模电复习思考题部分答案 康华光
模拟电子技术课后习题答案康华光等编

模拟电子技术课后习题答案康华光等编Company number:【0089WT-8898YT-W8CCB-BUUT-202108】模拟电子技术习题答案第二章和 V o 的值;(2)在室温(300K )的情况下,利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。
解(1)求二极管的电流和电压(2)求v o 的变化范围当r d1=r d2=r d 时,则O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ∆-∆+,即~。
设二极管是理想的。
解 图a :将D 断开,以O 点为电位参考点,D 的阳极电位为-6 V ,阴极电位为-12 V ,故 D 处于正向偏置而导通,V AO =–6 V 。
图b :D 的阳极电位为-15V ,阴极电位为-12V ,D 对被反向偏置而截止,VAO =-12V 。
图c :对D 1有阳极电位为 0V ,阴极电位为-12 V ,故D 1导通,此后使D 2的阴极电位为 0V ,而其阳极为-15 V ,故D 2反偏截止,V AO =0 V 。
图d :对D 1有阳极电位为12 V ,阴极电位为0 V ,对D 2有阳极电位为12 V ,阴极电位为-6V .故D 2更易导通,此后使V A =-6V ;D 1反偏而截止,故V AO =-6V 。
解 图a :将D 断开,以“地”为电位参考点,这时有D 被反偏而截止。
图b :将D 断开,以“地”为参考点,有D被反偏而截止。
图c:将D断开,以“地”为参考点,有D被正偏而导通。
,D2为硅二极管,当 v i= 6 sinωtV时,试用恒压降模型和折线模型(V th= V,r D=200Ω)分析输出电压 v o的波形。
解(1)恒压降等效电路法当0<|V i|<时,D1、D2均截止,v o=v i;当v i≥时;D1导通,D2截止,v o=0.7V;当v i≤时,D2导通,D1截止,v o=-0.7V。
v i与v o=0.5V,r D=200Ω。
当0<|V i|<0.5 V时,D1,D 2均截止,v o=v i; v i≥0.5V th时,D1导通,D2截止。
模拟电子技术852之康华光《电子技术基础模拟部分》考研复习重点笔记及考研真题详解

模拟电子技术852之康华光《电子技术基础模拟部分》考研复习重点笔记及考研真题详解考研真题精选1集成运放采用______耦合方式,输入级采用______放大电路;理想集成运放开环增益A od为______,输入失调电压U io为______。
[北京理工大学2008年研]【答案】直接;差分;无穷大;零查看答案【解析】集成运放电路采用直接耦合方式是因为集成工艺难于制造大容量电容。
2杂质半导体中,多子的浓度与______有关。
[北京邮电大学2016年研]【答案】掺杂浓度(掺杂工艺)查看答案【解析】杂质半导体中,多子的浓度约等于掺杂质原子的浓度,受温度的影响很小;少子是本征激发形成的,尽管其浓度很低,但对温度非常敏感。
3多级放大器的电压放大倍数为各级放大器电压放大倍数的______,多级放大器的输出电阻为______的输出电阻;多级放大器的输入电阻为______的输入电阻。
[山东大学2017年研]【答案】乘积;末级放大器;初级放大器查看答案【解析】依据定义或图1-1-1。
图1-1-14若两级放大器的电压增益为A U1,A U2,则整个放大器的电压增益A U=______,若第一级放大器的输入电阻为R i1,则整个放大器的输入电阻R i=______,若末级放大器的输出电阻为R o2,则整个放大器的输出电阻R o=______。
[山东大学2019年研]【答案】A U1·A U2;R i1;R o2【解析】对于多级放大电路而言,整个放大器的电压增益等于每一集放大器电压增益的乘积;输入电阻等于初级放大器的输入电阻;输出电阻等于末级放大器的输出电阻。
复习笔记作为绪论,本章主要介绍电子电路的一些基本概念和放大电路的基础知识,主要包括信号的分类、信号的频谱、四种放大电路模型的基本概念及增益表达式、放大电路的主要性能指标等内容,其中重点为放大电路模型增益表达式推导和主要的性能指标的定义。
绪论部分虽然知识点少,内容简单,但也要掌握,为后续的学习提供强有力的背景知识。
模拟电路第四版课后答案(康华光版本)Word版

