HW考试知识

1电阻制作工艺:

印刷或烧结,在绝缘基片上用真空蒸发或溅射等方法制

2电阻的主要参数：

TCR:温度系数，此电阻当温度上升时，它的阻值有可能是变大，也有可能是变小

VCR:

3电阻的降额设计，具体参考相关资料

4，电容的重要参数：

额定电压：

1）、不同额定电压的电容器，适用于等于或小于该额定电压的电路中。

2）、用于直流电路中，直接将电容器接入到小于电容器额定电压的电路中即可

3）、用于交流电路中，电容器的额定电压等于或小于该交流电路中正弦波峰值电压。

纹波电流：

纹波电流或电压是指的电流的中的高次谐波成分,会带来电流或电压幅值的变化,可能导致击穿,由于是交流成分,就像楼上说的,会在电容上发生耗散,如果电流的纹波成分过大,超过了电容的最大容许纹波电流,会导致电容烧毁;你说的纹波电流大的电容,准确地说是最大容许纹波电流大的电容

漏电流：

电容的板间电压很高击穿电容或者之间的介质发生变化变成导体时，在电容间会有电流通过，称之为漏电。

电容器两极之间的绝缘材料不可能保证100％的绝缘，它也是有介电常数ε的，大小不同而已，当两极间存在电势差时，根据绝缘材料的不同，或多或少有一些自由电子会定向穿过绝缘层，产生微小的漏电流。随着绝缘材料的劣化，其极间的漏电流也会随之增大。

阻抗：1/（jwc），频率越高阻抗越大，电感（jwl）则相反

电源负载能力

电源的带负载能力，是由电源的内阻决定的。内阻越大，带负载能力越低。

空载时测到的电源输出电压，应该叫做电源端电压（数值接近于电势）。因为电源空载，电路处于断路状态，电流为零，所以此时没有压降。

当电源接上额定负载后，

电路总电流= 电源端电压/（负载+内阻）。

此时在电源内阻上的电压降为：

电源端电压X 电源内阻/（负载+内阻）

理想的电源内阻为零。代入上式即可看到，电路电流仅由负载决定，而无论带什么样的负载，电源的电压

降都为零。

因此，判断一个电源的带载能力十分简单：给电源加上额定负载，测量负载两端的工作电压。测出的数值越高（也就是电源电压降落越小），说明带负载能力越强

电源输入调整率和负载调整率

输入电压调节率

输入电压调节率也称输入电压调整率、线路调整率。在输出满载的情况下，输入电压变化会引起输出电压波动，测试输入电压在全输入范围内变化时输出电压偏离输出额定电压的百分比，即为输入电压调节率。测试方法：

1）设置电源为满负载输出；

2）调节输入电压为下限值，记录对应的输出电压U1；

3）增大输入电压到额定值，记录对应的输出电压U0；

4）调节输入电压为上限值，记录对应的输出电压U2；

5〕按以下公式计算：

电压调节率={(U-U0)/U0}×100％

式中：U为U1 和U2中相对U0变化较大的值；

负载调节率

负载调节率也称为输出电压调节率、负载调整率。输出电流在额定范围内变化时，测试输出电压相对于50%满载输出时电压的变化百分比，即为负载调节率。

测试方法：

1）输入电压为额定值，输出电流取最小值，记录最小负载量的输出电压U1；

2）调节负载为50%满载，记录对应的输出电压U0；

3）调节负载为满载，记录对应的输出电压U2；

4）按以下公式计算：

负载调节率={(U-U0)/U0}×100％

式中：U为U1 和U2中相对U0变化较大的值；

热敏电阻，PT100铂电阻

分,PTC，NTC（正负温度系数）

Pt100,就是说它的阻值在0度时为100欧姆，负200度时为18.52欧姆，200度时为175.86欧姆，800度时为375.70欧姆。

热电阻公式都是Rt=Ro(1+A*t+B*t*t);Rt=Ro[1+A*t+B*t*t+C(t-100)*t*t*t] 的形式，t表示摄氏温度，Ro是零摄氏度时的电阻值，A、B、C都是规定的系数，对于Pt100,Ro就等于100，

