刻蚀培训
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刻 蚀 培 训
一、干 法 刻 蚀
刻蚀的目的
由于在扩散过程中，即使采用背靠背的单面扩散方式 ，硅片的所有表面（包括边缘）都将不可避免地扩散 上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩 散有磷的区域流到PN结的背面，而造成短路。此短路 通道等效于降低并联电阻。 经过刻蚀工序，硅片边缘的带有的磷将会被去除干净 ，避免PN结短路造成并联电阻降低。
干法刻蚀原理
等离子体的定义： 随着温度的升高，一般物质依次表现为固体、液体和 气体。它们统称为物质的三态。 如果温度升高到10e4K甚至10e5K，分子间和原子间 的运动十分剧烈，彼此间已难以束缚，原子中的电子 因具有相当大的动能而摆脱原子核对它的束缚，成为 自由电子，原子失去电子变成带正电的离子。这样， 物质就变成了一团由电子和带正电的的离子组成的混 合物。这种混合物叫等离子体。它可以称为物质的第 四态。
刻蚀线
刻蚀线一般是淡淡的一条黑线，正常情况下刻蚀线到边缘的距离控 制在1.5mm以下，最宽不得超过1.5mm。而有时在边缘会有很显眼 的很黑很黑的线或黑区，这些东西就不是刻蚀线了，而是没有洗干 净的酸，此时需要在碱槽手动补碱来解决。如果多次出现这种情况， 必须检查碱洗槽是否堵碱。
湿法刻蚀相对等离子刻蚀的优点
超越工艺——其它
制冷机跳闸与故障 碱喷淋后的吹液风刀堵孔：导致碱液被带出， 频繁出现碱槽液位过低的报警。
谢 谢！
5Si+6HNO3+30HF=5H2SiF6+2NO2+4NO+10H2O+3H2
尽管很复杂，但刻蚀反应不外分成两步：
硝酸/亚硝酸（HNO2）将硅氧化成二氧化硅（主要是亚
硝酸将硅氧化）。 二氧化硅和氢氟酸反应（快反应），生成四氟化硅和水 （快反应），四氟化硅又和水化合成氟硅酸进入溶液。 硫酸不参与反应，仅仅是增加氢离子浓度，加快反应，
增加溶液黏度（增大溶液与PSG薄层间的界面张力）和
溶液密度。
Rena刻蚀的机理——溶液变绿
亚硝酸本身并不是特别稳定，它会慢慢分解，在时刻
时停的小批量生产时，溶液中的亚硝酸浓度的平衡点
不会超过一定的限度，刻蚀溶液会一直保持无色。大 批量生产时，亚硝酸浓度平衡点会有所上升，亚硝酸 浓度的略微增加，会导致有一个有趣的现象——溶液 颜色变成淡绿色和绿色。
二、湿 法 刻 蚀
Rena e 大致构造
刻蚀槽 H2SO4/ HNO3/ HF 吹 干 风 刀
上 片
水 喷 淋
碱洗槽 NaOH
水 喷 淋
去PSG槽 HF
水 喷 淋
下
片
1.“一化一水”，硅片每经过一次化学品，都会经过一次水喷淋清洗。
2.除刻蚀槽和第一道水喷淋之间,其它的槽和槽之间都有吹液风刀。 3.除刻蚀槽外，其它化学槽和水槽都是喷淋结构，去PSG氢氟酸槽
调节——初配液
