同轴电缆衰减计算

同轴电缆衰减计算

高频下同轴电缆的衰减高频下同轴电缆的衰减：：

α=2.61*(f*ε)^0.5*(K2*Kρ1/d+Kb*Kρ2/D)*10^(α=2.61*(f*ε)^0.5*(K2*Kρ1/d+Kb*Kρ2/D)*10^(--3)/lg((D+1.5*dw)/(K1*d))+9.10*f*ε^0.5*tgδ*10^(5*dw)/(K1*d))+9.10*f*ε^0.5*tgδ*10^(--5)(5)(分贝分贝分贝//公里公里)) f： 频率（Hz）

ε： 绝缘相对介电常数（实心PE - 2.3；PVC - 5~7；Nylon - 3.5；Paper - 2.0~2.6；PP - 2.6；FEP - 2~2.2；空气 - 1.0）

D： 绝缘外径（mm）

d： 内导体直径（mm）

tgδ： 绝缘介质损耗角正切值（空气 - 0；PE - 0.0005；PVC - 0.05；FEP - 0.0002；Nylon - 0.009；PP - 0.0007）

K1： 内导体直径系数

K2： 内导体衰减的绞线系数

Kb： 外导体为编织是引起高频电阻增大的编织效应系数 = 1.5+0.083*D Kρ1： 内导体相对于国际标准软铜的高频电阻增大或减小的系数 Kρ2： 外导体相对于国际标准软铜的高频电阻增大或减小的系数 dw： 编织用导线直径（mm）

第一项为金属损耗造成的衰减，第二项为介质损耗造成的衰减，频率超过几兆赫时不大于总衰减的1%。

当频率超过几十兆赫时，导体表面发生氧化会产生一种新的损耗--视在介质损耗，氧化层很薄（约几微米），频率低时（几兆赫以下），电流透入深度（见相关帖子）有几十微米，电流在氧化层流通的部分较小，氧化产生的影响不大；但频率高于几十兆赫时，投入深度较小，大部分电流在氧化层传输，氧化层的电阻率大于导体，使衰减增大，因此要尽可能的消除金属氧化。