湖北工业大学考研电力电子技术试卷
电力电子技术考试试题(doc 8页)(优秀课件)
一、填空题(11 小题,每空0.5分,共22 分)1、电力电子学是由、和交叉而形成的边缘学科。
2、按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度,可以将电力电子器件分为以下三类;1) 的电力电子器件被称为半控型器件,这类器件主要是指及其大部分派生器件。
2) 的电力电子器件被称为全控型器件,这类器件品种很多,目前常用的有和。
3) 的电力电子器件被称为不可控器件,如。
3、根据下面列出的电力电子器件参数的定义,在空格处填写该参数的名称。
4、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是_________,单管输出功率最大的是_____________,在中小功率领域应用最为广泛的是___________。
5、电力电子器件的驱动电路一般应具有电路与之间的电气隔离环节,一般采用光隔离,例如;或磁隔离,例如。
6、缓冲电路又称为吸收电路,缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。
其中缓冲电路又称为du/dt 抑制电路,用于吸收器件的过电压。
缓冲电路又称为di/dt抑制电路,用于抑制器件时的电流过冲和di/dt,减小器件的损耗。
7、单相半波可控整流电路、单相桥式全控整流电路、三相半波可控整流电路和三相桥式全控整流电路,当负载分别为电阻负载和电感负载时,晶闸管的控制角移相范围分别是多少(用角度表示,如0°~180°)?8、在单相全控桥式电阻-反电动势负载电路中,当控制角α大于停止导电角δ时,晶闸管的导通角θ=_____________。
当控制角α小于停止导电角δ时,且采用宽脉冲触发,则晶闸管的导通角θ=_____________。
9、由于器件关断过程比开通过程复杂得多,因此研究换流方式主要是研究器件的关断方法。
换流方式可分以下四种: , ,, 。
10、正弦脉宽调制(SPWM )技术运用于电压型逆变电路中,改变 _可改变逆变器输出电压幅值;改变 _ _可改变逆变器输出电压频率;改变_ _可改变开关管的工作频率。
电力电子技术考研必备题库与答案
电力电子技术试题库答案来源:欧阳陶昱的日志电力电子技术试题库答案一、填空题(每空1分,共20分)1、电力电子技术是利用(电力电子器件)对电能进行(控制、转换和传输)的技术.3电力电子技术研究的对象是(电力电子器件的应用)、(电力电子电路的电能变换原理)和电力电子装置的开发与应用。
.1957年(美国通用电气(GE)公司)研制出第一只晶闸管,它标志着(电力电子技术)的诞生。
6、电力二极管的主要类型有(普通二极管),(快恢复二极管)和肖特基二极管。
7、电力二极管的主要类型有普通二极管,(快恢复二极管)和(肖特基二极管)。
8、晶闸管是一种既具有(开关作用),又具有(整流作用)的大功率半导体器件。
9、晶闸管有三个电极,分别是(阳极),(阴极)和门极或栅极。
10、晶闸管有三个电极,分别是阳极,(阴极)和(门极或栅极)。
11、晶闸管的正向特性又有(阻断状态)和(导通状态)之分。
12、半控型电力电子器件控制极只能控制器件的(导通),而不能控制器件的(关断)。
13、电流的波形系数Kf指(电流有效值)和(电流平均值)比值。
14、电力晶体管是一种(耐高压)、(大电流)的双极型晶体管。
15、电力晶体管的安全工作区分为(正偏安全工作区)和(反偏安全工作区)。
16、双向晶闸管有两个(主)电极和一个(门)极。
17、双向晶闸管有(I+触发方式),(I-触发),III+触发和III-触发。
18、IGBT的保护有(过电流保护),过电压保护和(过热保护)。
19、降压变换电路的输出电压与输入电压的关系为(Uo=DUd),升压变换电路的输出电压与输入电压的关系为(Uo=Ud/(1-D))。
20、全控型电力电子器件控制极既能控制器件的(导通),也不能控制器件的(关断)。
21、电力器件的换流方式有(器件换流),(电网换流),负载换流和脉冲换流。
22、负载换流式逆变电路分为(并联谐振式),(串联谐振式)。
23、按照稳压控制方式,直流变换电路可分为(脉冲宽度调制)和(脉冲频率调制)。
电力电子技术试卷(含答案)
电力电子技术试卷(含答案)一.填空(共15分,1分/空)1.电力电子技术通常可分为()技术和()技术两个分支。
2.按驱动电路信号的性质可以将电力电子器件分为()型器件和()型器件两类,晶闸管属于其中的()型器件。
3.晶闸管单相桥式全控整流电路带反电动势负载E时(变压器二次侧电压有效值为U2,忽略主电路各部分的电感),与电阻负载时相比,晶闸管提前了电角度δ停止导电,δ称为()角,数量关系为δ=()。
4.三相桥式全控整流电路的触发方式有()触发和()触发两种,常用的是()触发。
5.三相半波可控整流电路按联接方式可分为()组和()组两种。
6.在特定场合下,同一套整流电路即可工作在()状态,又可工作在()状态,故简称变流电路。
7.控制角α与逆变角β之间的关系为()。
二.单选(共10分,2分/题)1.采用()是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。
A.直流断路器B. 快速熔断器C.过电流继电器2.晶闸管属于()。