制备新的刻蚀溶液：先加水，再加硝酸和氢氟酸，最 后加入硫酸，硫酸加入会放出大量的热，所以硫酸一 般是一次加入几升，加入几升硫酸后溶液温度会很高 ，所以必须等制冷系统将溶液温度降到一定温度以后 才能再加入几升，加入硫酸-制冷降温-加入硫酸-制冷 降温循环往复，直到硫酸量达到设定值。这一过程由 RENA机硬件系统自行完成。硫酸的加入很费时间， 这也是刻蚀溶液换液至少需要5-6个小时的主要原因。 最后的一点硫酸加入后，并且刻蚀溶液温度冷却至8度 即告换液完成，可开始刻蚀。
干法刻蚀工序常见问题
刻蚀工艺中，关键的工艺参数是射频功率和刻蚀时间。 刻蚀不足：电池的并联电阻会下降。 射频功率过高：等离子体中离子的能量较高会对硅片 边缘造成较大的轰击损伤，导致边缘区域的电性能差 从而使电池的性能下降。在结区（耗尽层）造成的损 伤会使得结区复合增加。 刻蚀时间过长：刻蚀时间越长对电池片的正反面造成 损伤影响越大，时间长到一定程度损伤不可避免会延 伸到正面结区，从而导致损伤区域高复合。 射频功率太低：会使等离子体不稳定和分布不均匀， 从而使某些区域刻蚀过度而某些区域刻蚀不足，导致 并联电阻下降。
1、非扩散面PN结刻蚀时被去除（原等离子刻蚀背面PN结依 靠丝印被铝浆时，铝还原硅片使N形硅变为P形硅，但所 产生的P形硅电势不强）； 2、硅片洁净度提高（无等离子刻蚀的尾气污染）； 3、节水（rena使用循环水冲洗硅片，耗水约8T/h。等离子 刻蚀去PSG用槽浸泡，用水量大）。
湿法刻蚀相对等离子刻蚀的缺点
操作注意事项
夹具、环氧板、刻蚀机内壁等要定期清洗，保持刻蚀 间的工艺卫生，长时间停止使用，再次使用之前必须 辉光清洗。 操作人员必须随时观察气流量、反射功率、反应室压 力和辉光颜色的稳定性。辉光颜色或功率如有异常， 应及时报告相关设备人员。 必须抽测刻蚀效果，如有异常，重新刻蚀，并通知工 艺人员。（30mv） 注意，不能将扩散面弄混。
1、硅片水平运行，机碎高：（等离子刻蚀去PSG槽式浸泡 甩干，硅片受冲击小）； 2、传动滚轴易变形：（PVDF，PP材质且水平放置易变形） ； 3、成本高：（化学品刻蚀代替等离子刻蚀成本增加）。
超越工艺——PPV材料的疲劳
构成RENA InOxSide 机器的主要材料是PPV聚四氟 乙烯材料。 没有十全十美的材料：PPV材料抗化学腐蚀能力极强 ；但力学性能一般。长期使用下的材料疲劳、磨损、 形变会导致一些设备故障。
超越工艺——碎片
1. 带速太高、某些材料疲劳导致的滚轴、轴承、挡板变 形，第三道水喷淋水压大、吹干风刀气压大，碎片残 留在道上没及时掉下去等等。 2. 对于某些差片子，可能还要下掉一些上滚轴。 3. 从吹干硅片角度讲，吹干风刀气压越大越好；从降低 碎片的角度讲，吹干风刀气压越小越好，所以要恰到 好处。但对于力学性能极差的片子，将没有任何气压 调节窗口，即：不是吹不干就是碎片。 4. 对于力学性能差的片子，不得不牺牲产能（降低上片 区/第三区带速）来降低碎片。
调节——温度