Pt100温度传感器的主要技术参数如下：测量范围：-200℃～+850℃；允许偏差值△℃：A 级±（0.15＋0.002│t│），B级±（0.30＋0.005│t│）；热响应时间<30s；最小置入深度：热电阻的最小置入深度≥200mm；允通电流≤5mA。另外，Pt100温度传感器还具有抗振动、稳定性好、准确度高、耐高压等优点。

看到了？电流不能大于5mA，而电阻是随温度变化的，所以电压也要注意。

为了提高温度测量的准确性，应使用1V电桥电源、A/D转换器的5V参考电源要稳定在1mV 级；在价格允许的情况下，Pt100传感器、A/D转换器和运放的线性度要高。同时，利用软件矫正其误差，可以使测得温度的精度在±0.2℃。

ADC ,DAC 在教课书中常被忽略的两个参数INL，DNL( 转)

模数器件的精度指标是用积分非线性度（Interger NonLiner）即INL值来表示。也有的器件手册用Linearity error 来表示。他表示了ADC器件在所有的数值点上对应的模拟值，和真实值之间误差最大的那一点的误差值。也就是，输出数值偏离线性最大的距离。单位是LSB（即最低位所表示的量）。

比如12位ADC：TLC2543，INL值为1LSB。那么，如果基准4.095V，测某电压得的转换结果是1000，那么，真实电压值可能分布在0.999~1.001V之间。对于DAC也是类似的。比如DAC7512,INL值为8LSB，那么，如果基准4.095V，给定数字量1000，那么输出电压可能是0.992~1.008V之间。

下面再说DNL值。理论上说，模数器件相邻量个数据之间，模拟量的差值都是一样的。就相一把疏密均匀的尺子。但实际并不如此。一把分辨率1毫米的尺子，相邻两刻度之间也不可能都是1毫米整。那么，ADC相邻两刻度之间最大的差异就叫差分非线性值（Differencial NonLiner）。DNL值如果大于1，那么这个ADC甚至不能保证是单调的，输入电压增大，在某个点数值反而会减小。这种现象在SAR（逐位比较）

型ADC中很常见。

举个例子，某12位ADC，INL=8LSB，DNL=3LSB（性能比较差），基准4.095V，测A电压读数1000，测B电压度数1200。那么，可判断B点电压比A点高197~203mV。而不是准确的200mV。对于DAC 也是一样的，某DAC的DNL值3LSB。那么，如果数字量增加200，实际电压增加量可能在197~203mV

之间。

很多分辨率相同的ADC，价格却相差很多。除了速度、温度等级等原因之外，就是INL、DNL这两个值的差异了。比如AD574,贵得很，但它的INL值就能做到0.5LSB，这在SAR型ADC中已经很不容易了。换个便宜的2543吧，速度和分辨率都一样，但INL值只有1~1.5LSB，精度下降了3倍。

另外，工艺和原理也决定了精度。比如SAR型ADC，由于采用了R-2R或C-2C型结构，使得高权值电阻的一点点误差，将造成末位好几位的误差。在SAR型ADC的2^n点附近，比如128、1024、2048、切换权值点阻，误差是最大的。1024值对应的电压甚至可能会比1023值对应电压要小。这就是很多SAR型器件DNL值会超过1的原因。但SAR型ADC的INL值都很小，因为权值电阻的误差不会累加。

和SAR型器件完全相反的是阶梯电阻型模数/数模器件。比如TLC5510、DAC7512等低价模数器件。比如7512，它由4095个电阻串联而成。每个点阻都会有误差，一般电阻误差5%左右，当然不会离谱到100%，更不可能出现负数。因此这类器件的DNL值都很小,保证单调。但是，每个电阻的误差，串联后会累加，

因此INL值很大，线性度差。

这里要提一下双积分ADC，它的原理就能保证线性。比如ICL7135，它在40000字的量程内，能做到0.5LSB 的INL值（线性度达到1/80000 !!）和0.01LSB的DNL值.这两个指标在7135的10倍价钱内，是不容易被其他模数器件超越的。所以7135这一类双积分ADC特别适合用在数字电压表等需要线性误差非常小的