A.不可控器件B. 全控器件C.半控器件3.单相全控桥式整流电路,带阻感负载(L足够大)时的移相范围是()。
A.180OB.90OC.120O4.对三相全控桥中共阴极组的三个晶闸管来说,正常工作时触发脉冲相位应依次差()度。
A.60B. 180C. 1205.把交流电变成直流电的是()。
A. 逆变电路B.整流电路C.斩波电路三.多选(共10分,2分/题)1.电力电子器件一般具有的特征有。
A.所能处理电功率的大小是其最重要的参数B.一般工作在开关状态C.一般需要信息电子电路来控制D.不仅讲究散热设计,工作时一般还需接散热器2.下列电路中,不存在变压器直流磁化问题的有。
A.单相全控桥整流电路B.单相全波可控整流电路C.三相全控桥整流电路D.三相半波可控整流电路3.使晶闸管关断的方法有。
A.给门极施加反压B.去掉阳极的正向电压C.增大回路阻抗D.给阳极施加反压4.逆变失败的原因有。
A.触发电路不可靠B.晶闸管发生故障C.交流电源发生故障D.换相裕量角不足5.变压器漏抗对整流电路的影响有。
电力电子技术考试试题(doc 8页)
电力电子技术考试试题(doc 8页)一、填空题(11 小题,每空0.5分,共22 分)1、电力电子学是由、和交叉而形成的边缘学科。
2、按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度,可以将电力电子器件分为以下三类;1) 的电力电子器件被称为半控型器件,这类器件主要是指及其大部分派生器件。
2) 的电力电子器件被称为全控型器件,这类器件品种很多,目前常用的有和。
3) 的电力电子器件被称为不可控器件,如。
3、根据下面列出的电力电子器件参数的定义,在空格处填写该参数的名称。
4、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是_________,单管输出功率最大的是_____________,在中小功率领域应用最为广泛的是___________。
5、电力电子器件的驱动电路一般应具有电路与之间的电气隔离环节,一般采用光隔离,例如;或磁隔离,例如。
6、缓冲电路又称为吸收电路,缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。
其中缓冲电路又称为du/dt抑制电路,用于吸收器件的过电压。
缓冲电路又称为di/dt抑制电路,用于抑制器件时的电流过冲和di/dt,减小器件的损耗。
5、IGBT 综合了( )和( )的优点,因而具有良好的特性。
A.SCRB.GTOC.GTRD.P.MOSFET F. 电力二极管三、计算题(4 小题,共20分)1、单相桥式全控整流电路,U2=200V ,负载中R=2Ω,L 值极大,反电势E=120V 。
已知控制角的变化范围是: 0°~30°,考虑安全裕量(按1.5倍计算),确定晶闸管的额定电压和额定电流。
(4分)2、单相全控桥式变流电路工作在有源逆变状态下,已知U2=200V ,电动机反电势E=120V ,负载中R=2Ω,L 极大。
回答下列问题。
(6分)(1)画出变流电路的电路图,并在图中标出在有源逆变初期电动机反电势的极性和变流电路输出直流电压的极性。
(2)逆变角β应限制在什么范围内?画出β=60°时的d u 和d i 的波形。
湖北工业大学大三电类专业电力电子技术试卷及答案5
湖北工业大学20xx ——20xx学年第(二)学期期末考试《电力电子技术》试卷A班级:电气,电子专业姓名--------------------------------------------------------------------------------------一、填空(30分)1、双向晶闸管的图形符号是,三个电极分别是,和;双向晶闸管的的触发方式有、、、 .。
2、单相全波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为。
三相半波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为。
(电源相电压为U2)3、要使三相全控桥式整流电路正常工作,对晶闸管触发方法有两种,一是用触发;二是用触发。
4、在同步电压为锯齿波的触发电路中,锯齿波底宽可达度;实际移相才能达度。
5、异步电动机变频调速时,对定子频率的控制方式有、、、。
6、软开关电路种类很多,大致可分成电路、电路两大类。
7、变流电路常用的换流方式有、、、四种。
8、逆变器环流指的是只流经、而不流经的电流,环流可在电路中加来限制。
9、提高变流置的功率因数的常用方法有、、。
10、绝缘栅双极型晶体管是以作为栅极,以作为发射极与集电极复合而成。
二、判断题,(20分)(对√、错×)1、半控桥整流电路,大电感负载不加续流二极管,输出电压波形中没有负向面积。
( )2、采用两组反并联晶闸管的可逆系统,供直流电动机四象限运行时,其中一组逆变器工作在整流状态,那么另一组就工作在逆变状态。
()3、晶闸管并联使用时,必须注意均压问题。
()4、无源逆变指的是不需要逆变电源的逆变电路。
()5、并联谐振逆变器必须是呈电容性电路。
()6、直流斩波电路只能实现降低输出直流电压的作用()7、无源逆变指的是把直流电能转变成交流电能回送给电网。
