功率MOSFET选型的几点经验
mosfet管的选型
mosfet管的选型功率是选择MOSFET管的一个重要考虑因素。
功率是指MOSFET管能够承受的最大功率。
根据具体应用需求，我们需要选择功率适合的MOSFET管。
如果功率过小，可能无法满足电路需求；如果功率过大，可能会浪费资源或导致其他问题。
电压是选择MOSFET管的另一个重要因素。
电压是指MOSFET管能够承受的最大电压。
在选择MOSFET管时，我们需要确保其能够正常工作在所需的电压范围内。
如果电压过高，可能会导致MOSFET管损坏；如果电压过低，可能无法正常工作。
电流也是选择MOSFET管的一个关键参数。
电流是指MOSFET管能够承受的最大电流。
在选择MOSFET管时，我们需要根据所需的电流大小来选择合适的管子。
如果电流过大，可能会导致MOSFET管过载而损坏；如果电流过小，可能无法满足电路的需求。
开关速度也是选择MOSFET管的一个重要考虑因素。
开关速度是指MOSFET管的开关速度，即MOSFET管从开启到关闭或从关闭到开启的时间。
在某些应用中，快速的开关速度是必需的。
因此，在选择MOSFET管时，我们需要根据具体应用需求来选择开关速度适合的管子。
除了上述关键参数外，还有一些其他因素也需要考虑。
例如，温度特性、封装类型、价格等。
温度特性是指MOSFET管在不同温度下的性能表现。
封装类型是指MOSFET管的封装形式，如TO-220、SOT-23等。
价格是指MOSFET管的价格，我们需要根据预算来选择合适的管子。
在选择MOSFET管时，我们可以参考供应商提供的参数表和规格书。
这些文档通常提供了详细的参数信息，帮助我们选取适合的MOSFET 管。
此外，我们还可以咨询专业工程师或在相关技术论坛上寻求帮助。
选择合适的MOSFET管是确保电路正常工作的重要一步。
通过考虑功率、电压、电流、开关速度等关键参数，以及其他因素如温度特性、封装类型、价格等，我们可以选择到适合的MOSFET管，从而提高电路性能和可靠性。
选择最佳MOSFET的方法
选择最佳MOSFET的方法
MOS管现在在很多注重电源性能的便携产品中越来越多用来替代二极管用于同步整流，但是如何选型非常讲究，相信大部分童鞋都不太有底，特别是面对众多供应商、各种产品型号、多种参数，等等。
以英飞凌的低压MOS 管为例，提供的低压mos产品选型excel文件就超过500行(有需要这个文档的留言，可以分享)，看了头大。
这里分享个选择最佳MOSFET的方法的文档。
为方便大家学习参考，列出部分摘要。
同步整流基础知识
要选择最优的MOSFET来实现同步整流，必须充分理解MOSFET的功耗产生机制。
首先，必须区分开随负载而变化的导通损耗与基本保持不变的开关损耗
优化同步整流MOSFET
要优化SR MOSFET的效率，必须找到开关损耗与导通损耗之间的最佳平衡点
应当按何种负载电流优化MOSFET?
要在整个负载范围内实现均衡的效率，必须借助四象限SR器件优化表对MOSFET电流做出合理的选择。
MOSFET选型注意事项及应用实例
MOSFET选型注意事项及应用实例MOSFET的选型基础MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。
在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。
当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。
导通时，电流可经开关从漏极流向源极。
漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS(ON)。
必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总是要在栅极加上一个电压。
如果栅极为悬空，器件将不能按设计意图工作，并可能在不恰当的时刻导通或关闭，导致系统产生潜在的功率损耗。
当源极和栅极间的电压为零时，开关关闭，而电流停止通过器件。
虽然这时器件已经关闭，但仍然有微小电流存在，这称之为漏电流，即IDSS。
作为电气系统中的基本部件，工程师如何根据参数做出正确选择呢？本文将讨论如何通过四步来选择正确的MOSFET。
1）沟道的选择。
为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。
在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。
在低压侧开关中，应采用N 沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。
