电路与电子技术复习题
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电路与电子技术复习题
电路与电子技术复习题
第4章
一、填空题
1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度,而少数载流子的浓度则与温度有很大关系。
2、当PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄。当外加反向电压时,扩散电流小于漂移电流,耗尽层变宽。
3、在N型半导体中,电子为多数载流子,空穴为少数载流子。
4、三极管处在放大区时,其集电结电压小于零,发射结电压大于零。
5、三极管的发射区杂质浓度很高,而基区很薄。
6、在半导体中,温度变化时少数载流子的数量变化较大,而多数载流子的数量变化较小。
7、三极管实现放大作用的内部条件是:发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度,同时基区厚度要很小;外部条件是:发射结要正向偏置、集电结要反向偏置。
8、工作在放大区的某三极管,如果当IB从12μA 增大到22μA时,IC从1mA变为2mA,那么它的β约为100 。
9、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。
10、双极型三极管是指它内部的参与导电载流子有两种。
11、三极管工作在放大区时,它的发射结保持正向偏置,集电结保持反向偏置。
12、某三极管处于放大状态,三个电极A、B、C的电位分别为-9V、-6V和-6.2V,则三极管的集电极是 A ,基极是 C ,发射极是 B 。该三极管属于PNP 型,由锗半导体材料制成。
二、判断题
1、由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N 型半导体中含有大量电子载流子,所以P型半导体带正电,N型半导体带负电。(×)
2、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。(×)
3、本征激发过程中,当激发与复合处于动态平
衡时,两种作用相互抵消,激发与复合停止。(×)
4、温度升高时,PN结的反向饱和电流将减小。(×)
5、PN结加正向电压时,空间电荷区将变宽。(×)
三、选择题
1、二极管加正向电压时,其正向电流是由(a )。
a. 多数载流子扩散形成
b. 多数载流子漂移形成
c. 少数载流子漂移形成
d. 少数载流子扩散形成
2、PN结反向偏置电压的数值增大,但小于击穿电压,( c )。
a. 其反向电流增大
b. 其反向电流减小
c. 其反向电流基本不变
d. 其正向电流增大
3、稳压二极管是利用PN结的( d )。
a. 单向导电性
b. 反偏截止特性
c. 电容特性
d. 反向击穿
特性
4、二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA,温
度每升高10℃,其反向饱和电流增大一倍,当温度为40℃时,反向饱和电流值为( c )。
a. 10μA
b. 15μA
c. 20μA
d. 40μA
5、在单管固定偏置共射极放大电路中,若测得三极管的静态管压降U CE近似等于电源电压U CC 时,则该管工作状态为:( B )。
A.饱和B.截止C.放大D.不能确定
四、分析计算题
1、写出题图4.1所示各电路的输出电压值,设二极管均为理想二极管。
解:V O1≈2V(二极管正向导通),V O2=0(二极管反向截止),V O3≈-2V(二极管正向导通),V O4≈2V(二极管反向截止),V O5≈2V(二极管正向导通),V O6≈-2V(二极管反向截止)。
题图4.1
2、设题图4.2中的二极管均为理想的(正向可视为短路,反向可视为开路),试判断其中的二
极管是导通还是截止,并求出A、Q两端电压
AO
U。
解:题图4.2所示的电路图中,图(a)所示电路,二极管D导通,V AO=-6V,
图(b)所示电路,二极管D1导通,D2截止,V AO=-0V,
图(c)所示电路,二极管D1导通,D2截止,V AO=-0V。
3、电路如题图4.3所示,已知v i=6sinωt(v),试画出v i与v o的波形,并标出幅值。设二极管为理想的。
(a) (c)
(b)
题图4.2
5、判断三极管的工作状态和三极管的类型。
1管:;4,7.2,2V V V V V V C
E B =-=-= 答:NPN 管,工作在放大状态。
2管:;5.5,3.5,6V V V V V V
C E B === 答:NPN 管,工作在饱和状态。 3管:;
V V ,V .V ,V V C E B 7301=-=-= 答:NPN 管,工作在截止状态。
6、题图4.4所列三极管中哪些一定处在放大区?
答:题图4.4所列三极管中,只有图(D )
所示的三极管处在放大区。 题图4.4 63
A 6 2.2. C 3V 9.5. D 5V 0V 1.
B 1.
第5章
一、填空题
1、 某放大电路在负载开路时的输出电压为5V ,接入12k Ω的负载电阻后,输出电压降为
2.5V ,这说明放大电路的输出电阻为 12 k Ω。 2、题图5.1所示的图解,画出了某单管共射放大电路中晶体管的输出特性和直流、交流负载线。由此可以得出: (1)电源电压CC V = 6V ; (2)静态集电极电流CQ I = 1mA ;集电极电压
CEQ U = 3V ; (3)集电极电阻C R = 3kΩ ;负载电阻L R = 3kΩ ; (4)晶体管的电流放大系数β= 50 ,进一步计算可得电压放大倍数v A = -50 ;('
bb r 取200Ω); 3、 有两个放大倍数相同,输入电阻和输出电阻不同的放大电路A 和B ,对同一个具有内阻
的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下,测得A 放大器的输出电压小,这说明A
题图5.1