()8、在三相半波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反压为2倍相电压U2。
()9、三相全控桥整流电路中,输出电压的脉动频率为150Hz。
()10、变频调速实际是改变电动机内旋转磁场的速度,达到改变输出转速的目的。
电力电子试题及答案
电力电子试题及答案一、单项选择题(每题2分,共10分)1. 电力电子技术中,用于将交流电转换为直流电的设备是:A. 变压器B. 整流器C. 逆变器D. 稳压器答案:B2. 下列哪个不是电力电子器件?A. 晶闸管B. 绝缘栅双极晶体管(IGBT)C. 继电器D. 功率MOSFET答案:C3. 电力电子技术中,PWM调制的全称是:A. 脉冲宽度调制B. 脉冲频率调制C. 脉冲密度调制D. 脉冲相位调制答案:A4. 电力电子变换器中,升压变换器的输出电压与输入电压的关系是:A. 输出电压低于输入电压B. 输出电压等于输入电压C. 输出电压高于输入电压D. 输出电压与输入电压无关答案:C5. 在电力电子应用中,软开关技术的主要作用是:A. 提高系统的功率因数B. 减少开关损耗C. 提高系统的稳定性D. 降低系统的噪声答案:B二、填空题(每题2分,共10分)1. 电力电子技术中,_________器件是实现交流到直流转换的关键。
答案:整流器2. 电力电子变换器的效率可以通过_________来提高。
答案:软开关技术3. 电力电子技术在_________和_________领域有着广泛的应用。
答案:能源转换;电机控制4. 电力电子技术中,_________调制是一种常用的控制策略。
答案:PWM5. 电力电子变换器中的_________变换器可以将直流电转换为交流电。
答案:逆变器三、简答题(每题5分,共20分)1. 简述电力电子技术在现代电力系统中的作用。
答案:电力电子技术在现代电力系统中起着至关重要的作用,包括提高电能的传输效率、实现电能的高效转换、优化电力系统的稳定性和可靠性、以及支持可再生能源的接入和利用。
2. 描述PWM调制在电力电子变换器中的应用。
答案:PWM调制在电力电子变换器中应用广泛,主要用于控制逆变器的输出电压和频率。
通过调整脉冲的宽度,可以控制输出电压的大小,同时通过改变脉冲的频率,可以控制输出电压的频率。
电力电子技术试题20套及答案解析
考试试卷( 1 )卷一、填空题(本题共8小题,每空1分,共20分)1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时,_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM 控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为_____________,当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段,每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。
4、面积等效原理指的是,___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。
5、在GTR 、GTO 、IGBT 与MOSFET 中,开关速度最快的是__MOSFET_,单管输出功率最大的是__GTO_,应用最为广泛的是__IGBT___。
6、设三相电源的相电压为U 2,三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值,即 ,其承受的最大正向电压为 。
7、逆变电路的负载如果接到电源,则称为 逆变,如果接到负载,则称为 逆变。
8、如下图,指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内,电流的通路为___VD1_____;(2) t1~t2时间段内,电流的通路为___V1____;(3) t2~t3时间段内,电流的通路为__VD2_____;(4) t3~t4时间段内,电流的通路为__V2_____;(5) t4~t5时间段内,电流的通路为___VD1____;二、选择题(本题共10小题,前4题每题2分,其余每题1分,共14分)1、单相桥式PWM逆变电路如下图,单极性调制工作时,在电压的正半周是(B )A、V1与V4导通,V2与V3关断B、V1常通,V2常断,V3与V4交替通断C、V1与V4关断,V2与V3导通D、V1常断,V2常通,V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路,下面说法错误的是( C )A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时,必须加宽脉冲或脉冲列触发,电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时,晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中,输出电压的波形如下图所示,在t1~t2时间段内,有()晶闸管导通。
电力电子技术试题20套