当MOSFET连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。
通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET，这也是出于对电压驱动的考虑。
2）电压和电流的选择。
额定电压越大，器件的成本就越高。
根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。
这样才能提供足够的保护，使MOSFET不会失效。
就选择MOSFET而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。
设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如电机或变压器)诱发的电压瞬变。
不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220V AC 应用为450～600V。
在连续导通模式下，MOSFET处于稳态，此时电流连续通过器件。
脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。
10步法则教你MOSFET选型
10步法则教你MOSFET选型俗话说“人无远虑必有近忧”，对于电子设计工程师，在项目开始之前，器件选型之初，就要做好充分考虑，选择最适合自己需要的器件，才能保证项目的成功。
功率MOSFET恐怕是工程师们最常用的器件之一了，但你知道吗？关于MOSFET的器件选型要考虑方方面面的因素，小到选N型还是P 型、封装类型，大到MOSFET的耐压、导通电阻等，不同的应用需求千变万化，下面这篇文章总结了MOSFET器件选型的10步法则，相信看完你会大有收获。
1、功率MOSFET选型第一步：P管，还是N管？功率MOSFET有两种类型：N沟道和P沟道，在系统设计的过程中选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择，N沟道MOSFET选择的型号多，成本低；P沟道MOSFET选择的型号较少，成本高。
如果功率MOSFET的S极连接端的电压不是系统的参考地，N沟道就需要浮地供电电源驱动、变压器驱动或自举驱动，驱动电路复杂；P沟道可以直接驱动，驱动简单。
需要考虑N沟道和P沟道的应用主要有：（1）笔记本电脑、台式机和服务器等使用的给CPU和系统散热的风扇，打印机进纸系统电机驱动，吸尘器、空气净化器、电风扇等白家电的电机控制电路，这些系统使用全桥电路结构，每个桥臂上管可以使用P管，也可以使用N管。
（2）通信系统48V输入系统的热插拨MOSFET放在高端，可以使用P管，也可以使用N管。
（3）笔记本电脑输入回路串联的、起防反接和负载开关作用的二个背靠背的功率MOSFET，使用N沟道需要控制芯片内部集成驱动的充电泵，使用P沟道可以直接驱动。
2、选取封装类型功率MOSFET的沟道类型确定后，第二步就要确定封装，封装选取原则有：（1）温升和热设计是选取封装最基本的要求不同的封装尺寸具有不同的热阻和耗散功率，除了考虑系统的散热条件和环境温度，如是否有风冷、散热器的形状和大小限制、环境是否封闭等因素，基本原则就是在保证功率MOSFET的温升和系统效率的前提下，选取参数和封装更通用的功率MOSFET。
如何正确的选择MOSFET
如何正确的选择MOSFET选择正确的MOSFET是非常重要的，因为它直接影响到电路的性能和稳定性。
以下是选择MOSFET的一些重要因素：1.预计的负载电流：首先要确定所需的负载电流。
MOSFET的电流容量决定了它能够支持的最大负载电流。
选择具有足够高电流容量的MOSFET以确保其能够正常工作。
2.最大耗散功率：MOSFET的最大耗散功率决定了它能够承受的最大功率。
在选择MOSFET时，要确保它的最大耗散功率能够满足应用的需求。
3.预计的工作电压：确定所需的工作电压范围。
选择MOSFET时，要确保它的工作电压范围能够满足应用的需求。
此外，还要注意MOSFET的最大击穿电压，以确保它能够在预期的工作电压下正常工作。
4.漏极电流：漏极电流是指在关闭状态下，MOSFET引脚之间的电流。
“关”状态下的漏极电流越低，MOSFET的效率越高。
选择具有低漏极电流的MOSFET有助于减少功耗和发热。
5.开关速度：选择MOSFET时，要根据应用的需求考虑其开关速度。
开关速度由MOSFET的电容和导通电阻决定。
速度较快的MOSFET可用于高频应用，速度较慢的MOSFET可用于低频或开关频率较低的应用。
6.导通电阻：导通电阻是指MOSFET在导通状态下的电阻。
导通电阻越低，MOSFET的效率越高，并且会减少功耗和发热。
选择具有较低导通电阻的MOSFET可提高电路的效率。
