lead2.The characteristic of an ideal diode are those of a switch that can conductcurrent（） .答案:in one direction only3.When a diode is doped with either a pentavalent or a trivalent impurity itsresistance will （） .答案:decrease4.The piecewise linear model, equivalent circuit of the diode consists of （）.答案:a battery, a small resistor, and the ideal diode5.When a p-n junction is reverse-biased, its junction resistance is （）.答案:high第二章测试1.What is the value of the voltage dropped across forward-biased silicondiodes that are connected in parallel with each other? （）.答案:0.7 V2.The resistor voltage and resistor current in this circuit are （）.答案:11 V, 11 mA3.Which of the following circuits is used to eliminate a portion of a signal?（）.答案:Clipper4.The circuit shown here is a （）.答案:parallel clipper5.The Zener diode must be operated such that （）.答案:All of these第三章测试1.In the active region, the base-emitter junction （）.答案:is forward-biased while the base-collector junction is reversed-biased2. A BJT has measured dc current values of = 0.1 mA and = 8.0 mA. WhenIB is varied by 100 μA, IC changes by 10 mA. What is the value of the βac forthis device?（）.答案:1003.When a BJT is operating in the active region, the voltage drop from the baseto the emitter is approximately equal to the （）。
智慧树知到《模拟电子技术基础(九江职业技术学院)》章节测试答案
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模拟电子电路知到章节答案智慧树2023年吉林大学
模拟电子电路知到章节测试答案智慧树2023年最新吉林大学第一章测试1.P型半导体带正电，N型半导体带负电。
参考答案:错2.PN结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
参考答案:对3.由于PN结交界面两边存在电位差，所以当把PN结两端短路时就有电流流过。
参考答案:错4.PN结外加反向电压，当电压绝对值增大时，空间电荷区变窄。
参考答案:错5.纯净的、结构完整的半导体称为本征半导体，掺入杂质后称杂质半导体。
参考答案:对第二章测试1.二极管的伏安特性曲线既描述了二极管正向特性和反向特性，又描述了二极管的反向击穿特性。
参考答案:对2.稳压二级管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态参考答案:对3.稳压二极管不允许工作在正向导通状态参考答案:错4.二极管的在交流等效为一个小电阻。
参考答案:对5.所有的二极管正向导通后压降都为0.7V。
参考答案:错第三章测试1.三极管工作于哪个区域与外加电压的情况有关。
参考答案:对2.测出某三极管的共基电流放大系数参考答案:错3.a小于1，表明该管子没有放大能力。
参考答案:错4.由于三极管的发射区和集电区的掺杂浓度不同，所以发射极和集电极互换后电流放大能力大大减小。
