BAS40-05 丝印45 开关二极管选型手册
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【领先的片式无源器件整合供应商—南京南山半导体有限公司】
www.nscn.com.cn
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes
BAS40/-04/-05/-06 SCHOTTKY BARRIER DIODE
公司名称
联系方式
电话：
收货地址
主要产品
联络人
姓名：
电话：
传真：
职务： 手机：
网址：
□技术 □采购 □贸易商 邮箱：
元器件明细资料
元器件名称 型号及封装
单机用量 申请数量 备注
预计生产情况
预计小批量生产时间：
规模生产时间：
样品申请时间：
样品申请流程
1、请详细、全面、真实填写上列各项。表格不够填写，可自行复制。 2、请以附件的形式将该文档通过 E-mail 发送，并请客户将此单打印盖章后 邮件至：Service@nsc。n.com.cn 。 3、公司将根据客户所填信息并综合相关情况，及时确定该样品申请是否执行及如何执行。 4、收到样品申请单并经审核通过后，南京公司有现货24小时内发出，如需订货，交期3-4周，非常规品顺延1-2 周。 5、样品免费，运费到付(一般选择顺丰快递)；样品数量规定：单个型号5～20pcs， 或按单机数量2～5套。 6、特别说明：由于体制约束等不确定因素，我们并不保证样品数量和型号完全符合要求，也不承诺一定按期 交出。
CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS C (pF)
T
D,Jul,2013
【领先的片式无源器件整合供应商—南京南山半导体有限公司】
www.nscn.com.cn
联系资料
电话：
南京南山半导体有限公司－样品申请单
技术支持：
传真：
电邮：Service@nscn.com.cn
客户基本资料
Capacitance Characteristics
4.0
Ta=25℃ f=1MHz
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0 0
5
10
15
20
25
30
REVERSE VOLTAGE V (V) R
POWER DISSIPATION P (W) D
REVERSE CURRENT I (uA) R
100 10 1 0.1
IR
VR=30V
VF
IF=1mA
IF=40mA
CD
VR=0,f=1MHz
t rr
Irr=1mA, IR=IF=10mA
RL=100Ω
Max
200 380 1000
5 5
Unit V nA mV pF ns
D,Jul,2013
【领先的片式无源器件整合供应商—南京南山半导体有限公司】
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Symbol
Test conditions
Min
Reverse breakdown voltage
V(BR)
IR= 10μA
40
Reverse voltage leakage current Forward voltage Diode capacitance Reverse recovery time
Typical Characteristics BAS40/-04/-05/-06
FORWARD CURRENT I (mA) F
Forward Characteristics
100
T =100℃ a
10
1
T =25℃ a
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
FORWARD VOLTAGE V (V) F
Symbol
VRRM VRWM
VR IFM PD RθJA TJ TSTG
Limit
40
200 200 500 125 -55~+150
Unit
V
mA mW ℃/W ℃ ℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)
Parameter
FEATURES z Low Forward Voltage z Fast Switching
SOT-23
BAS40 ຫໍສະໝຸດ BaiduARKING: 43•
BAS40-06 MARKING: 46
Maximum Ratings @Ta=25℃
BAS40-05 MARKING：45 BAS40-04 MARKING：44
0.01 1E-3
0
0.25 0.20 0.15 0.10 0.05 0.00
0
Reverse Characteristics
T =100℃ a
T =25℃ a
10
20
30
40
REVERSE VOLTAGE V (V) R
Power Derating Curve
25
50
75
100
125
AMBIENT TEMPERATURE T (℃) a
Parameter
Peak repetitive peak reverse voltage Working peak reverse voltage DC blocking voltage Forward continuous current Power dissipation Thermal resistance junction to ambient Junction temperature Storage temperature range
回访记录
□已联系确认 日期：
□已建议执行 日期：
□未发送但已下单 日期：
□已发送样品 日期：
□客户已签收 日期：
第1页共1页
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预计生产情况
预计小批量生产时间：
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客户基本资料
Capacitance Characteristics
4.0
Ta=25℃ f=1MHz
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0 0
5
10
15
20
25
30
REVERSE VOLTAGE V (V) R
POWER DISSIPATION P (W) D
REVERSE CURRENT I (uA) R
100 10 1 0.1
IR
VR=30V
VF
IF=1mA
IF=40mA
CD
VR=0,f=1MHz
t rr
Irr=1mA, IR=IF=10mA
RL=100Ω
Max
200 380 1000
5 5
Unit V nA mV pF ns
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Test conditions
Min
Reverse breakdown voltage
V(BR)
IR= 10μA
40
Reverse voltage leakage current Forward voltage Diode capacitance Reverse recovery time
Typical Characteristics BAS40/-04/-05/-06
FORWARD CURRENT I (mA) F
Forward Characteristics
100
T =100℃ a
10
1
T =25℃ a
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
FORWARD VOLTAGE V (V) F
Symbol
VRRM VRWM
VR IFM PD RθJA TJ TSTG
Limit
40
200 200 500 125 -55~+150
Unit
V
mA mW ℃/W ℃ ℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)
Parameter
FEATURES z Low Forward Voltage z Fast Switching
SOT-23
BAS40 ຫໍສະໝຸດ BaiduARKING: 43•
BAS40-06 MARKING: 46
Maximum Ratings @Ta=25℃
BAS40-05 MARKING：45 BAS40-04 MARKING：44
0.01 1E-3
0
0.25 0.20 0.15 0.10 0.05 0.00
0
Reverse Characteristics
T =100℃ a
T =25℃ a
10
20
30
40
REVERSE VOLTAGE V (V) R
Power Derating Curve
25
50
75
100
125
AMBIENT TEMPERATURE T (℃) a
Parameter
Peak repetitive peak reverse voltage Working peak reverse voltage DC blocking voltage Forward continuous current Power dissipation Thermal resistance junction to ambient Junction temperature Storage temperature range
回访记录
□已联系确认 日期：
□已建议执行 日期：
□未发送但已下单 日期：
□已发送样品 日期：
□客户已签收 日期：
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