7.温度特性：MOSFET的温度特性对其稳定性和可靠性至关重要。
选择具有良好温度特性的MOSFET，以确保其在不同温度下的性能稳定。
8.价格和供应：最后，还要考虑MOSFET的成本和供应问题。
选择经济实惠且易于获得的MOSFET有助于控制成本并保证项目的进展。
在选择MOSFET时，还可以参考供应商的数据手册和规格表，以获取更多详细的技术参数和性能指标。
最好进行测试和验证，以确保所选的MOSFET能够满足预期的性能要求。
mosfet管的选型
mosfet管的选型MOSFET管的选型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的电子元件，广泛应用于各种电路中。
在选择MOSFET管时，我们需要考虑多个因素，以确保电路的性能和稳定性。
本文将介绍一些关键的选型要点和常见的MOSFET参数，帮助读者更好地进行选型决策。
我们需要了解MOSFET的基本工作原理和结构。
MOSFET由源极（S）、漏极（D）和栅极（G）组成。
通过在栅极施加电压，可以控制漏极和源极之间的电流。
MOSFET有两种类型：N沟道MOSFET（N-MOSFET）和P沟道MOSFET（P-MOSFET），其区别在于电荷载流子类型的不同。
在选型过程中，第一个要考虑的因素是MOSFET的工作电压（Vds）。
这是指MOSFET能够承受的最大漏极-源极电压。
选择合适的工作电压范围是至关重要的，以确保MOSFET在实际应用中不会受到过电压的损坏。
第二个要考虑的因素是MOSFET的最大漏极电流（Id）。
这是指MOSFET能够承受的最大漏极电流。
根据实际应用需求，我们需要选择合适的最大漏极电流，以确保MOSFET能够正常工作，并不会因为过大的电流而发生故障。
除了工作电压和最大漏极电流，还有一些其他重要的参数需要考虑。
其中之一是阈值电压（Vth），它是指在栅极和源极之间的电压，MOSFET开始导通的最低电压。
阈值电压的选择将直接影响MOSFET 的导通特性和工作状态。
我们还需要考虑MOSFET的导通电阻（Rds(on)）。
导通电阻是指当MOSFET导通时，漏极和源极之间的电压降。
较低的导通电阻将导致更高的效率和更小的功耗，因此在一些高性能应用中，选择具有较低导通电阻的MOSFET是非常重要的。
除了这些参数，还有一些其他因素也需要考虑，例如开关速度、温度特性、封装类型和价格等。
这些因素根据实际应用需求和预算来决定。
为了确保选型的准确性，我们可以参考厂商提供的数据手册和应用指南。
这些资料通常包含详细的参数表、性能曲线和应用电路，可以帮助我们更好地了解和评估不同型号的MOSFET。
正确选择MOSFET四大要素
正确选择MOSFET四大要素作为电气系统中的基本部件，MOSFET需要工程师深入了解其关键特性及指标，以做出正确选型。
本文讲述正确选择MOSFET的方法，包括确定N/P沟道、确定额定电流、确定热要求、决定开关性能四大步骤，根据RDS（ON）、热性能、雪崩击穿电压及开关性能指标来选择正确的MOSFET。
MOSFET的选择MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。
在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。
当在N沟道MOSFET 的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。
导通时，电流可经开关从漏极流向源极。
漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS（ON）。
必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总是要在栅极加上一个电压。
如果栅极为悬空，器件将不能按设计意图工作，并可能在不恰当的时刻导通或关闭，导致系统产生潜在的功率损耗。
当源极和栅极间的电压为零时，开关关闭，而电流停止通过器件。
虽然这时器件已经关闭，但仍然有微小电流存在，这称之为漏电流，即IDSS。
第一步：选用N沟道还是P沟道为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。
在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。
在低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。
当MOSFET连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。
通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET，这也是出于对电压驱动的考虑。