第二章2.4.1电路如图题2.4.1所示。
(1)利用硅二极管恒压降模型求电路的I D 和 V o 的值;(2)在室温(300K )的情况下,利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。
解(1)求二极管的电流和电压mA A V R v V I D DD D 6.8106.8101)7.0210(233=⨯=Ω⨯⨯-=-=- V V V V D O 4.17.022=⨯==(2)求v o 的变化范围图题2.4.1的小信号模型等效电路如图解2.4.l 所示,温度 T =300 K 。
Ω≈==02.36.826mAmV I V r D T d 当r d1=r d2=r d 时,则mV V r R r V v d d DD O 6)02.321000(02.32122±=Ω⨯+Ω⨯⨯±=+∆=∆ O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ∆-∆+,即1.406V ~1.394V 。
2.4.3二极管电路如图2.4.3所示,试判断图中的二极管是导通还是截止,并求出AO 两端电压V AO 。
设二极管是理想的。
解 图a :将D 断开,以O 点为电位参考点,D 的阳极电位为-6 V ,阴极电位为-12 V ,故 D 处于正向偏置而导通,V AO =–6 V 。
图b :D 的阳极电位为-15V ,阴极电位为-12V ,D 对被反向偏置而截止,V AO =-12V 。
图c :对D 1有阳极电位为 0V ,阴极电位为-12 V ,故D 1导通,此后使D 2的阴极电位为 0V ,而其阳极为-15 V ,故D 2反偏截止,V AO =0 V 。
图d :对D 1有阳极电位为12 V ,阴极电位为0 V ,对D 2有阳极电位为12 V ,阴极电位为 -6V .故D 2更易导通,此后使V A =-6V ;D 1反偏而截止,故V AO =-6V 。
2.4.4 试判断图题 2.4.4中二极管是导通还是截止,为什么?解 图a :将D 断开,以“地”为电位参考点,这时有V V k k V A 115)10140(10=⨯Ω+Ω= V V k k V k k V B 5.315)525(510)218(2=⨯Ω+Ω+⨯Ω+Ω=D 被反偏而截止。
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11 & II R 2l +5° 51 227.5 H ----- 20 + 7.5 Y6—叫51+扁叫4第二章部分习题解答2.4.6加减运算电路如图题8. 1. 3所求,求输岀电压仏的表达式。
解:方法一:应用虚短概念和叠加原理。
R、 s=_# 叫 1 _2 匕2再令沧二%2二0,则v n = ------- ——+ ------ :--- -- 评 4 卩比+瞌II 心心+心II 心12 ---- v 10 + 12 61将%和%叠加便得到总的输出电压, ” 5 c 51 51%=%+%= _ 才叫1 _ 2 比2 + —叫 3 + —人 4 方法二:用虚断列节点方程叫/ _ J | 叫 2 —V N J N_JR] R2 ~ R f叫3 - J叫4 _ J V p1 = i?3 R4 只5令%二加联立求解上述方程,结果与方法一相同。
2. 4. 2图题8. 1. 7为一增益线性调节运放电路,试推导该电路A厂—比—的电压增益V(勺1一勺2)的表达式。
解:A】、《是电压跟随器,有V ol = V Il^V o2 = V/2图题8. 1. 78利用虚短和虚断概念,有cVol ~ VN3 R\%2 _ 二彷3 _ 仏4尽R 2Vo4 = VN3 = V p3将上述方程组联立求解,得Ay =VI\ _ VI22.4.1 一高输入电阻的桥式放大电路如图题8.1.8所示,试写%^2V ol ~ ^2V o2 ~出^=f(5)的表达式I图题8. 1.8解:A 】、佻为电压跟随器,有VjR1怙=一険—2 ^~V B~2R +6R V I ~2 + 6V]丿。
1、卩。
2为差分式运算电路As 的输入信号电压,即有8. 3. 1用对数、反对数、加法或减法运算电路,设计岀vxV x V VVo\ = V x V r > V o2 =——%3 = ---------"和匚 的原理框图。