考试试卷( 1 )卷一、填空题(本题共8小题,每空1分,共20分)1、电子技术包括__信息电子技术_和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时,_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为_____________,当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段,每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为____________调制。
4、面积等效原理指的是,_________相等而_______不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是____M_____,单管输出功率最大的是_______IGBT______,应用最为广泛的是___GTO________。
6、设三相电源的相电压为U2,三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值,即,其承受的最大正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源,则称为逆变,如果接到负载,则称为逆变。
8、如下图,指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内,电流的通路为___VD1_____;(2) t1~t2时间段内,电流的通路为__V1_____;(3) t2~t3时间段内,电流的通路为___VD2____;(4) t3~t4时间段内,电流的通路为__V2____;(5) t4~t5时间段内,电流的通路为___VD1____;二、选择题(本题共10小题,前4题每题2分,其余每题1分,共14分)1、单相桥式PWM逆变电路如下图,单极性调制工作时,在电压的正半周是( B )A、V1与V4导通,V2与V3关断B、V1常通,V2常断,V3与V4交替通断C、V1与V4关断,V2与V3导通D、V1常断,V2常通,V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路,下面说法错误的是(D )A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时,必须加宽脉冲或脉冲列触发,电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时,晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中,输出电压的波形如下图所示,在t1~t2时间段内,有( C )晶闸管导通。
电力电子技术试题(卷)20套与答案解析
考试试卷( 1 )卷一、填空题(本题共8小题,每空1分,共20分)1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时,_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为_____________,当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段,每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。
4、面积等效原理指的是,___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是__MOSFET_,单管输出功率最大的是__GTO_,应用最为广泛的是__IGBT___。
6、设三相电源的相电压为U2,三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值,即,其承受的最大正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源,则称为逆变,如果接到负载,则称为逆变。
8、如下图,指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1)0~t1时间段内,电流的通路为___VD1_____;(2)t1~t2时间段内,电流的通路为___V1____;(3)t2~t3时间段内,电流的通路为__VD2_____;(4)t3~t4时间段内,电流的通路为__V2_____;(5)t4~t5时间段内,电流的通路为___VD1____;二、选择题(本题共10小题,前4题每题2分,其余每题1分,共14分)1、单相桥式PWM逆变电路如下图,单极性调制工作时,在电压的正半周是(B )A、V1与V4导通,V2与V3关断B、V1常通,V2常断,V3与V4交替通断C、V1与V4关断,V2与V3导通D、V1常断,V2常通,V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路,下面说法错误的是( C )A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时,必须加宽脉冲或脉冲列触发,电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时,晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中,输出电压的波形如下图所示,在t1~t2时间段内,有()晶闸管导通。