要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。
下一步是确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。
额定电压越大，器件的成本就越高。
根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。
这样才能提供足够的保护，使MOSFET不会失效。
就选择MOSFET 而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。
知道MOSFET能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。
功率MOSFET选型的几点经验
首页招聘品牌会议视频专题TI专区论坛博客ttyyan12的博客|选择去向管理中心简历管理商务管理招聘管理论坛博客电源币|通知论坛通知 [4]博客通知|站内信|电源币[0]|退出zjhuang的博客/people/377112首页博文微博相册收藏关于我关注的人留言板帖子TA的TA的帖子TA的收藏关于 TATA关注的人zjhuang的博文功率MOSFET选型的几点经验 (2010-02-27 01:10) 分类： MOSFET应用功率MOSFET选型的几点经验使用功率MOSFET 也有两年多时间了，这方面的技术文章看了不少，但实际应用选型方面的文章不是很多。
在此，根据学到的理论知识和实际经验，和广大同行一起分享、探讨交流下功率MOSFET的选型。
由于相应理论技术文章有很多介绍MOSFET 参数和性能的，这里不作赘述，只对实际选型用图解和简单公式作简单通俗的讲解。
另外，这里的功率MOSFET 应用选型为功率开关应用，对于功率放大应用不一定适用。
不正之处，希望大家不吝指正。
功率MOSFET的分类及优缺点和小功率MOSFET 类似，功率MOSFET 也有分为N 沟道和P 沟道两大类；每个大类又分为增强型和耗尽型两种。
虽然耗尽型较之增强型有不少的优势（请查阅资料，不详述），但实际上大部分功率MOSFET都是增强型的。
（可能因为实际的制作工艺无法达到理论要求吧，看来理论总是跟实际有差距的，哈哈）MOSFET 是电压控制型器件，三极管是电流控制型器件，这里说的优缺点当然是要跟功率三极管(GTR)来做比较的：优点—开关速度快、输入阻抗高、驱动方便等；缺点—难以制成高电压、大电流型器件，这是因为耐压高的功率MOSFET的通态电阻较大的缘故。
言归正传，下面来看看具体如何选型—功率MOSFET的选型1. 我的应用该选择哪种类型的MOSFET？前面说了，实际应用主要使用增强型功率MOSFET，但到底该选择N 沟道的还是P沟道的呢？如果你对这个问题有疑问，下面的图和注释会让你一目了然！a) N 沟道MOSFET b) P沟道MOSFET负载（Load）的连接方式决定了所选MOSFET 的类型，这是出于对驱动电压的考虑。
选择MOSFET的技巧
选择MOSFET的技巧鉴于MOSFET技术的成熟，为设计选择一款MOSFET表面上看是十分简单的事情。
虽然工程师都熟谙MOSFET数据手册上的品质因数，但为了选择出合适的MOSFET，工程师必需利用自己的专业知识对各个具体应用的不同规格进行全面仔细的考虑。
例如，对于服务器电源中的负载开关这类应用，由于MOSFET基本上一直都是处于导通状态，故MOSFET的开关特性无关紧要，而导通阻抗(RDS(ON))却可能是这种应用的关键品质因数。
然而，仍然有一些应用，比如开关电源，把MOSFET用作有源开关，因此工程师必须评估其它的MOSFET性能参数。
下面让我们考虑一些应用及其MOSFET规格参数的优先顺序。
MOSFET最常见的应用可能是电源中的开关元件，此外，它们对电源输出也大有裨益。
服务器和通信设备等应用一般都配置有多个并行电源，以支持N+1 冗余与持续工作(图 1)。
各并行电源平均分担负载，确保系统即使在一个电源出现故障的情况下仍然能够继续工作。
不过，这种架构还需要一种方法把并行电源的输出连接在一起，并保证某个电源的故障不会影响到其它的电源。
在每个电源的输出端，有一个功率MOSFET可以让众电源分担负载，同时各电源又彼此隔离。
起这种作用的MOSFET 被称为"ORing"FET，因为它们本质上是以 "OR" 逻辑来连接多个电源的输出。
图1：用于针对N+1冗余拓扑的并行电源控制的MOSFET。
在ORing FET应用中，MOSFET的作用是开关器件，但是由于服务器类应用中电源不间断工作，这个开关实际上始终处于导通状态。
其开关功能只发挥在启动和关断，以及电源出现故障之时。