Vo\ ~ V X V Y^ 解:对于式,可写成如下关系式: v o] = V X V Y=exp(l/Wx + lw y ) v xv o2 - ---- = exp(biv x - lnvy)叫3 1VyVy = ------ =exp(lnv x + lnv Y - 1/iv.)尹据上述关系式可设计岀电路的原理框图,如图解8. 3. la> b 、 c 所示。
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模电复习思考题部分答案第三章2.1 集成电路运算放大器2.1.1答;通常由输入级,中间级,输出级单元组成,输入级由差分式放大电路组成,可以提高整个电路的性能。
中间级由一级或多级放大电路组成,主要是可以提高电压增益。
输出级电压增益为1,可以为负载提供一定的功率。
2.1.2答:集成运放的电压传输曲线由线性区和非线性区组成,线性区的直线的斜率即Vvo 很大,直线几乎成垂直直线。
非线性区由两条水平线组成,此时的Vo达到极值,等于V+或者V-。
理想情况下输出电压+V om=V+,-V om=V-。
2.1.3答:集成运算放大器的输入电阻r约为10^6欧姆,输出电阻r约为100欧姆,开环电压增益Avo约为10^6欧姆。
2.2 理想运算放大器2.2.1答:将集成运放的参数理想化的条件是:1.输入电阻很高,接近无穷大。
2.输出电阻很小,接近零。
3.运放的开环电压增益很大。
2.2.2答:近似电路的运放和理想运放的电路模型参考书P27。
2.3 基本线性运放电路2.3.1答:1.同相放大电路中,输出通过负反馈的作用,是使Vn自动的跟从Vp,使Vp≈Vn,或Vid=Vp-Vn≈0的现象称为虚短。
2.由于同相和反相两输入端之间出现虚短现象,而运放的输入电阻的阻值又很高,因而流经两输入端之间Ip=In≈0,这种现象称为虚断。
3.输入电压Vi通过R1作用于运放的反相端,R2跨接在运放的输出端和反相端之间,同相端接地。
由虚短的概念可知,Vn≈Vp=0,因而反相输入端的电位接近于地电位,称为虚地。
虚短和虚地概念的不同:虚短是由于负反馈的作用而使Vp≈Vn,但是这两个值不一定趋向于零,而虚地Vp,Vn接近是零。
2.3.2答:由于净输入电压Vid=Vi-Vf=Vp-Vm,由于是正相端输入,所以Vo为正值,V o等于R1和R2的电压之和,所以有了负反馈电阻后,Vn增大了,Vp不变,所以Vid变小了,Vo变小了,电压增益Av=V o/Vi变小了。
电子技术基础_模拟部分(第五版)康华光_课后答案共102页文档

1、纪律是管理关系的形式。——阿法 纳西耶 夫 2、改革如果不讲纪律,就难以成功。
3、道德行为训练,不是通过语言影响 ,而是 让儿童 练习良 好道德 行为, 克服懒 惰、轻 率、不 守纪律 、颓废 等不良 行为。 4、学校没有纪律便如磨房里没有水。养 成儿童 自觉的 纪律性 ,这是 儿童道 德教育 最重要 的部分 。—— 陈鹤琴
谢谢!
51、 天 下 之 事 常成 于困约 ,而败 于奢靡 。——陆 游 52、 生 命 不 等 于是呼 吸,生 命是活 动。——卢 梭
53、 伟 大 的 事 业,需 要决心 ,能力 ,组织 和责任 感。 ——易 卜 生 54、 唯 书 籍 不 朽。——乔 特
55、 为 中 华 之 崛起而 读书。 ——周 恩来
模拟电子技能技术总结 课后习题答案 康华光等编

精心整理模拟电子技术习题答案第二章2.4.1D 和V o 的值;(2)在室温(300K )的情况下,利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。
解(1)求二极管的电流和电压 (2)求v o 的变化范围 图题2.4.1T =300K 。
当r d1=r d2O v 2.4.3AO 解图a V AO =–6V 图b :图c 15V ,故D 2图d -6V .故2.4.4解图a D 图b :将D 图c D 2.4.71,解(1当0<|V i 0. 7V (2D 2均截止,v o=v i ;v i ≥0.5V 时,D 1导通,D 2截止。
v i ≤-0.5V 时,D 2导通,D 1截止。
因此,当v i ≥0.5V 时有 同理,v i ≤-0.5V 时,可求出类似结果。
v i 与v o 波形如图解2.4.7c 所示。
2.4.8二极管电路如图题2.4.8a 所示,设输入电压v I (t )波形如图b 所示,在0<t <5ms 的时间间隔内,试绘出v o (t )的波形,设二极管是理想的。