(完整word版)电力电子技术经典试题.docx
1.什么是电力电子技术?答:应用于电力领域的、使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。
是一门与电子、控制和电力紧密相关的边缘学科。
2.说“电力电子技术的核心技术是变流技术”对吗?答:对。
3.模拟电子技术和数字电子技术也是电力电子技术吗?答:不是。
4.举几例日常生活中应用电力电子技术的装置。
答:电动自行车的充电器,手机充电器,电警棍等。
5.简答“开关电源”和“线性电源”的主要优缺点。
答:开关电源:优点:体积小、重量轻、效率高、自身抗干扰性强、输入和输出的电压范围宽、可模块化。
缺点:由于开关工作模式和高频工作状态,对周围设备有一定的干扰。
需要良好的屏蔽及接地。
线性电源:优点:电源技术很成熟,可以达到很高的稳定度,波纹也很小,而且没有开关电源具有的噪声干扰。
缺点:是需要庞大而笨重的变压器,所需的滤波电容的体积和重量也相当大,效率低。
将逐步被开关电源所取代。
6.解释:不可控器件 ( 说明导通和关断的条件 ) 、半控型器件、全控型器件,并举出代表性器件的名称。
答:不可控器件:不用控制信号来控制其通、断。
导通和关断取决于其在主电路中承受电压的方向和大小。
典型器件:电力二极管导通条件:正向偏置,即承受正向电压,且正向电压>阀值电压。
关断条件:反向偏置,即承受反向电压。
半控型器件:用控制信号来控制其导通,一旦导通门极就失去控制作用。
关断取决于其在主电路中承受的电压、电流的方向和大小。
典型器件:晶闸管1全控型器件:导通和关断均由电路的触发控制信号驱动(驱动状态需保持)。
典型器件: GTR、IGBT、 POWER MOSFET。
7.如图示的二极管伏安特性曲线,示意性地在坐标曲线上标注二极管的参数“反向击穿电压 UB”、“门槛电压 UTO”、“正向导通电流 IF ”及其对应的“正向压降 UF”、“反向漏电流”。
答:8.教科书 P42:第 4 题图中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均为 Im,写出各波形的电流平均值 I d1、I d2、I d3与电流有效值 I 1、I 2、I 3的计算表达式(不必计算出结果)。
(完整版)电力电子技术试题20套及答案
1.考试试卷( 1 )卷一、填空题(本题共8小题,每空1分,共20分)1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时,_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为_____________,当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段,每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为____________调制。
4、面积等效原理指的是,_________相等而_______不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是_________,单管输出功率最大的是_____________,应用最为广泛的是___________。
6、设三相电源的相电压为U2,三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值,即,其承受的最大正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源,则称为逆变,如果接到负载,则称为逆变。
8、如下图,指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内,电流的通路为________;(2) t1~t2时间段内,电流的通路为_______;(3) t2~t3时间段内,电流的通路为_______;(4) t3~t4时间段内,电流的通路为_______;(5) t4~t5时间段内,电流的通路为_______;二、选择题(本题共10小题,前4题每题2分,其余每题1分,共14分)1、单相桥式PWM逆变电路如下图,单极性调制工作时,在电压的正半周是()A、V1与V4导通,V2与V3关断B、V1常通,V2常断,V3与V4交替通断C、V1与V4关断,V2与V3导通D、V1常断,V2常通,V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路,下面说法错误的是()A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时,必须加宽脉冲或脉冲列触发,电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时,晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中,输出电压的波形如下图所示,在t1~t2时间段内,有()晶闸管导通。
电力电子技术试题库(附答案)
电力电子技术试题库(附答案)一、判断题(共100题,每题1分,共100分)1.触发脉冲具有一定的脉宽,前沿要陡。