和反应物浓度一样，温度对化学反应速率的影响也很 大，刻蚀反应也不例外。 在工艺未调整期间，刻蚀溶液温度一般定为8摄氏度（ 刻蚀槽内的刻蚀溶液，不是储备槽）。在稳定刻蚀的 时候，偏差一般在正负0.5度以内。偏差一般不允许超 过正负1.5度。 温度可以作为刻蚀速率的调节手段，但是这是最后的 手段。由于温度较高的情况下，刻蚀溶液在刻蚀槽时 会不稳定，所以一般不宜长时间超过10度，当前我们 的补液能保证刻蚀速率不下降，所以我们无需调高刻 蚀溶液的温度。
扩散后清洗的目的
扩散后清洗又称去PSG工序。 扩散过程中，POCl3分解产生的P2O5淀积在硅片表面 ， P2O5与Si反应生成SiO2和磷原子，这一含有磷原子 的二氧化硅层称之为磷硅玻璃。 此工序的目的就是将这一层物质去除干净。
基本原理
主要是利用氢氟酸能够与二氧化硅反应的特性。氢氟 酸的酸性虽然很弱，但是它具有很强的腐蚀性和挥发 性。更重要的一点是能够与二氧化硅反应，所以，在 半导体的清洗和腐蚀的工艺中，经常被用到。其反应 式为： SiO2+4HF→SiF4↑+2H2O 但是如果HF过量，则SiF4会和HF继续反应，总的反应 式为： SiO2+6HF→H2[SiF6]+2H2O
通常的刻蚀方法包括干法刻蚀和湿法刻蚀。 我们目前电池一线、二线使用的刻蚀工艺就是干法刻 蚀，其工作机理为： 使用等离子体进行刻蚀。采用高频辉光放电反应，使 反应气体激活成活性粒子，如原子或各种游离基，这 些活性粒子扩散到硅片边缘，在那里与硅进行反应， 形成挥发性生成物四氟化硅而被去除。
等离子刻蚀所用的气体主要为CF4、O2、N2，CF4主要 是提供一些游离的中性基团或离子如CF4、CF3、CF2 、CF、C、F或它们的混合气体，这些粒子在电场的 作用下轰击硅片刻蚀部位，并发生反应。 O2的作用主要是提高刻蚀的速度；N2的目的主要是起 到稀释CF4、调节反应压力、带走反应气体和尾气的 作用。
碱洗槽和去PSG氢氟酸槽
碱洗槽的作用——碱洗槽在刻蚀槽、第一道水喷淋之后。 作用在于利用喷淋，中和并冲掉硅片背面（和刻蚀溶液接 触的那一面）和边缘沾附的酸。 由于温度低、碱浓度很低，碱洗时间短，碱液不会对硅片 造成任何影响。而酸碱中和是快反应。 由于NaOH吸收空气中的二氧化碳，生成碳酸钠析出，造成 结晶堵碱。温度低或长时间不用时，结晶堵碱会很严重。 碱洗槽和去PSG氢氟酸槽也需要补液，但工艺容差极大， 按厂家的设定即可。 碱洗槽和去PSG氢氟酸槽中的溶液均是200小时寿命，到寿 命必须更换。每次更换时，注意冲洗碱槽内的结晶体。
调节——配比
硫酸能否对刻蚀速率产生影响？ 能！硫酸提高了氢离子浓度，能加快刻蚀反应的反应 速率。 硫酸能调整铺展过宽导致的过刻吗？ 只有在某些情况下可以。此时刻蚀速率较低，加硫酸 以后，必须加大刻蚀槽带速，（当然前提是保证刻蚀 深度），才有可能有所改善，否则很有可能铺展变小 ，但过刻反倒变得更严重了，加硫酸也是很冒险的， 硫酸加的多，可能导致溶液密度大，硅片发飘，造成 碎片；黏度大，片子不沾液，TRASH率飙升。 RENA厂家的工艺人员指出，刻蚀溶液原初配液中硫 酸不需要再加了。经过摸索，硫酸不宜超过95L，最 高不得超过100L.