参考答案:对5.只要是硅三极管，无论是NPN还是PNP型，正常工作时，发射结的工作电压vBE都为0.7V左右。
参考答案:错第四章测试1.三小信号模型是交流下用线性电路代替非线性伏安特性的过程参考答案:对2.晶体管的输入电阻rbe是一个动态电阻，所以它与静态工作点无关参考答案:错3.在共射放大电路中，当负载电阻RL减小，电压放大倍数下降参考答案:对4.在共射放大电路中，当负载电阻RL减小，输出电阻也减小参考答案:错5.共集放大电路电压放大倍数小于1，所以不能实现功率放大参考答案:错6.共集放大电路的电压放大倍数接近于1，与负载RL是否接通关系不大参考答案:对7.常用的稳定静态工作点的方法有直流负反馈法和温度补偿法参考答案:对8.共基极放大电路不具备电流放大能力参考答案:对第五章测试1.场效应管通过电压控制实现信号放大的条件是工作在恒流区参考答案:对2.N沟道结型场效应管的vGS越负，iD越小，vGS不可为正参考答案:对3.场效应管是单极型电压控制器件，即使栅极电流为零，也可正常放大参考答案:对4.场效应管是电压控制器件，iD=gmvGS这是个线性方程，所以它是线性器件参考答案:错5.结型场效应管和增强型绝缘栅型场效应管的转移特性中都有饱和漏极电流IDSS参考答案:错第六章测试1.场效应管的栅极电流几乎等于零，所以场效应管放大电路的输入电阻通常很大参考答案:对2.共漏放大电路电压放大倍数总是小于1参考答案:对3.场效应管的跨导gm=IDQ/VGSQ参考答案:错4.增强型绝缘栅场效应管可以采用自偏压电路参考答案:错5.共源放大电路不具备电压放大能力参考答案:错第七章测试1.如果要求各级静态工作点互不影响，可选用阻容耦合方式参考答案:对2.放大交流信号，只能采用阻容耦合方式或变压器耦合方式参考答案:错3.在三级放大电路中，已知各级电压增益分别是20dB、25dB、35dB，则三级放大电路总增益为80dB，折合为104倍参考答案:对4.单端输入差分放大电路的共模输入信号等于该输入端信号的一半参考答案:对5.差分放大电路的输出信号电压值等于差模电压放大倍数与差模输入电压的乘积。
模拟电子技术知到章节答案智慧树2023年吉林农业大学
模拟电子技术知到章节测试答案智慧树2023年最新吉林农业大学第一章测试1.PN结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
参考答案:错2.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
参考答案:错3.在本征半导体中加入五价元素可形成N型半导体，加入三价元素可形成P 型半导体。
参考答案:对4.U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有增强型MOS管。
参考答案:错5.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将参考答案:增大6.稳压管的稳压区是其工作在参考答案:反向击穿7.当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为参考答案:前者正偏、后者反偏第二章测试1.只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。
参考答案:错2.可以说任何放大电路都有功率放大作用。
参考答案:对3.放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。
参考答案:错4.电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的。
参考答案:错5.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
参考答案:对6.由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。
参考答案:错7.已知图1所示电路中V CC＝12V，R C＝3kΩ，静态管压降U CEQ＝6V；并在输出端加负载电阻R L，其阻值为3kΩ。
选择一个合适的答案填入空内。
图1（1）该电路的最大不失真输出电压有效值U om≈参考答案:2V8.已知图1所示电路中V CC＝12V，R C＝3kΩ，静态管压降U CEQ＝6V；并在输出端加负载电阻R L，其阻值为3kΩ。
选择一个合适的答案填入空内。
当＝1mV时，若在不失真的条件下，减小R W，则输出电压的幅值将参考答案:增大9.已知图1所示电路中V CC＝12V，R C＝3kΩ，静态管压降U CEQ＝6V；并在输出端加负载电阻R L，其阻值为3kΩ。