解v I (t )<6V 时,D 截止,v o (t )=6V ;v I (t )≥6V 时,D 导通 电路如图题2.4.13所示,设二极管是理想的。
(a )画出它的传输特性;(b )若输入电压v I =v i =20sin ωtV ,试根据传输特性绘出一周期的输出电压v o 的波形。
解(a )画传输特性0<v I <12V 时,D 1,D 2均截止,v o =v I ; v I ≥12V 时,D 1导通,D 2截止-10V <v I <0时,D 1,D 2均截止,v o =v I ; v I ≤-10V 时,D 2导通,D 1截止传输特性如图解2.413中a 所示。
(b )当v o =v I =20sin ωtV 时,v o 波形如图解2.4.13b 所示。
2.5.2两只全同的稳压管组成的电路如图题2.5.2所示,假设它们的参数V 2和正向特性的V th 、r D 为已知。
模拟电子技术习题解答(康华光版)

3. C位置:发射结反偏,截止,IC=0。
习题3.3.2
• (a):放大。 • (b):放大。 • (c):饱和。 • (d):截止。 • (e):饱和。
习题3.3.6
2. AV≈1, Ri=Rb//(rbe+51Re//RL)≈90K, Ro=Re//[(RS//Rb+rbe)/(1+β)]=39Ω
3. Vo=[Ri/(Ri+Ro)]×Av× Vs≈200mV
习题3.7.1
1. |AVM|=60db=1000 (倍), fL=100Hz, fH=100MHz
2. f=fH=fL时,|AVM|=57db
IC3=1mA, VB3=9V, VC2=8.3V, IE=2IC2=0.74mA, IC2=0.37mA, VCEQ3=-9V, VCEQ2=9V, Re2=5.27K, rbe1=rbe2=300+26×(1+β)/2=3.9K,
rbe3=2.4K, ri3=rbe3+(1+β)Re3=245K
(a)
(b)
习题7.1.4
21. .拆R去f1R引f2虽入然电可流提串高联输负入电反阻馈,,但使整r体if提性高能,下降, 解R决f2的引办入法电是压将并Rf2联的负左端反改馈接,到使T2r集if降电低极。。
习题7.1.5
• (a): 不可能,因为是正反馈,应交 换运放正负极。
• (b):不能,应交换R 和RL
1. VCC=6V, IBQ=20µA, ICQ=1mA, VCE=3V;
2. Rb=(VCC-0.7)/IBQ=265K(≈300K), RC=(VCC-VCE)/ICQ=3K;
模电“电子技术基础”康华光-ch9-1rcforel

新型半导体材料和工艺的发展 将为模拟电路带来新的突破,
提升性能和降低成本。
05
本章习题及解答
本章习题
1. 什么是RC电路?它在 电子技术中有哪些应用?
3. 描述RL电路的特点和计 算方法。
2. 如何计算RC电路的时 间常数?
4. 在RC电路中,如何通 过改变电阻或电容来影响 输出波形?
习题答案及解析
答案
RC电路是由电阻(R)和电容(C)组成的电路,通常用于滤波、积分、微分等电子技 术应用。
解析
该题考查了RC电路的基本概念和在电子技术中的应用,需要理解RC电路的组成和作用。
习题答案及解析
2. 答案及解析
1
2
答案:RC电路的时间常数(τ)可以通过公式计 算:τ = R × C。其中,R是电阻的阻值,C是电 容的容量。
3
解析:该题考查了RC电路时间常数的计算方法, 需要掌握时间常数的基本概念和计算公式。
习题答案及解析
答案
RL电路是由电阻(R)和电感(L)组成的电路,其特点是具有感抗,能够阻碍 电流的变化。计算方法包括感抗的计算公式Xl=2πfL。
解析
该题考查了RL电路的特点和计算方法,需要理解RL电路的组成和感抗的概念, 并掌握计算公式。
模电“电子技术基础”康 华光-ch9-1rcforel
• 引言 • 模电的基本概念 • 康华光-ch9-1rcforel章节概述 • 模电的应用与发展趋势 • 本章习题及解答
01
引言
课程背景
电子技术基础是电子、通信、计算机 等相关专业的必修课程,是学习其他 专业课程的基础。
随着信息技术的发展,电子技术基础 课程在各个领域的应用越来越广泛, 对于培养学生的实践能力和创新思维 具有重要意义。
模电课后(康华光版)习题答案4,5,6,8习题