1. 刻蚀槽：RENA机需要保持极精密的刻蚀槽尺寸和各部件的相对 位置位置。PPV材料的磨损和形变会导致正确的尺寸、位置被破 坏。导致刻蚀槽硅片不沾液和沉入溶液（过刻）。 2. 轴承座：PPV材料的磨损会导致轴承座夹不住轴，出现滚轴爬起 ，导致碎片、刻蚀槽硅片不沾液和沉入溶液（过刻）。 3. 滚轴断裂：PPV材料疲劳引起，导致歪片、划痕。 4. 胶圈老化：导致划痕。
铺展就一定刻正面吗？ ——挥发与输运的较量
受PSG影响，对于没有去PSG的单晶片子，正面会有 溶液铺展。 对于铺展上去了的溶液蒸发旺盛，PSG快速消耗氢氟 酸，这些因素造成溶液浓度下降，无法刻蚀硅片；所 以就需要从刻蚀溶液主体来输运酸以保持浓度。
硫酸有时虽会减少铺展，但它会减小氢氟酸、硝酸的
挥发，增加反应速率，有时甚至加深了正面刻蚀。
是喷淋结构，而且片子进入到溶液内部。
4.最后一道水喷淋（第三道水喷淋）由于要将所有化学品全部洗掉，所 以水压最大。相应的，最后的吹干风刀气压最大。
硅片
硅片间液面
滚轴
刻蚀槽硅片生产时正常液面
Rena刻蚀的机理
Rena是通过化学反应来进行硅的刻蚀的，其反应体系很 复杂。以下是其中的几个反应方程式： Si+2HNO3+6HF=H2SiF6+2HNO2+2H2O 3Si+4HNO3+18HF=3H2SiF6+4NO+8H2O 3Si+2HNO3+18HF=3H2SiF6+2NO+4H2O+3H2
操作注意事项
插片务必确认扩散面的方向。 更换氢氟酸必须同时对槽进行彻底清洗。在配制和清 洗时，一定要做好保护措施。 硅片在两个槽中（悬挂在空中）的停留时间不得过长 ，防止硅片被氧化。 甩干的时间不能随便缩短！防止干燥不彻底。 当硅片从氢氟酸槽中提起时，观察其表面是否脱水， 如果脱水，则表明磷硅玻璃已去除干净；如果表面还 沾有水珠，则表明磷硅玻璃未被去除干净。
一、干 法 刻 蚀
刻蚀的目的
由于在扩散过程中，即使采用背靠背的单面扩散方式 ，硅片的所有表面（包括边缘）都将不可避免地扩散 上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩 散有磷的区域流到PN结的背面，而造成短路。此短路 通道等效于降低并联电阻。 经过刻蚀工序，硅片边缘的带有的磷将会被去除干净 ，避免PN结短路造成并联电阻降低。
干法刻蚀原理
等离子体的定义： 随着温度的升高，一般物质依次表现为固体、液体和 气体。它们统称为物质的三态。 如果温度升高到10e4K甚至10e5K，分子间和原子间 的运动十分剧烈，彼此间已难以束缚，原子中的电子 因具有相当大的动能而摆脱原子核对它的束缚，成为 自由电子，原子失去电子变成带正电的离子。这样， 物质就变成了一团由电子和带正电的的离子组成的混 合物。这种混合物叫等离子体。它可以称为物质的第 四态。
刻蚀线
刻蚀线一般是淡淡的一条黑线，正常情况下刻蚀线到边缘的距离控 制在1.5mm以下，最宽不得超过1.5mm。而有时在边缘会有很显眼 的很黑很黑的线或黑区，这些东西就不是刻蚀线了，而是没有洗干 净的酸，此时需要在碱槽手动补碱来解决。如果多次出现这种情况， 必须检查碱洗槽是否堵碱。