选择一个合适的答案填入空内在＝1mV时，将R W调到输出电压最大且刚好不失真，若此时增大输入电压，则输出电压波形将参考答案:底部失真10.已知图1所示电路中V CC＝12V，R C＝3kΩ，静态管压降U CEQ＝6V；并在输出端加负载电阻R L，其阻值为3kΩ。
《模拟电子技术基础》习题册
第一章：基本放大电路习题1-1 填空：1．本征半导体是，其载流子是和。
载流子的浓度。
2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。
3．漂移电流是在作用下形成的。
4．二极管的最主要特征是，它的两个主要参数是和。
5．稳压管是利用了二极管的特征，而制造的特殊二极管。
它工作在。
描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是、、、和。
6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将。
7．双极型晶体管可以分成和两种类型，它们工作时有和两种载流子参与导电。
8．场效应管从结构上分成和两种类型，它的导电过程仅仅取决于载流子的流动；因而它又称做器件。
9．场效应管属于控制型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是控制型器件。
10．当温度升高时，双极性三极管的β将，反向饱和电流I CEO正向结压降U BE。
11．用万用表判别放大电路中处于正常放大工作的某个晶体管的类型与三个电极时，测出最为方便。
12．三极管工作有三个区域，在放大区时，偏置为和；饱和区，偏置为和；截止区，偏置为和。
13．温度升高时，晶体管的共设输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性曲线之间的间隔将。
1-2 设硅稳压管D z1和D z2的稳定电压分别为5V和10V，求图1-2中各电路的输出电压U0，已知稳压管的正向压降为0.7V。
D Z1D Z225VU O1k Ω( )b D Z1D Z225VU O1k Ω( )c ( )d ( )a D Z1D Z225VU O 1k ΩD Z1D Z225VU O1k Ω图1-21-3 分别画出图1-3所示电路的直流通路与交流通路。
( )a ( )b( )c图1-31-5 放大电路如图1-5所示，试选择以下三种情形之一填空。
a ：增大、b ：减小、c ：不变（包括基本不变） 1．要使静态工作电流I c 减小，则R b2应 。
2．R b2在适当范围内增大，则电压放大倍数 ，输入电阻 ，输出电阻 。
模拟电子技术实验—轻松开启模拟电子技术之门(山东联盟) 智慧树知到网课章节测试答案
1、选择题:信号的三要素是幅值、周期和初相位。
选项：A:对B:错答案: 【对】2、选择题:以下仪器设备中，可用于提供输入信号的是选项：A:函数信号发生器B:DC信号源C:示波器D:交流毫伏表答案: 【函数信号发生器,DC信号源】3、选择题:总体来说，函数信号发生器的功能有选项：A:波形设置B:频率设置C:幅值设置D:自检设置答案: 【波形设置,频率设置,幅值设置】4、选择题:以下是交流有效值的单位是A:VrmsB:mVppC:dBmD:Vpp答案: 【Vrms】5、选择题:通常，示波器在使用前都需要进行自检。
示波器GDS820C的自检信号波形是选项：A:1kHz1Vpp的方波信号B:1kHz2Vpp的方波信号C:1kHz1Vpp的正弦波信号D:1kHz2Vpp的正弦波信号答案: 【1kHz2Vpp的方波信号】6、选择题:调整示波器垂直系统的POSITION旋钮时，改变的是坐标轴横轴的位置，观测的信号也会随之变化。
选项：A:对B:错答案: 【错】7、选择题:若要使示波器观测的波形在垂直方向上压缩显示，则需要将VOLTS/DIVA:调大B:调小C:右旋至底D:左旋至底答案: 【调大】8、选择题:调整示波器水平系统的POSITION旋钮时，可以选项：A:改变坐标轴纵轴的位置B:改变坐标轴横轴的位置C:改变波形的完整性D:改变水平方向每格所代表的时间答案: 【改变坐标轴横轴的位置】9、选择题:若要使示波器观测的波形稳定显示，触发电平选项：A:位于最大值和最小值之间B:位于最大值上面C:位于最大值上面位于最小值下面答案: 【位于最大值和最小值之间】10、选择题:通常，示波器屏幕上显示波形周期数选项：A:2-3个B:5个C:1个D:越多越好答案: 【2-3个】11、选择题:直流稳压电源GPS-3303A的CH3为5V3A的固定输出端。
选项：A:对B:错答案: 【对】1、选择题:信号放大的前提是不失真，不失真的放大，在实验中是通过调试合适的静态工作点来保证的。