()A、正确B、错误正确答案:A2.有源逆变装置是把逆变后的交流能量送回电网。
()A、正确B、错误正确答案:A3.在DC/DC变换电路中,可以采用电网换流方法。
()A、正确B、错误正确答案:B4.单结晶体管触发电路结构简单、抗干扰能力强和运行可靠。
()A、正确B、错误正确答案:A5.双向晶闸管的额定电流的定义与普通晶闸管不一样,双向晶闸管的额定电流是用电流有效值来表示的。
()A、正确B、错误正确答案:A6.电流的波形系数是电流的有效值与平均值之比。
()A、正确B、错误正确答案:A7.快速熔断器必须与其它过电流保护措施同时使用。
()A、正确B、错误正确答案:A8.单相半波可控整流电路带电阻负载时的移相范围为0.5π。
()A、正确B、错误正确答案:B9.直流变换电路输出的电压都小于输入电压。
()A、正确B、错误正确答案:B10.单相半波可控整流电路带电阻负载时输出电压平均值的最大值为U2。
()A、正确B、错误正确答案:B11.有源逆变器是将直流电能转换为交流电能馈送回电网的逆变电路。
()A、正确B、错误正确答案:A12.两个以上晶闸管串联使用,是为了解决自身额定电压偏低,不能胜用电路电压要求,而采取的一种解决方法,但必须采取均压措施。
()A、正确B、错误正确答案:A13.在GTO、GTR、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是MOSFET,单管输出功率最大的是GTO,应用最为广泛的是IGBT。
()A、正确B、错误正确答案:A14.触发脉冲必须具有足够的功率。
()A、正确B、错误正确答案:A15.在三相半波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反压为2倍相电压U2。
()A、正确B、错误正确答案:B16.三相半波可控整流电路也必需要采用双窄脉冲触发。
()A、正确B、错误正确答案:B17.降压斩波电路斩波开关关断时,电感充电。
电力电子技术试题20套及答案
考试试卷( 1 )卷一、填空题(本题共8小题,每空1分,共20分)1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时,_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为_____________,当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段,每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。
4、面积等效原理指的是,___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是__MOSFET_,单管输出功率最大的是__GTO_,应用最为广泛的是__IGBT___。
6、设三相电源的相电压为U2,三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值,即,其承受的最大正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源,则称为逆变,如果接到负载,则称为逆变。
8、如下图,指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内,电流的通路为___VD1_____;(2) t1~t2时间段内,电流的通路为___V1____;(3) t2~t3时间段内,电流的通路为__VD2_____;(4) t3~t4时间段内,电流的通路为__V2_____;(5) t4~t5时间段内,电流的通路为___VD1____;二、选择题(本题共10小题,前4题每题2分,其余每题1分,共14分)1、单相桥式PWM逆变电路如下图,单极性调制工作时,在电压的正半周是(B )A、V1与V4导通,V2与V3关断B、V1常通,V2常断,V3与V4交替通断C、V1与V4关断,V2与V3导通D、V1常断,V2常通,V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路,下面说法错误的是( C )A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时,必须加宽脉冲或脉冲列触发,电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时,晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中,输出电压的波形如下图所示,在t1~t2时间段内,有()晶闸管导通。
电力电子技术试题20套与答案
考试试卷( 1 ) 卷一、填空题(本题共8小题,每空1分,共20分)1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时,_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM 控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为_____________,当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段,每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。