湿法刻蚀相对等离子刻蚀的优点
超越工艺——其它
制冷机跳闸与故障 碱喷淋后的吹液风刀堵孔：导致碱液被带出， 频繁出现碱槽液位过低的报警。
谢 谢！
5Si+6HNO3+30HF=5H2SiF6+2NO2+4NO+10H2O+3H2
尽管很复杂，但刻蚀反应不外分成两步：
硝酸/亚硝酸（HNO2）将硅氧化成二氧化硅（主要是亚
硝酸将硅氧化）。 二氧化硅和氢氟酸反应（快反应），生成四氟化硅和水 （快反应），四氟化硅又和水化合成氟硅酸进入溶液。 硫酸不参与反应，仅仅是增加氢离子浓度，加快反应，
增加溶液黏度（增大溶液与PSG薄层间的界面张力）和
溶液密度。
Rena刻蚀的机理——溶液变绿
亚硝酸本身并不是特别稳定，它会慢慢分解，在时刻
时停的小批量生产时，溶液中的亚硝酸浓度的平衡点
不会超过一定的限度，刻蚀溶液会一直保持无色。大 批量生产时，亚硝酸浓度平衡点会有所上升，亚硝酸 浓度的略微增加，会导致有一个有趣的现象——溶液 颜色变成淡绿色和绿色。
二、湿 法 刻 蚀
Rena e 大致构造
刻蚀槽 H2SO4/ HNO3/ HF 吹 干 风 刀
上 片
水 喷 淋
碱洗槽 NaOH
水 喷 淋
去PSG槽 HF
水 喷 淋
下
片
1.“一化一水”，硅片每经过一次化学品，都会经过一次水喷淋清洗。
2.除刻蚀槽和第一道水喷淋之间,其它的槽和槽之间都有吹液风刀。 3.除刻蚀槽外，其它化学槽和水槽都是喷淋结构，去PSG氢氟酸槽
调节——初配液
制备新的刻蚀溶液：先加水，再加硝酸和氢氟酸，最 后加入硫酸，硫酸加入会放出大量的热，所以硫酸一 般是一次加入几升，加入几升硫酸后溶液温度会很高 ，所以必须等制冷系统将溶液温度降到一定温度以后 才能再加入几升，加入硫酸-制冷降温-加入硫酸-制冷 降温循环往复，直到硫酸量达到设定值。这一过程由 RENA机硬件系统自行完成。硫酸的加入很费时间， 这也是刻蚀溶液换液至少需要5-6个小时的主要原因。 最后的一点硫酸加入后，并且刻蚀溶液温度冷却至8度 即告换液完成，可开始刻蚀。
干法刻蚀工序常见问题
刻蚀工艺中，关键的工艺参数是射频功率和刻蚀时间。 刻蚀不足：电池的并联电阻会下降。 射频功率过高：等离子体中离子的能量较高会对硅片 边缘造成较大的轰击损伤，导致边缘区域的电性能差 从而使电池的性能下降。在结区（耗尽层）造成的损 伤会使得结区复合增加。 刻蚀时间过长：刻蚀时间越长对电池片的正反面造成 损伤影响越大，时间长到一定程度损伤不可避免会延 伸到正面结区，从而导致损伤区域高复合。 射频功率太低：会使等离子体不稳定和分布不均匀， 从而使某些区域刻蚀过度而某些区域刻蚀不足，导致 并联电阻下降。
1、非扩散面PN结刻蚀时被去除（原等离子刻蚀背面PN结依 靠丝印被铝浆时，铝还原硅片使N形硅变为P形硅，但所 产生的P形硅电势不强）； 2、硅片洁净度提高（无等离子刻蚀的尾气污染）； 3、节水（rena使用循环水冲洗硅片，耗水约8T/h。等离子 刻蚀去PSG用槽浸泡，用水量大）。
湿法刻蚀相对等离子刻蚀的缺点
操作注意事项