郑大《模拟电子》在线测试
《模拟电子》第01章在线测试剩余时间：58:36 答题须知：1、本卷满分20分。
2、答完题后，请一定要单击下面的“交卷”按钮交卷，否则无法记录本试卷的成绩。
3、在交卷之前，不要刷新本网页，否则你的答题结果将会被清空。
第一题、单项选择题（每题1分，5道题共5分）1、对电流放大电路本身，输入电阻要（），输出电阻要大。
A、大B、小C、0D、2、（）放大电路一般适用于信号源电阻较大而负载电阻较小的场合。
A、电压B、电流C、电阻D、3、（）放大电路一般适用于信号源电阻较小而负载电阻较大的场合。
A、电压B、电流C、电阻D、4、若一个放大电路的电压增益为60分贝，即电压放大了（）倍。
A、60B、120C、1000D、5、若一个放大电路的电压放大了100倍数，则其电压增益为（）分贝。
A、20B、100C、40D、第二题、多项选择题（每题2分，5道题共10分）1、电压放大电路：A、适用于信号源电阻较小而负载电阻较大的场合。
B、适用于信号源电阻较大而负载电阻较小的场合。
C、输入电阻要大，输出电阻要小。
D、输入电阻要小，输出电阻要大。
2、电流放大电路：A、适用于信号源电阻较小而负载电阻较大的场合。
B、适用于信号源电阻较大而负载电阻较小的场合。
C、输入电阻要大，输出电阻要小。
D、输入电阻要小，输出电阻要大。
3、互阻放大电路：A、可以实现电流到电压的转换。
B、放大倍数单位是欧姆。
C、可以实现电压到电流的转换。
4、互导放大电路：A、可以实现电压到电流的转换。
B、放大倍数单位是欧姆。
C、放大倍数是输出电流与输入电压的比值。
D、可以实现电流到电压的转换。
5、（本题空白。
您可以直接获得本题的2分）第三题、判断题（每题1分，5道题共5分）1、模拟电路是处理模拟信号的电子电路。
正确错误2、主要考虑电压增益的电路称为电流放大电路。
正确错误3、电流放大电路，输入电阻要大，输出电阻要小。
正确错误4、电流放大电路一般适用于信号源电阻较大而负载电阻较小的场合。
(一和二)章模拟电子技术基础测试题一
《模拟电子技术基础》测试题一姓名：___________ 号：_____________ 绩： _____________一、填空题（40分）1、PN结具有_______ 性，即当电源________ 接P区， ________ 接N区时，称为PN结加正向电压或正向偏置；当电源正极接N区，负极接P区时，称为PN 结加__________ 或________ 。
2、三极管的输出特性曲线可分为三个区域，即 ______ 区、______ 区和区。
当三极管工作在______ 区时，关系式IC=B IB才成立；当三极管工作在________ 区时，IC=0;当三极管工作在_______ 区时，UCE^ 0。
3、NPN型三极管处于放大状态时，三个电极中电位最高的是______ ，_____ 极电位最低。
4、晶体三极管有两个PN结，即_______ 和 _________ 在放大电路中_________ 必须正偏，________ 偏。
5、晶体三极管反向饱和电流ICBO随温度升高而_________ 穿透电流ICEO随温度升高而_________ B值随温度升高而 ________ 。
6硅三极管发射结的死区电压约为 __________ V锗三极管发射结的死区电压约为V晶体三极管处在正常放大状态时，硅三极管发射结的导通电压约为V锗三极管发射结的导通电压约为7。
7、输入电压为20mV输出电压为2V,放大电路的电压增益为__________ 。
8、二极管的主要特性是具有__________ 。
二极管外加正向电压超过死区电压以后，正向电流会 _______ ，这时二极管处于_________ 状态。
9、整流电路将交流电变为________________ 流电，滤波电路将脉动的直流电变为 ______________ 的直流电。
10、_____________________________________ 整流电路按整流相数，可分为与两种；按被整流后输出电压（或电流）的波形分，又可分为___________ 与_________ 两种。
智慧树模拟电子技术章测试第一章单元测试答案参考
•第1部分
•总题数: 10
1【判断题】 (10分)
电路如图所示，二极管采用硅管，电阻R＝1kΩ，E＝3V,用理想模型求UR的值等于3V
A.对
B.错
2【判断题】 (10分)
电路如图所示，二极管采用硅管，电阻R＝1kΩ，E＝3V,用理想模型求UR的值等于0V
A.对
B.错
3【单选题】 (10分)
电路如图所示，二极管采用硅管，电阻R＝1kΩ，E＝3V,硅管的正向导通电压可取0.7V,用恒压降模型求UR的值等于（）V