相比从事以开关为核心应用的设计人员，ORing FET应用设计人员显然必需关注MOSFET的不同特性。
以服务器为例，在正常工作期间，MOSFET只相当于一个导体。
因此，ORing FET应用设计人员最关心的是最小传导损耗。
MOSFET选型经验
功率MOSFET选型的几点经验作者：Hugo Yu使用功率MOSFET也有两年多时间了，这方面的技术文章看了不少，但实际应用选型方面的文章不是很多。
在此，根据学到的理论知识和实际经验，和广大同行一起分享、探讨交流下功率MOSFET的选型。
由于相应理论技术文章有很多介绍MOSFET参数和性能的，这里不作赘述，只对实际选型用图解和简单公式作简单通俗的讲解。
另外，这里的功率MOSFET应用选型为功率开关应用，对于功率放大应用不一定适用。
不正之处，希望大家不吝指正。
功率MOSFET的分类及优缺点和小功率MOSFET类似，功率MOSFET也有分为N沟道和P沟道两大类；每个大类又分为增强型和耗尽型两种。
虽然耗尽型较之增强型有不少的优势（请查阅资料，不详述），但实际上大部分功率MOSFET都是增强型的。
（可能因为实际的制作工艺无法达到理论要求吧，看来理论总是跟实际有差距的，哈哈）MOSFET是电压控制型器件，三极管是电流控制型器件，这里说的优缺点当然是要跟功率三极管(GTR)来做比较的：优点—开关速度快、输入阻抗高、驱动方便等；缺点—难以制成高电压、大电流型器件，这是因为耐压高的功率MOSFET的通态电阻较大的缘故。
言归正传，下面来看看具体如何选型—功率MOSFET的选型1. 我的应用该选择哪种类型的MOSFET？前面说了，实际应用主要使用增强型功率MOSFET，但到底该选择N沟道的还是P沟道的呢？如果你对这个问题有疑问，下面的图和注释会让你一目了然！a) N沟道MOSFET b) P沟道MOSFET负载（Load）的连接方式决定了所选MOSFET的类型，这是出于对驱动电压的考虑。
当负载接地时，采用P沟道MOSFET；当负载连接电源电压时，选择N沟道MOSFET。
2. 确定额定电压与额定电流选好MOSFET的类型后，接下来要做的是确定在你的设计中，漏极和源级间可能承受的最大电压，即最大V DS 。
MOSFET能承受的最大电压会随温度变化，这是我们工程师在设计时必须考虑到的，必须在整个可能工作温度范围内测试电压变化范围。
功率 MOSFET 的选择原则与步骤
功率 MOSFET 的选择原则与步骤
（1）：选择原则
（A）：根据电源规格，合理选择 MOSFET 器件（见下表）： （B）：选择时，如工作电流较大，则在相同的器件额定参数下，
-- 应尽可能选择正向导通电阻小的 MOSFET； -- 应尽可能选择结电容小的 MOSFET。
器件的Vds 20~30V 50~60V
－－ 48V 输入的大功率通信 DC/DC； －－ 110V,220V输 入 的 通 信 AC/DC； －－ 220V 输入的计算机电源等；
（2）：选择步骤
（A）：根据电源规格，计算所选变换器中 MOSFET 的稳态参数： -- 正向阻断电压最大值； -- 最大的正向电流有效值；
（B）：从器件商的 DATASHEET 中选择合适的 MOSFET，可多选一些以便实验时比较； （C）：从所选的 MOSFET 的其它参数，如正向通态电阻，结电容等等，估算其工作时的最大损
器件的 Ids 10~50A 10~100A
器件的应用领域
非隔离DC/DC变换器（ 12V输 入 ） － － 汽 车 电 子 （12V 输入）； －－ 48V 输 入 的 Biblioteka 功 率 通 信 D C/ D C；
100~200V 250~500V 800~900V
10~50A 10~50A <10A
MOS管选型指南
MOS管选型指南MOSFET，即金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种常用的功率开关器件。
其结构简单，能够在低电压下工作，并具有高开关速度和低开关损耗等优点。
因此，MOSFET广泛应用于电力电子、汽车电子、工业控制和通信设备等领域。
在选择MOSFET时，需要考虑以下几个方面：1.电压与电流要求：首先，需要确定所需工作电压和电流范围。
根据应用的不同，MOSFET的电压和电流要求可能有所不同。
例如，电力电子领域通常需要承受较高的电压和电流，而通信设备领域则可能对电压和电流有较严格的限制。
2.耗散功率：MOSFET的耗散功率也是选择的重要考虑因素之一、当MOSFET处于导通状态时，其内部会产生一定的功耗，这会导致器件发热。
当功耗过大时，需要采取散热措施或选择功耗较低的器件。
3.开关速度：开关速度是指MOSFET从导通到截止（或相反）的时间。
一般来说，开关速度较快的MOSFET能够更快地响应控制信号，实现高频开关。