第四章部分习题解答4.1.3某BJT的极限参数ICM=100mA,PCM=150mW,V(BR)CEO=30V,若它的工作电压V CE=10V,则工作电流IC不得超过多大?若工作电流I C=1mA,则工作电压的极限值应为多少?解:BJT工作时,其电压和电流及功耗不能超过其极限值,否则将损坏。
当工作电压V CE确定时,应根据P CM及I即应满足ICV CE≤PCM及IC≤ICM。
当V CE=10V时,CM确定工作电流IC,I P CMC15VCEm A此值小于I CM=100mA,故此时工作电流不超过15mA即可。
同理,当工作电流I c确定时,应根据I CV CE≤P CM及V CE≤V(BR)CEO确定工作电压VCE的大小。
当IC=1mA时,为同时满足上述两个条件,则工作电压的极限值应为30V。
4.3.3若将图题3.3.1所示输出特性的BJT接成图题3.3.3所示电路,并设V CC=12V,R C=1kΩ,在基极电路中用V BB=2.2V和R b=50kΩ串联以代替电流源i B。
求该电路中的I B、I C和V CE的值,设V BE=0.7V。
图题3.3.1图题3.3.3解:由题3.3.1已求得β=200,故I VV BBBEB0.03mARbI C=βI B=200×0.03mA=6mAV CE=V CC-I C R c=6V4.3.5图题3.3.6画出了某固定偏流放大电路中BJT的输出特性及交、直流负载线,试求:(1)电源电压VCC,静态电流IB、I压降VCE的值;(2)电阻R b、R e的值;(3)输出电压的最大不失真幅C和管度;(4)要使该电路能不失真地放大,基极正弦电流的最大幅值是多少?图题3.3.6解:(1)由图题3.3.6可知,直流负载线与横坐标轴的交点即V CC值的大小,故V CC=6V。
由Q点的位置可知,IB=20μA,IC=1mA,V CE=3V。
(2)由基极回路得VccR b300IBk由集-射极回路得Rc V VCCCE3k IC(3)求输出电压的最大不失真幅度由交流负载线与输出特性的交点可知,在输入信号的正半周,输出电压v CE从3V到0.8V,变化范围为2.2V;在输入信号的负半周,输出电压v CE从3V到4.6V,变化范围为1.6V。
康华光模拟电子技术基础课后答案全解

第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ,而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时,扩散电流 大于 漂移电流,耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时,扩散电流 小于 漂移电流,耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中,电子为多数载流子, 空穴 为少数载流子。
二.判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子,N 型半导体中含有大量电子载流子,所以P 型半导体带正电,N 型半导体带负电。
( × )2、在N 型半导体中,掺入高浓度三价元素杂质,可以改为P 型半导体。
( √ )3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。
(× )4、本征激发过程中,当激发与复合处于动态平衡时,两种作用相互抵消,激发与复合停止。
( × )5、PN 结在无光照无外加电压时,结电流为零。
( √ )6、温度升高时,PN 结的反向饱和电流将减小。
( × )7、PN 结加正向电压时,空间电荷区将变宽。
(× )三.简答题1、PN 结的伏安特性有何特点?答:根据统计物理理论分析,PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中,I D 为流过PN 结的电流;I s 为PN 结的反向饱和电流,是一个与环境温度和材料等有关的参数,单位与I 的单位一致;V 为外加电压; V T =kT/q ,为温度的电压当量(其单位与V 的单位一致),其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810,电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=,则)V (2.11594TV T =,在常温(T=300K )下,V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压,即V 为正值,且V 比V T 大几倍时,1e TV V >>,于是TV V s eI I ⋅=,这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大,PN 结为正向导通状态.外加反向电压,即V 为负值,且|V|比V T 大几倍时,1eTV V <<,于是s I I -≈,这时PN 结只流过很小的反向饱和电流,且数值上基本不随外加电压而变,PN 结呈反向截止状态。