A.1
B.3
C.0
D.2
4【单选题】 (10分)
电路如图所示，二极管VD1、VD2用恒压降模型，正向导通电压均为0.7V，假如输入端uA=3V，uB=0V,求uy=（）V
A.2.4
B.2.3
C.2.2
D.2.1
5【判断题】 (10分)
稳压管的动态电阻愈大，稳压性能也就愈好
A.错
B.对
6【判断题】 (10分)
稳压管的正常工作区是反向区
A.错
B.对
7【判断题】 (10分)
二极管恒压降模型，是指二极管承受正向电压导通时，其管压降为恒定值，且不随电流而变化
A.错
B.对
8【判断题】 (10分)
扩散电容是PN结加正向电压时，多数载流子在扩散过程中引起电荷积累而产生的
A.错
B.对
9【判断题】 (10分)
当电源的正极接P区，负极接N区，称为PN结加正向电压，也称PN结正向偏置
A.对
B.错
10【判断题】 (10分)
在半导体材料中，本征半导体的自由电子浓度等于空穴的浓度
A.错
B.对。
[模拟电子线路]二篇 1章 答案
![[模拟电子线路]二篇 1章 答案](https://img.taocdn.com/s3/m/542e4a5ecf84b9d528ea7a49.png)
解：1. A 0 0 0 0 1 1 1 1 B C 0 0 0 1 1 0 1 1 0 0 0 1 1 0 1 1 BC 0 0 0 1 0 0 0 1
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(1)x1=+10011; (2)x2=-01010; (3)x3=+0.1101 (4)x4=-0.0101
解： ［Ｘ1］原=010011 ［Ｘ2］原=101010 ［Ｘ3］原=01101 ［Ｘ4］原=10101
题2.1.4 1. A BC
［Ｘ1］反=001100 ［Ｘ2］反=110101 ［Ｘ3］反=01101 ［Ｘ4］反=11010
CD 00 01 11 10
解：
CD
AB
00 01
AB
00
00 01 11 10
0 0
1 1
1
0
0
1
0 0
1 1
0 0
0
0 0
1
1
0 0
1
1
01
11
10
0
11
10
(1) Z1 CD BC
(2) Z 2 AC AD
CD
AB
00
00 01 11 10
CD
AB
00
01
00 01 11 10
解：
(1) (2) (3) (4) (5) (6)
(172)10
= (10101100)2
(0.8123)10 =(011001)2 (10101101.0101)2= (173.3125)10 (3625)10= (7051)8=(E29)16 (0.172)8= (03D0)16=(0.00111101)2 (4CA)16 =(10011001010)2=(1226)10
模拟电子技术知到章节答案智慧树2023年华东交通大学
模拟电子技术知到章节测试答案智慧树2023年最新华东交通大学绪论单元测试1.常用电子仪器的使用方法体现了模拟电子技术课程的实践性。
参考答案:对2.掌握基本观念，基本电路和基本分析方法是学好模拟电子技术课程的要求。
参考答案:对第一章测试1.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。
参考答案:杂质浓度2.在N型半导体中，多数载流子是（）。
参考答案:电子3.二极管的伏安特性曲线的反向部分在环境温度升高时将（）。
参考答案:下移4.双极型晶体管本质上是一个（）。
参考答案:电流控制的电流源5.晶体管的导电机理为两种载流子（电子和空穴）参与导电，（）参考答案:对第二章测试1.放大电路的静态是指（）。
参考答案:输入交流信号幅值为0时的电路状态；2.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入3kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明电路的输出电阻为（）。
参考答案:1 kΩ3.工作在放大区的双极型三极管，如果当IB从10μA增大到20μA时，IC从1.1mA变为1.9mA，那么它的β约为（）。
参考答案:804.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
（）参考答案:对5.晶体管的输入电阻rbe是一个动态电阻，它与静态工作点无关。
（）参考答案:错第三章测试1.场效应管工作时参与导电的是（）。
参考答案:多子2.场效应管本质上是一个（）。
参考答案:电压控制的电流源3.下列对场效应管的描述中，不正确的是（）。