对于一些高频开关电路，如无线通信设备中的射频开关，开关速度要求较高。
4.RDS(ON)：RDS(ON)是MOSFET的导通电阻。
导通电阻越小，MOSFET的开关损耗就越小，并且能够更好地导通高电流。
因此，在选择MOSFET 时，需要根据应用的要求选择合适的RDS(ON)。
5.均衡特性：MOSFET的均衡特性是指在不同工况下，如温度、电压和电流等，其关键参数是否保持稳定。
一些高可靠性应用，如航空航天和军事领域，对器件的均衡特性要求较高。
6.可靠性：MOSFET的可靠性与其设计、制造和封装质量有关。
在选择MOSFET时，建议选择来自知名厂商的产品，并确保符合行业标准和认证要求。
此外，了解厂商的质量控制和售后服务也是必要的。
7.价格和供应链：价格和供应链也是考虑因素之一、选择合理的价格范围，并确保能够获得稳定的供应，以避免因材料短缺或停产等问题导致生产或维修困难。
总之，选型MOSFET需要综合考虑电压和电流要求、耗散功率、开关速度、RDS(ON)、均衡特性、可靠性、价格和供应链等因素。
mosfet 选型注意事项
mosfet 选型注意事项
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的功率开关器件，选型时需要考虑以下几个注意事项：
1. 额定电压（Vds）：根据实际工作电压要求选择合适的MOSFET。
额定电压应略大于实际工作电压，以确保稳定性和可靠性。
2. 最大漏极电流（Id）：根据应用中的最大负载电流需求选择MOSFET。
确保所选器件的最大漏极电流能够满足工作条件下的要求。
3. 开关速度（开关时间和关断时间）：开关速度与开关特性有关，一般由电荷注入和排除时间决定。
根据应用的频率和需求，选择合适的开关速度。
高频应用通常需要更快的开关速度。
4. 导通电阻（Rds(on)）：导通电阻是指MOSFET在导通状态下的电阻，直接影响功耗和效率。
较低的导通电阻意味着更小的功耗和更高的效率，因此选择较低的导通电阻更为理想。
5. 耐压能力：MOSFET的耐压能力决定了其在高压环境下的可靠性和稳定性。
根据实际工作电压需求选择合适的耐压能力。
6. 温度特性：MOSFET在高温环境下会产生热量，因此需要考虑器件的温度特性以及散热措施。
确保所选MOSFET
具有良好的温度特性，并能够在实际工作条件下稳定工作。
7. 附加特性：根据应用需求，可能还需要考虑其他附加特性，如阻尼比、静态工作点等。
根据具体应用场景，选择适合的附加特性。
最后，为了确保选型准确，建议参考器件的数据手册和规格书，以获得更详细和专业的信息。
MOSFET的选型
Poff_on=
fs
×∫
V (t) Tx DS(off_on)
×
I (t) D(off_on)S
×
dt
实际计算中主要有两种假设 — 图 (A) 那种假设认为 V (t) DS(off_on) 的开始下降与 I (t) DS(off_on) 的逐渐上升同时发 生；图 (B) 那种假设认为 V (t) DS(off_on) 的下降是从 I (t) DS(off_on) 上升到最大值后才开始。图 (C) 是 FLYBACK 架 构路中一 MOSFET 实际测试到的波形，其更接近于 (A) 类 假设。针对这两种假设延伸出两种计算公式：
建议初选之基本步骤：
下面详细解释其中各参数选择之原则及注意事项。 1 ）电压应力：
在电源电路应用中，往往首先考虑漏源电压 VDS 的选择。在此上的基本原则为 MOSFET 实际工作环境中的最大峰值漏源极间的电压不大于器件规格书中标称漏源击穿电压的 90% 。即：
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SAMWIN
Semiconductors
VDS_peak ≤ 90% * V(BR)DSS
SW 04-3-01 V1.01
注：一般地， V(BR)DSS 具有正温度系数。故应取设备最低工作温度条件下之 V(BR)DSS 值作 为参考。
2） 漏极电流：
其次考虑漏极电流的选择。基本原则为 MOSFET 实际工作环境中的最大周期漏极电流 不大于规格书中标称最大漏源电流的 90% ；漏极脉冲电流峰值不大于规格书中标称漏极 脉冲电流峰值的 90% 即： ID_max ≤ 90% * I D
6） 耗散功率约束：
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SAMWIN
Semiconductors
MOSFET选型经验分享：经典案例教你10步法
MOSFET选型经验分享：经典案例教你10步法俗话说“人无远虑必有近忧”，对于电子设计工程师，在项目开始之前，器件选型之初，就要做好充分考虑，选择最适合自己需要的器件，才能保证项目的成功。