模电课后(康华光版)习题答案4,5,6,8习题

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当工作电压VCE确定时,应根据PCM及ICM确定工作电流IC,即应满足ICVCE≤PCM及IC≤ICM。
当VCE=10V时,此值小于ICM=100mA,故此时工作电流不超过15mA即可。
同理,当工作电流Ic确定时,应根据ICVCE≤PCM及VCE≤V(BR)CEO确定工作电压VCE的大小。
当IC=1mA时,为同时满足上述两个条件,则工作电压的极限值应为30V。
4.3.3 若将图题3.3.1所示输出特性的BJT接成图题3.3.3所示电路,并设VCC=12V,R C=1kΩ,在基极电路中用VBB=2.2V和Rb=50kΩ串联以代替电流源iB。
求该电路中的IB、IC和VCE的值,设VBE=0.7V。
图题3.3.1图题 3.3.3解: 由题3.3.1已求得β=200,故IC=βIB=200×0.03mA=6mA VCE=VCC-ICRc=6V4.3.5 图题3.3.6画出了某固定偏流放大电路中BJT的输出特性及交、直流负载线,试求:(1)电源电压VCC,静态电流IB、IC和管压降VCE的值;(2)电阻Rb、Re的值;(3)输出电压的最大不失真幅度;(4)要使该电路能不失真地放大,基极正弦电流的最大幅值是多少?图题3.3.6解:(1)由图题3.3.6可知,直流负载线与横坐标轴的交点即VCC值的大小,故VCC=6V。
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模电复习思考题部分答案第三章2.1 集成电路运算放大器2.1.1答;通常由输入级,中间级,输出级单元组成,输入级由差分式放大电路组成,可以提高整个电路的性能。
中间级由一级或多级放大电路组成,主要是可以提高电压增益。
输出级电压增益为1,可以为负载提供一定的功率。
2.1.2答:集成运放的电压传输曲线由线性区和非线性区组成,线性区的直线的斜率即Vvo 很大,直线几乎成垂直直线。
非线性区由两条水平线组成,此时的Vo达到极值,等于V+或者V-。
理想情况下输出电压+V om=V+,-V om=V-。
2.1.3答:集成运算放大器的输入电阻r约为10^6欧姆,输出电阻r约为100欧姆,开环电压增益Avo约为10^6欧姆。
2.2 理想运算放大器2.2.1答:将集成运放的参数理想化的条件是:1.输入电阻很高,接近无穷大。
2.输出电阻很小,接近零。
3.运放的开环电压增益很大。
2.2.2答:近似电路的运放和理想运放的电路模型参考书P27。
2.3 基本线性运放电路2.3.1答:1.同相放大电路中,输出通过负反馈的作用,是使Vn自动的跟从Vp,使Vp≈Vn,或Vid=Vp-Vn≈0的现象称为虚短。
2.由于同相和反相两输入端之间出现虚短现象,而运放的输入电阻的阻值又很高,因而流经两输入端之间Ip=In≈0,这种现象称为虚断。
3.输入电压Vi通过R1作用于运放的反相端,R2跨接在运放的输出端和反相端之间,同相端接地。
由虚短的概念可知,Vn≈Vp=0,因而反相输入端的电位接近于地电位,称为虚地。
虚短和虚地概念的不同:虚短是由于负反馈的作用而使Vp≈Vn,但是这两个值不一定趋向于零,而虚地Vp,Vn接近是零。
2.3.2答:由于净输入电压Vid=Vi-Vf=Vp-Vm,由于是正相端输入,所以Vo为正值,V o等于R1和R2的电压之和,所以有了负反馈电阻后,Vn增大了,Vp不变,所以Vid变小了,Vo变小了,电压增益Av=V o/Vi变小了。
由上述电路的负反馈作用,可知Vp≈Vn,也即虚短。
由于虚地是由于一端接地,而且存在负反馈,所以才有Vp≈Vn=0.2.3.3答:同相放大电路:1.存在虚短和虚断现象。
2.增益Av=V o/Vi=1+R2/R1,电压增益总是大于1,至少等于1。