4、面积等效原理指的是,___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT 与MOSFET 中,开关速度最快的是__MOSFET_,单管输出功率最大的是__GTO_,应用最为广泛的是__IGBT___。
6、设三相电源的相电压为U2,三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值,即,其承受的最大正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源,则称为逆变,如果接到负载,则称为逆变。
8、如下图,指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2 表示)。
(1) 0~t1 时间段内,电流的通路为___VD1_____ ;(2) t1~t2 时间段内,电流的通路为___V1____ ;(3) t2~t3 时间段内,电流的通路为__VD2_____ ;(4) t3~t4 时间段内,电流的通路为__V2_____;(5) t4~t5时间段内,电流的通路为___VD1____ ;二、选择题(本题共10小题,前4题每题2分,其余每题1分,共14分)1、单相桥式PWM 逆变电路如下图,单极性调制工作时,在电压的正半周是( B )A、V1 与V4 导通,V2 与V3 关断B、V1 常通,V2 常断,V3 与V4 交替通断C、V1 与V4 关断,V2 与V3 导通D、V1 常断,V2 常通,V3 与V4 交替通断2、对于单相交流调压电路,下面说法错误的是( C )A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角小于180 度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时,必须加宽脉冲或脉冲列触发,电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时,晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角不为180 度3、在三相三线交流调压电路中,输出电压的波形如下图所示,在t1~t2 时间段内,有()晶闸管导通。
湖北工业大学大三电类专业电力电子技术试卷及答案
湖北工业大学20xx——20xx学年第(二)学期期末考试《电力电子技术》试卷A班级:电气,电子专业姓名--------------------------------------------------------------------------------------题号一二三四五合计得分一、填空(每空1分,36分)1、请在正确的空格内标出下面元件的简称:电力晶体管;可关断晶闸管;功率场效应晶体管;绝缘栅双极型晶体管;IGBT 是和的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是、和。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑的问题,解决的方法是。
4、在电流型逆变器中,输出电压波形为,输出电流波形为。
5、型号为KS100-8的元件表示晶闸管、它的额定电压为伏、额定有效电流为。
6、180°导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在上的上、下二个元件之间进行;而120º导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在上的元件之间进行的。
7、当温度降低时,晶闸管的触发电流会、正反向漏电流会;当温度升高时,晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。
8、在有环流逆变系统中,环流指的是只流经、而不流经的电流。
环流可在电路中加来限制。
为了减小环流一般采控用控制角αβ的工作方式。
9、常用的过电流保护措施有、、、。
(写出四种即可)10、双向晶闸管的触发方式有、、、四种。
二、判断题,(每题1分,10分)(对√、错×)1、在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中,电路出故障时会出现失控现象。
()2、在用两组反并联晶闸管的可逆系统,使直流电动机实现四象限运行时,其中一组逆变器工作在整流状态,那么另一组就工作在逆变状态。
()3、晶闸管串联使用时,必须注意均流问题。
()4、逆变角太大会造成逆变失败。
()5、并联谐振逆变器必须是略呈电容性电路。
()6、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。
()7、有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。
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2012年招收硕士学位研究生试卷