参考答案:场效应管工作时多子、少子均参与导电4.场效应管是一种载流子（即多子）参与导电。
（）参考答案:对5.通常MOS场效应管的输入电阻比结型场效应管的输入电阻要小。
（）参考答案:错第四章测试1.产生零点漂移的主要原因是（）。
参考答案:环境温度的变化2.集成运放的输入级广泛采用了差分放大电路，它的一大优点是（）。
参考答案:有效地抑制共模信号，同时有效地放大差模信号3.差动放大电路利用参数对称的对管进行设置是为了（）。
模拟电子技术-线上考试模拟题1-答案(1)
模拟电子技术模拟题1一、单选题1. 二极管单向导电性是指（ D ）。
A.正偏导通，反偏导通B.正偏截止，反偏导通C.正偏截止，反偏截止D.正偏导通，反偏截止2. 模拟信号是指（ B ）。
A.在时间和数值上均离散变化的信号B.在时间和数值上均连续变化的信号C.只要在时间上离散变化的就是模拟信号D.只要在时间上连续变化的就是模拟信号3. 图示电路中电源V =5V 不变，当温度为20O C 时测得二极管的电压U D =0.7V ，当温度上升到为40O C 时，则U D 的大小将是（ C ）。
A.仍等于0.7VB.大于0.7VC.小于0.7VD.不能确定4. 稳压管稳压时工作在（ C ）。
A.正偏导通状态B.反偏截止状态C.反向击穿状态D.只要反向偏置都可以5. 在OCL 乙类功放电路中，若最大输出功率为1W ，则电路中功放管的最大管耗约为（ C ）。
A.1WB.0.5WC.0.2WD.0.8 W 6. 差模输入信号是差分放大电路两个输入端信号的（ B ）。
A.和B.差C.比值D.平均值7. 集成运放输入端u N 被称为（ B ）。
A.同相输入端B.反相输入端C.差模输入端D.输出端8. 差分放大电路由双端输出变为单端输出，则差模电压增益（ B ）。
A.增加一倍B.约为双端输入时的1/2C.不变D.不确定 9. 甲乙类功放电路的效率理论最大值为（ B ）。
A.25%B.78.5%C.50%D.90% 10. 直流负反馈是指（ C ）。
A.存在于RC 耦合电路中的负反馈B.放大直流信号时才有的负反馈C.直流通路中存在的负反馈D.只存在于直接耦合放大电路中的负反馈二、填空题1. N 型半导体的多子是 自由电子 ，P 型半导体的多子是 空穴 。
2. 稳定输出电流，增大输入电阻应引入反馈的组态为 电流串联负 反馈。
3. 差分放大电路对称性愈好，对零漂抑制越 强 。
4. 晶体管的三个工作区分别是 饱和 区、 放大 区、 截止 区。
《模拟电子技术基础》习题答案_第四版(童诗白、华成英)高等教育出版社
1第1章习题及答案1.1．在图题1.1所示的各电路图中E ＝5V ，t u i ωsin 10=V ，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压o u 的波形。
uu ouu o图题1.1解：（a ）图：当i u > E 时，o u = E ，当i u < E 时，i o u u =。
（b ）图：当i u < E 时，o i u u =；当i u > E 时，E u o =。
（c ）图：当i u < E 时，E u o =；当i u > E 时，i o u u =。
（d ）图：当i u > E 时，i o u u =；当i u < E 时，E u o =。
画出o u 波形如图所示。
2Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2．有两个稳压管D Z1和D Z2，其稳定电压分别为 5.5V和8.5V，正向压降都是0.5V 。
如果要得到0.5V ，3V，6V ，9V和14V几种稳定电压，问这两个稳压管（还有限流电阻）应如何连接？画出各个电路。
解：各电路图如图所示。
(a)0.5V ；(b)3V ；(c)6V ；(d)9V ；(e)14V 。
uu(a)(b)u u u(c) (d) (e)1.3．在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光，为什么？3图题1.3解：若输入电压U I =1.0V ，发光二极管不发光，因为发光二极管正向工作电压为2～2.5V 。
1.4．光电二极管在电路中使用时，是正向连接还是反向连接？解：光电二极管在电路中使用时，是反向连接，因为光电二极管工作在反偏状态，它的反向电流随光照强度的增加而上升，用于实现光电转换功能。