功率MOSFET恐怕是工程师们最常用的器件之一了，但你知道吗？关于MOSFET的器件选型要考虑方方面面的因素，小到选N型还是P型、封装类型，大到MOSFET的耐压、导通电阻等，不同的应用需求千变万化，下面这篇文章总结了MOSFET器件选型的10步法则，相信看完你会大有收获。
1、功率MOSFET选型第一步：P管，还是N管？功率MOSFET有两种类型：N沟道和P沟道，在系统设计的过程中选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择，N沟道MOSFET选择的型号多，成本低；P沟道MOSFET 选择的型号较少，成本高。
如果功率MOSFET的S极连接端的电压不是系统的参考地，N 沟道就需要浮地供电电源驱动、变压器驱动或自举驱动，驱动电路复杂；P沟道可以直接驱动，驱动简单。
需要考虑N沟道和P沟道的应用主要有：（1）笔记本电脑、台式机和服务器等使用的给CPU和系统散热的风扇，打印机进纸系统电机驱动，吸尘器、空气净化器、电风扇等白家电的电机控制电路，这些系统使用全桥电路结构，每个桥臂上管可以使用P管，也可以使用N管。
（2）通信系统48V输入系统的热插拨MOSFET放在高端，可以使用P管，也可以使用N 管。
（3）笔记本电脑输入回路串联的、起防反接和负载开关作用的二个背靠背的功率MOSFET，使用N沟道需要控制芯片内部集成驱动的充电泵，使用P沟道可以直接驱动。
2、选取封装类型功率MOSFET的沟道类型确定后，第二步就要确定封装，封装选取原则有：（1）温升和热设计是选取封装最基本的要求不同的封装尺寸具有不同的热阻和耗散功率，除了考虑系统的散热条件和环境温度，如是。
mosfet驱动变压器 选型原则
mosfet驱动变压器选型原则全文共四篇示例，供读者参考第一篇示例：MOSFET驱动变压器是现代电子设备中常见的元器件之一，它主要用于控制电力的变换和传输。
在选择合适的MOSFET驱动变压器时，有一些重要的选型原则需要考虑，以确保电路稳定可靠、性能优良。
本文将详细介绍MOSFET驱动变压器的选型原则，帮助读者更好地了解和选择适合自己需求的变压器。
一、电路需求分析在选择MOSFET驱动变压器之前，首先需要对电路的需求进行充分的分析。
包括输出功率、输入电压、输出电压、频率等参数的需求。
通过分析电路的需求，可以确定所需要的变压器的性能指标，为后续的选型提供依据。
二、工作环境考虑MOSFET驱动变压器在工作时会受到温度、湿度等环境因素的影响，因此需要考虑工作环境对变压器的影响。
一般来说，工作环境温度越高，变压器的功率损耗越大，因此需要选择适合高温环境下工作的变压器。
三、电压容忍度在选择MOSFET驱动变压器时，还需要考虑其电压容忍度。
即变压器能够承受的最大电压。
需要根据电路输入输出的电压范围来选择合适的变压器，以避免电压过高导致变压器损坏。
四、响应速度MOSFET驱动变压器的响应速度对电路的稳定性和性能有很大影响，因此在选型时需要考虑变压器的响应速度。
一般来说，响应速度越快，电路的响应时间越短，但也可能导致电路的不稳定性。
五、脉冲宽度调制脉冲宽度调制（PWM）是现代电子设备中常用的调制技术，能够有效控制电路输出功率。
在选择MOSFET驱动变压器时，需要考虑其支持PWM技术的能力，以确保电路正常工作。
六、尺寸和重量还需要考虑MOSFET驱动变压器的尺寸和重量。
一般来说，尺寸越小、重量越轻的变压器在实际应用中更加方便，能够节省空间和降低成本。
选择MOSFET驱动变压器的选型原则包括电路需求分析、工作环境考虑、电压容忍度、响应速度、脉冲宽度调制以及尺寸和重量等方面。
通过综合考虑这些因素，可以选择出适合自己需求的MOSFET驱动变压器，确保电路的稳定性、性能和可靠性。
MOSFET选取办法
MOSFET选取办法1、选择要点：在电子镇流器和开关电源中常选择N沟道增强型器件。
主要考虑三个参数：漏极与源极之间的击穿电压BVdss、连续漏极电流Id、导通态电阻Rds。
Rds会随着BVdss增加和Id减少而增大,其值越小越好。
在电路中没有PFC电路，BVdss取值≥400V即可，如果有PFC电路，BVdss取值通常为500～600V。
在导通时，栅极信号应能迅速达到导通电平；关断时驱动电压应很快降到Ugs门限以下，使沟道电阻Rch很快从0变化到∞，否则会增加关断损耗。
驱动要求如下：驱动电路延迟时间要短，驱动电路峰值电流要大，栅极电压变化率dU/dt要大。
2、驱动设计要点：2.1在栅极串联电阻（R5、R9）防止发生寄生振荡，在栅极与地之间并接电阻(R4、R10)可加速场效应管关断，采用全隔离驱动效果最好。
2.2在使用场效应管时, 要注意漏源电压、漏源电流及耗散功率等, 不要超过规定的最大允许值。
