半导体的基础知识试题

第一章半导体的基础知识

一、填空题

1、物质按导电能力的强弱可分为、和三大类。

2、电子技术的核心是半导体，它的三个特性是：、、

3、半导体中存在着两种载流子，其中带正电的载流子叫做，带负电的

载流子叫做；N型半导体中多数载流子是，P型半导体中的多数载流子是。

4、PN结具有性能，即：加电压时PN结导通，加电压时PN结

截止。

5、二极管的主要特性是具有。二极管外加正向电压超过死区电压以后，正向电

流会，这时二极管处于状态。

6、晶体二极管的伏安特性可简单理解为正向，反向的特性。导通后，

硅管的管压降约为，锗管约为。

7、整流电路将交流电变为直流电，滤波电路将直流电变为

的直流电。

8、整流电路按整流相数，可分为与两种；按被整流后输出电压（或电

流）的波形分，又可分为与两种。

9、把脉动直流电变成比较平滑直流电的过程称为。

10、电容滤波电路中的电容具有对交流电的阻抗，对直流电的阻抗的特性，

整流后的脉动直流电中的交流分量由电容，只剩下直流分量加到负载的两端。

二、选择题

1、稳压管（）

A、是二极管

B、不是二极管

C、是特殊二极管

2、稳压管电路如图1—1所示，稳压管的稳压值为（）

A、6.3V

B、0.7V

C、7V

D、14V

3、稳压管稳压电路如图1—2所示，其中U Z1=7V、U Z2=3V，该电路输出电压为（）

A、0.7V

B、1.4V

C、3V

D、7V

4、NPN型和PNP型晶体管的区别是（）

A、由两种不同材料硅和锗制成的

B、掺入杂质元素不同

C、P区和N区的位置不同

5、三极管的I CEO大，说明其（）

A、工作电流大

B、击穿电压高

C、寿命长

D、热稳定性差

6、用直流电压表测得放大电路中某晶体管电极1、2、3的电位各为V1=2V，V2=6V，

V3=2.7V,m则（）

A、1为e 2为b 3为c

B、1为e 2为c 3为b

C、1为b 2为e 3为c

D、1为b 2为c 3为e

7、晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定的（ ）

A 、i c

B 、U CE

C 、I b

D 、i E

8、P 型半导体中空穴多于自由电子，则P 型半导体呈现的电性为（ ）。

A 、正电

B 、负电

C 、电中性

9、二极管的阳极电位是20V ，阴极电位是10V ，则该二极管处于（ ）。

A 、反偏

B 、正偏

C 、零偏

10、当PN 结两端加正向电压时，那么参加导电的是（ ）。

A 、多数载流子

B 、少数载流子

C 、既有多数载流子又有少数载流子

11、如果二极管的正、反向电阻都很小，则该二极管（ ）。

A 、正常

B 、已被击穿

C 、内部断路

12、在单相半波整流电路中，如果负载电流为20A ，则流经整流二极管的电流为（ ）。

A 、9A

B 、10A

C 、20A

13、二极管正向电阻（ ），反向电阻（ ）。

A 、大

B 、小

14、在电源变压器副边电压相同的情况下，半波整流电路输出电压是桥式整流电路的（ ）倍。

A 、2

B 、0.45

C 、0.5

D 、1

15、在单相半波整流电路中，如果电源变压器副边感应电压为50V ，则负载电压将是（ ）。

A 、50V

B 、22.5V

C 、45V

16、在单相全波整流电路中，电源变压器副边电压有效值为E2，则每只整流晶体二极管所承受的最高反向电压为（ ）。

A 、E2

B 、22E

C 、222E

17、当环境温度升高时，半导体的电阻将（ ）。

A 、增大

B 、减小

C 、不变

18、如果二极管的正、反向电阻都很大，则该二极管（ ）。

A 、正常

B 、已被击穿

C 、内部断路

19、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（ ）。

A 、增大

B 、减小

C 、不变

20、在二极管特性的正向导通区，二极管相当于（ ）。

A 、大电阻

B 、接通的开关

C 、断开的开关

三、判断题

1、硅稳压二极管内部也有一个PN 结，但其正向特性同普通二极管一样。（ ）

2、与三极管相比较，场效应晶体管中电流只经过一个相同导电类型的半导体区域，所以场

效应管也称为单极型晶体管。（ ）

3、场效应管和晶体管相比，栅极相当于基极，漏极相当于发射极，源极相当于集电极。（ ）

4、凡是普通三极管可以使用的场合，原则上也可使用场效应器件。（ ）

5、可用万用表测试场效应管的管脚。（ ）

6、场效应管的放大能力不能像晶体管一样，用电流放大系数表示，而是用动态跨导g m 表示

的。（ ）

7、 晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用