1.5．某二极管的管壳标有电路符号，如图所示，已知该二极管是好的，万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示，（1）在测二极管的正向电阻时，两根表笔如何连接？（2）在测二极管的反向电阻时，两根表笔又如何连接？（3）两次测量中哪一次指针偏转角度大？偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大？图题1.5解：（1）在测二极管的正向电阻时，黑表笔接正极，红表笔接负极。
清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案
第一章 半导体基础知识自测题一、（ 1）√ （2）× （ 3）√ （ 4）× （ 5）√ （ 6）× 二、（ 1） A （2）C （ 3）C （4） B （ 5）A C 三、 U O1≈ 1.3VU O2＝ 0 U O3≈－ 1.3VU O4≈ 2V U O5≈ 2.3V U O6≈－ 2V四、 U O1＝ 6V U O2＝5V五、根据 P CM ＝ 200mW 可得： U CE ＝ 40V 时 I C ＝ 5mA ，U CE ＝ 30V 时 I C ≈ 6.67mA ， U CE＝ 20V 时 I C ＝ 10mA ， U CE ＝ 10V 时 I C ＝ 20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
六、 1、I BVBBUBE26μAR bI CI B2.6mAUCEVCCI C R C 2VU O ＝ U CE ＝2V 。
2、临界饱和时 U CES ＝ U BE ＝0.7V ，所以VCC UCES2.86mAI CR cI C28.6μAI BV BBU BE45.4kR bI B七、 T 1：恒流区； T 2：夹断区； T 3：可变电阻区。
习题u i /V101.1（ 1） A C （ 2）A（3） C（ 4）AtO1.2 不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系， 当端电压为 1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
u o /V101.3 u i 和 u o 的波形如图所示。
tO1.4u i和 u o的波形如图所示。
u i/V53O-3u O/V3.7O-3.7 1.5u o的波形如图所示。
u I1/V t t30.3Otu I2/V30.3tOu O/V3.71O t1.6I D＝（ V － U D） /R＝2.6mA ， r D≈ U T/I D＝ 10Ω， I d＝ U i/r D≈ 1mA 。
1.7（ 1）两只稳压管串联时可得 1.4V 、6.7V 、 8.7V 和 14V 等四种稳压值。
模拟电子0
《模拟电子》第01章在线测试模拟电子》第01章在线测试剩余时间：59:34题须知：1、本卷满分20分。
2、答完题后，请一定要单击下面的“交卷”按钮交卷，否则无法记录本试卷的成绩。
3、在交卷之前，不要刷新本网页，否则你的答题结果将会被清空。
题、单项选择题（每题1分，5道题共5分）、主要考虑电压增益的电路称为（）放大电路。
A、电压B、电流C、电阻D、、（）放大电路可以把电压信号转换为电流信号。
A、电压B、电流C、互导D、、对电流放大电路本身，输入电阻要（），输出电阻要大。
A、大B、小C、0D、、（）放大电路一般适用于信号源电阻较小而负载电阻较大的场合。
A、电压B、电流C、电阻D、、（）的大小决定放大电路的带负载能力。
A、输入电阻B、输入电压C、输出电阻D、题、多项选择题（每题2分，5道题共10分）、电压放大电路：A、适用于信号源电阻较小而负载电阻较大的场合。
B、适用于信号源电阻较大而负载电阻较小的场合。
C、输入电阻要大，输出电阻要小。
D、输入电阻要小，输出电阻要大。
、电流放大电路：A、适用于信号源电阻较小而负载电阻较大的场合。
B、适用于信号源电阻较大而负载电阻较小的场合。
C、输入电阻要大，输出电阻要小。
D、输入电阻要小，输出电阻要大。
、互阻放大电路：A、可以实现电流到电压的转换。
B、放大倍数单位是欧姆。
C、可以实现电压到电流的转换。
、互导放大电路：A、可以实现电压到电流的转换。
B、放大倍数单位是欧姆。
C、放大倍数是输出电流与输入电压的比值。
D、可以实现电流到电压的转换。
、（本题空白。
您可以直接获得本题的2分）题、判断题（每题1分，5道题共5分）、模拟电路是处理模拟信号的电子电路。
正确错误、主要考虑电压增益的电路称为电流放大电路。
正确错误、互阻放大电路可以把电流信号转换为电压信号。
正确错误、电压放大电路，输入电阻要大，输出电阻要小。
正确错误、若一个放大电路的电压放大了100倍，则其增益为100分贝。
《模拟电子》第02章在线测试模拟电子》第02章在线测试剩余时间：59:52题须知：1、本卷满分20分。