3.输入电阻接近无穷大,出电阻接近于零。
反相放大电路:1.存在虚地现象。
2.电压增益Av=V o/Vi=-R2/R1,即输出电压与输入电压反相。
3.输入电阻Ri=Vi/I1=R1.输出电压趋向无穷大。
电路的不同:1.参考P28和P32的两个图。
2.根据上述各自的特征即可得出它们的区别2.3.4 参考书本图下面的分析和上述的特点区别。
2.3.5 答:电路的电压增益约为1,在电路中常作为阻抗变化器或缓冲器。
2.4 同相输入和反反相输入放大电路的其他应用2.4.1各个图参考P34-P41,各个电路的输出电压和输入电压的关系参考图下的分析。
第三章二极管3.2.1答:空间电荷区是由施主离子,受主离子构成的。
因为在这个区域内,多数载流子已扩散到对方并复合掉了,或者说耗尽了,因此有称耗尽区。
扩散使空间电荷区加宽,电场加强,对多数载流子扩散的阻力增大,但使少数载流子的漂移增强;而漂移使空间电荷区变窄,电场减弱,又使扩散容易进行,故空间电荷区也称为势垒区。
3.2.2答:使PN结外加电压VF的正端接P区,负端接N区,外加电场与PN结内电场方向相反,此时PN出于正向偏置。
3.2.3答:增加。
因为在外加反向电压产生的电场作用下,P区中的空穴和N区中的电子都将进一步离开PN结,使耗尽区厚度增加。
3.2.4答:只有在外加电压是才能显示出来。
3.2.5答:P67页。
3.3.1答:P71页3.3.4答:P71页3.3.5答:P71页3.4.1答:P73页3.4.2答:P74,76页3.4.3答:P83页第四章4.1.1 不可以,因为BJT有集电区、基区和发射区。
4.1.2 不行。
内部结构不同。
4.1.3 必须保证发射结正偏,集电结反偏。
反偏,都正偏。
4.1.4 发射区向基区扩散载流子,形成发射极电流IE。
IE=IEN+IEP,IC=ICN+ICBO4.1.5(P106)第一问没有找到;BJT输入电流Ic(或IE)正比于输入电流IE(或Ib)。
如果能控制输入电流,就能控制输出电流,所以常将BJT成称为电流控制器件。
4.1.6 (VCE=常熟) a=D IC / D IE(VCB=常熟)4.1.8 IC,IE,VCE4.1.9 IC,IE b上升4.2.1 微弱电信号放大,信号源,外加直流电源VCC4.2.2(P119)4.2.3(P117)4.2.4 不能IC, a上升4.3.1 P1204.3.2 P1234.3.3 改变Vcc的极性(自己判断是否正确);截止失真4.3.4 输入信号电压幅值比较小的条件下,P1284.3.5 找不到,个人理解:放大电路工作可看成是静态工作电路(即直流电路)和交流通路的叠加,所以看成是先将直流通路短路处理,作为交流的地电位。
4.3.6 P130公式(4.3.7B) P111公式(4.1.11A)不是4.3.7 P126 P1324.4.1 电源电压的波动,元件参数的分散姓及元件的老化,环境温度4.4.2 基极分压式射极偏置电路(理由见P135),含有双电源的射极偏置电路,含有恒流的射极偏置电路(理由见P139)4.4.3 不能(答案不确定)4.4.4 不能,Ce对静态工作点没有影响,对动态工作情况会产生影响,即对电阻Re上的电流信号电压有旁路作用4.5.1 有共射,共基和共集;判断方法P147,4.5.34.5.2 P147,4.5.3的24.5.3 P141的4.5.1的2.动态分析4.5.4 可以,根据式(4.4.1)-(4.4.4),可见静态电流Icq只与直流电压及电阻Re有关,以此温度变化时,Icq基本不变。
4.7.1书上155页第一段,这主要是由BJT的极间电容、耦合电容和旁路电容的开路和短路引起。
4.7.2 频带宽度BW是等于上限截止频率减去下限截止频率,数学表达式是:BW=f(H)-f(L)4.7.3 低频时,1/wc不可忽略,所以射极旁路电容是低频响应的主要影响因素。
高频是不会4.7.4 直接耦合可以把原信号不作改变地放大,所以可以改善低频响应;共基极放大电路中不存在密勒电容效应,所以共基极放大电路具有比较好的高频响应特性。