夹具、环氧板、刻蚀机内壁等要定期清洗，保持刻蚀 间的工艺卫生，长时间停止使用，再次使用之前必须 辉光清洗。 操作人员必须随时观察气流量、反射功率、反应室压 力和辉光颜色的稳定性。辉光颜色或功率如有异常， 应及时报告相关设备人员。 必须抽测刻蚀效果，如有异常，重新刻蚀，并通知工 艺人员。（30mv） 注意，不能将扩散面弄混。
1、硅片水平运行，机碎高：（等离子刻蚀去PSG槽式浸泡 甩干，硅片受冲击小）； 2、传动滚轴易变形：（PVDF，PP材质且水平放置易变形） ； 3、成本高：（化学品刻蚀代替等离子刻蚀成本增加）。
超越工艺——PPV材料的疲劳
构成RENA InOxSide 机器的主要材料是PPV聚四氟 乙烯材料。 没有十全十美的材料：PPV材料抗化学腐蚀能力极强 ；但力学性能一般。长期使用下的材料疲劳、磨损、 形变会导致一些设备故障。
超越工艺——碎片
1. 带速太高、某些材料疲劳导致的滚轴、轴承、挡板变 形，第三道水喷淋水压大、吹干风刀气压大，碎片残 留在道上没及时掉下去等等。 2. 对于某些差片子，可能还要下掉一些上滚轴。 3. 从吹干硅片角度讲，吹干风刀气压越大越好；从降低 碎片的角度讲，吹干风刀气压越小越好，所以要恰到 好处。但对于力学性能极差的片子，将没有任何气压 调节窗口，即：不是吹不干就是碎片。 4. 对于力学性能差的片子，不得不牺牲产能（降低上片 区/第三区带速）来降低碎片。
调节——温度
和反应物浓度一样，温度对化学反应速率的影响也很 大，刻蚀反应也不例外。 在工艺未调整期间，刻蚀溶液温度一般定为8摄氏度（ 刻蚀槽内的刻蚀溶液，不是储备槽）。在稳定刻蚀的 时候，偏差一般在正负0.5度以内。偏差一般不允许超 过正负1.5度。 温度可以作为刻蚀速率的调节手段，但是这是最后的 手段。由于温度较高的情况下，刻蚀溶液在刻蚀槽时 会不稳定，所以一般不宜长时间超过10度，当前我们 的补液能保证刻蚀速率不下降，所以我们无需调高刻 蚀溶液的温度。
扩散后清洗的目的
扩散后清洗又称去PSG工序。 扩散过程中，POCl3分解产生的P2O5淀积在硅片表面 ， P2O5与Si反应生成SiO2和磷原子，这一含有磷原子 的二氧化硅层称之为磷硅玻璃。 此工序的目的就是将这一层物质去除干净。
基本原理
主要是利用氢氟酸能够与二氧化硅反应的特性。氢氟 酸的酸性虽然很弱，但是它具有很强的腐蚀性和挥发 性。更重要的一点是能够与二氧化硅反应，所以，在 半导体的清洗和腐蚀的工艺中，经常被用到。其反应 式为： SiO2+4HF→SiF4↑+2H2O 但是如果HF过量，则SiF4会和HF继续反应，总的反应 式为： SiO2+6HF→H2[SiF6]+2H2O
通常的刻蚀方法包括干法刻蚀和湿法刻蚀。 我们目前电池一线、二线使用的刻蚀工艺就是干法刻 蚀，其工作机理为： 使用等离子体进行刻蚀。采用高频辉光放电反应，使 反应气体激活成活性粒子，如原子或各种游离基，这 些活性粒子扩散到硅片边缘，在那里与硅进行反应， 形成挥发性生成物四氟化硅而被去除。
等离子刻蚀所用的气体主要为CF4、O2、N2，CF4主要 是提供一些游离的中性基团或离子如CF4、CF3、CF2 、CF、C、F或它们的混合气体，这些粒子在电场的 作用下轰击硅片刻蚀部位，并发生反应。 O2的作用主要是提高刻蚀的速度；N2的目的主要是起 到稀释CF4、调节反应压力、带走反应气体和尾气的 作用。