《模拟电子技术基础》题库
《模拟电子技术基础》题库一、填空题1-12（第一章）1、杂质半导体有型和型之分。
2、PN结最重要的特性是__________，它是一切半导体器件的基础。
3、PN结的空间电荷区变厚，是由于PN结加了__________电压，PN结的空间电荷区变窄，是由于PN结加的是__________电压。
4、N型半导体中多数载流子是，P型半导体中多数载流子是，PN结具有特性。
5、发射结偏置，集电结偏置，则三极管处于饱和状态。
6、P型半导体中空穴为载流子，自由电子为载流子。
7、PN结正偏时，反偏时，所以PN结具有导电性。
8、反向电流是由载流子形成，其大小与有关，而与外加电压。
9、三极管是控制元件，场效应管是控制元件。
10当温度升高时，三极管的等电极电流I ，发射结压降UBE 。
11、晶体三极管具有放大作用时，发射结，集电结。
12、漂移电流是电流，它由载流子形成，其大小与有关，而与外加电压。
13-19（第二章）13、放大电路中基极偏置电阻Rb的作用是__________。
14、两级放大电路的第一级电压放大倍数为100，即电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB，第二级电压增益为26dB，则两级总电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB。
15、有偶数级共射电路组成的多级放大电路中，输入和输出电压的相位_________，有奇数级组成的多级放大电路中，输入和输出电压的相位__________。
16、电压负反馈稳定的输出量是__________，使输出电阻__________，电流负反馈稳定的输出量_______，使输出电阻__________。
17、稳压二极管是利用二极管的__________特性工作的。
18、晶闸管阳极和阴极间加__________，控制极加适当的__________，晶闸管才能导通。
19、在输入V2单相半波整流电路中，二极管承受的最大反向电压为V RM，负载电压为V O。
20-26（第三章）20、甲类功放的最大缺点是_______；21、双极型三极管是控制器件，场效应管是控制器件；结型场效应管的栅源极之间必须加偏置电压，才能正常放大工作。
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《模拟电子》第01章在线测试
《模拟电子》第01章在线测试
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第一题、单项选择题（每题1分，5道题共5分） 1、PN 结加正向电压时呈现：
A 、截止状态
B 、导通状态
C 、电阻无穷大
D 、
2、对于半导体材料，随温度升高：
A 、电子—空穴对减少，载流子数目减少，导电
能力减弱
B 、电子—空穴对增加，载流子数目增多，导电
能力减弱
C 、电子—空穴对增加，载流子数目增多，导电
能力增强
D 、
3、N 型半导体中主要靠（ ）载流子导电：
A 、自由电子
B 、空穴
C 、束缚电子
D 、
4、二极管的反向电流越小，说明管子的：
A 、失去单向导电性
B 、单向导电性越差
C 、单向导电性越好
D 、
5、场效应管属于（ ）器件。
A 、电压控制
B 、电流控制
C 、电阻控制
D 、
第二题、多项选择题（每题2分，5道题共10分） 1、对于本征半导体：
A 、自由电子多于空穴数
B 、自由电子和空穴成对出现
C、自由电子和空穴浓度相同
D、自由电子和空穴数目相同
E、自由电子少于空穴数
2、测得电路中一个NPN型三极管的三个电极电位分别为：UC＝6V，UB＝3V，UE＝，则可判定该三极管：
A、发射结正偏
B、集电结反偏
C、管子工作在放大区
D、发射结反偏
E、集电结正偏
3、普通二极管可用于：
A、开关电路
B、稳压电路
C、整流电路
D、限幅电路
E、信号放大
4、随温度的升高，三极管：
A、反向电流减小
B、反向电流增大
C、电流放大系数增大
D、电流放大系数减小
5、三极管也叫：
A、电压控制性器件
B、电流控制性器件
C、单极性器件
D 、双极性器件
第三题、判断题（每题1分，5道题共5分） 1、载流子的漂移运动与扩散运动方向相同。
正确
错误
2、二极管的反向饱和电流随温度的升高而增大。
正确
错误
3、三极管实现电流控制及放大的外部条件是Je 正偏，Jc 反偏。
正确
错误
4、三极管工作在饱和状态时，发射结和集电结均正向偏置；工作在截止状态时，两个结均反向偏置。
正确
错误
5、场效应管的抗干扰能力比三极管差。
正确
错误
交卷。