4.7.6书上176第五章5.1.1答:二氧化硅是绝缘体5.1.2答:P2375.1.3答:P2375.1.4答:P2075.2.1答:P226 JFET 不能BJT不能P205耗尽型MOSFET 可以答案在P205画波浪线处5.3.4答:P237 a图为BJT5.3.5答:P237第六章6.1.1 257页第1段5行起6.1.2图6.1.1 ,6.1.2 ,6.1.3 微电流源微电流源6.1.3 259页最后一段6.2.1 263页6.2.2 100微安,0,100微伏,1000微伏6.2.3 V o=AvdVid+AvcVic得出6.2.4 温度6.2.5 264页最后两;,ro越大,即电流源Io越接近理想情况,Avc1越小,说明他抑制共模信号的能力越强;ro 差模短路,共模2ro6.2.6 Kcmr=|Avd/Avc|,268页第一段,6.2.7 266页波浪线6.2.9 275页中间段;276第一段;10的9次方;10的5到6次方6.3.1 (P277)(1) 当vi1-vi2=vid=0时,vo1=vo2=Vcc-(Io/2)Rc,电路处于静态工作状态,。
(2)Vid在0~±VT范围内,vo1、vo2与vid间呈线性关系,放大电路工作在放大区。
(3)vid在VT~4VT间和- VT~ 4VT间,vo1、vo2与vid间呈非线性。
电路工作在非线性区。
(4)vid<- VT和vid> +VT,曲线趋于平坦。
Vid的范围书上没说,只说了差分放大电路呈现良好的限幅特性,即范围很大。
6.3.2等于差分放大电路的差模电压增益Avd1=-1/2gmRc,Avd2=1/2gmRc6.4.1由源极耦合差分放大输入级,输入级偏置电流源,共源放大输出级构成。
作用:输入级:输入级差分放大输入信号。
电流源:为差分放大输入级提供直流偏置。
输出级:放大输出信号6.4.2由输入级,偏置电路,中间级,输出级组成。
电流源作用:1)主偏置电路中的T11 和T10 组成微电流源电路,由Ic10 供给输入级中T3,T4 的偏置电流。
2)T8和T9组成镜像电流源,供给输入级T1,T2 的工作电流。
3)T12和T13构成双端输出的镜像电流源,一路供给中间级的偏置电流和作为它的有源负载,另一路供给输出级的偏置电流。
6.4.3输入级,电压放大级和输出级电路的基本形式分别是:差分式放大电路,共集电极电路和共射集放大电路,互补对称电路。
保护电路有:T15,T21,T22,T23,T24B6.5.1答:在室温(25°C)及标准电源电压下,输入电压为零时,为了使集成运放的输出电压为零,在输入端加的补偿电压叫做失调电压Vio,其大小反映了运放制造中电路的对称程度和电位配合情况,其值愈大说明电路的对称程度愈差。
输入偏置电流是指集成运放两个输入端静态电流的平均值,从使用角度来看,偏置电流愈小由于信号源内阻变化引起的输出电压变化也愈小,故它是重要的技术指标。
输入失调电流是指Iio是指当输入电压为零时流入放大器两输入端的静态基极电流之差,Iio愈小愈好,它反映了输入级差分对管的不对称程度。
6.5.2答:要求输入失调电压和输入失调电流都比较小,可采用调零电位器的方法减小输出端的误差电压。
不能用外接人工调零电路的方法完全抵消。
6.5.3 (1) LM741等一般运放(2)高输入电阻的运放。
(3)输入失调电压Vio小的运放(4)失调电压电流小的运放6.5.4转换速率的大小与许多因素有关,主要与运放所加的补偿电容、运放本身各级BJT的级间电容、以及放大电路提供的充电电流等因素有关,通常要求运放的SR大于信号变化斜率的绝对值。
6.5.5 Vom=Sr/(2∏BWp)=7.96 V6.5.6 见表6.5.1(书本291页)6.6.1 电路是由vy控制电流源T3T4的电流iEE,iEE的变化导致BJT T1和T2的跨导gm变化,因此该电路称为变跨导式模拟乘法器。
(结合图,书本296)6.6.2 电压开平方运算电路V2/R+Vi/R=0或V2=-ViVo是-Vi的平方根,输入电压Vi必为负值加一反相器6.6.3 乘方运算电路、除法运算电路、开平方电路、压控放大器、调制和解调6.7.1噪声的种类及含义:P303开始到P305低噪声放大电路的设计;参照P306减小噪声的措施JFET的噪声最小6.7.250HZ和100HZ色干扰电压的出现与解决:参照P307由直流电源电压波动引起的干扰和抑制6.7.3地线接法的不正确与消除其干扰:参照P308由接地点安排不正确而引起的干扰和正确接线6.7.4JFET6.7.5收音机内部存在闪烁噪点,外部受杂散电磁场干扰第七章7.1.1 什么是反馈?如何判断电路中有无反馈?反馈是指将电路输出电量(电压或电流)的一部分或全部通过反馈网络,用一定的方式送回到输入电路,以影响输入电量(电压或电流)的过程。