碱洗槽和去PSG氢氟酸槽
碱洗槽的作用——碱洗槽在刻蚀槽、第一道水喷淋之后。 作用在于利用喷淋，中和并冲掉硅片背面（和刻蚀溶液接 触的那一面）和边缘沾附的酸。 由于温度低、碱浓度很低，碱洗时间短，碱液不会对硅片 造成任何影响。而酸碱中和是快反应。 由于NaOH吸收空气中的二氧化碳，生成碳酸钠析出，造成 结晶堵碱。温度低或长时间不用时，结晶堵碱会很严重。 碱洗槽和去PSG氢氟酸槽也需要补液，但工艺容差极大， 按厂家的设定即可。 碱洗槽和去PSG氢氟酸槽中的溶液均是200小时寿命，到寿 命必须更换。每次更换时，注意冲洗碱槽内的结晶体。
调节——配比
硫酸能否对刻蚀速率产生影响？ 能！硫酸提高了氢离子浓度，能加快刻蚀反应的反应 速率。 硫酸能调整铺展过宽导致的过刻吗？ 只有在某些情况下可以。此时刻蚀速率较低，加硫酸 以后，必须加大刻蚀槽带速，（当然前提是保证刻蚀 深度），才有可能有所改善，否则很有可能铺展变小 ，但过刻反倒变得更严重了，加硫酸也是很冒险的， 硫酸加的多，可能导致溶液密度大，硅片发飘，造成 碎片；黏度大，片子不沾液，TRASH率飙升。 RENA厂家的工艺人员指出，刻蚀溶液原初配液中硫 酸不需要再加了。经过摸索，硫酸不宜超过95L，最 高不得超过100L.
1. 刻蚀槽：RENA机需要保持极精密的刻蚀槽尺寸和各部件的相对 位置位置。PPV材料的磨损和形变会导致正确的尺寸、位置被破 坏。导致刻蚀槽硅片不沾液和沉入溶液（过刻）。 2. 轴承座：PPV材料的磨损会导致轴承座夹不住轴，出现滚轴爬起 ，导致碎片、刻蚀槽硅片不沾液和沉入溶液（过刻）。 3. 滚轴断裂：PPV材料疲劳引起，导致歪片、划痕。 4. 胶圈老化：导致划痕。
铺展就一定刻正面吗？ ——挥发与输运的较量
受PSG影响，对于没有去PSG的单晶片子，正面会有 溶液铺展。 对于铺展上去了的溶液蒸发旺盛，PSG快速消耗氢氟 酸，这些因素造成溶液浓度下降，无法刻蚀硅片；所 以就需要从刻蚀溶液主体来输运酸以保持浓度。
硫酸有时虽会减少铺展，但它会减小氢氟酸、硝酸的
挥发，增加反应速率，有时甚至加深了正面刻蚀。
是喷淋结构，而且片子进入到溶液内部。
4.最后一道水喷淋（第三道水喷淋）由于要将所有化学品全部洗掉，所 以水压最大。相应的，最后的吹干风刀气压最大。
硅片
硅片间液面
滚轴
刻蚀槽硅片生产时正常液面
Rena刻蚀的机理
Rena是通过化学反应来进行硅的刻蚀的，其反应体系很 复杂。以下是其中的几个反应方程式： Si+2HNO3+6HF=H2SiF6+2HNO2+2H2O 3Si+4HNO3+18HF=3H2SiF6+4NO+8H2O 3Si+2HNO3+18HF=3H2SiF6+2NO+4H2O+3H2
操作注意事项
插片务必确认扩散面的方向。 更换氢氟酸必须同时对槽进行彻底清洗。在配制和清 洗时，一定要做好保护措施。 硅片在两个槽中（悬挂在空中）的停留时间不得过长 ，防止硅片被氧化。 甩干的时间不能随便缩短！防止干燥不彻底。 当硅片从氢氟酸槽中提起时，观察其表面是否脱水， 如果脱水，则表明磷硅玻璃已去除干净；如果表面还 沾有水珠，则表明磷硅玻璃未被去除干净。