闪速存储器

补充说明
闪速存储器还分AND、NAND、NOR、 DiNOR等类型，常用NOR型与NAND型两 种。 它们的区别很大，打个比方说，NOR 型闪存更像内存，有独立的地址线和数据 线，但价格比较贵，容量比较小，也因此 NOR型闪存比较适合频繁随机读写的场合， 通常用于存储程序代码并直接在闪存内运 行。 而NAND型更像硬盘，地址线和数据 线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都 通过一组硬盘线传送，NAND型闪存主要 用来存储资料，我们常用的闪存产品，如U 盘、数码存储卡都是用NAND型闪存。
§5.6 存储电容材料
——闪速存储器
半导体存储器的分类
双极型 工艺
MOS型储器 （ROM） 动态RAM（DRAM/ iRAM） 掩膜式ROM（PROM） 可编程ROM（PROM） 可擦除PROM（EPROM） 电可擦除PROM（EEPROM） 闪速存储器（Flash Memory）
闪速存储器
闪速存储器，它是高密度非易失 性的读/写存储器。高密度意味着它 具有巨大比特数目的存储容量。非易 失性意味着存放的数据在没有电源的 情况下可以长期保存。闪存存取比较 快速，无噪音，散热小。总之，它既 有RAM的优点，又有ROM的优点， 是一种很有发展前途的存储技术。
FLASH存储器的阵列结构 FLASH存储器的简化阵列结构如图所示。 在某一时间只有一条行选择线被激活。 读操作时，假定某个存储元原存1，那 么晶体管导通，与它所在位线接通，有 电流通过位线，所经过的负载上产生一 个电压降。这个电压降送到比较器的一 个输入端，与另一端输入的参照电压做 比较，比较器输出一个标志为逻辑1的 电平。 如果某个存储元原先存0，那么晶体管 不导通，位线上没有电流，比较器输出 端则产生一个标志为逻辑0的电平。