试卷代号909 试卷名称电力电子技术
①试题内容不得超过画线范围,试题必须打印,图表清晰,标注准确。
②考生请注意:答题一律做在答题纸上,做在试卷上一律无效。
一、填空题(每空1分,共40分):
1、电力电子器件一般工作在________状态。
理想器件开通时相当于
________,关断时相当于________。
2、在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为________,而当器件开关频率较高时, ________将成为主要功率损耗。
3、GTR、电力MOSFET 、IGBT 的开关速度由快到慢的排列顺序是:
1)________、2)________、3)________。
4、四种基本的电力电子变流电路是:1)整流电路、2)________、3)________、4)________。
5、IGBT 的等效电路模型为:________。
6、晶闸管的双晶体管等效电路模型为:________。
7、在使用IGBT的电力电子电路中,IGBT常并有如图1所示RCD缓冲电路。
8、整流电路工作在有源逆变状态的条件是:
1)_____________________________________________________。
2)_____________________________________________________。
9、变压器漏感对整流电路影响有:1)输出整流电压________,2)输入电流谐波成份_________。
10、根据直流侧电源性质不同,逆变电路可分为两类,即:当直流侧是电压源时,称此电路为________型逆变电路,而当直流侧为电流源时, 称此电路为________型逆变电路。
11、采用晶闸管作为开关器件的直接交交变频电路常称为
_______________。
这种电路通常采用整流电路_______的结构形式,可实现电网与负载间电能的_______流动。
12、电压型逆变电路中反馈二极管的作用是:给负载电感电流提供__________同时将电感储能_________到电源侧。
13、PWM 控制技术的理论基础是_________,即形状不同但面积_______的脉冲波形信号加到具有滤波作用的环节上时,输出信号____频成份基本相同。
14、广义PWM 控制可分为______________、 _____________及
______________三种方式。
15、理想软开关的特点是器件开关损耗为_____,软开关的目的是使电力电子装置效率_____、单位体积装置输出功率_____、单位输出功率装置重量_____。
16、PWM 控制的硬件调制法实现有单极性和_______调制两种方式。
单极性调制方式的特点是:_____________________________________________。
而后者的特点是:________________________________________________。
二、带整流变压器的三相半波共阴极整流电路,反电动势阻感负载,R=1Ω, L=∞,U 2=220V ,L B =1mH ,当E M =-200V ,α=120°
1、画出主电路图(9分)。
2、绘制稳态输出整流电压波形及一相晶闸管电流波形(8分)。
3、求整流平均电压U d 、平均流I d 与换相重叠角 γ 的值(8分)。
4、计算此时送回电网的有功功率(5分)。
注:换相压降计算公式:d B d I L U ωπ
23=∆ 换相重叠角 γ 满足:262)cos(cos U I L d B ωγαα=
+-
三、图2所示升压斩波电路,已知E=100V,L=0.2mH,C值极大,R=10Ω,采用脉宽调制控制方式,周期T=40μs,IGBT一周期中导通比为δ。
电路工作稳态时电感电流连续。
1、绘制稳态时电感上电压、电流波形(5分)。
2、导出输出平均电压U o与输入电压E的关系式(5分)。
3、设δ =0.5,输出电压平均值U o与输出电流平均值I o(5分)。
4、对δ =0.5,计算流过IGBT的电流最大值(5分)。
图2 第三题图
四、采用两晶闸管反并联相控的交流调压电路,输入电压U i=220V,负载电阻R=1Ω。
设α1=α2=π/2。
1、计算输出电压、电流有效值(7分)。
2、计算输入功率因数(7分)。
3、针对α1=α2=0情形,确定晶闸管的额定参数(6分)。
五、单相半桥电压型逆变电路如图3所示,设直流侧电容极大。
上下桥臂IGBT 采用互补导通控制方式(各导通180°),开关周期T=50μs。
1、试绘制稳态时负载电压、电流大致波形(9分)。
2、设
mH
L
R
V
U
d
1.0
,
1
,
300=
Ω
=
=,试计算稳态时负载电流的最大值与
最小值(11分)。
图3 第五题图
六、如图4所示为三相桥式电压型逆变电路,设该电路上下桥臂IGBT采用互补导通控制方式,V1、V3、V5控制信号互差120°,三相负载对称。
试画出u UN'、u UV 和u NN'的波形(10分)。
图4 第六题图
七、单相桥式全控整流电路大电感负载时整流变压器副边相电流具有如图5所示的180°方波波形。
1、求相电流基波和各次谐波有效值(6分)。
2、设控制角为 ,计算功率因数(4分)。
图5 第七题图。