3、mos管主要参数1）夹断电压U GS（off）或开启电压U GS（th）2）饱和漏极电流I DSS3）漏源击穿电压U（BR）DS4) 栅源击穿电压U（BR）GS5）直流输入电阻R GS6）最大耗散功率P DM7）跨导gm3.1 耗散功率PD：MOS管所能承受的最大功耗，超过此功耗值，MOS管可能因发热厉害而烧坏，导致功能性损坏。
此项参数的确定要综合考虑漏极电流ID和RDS(on)两项参数。
因为PD=ID*ID* RDS(on)。
MOS管或者IGBT,我们统称全控开关器件,其功耗分4部分：导通损耗,截止损耗,开关损耗,驱动损耗。
对于截止损耗和驱动损耗来说,可忽略不记。
⑴、分析其导通损耗,基本上由导通时前向电压和有效电流决定,我们可通过导通时候的电压电流来知道,电流可通过我们实际电路大致计算可得,电压可查其对应电流的DATASHEET。
⑵、分析其开关损耗,其中又分开通损耗和关断损耗,可通过电流大小(计算得知)、驱动电阻(实际电路)、驱动电压(实际电路)、CE/DS电压(实际电路)这些变量,查寻DATASHEET计算,我们一般在开发初期要先确定大致的损耗范围。
功率MOSFET选型第一步：P管，还是N管？
功率MOSFET选型第一步：P管，还是N管？功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。
下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选择的原则。
1、N沟通和P沟道功率MOSFET结构图1列出这二种沟道功率MOSFET的结构，都是沟槽型Trench 结构。
从结构上来看，衬底都是漏极D，但半导体的类型不同：N沟道的漏极是N型半导体，P沟道的漏极是P型半导体。
当N沟道的功率MOSFET的G极、S极加上正向电压后，在G极的下面的P型体区，就会形成一个非常薄的反型层N型，这样D极的N、反型层N、S极的N，就会形成导通的路径。
图1：N沟道(左）、P沟道MOSFET结构P沟道的工作原理和N沟道类似，从上面导通过程可以看到：功率MOSFET是单极性器，N沟道的功率MOSFET只有电子导电，P沟道的功率MOSFET只有空穴导电。
硅半导体中，由于热能的存在，电子和空穴，统称为载流子，在晶格中不停的运动，与晶格的其它原子发生碰撞，使它们的运动发生偏转、减速或加速。
电子和空穴二次碰撞间移动的距离称为平均自由程，通常用二次晶格碰撞的平均时间tc表示。
另外，电子和空穴，在电场的作用下，沿着特征的方向产生运动，这种运动称为载流子的漂移。
载流子由于电场的作用在晶格中平均移动的速度称为漂移速度。
载流子的漂移速度和电场成正比，比例系数称为迁移率u。
vn = -un evp = up e图2：空穴和电子的迁移率迁移率和tc成正比，由于空穴的有效质量比较大，因此在同样的掺杂浓度下，空穴的迁移率远小于电子，这意味着：同样的晶元面积，P沟道的功率MOSFET的导通电阻也远大于N沟道的功率MOSFET。
2、N沟通和P沟道功率MOSFET驱动N沟道的功率MOSFET连接方式：电源输入正极连接到D极，由S极输出；驱动电压的正加在G极，驱动电压的负加在S极。
P沟道的功率MOSFET连接方式：电源输入正极连接到S极，由D极输出；驱动电压的正加在S极，驱动电压的负加在G极。
mosfet参数选择方法
MOSFET参数选择方法概述金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）是一种常用的电子元件，在电路设计中起着重要的作用。
正确选择MOSFET参数对于电路的性能和稳定性至关重要。
本文将介绍MOSFET参数的选择方法，包括根据应用需求选择工作电流、电压和功率以及根据数据手册选择合适的MOSFET型号。
MOSFET参数MOSFET的主要参数包括工作电流、电压和功率。
这些参数决定了MOSFET的工作能力和适用范围。
工作电流工作电流是指MOSFET在正常工作状态下通过的电流。
工作电流的选择应基于所需的功率和电压。
一般来说，工作电流应小于MOSFET的额定电流，以确保器件的可靠性和寿命。
电压电压是指MOSFET所能承受的最大电压。
在选择MOSFET时，应考虑所需的电压范围以及系统的安全裕度。
如果电压超过MOSFET的额定值，可能会导致器件损坏或不稳定。
功率功率是指MOSFET能够处理的最大功率。
功率的选择应基于所需的负载功率和系统的安全裕度。
如果功率超过MOSFET的额定值，可能会导致器件过热或损坏。
MOSFET型号选择选择合适的MOSFET型号是保证电路性能和可靠性的关键。
在选择MOSFET型号时，可以参考以下几个方面：数据手册首先，需要查阅MOSFET的数据手册。
数据手册提供了MOSFET的详细参数和特性曲线。
通过仔细阅读数据手册，可以了解MOSFET的工作范围、特性和限制。
参数匹配根据应用需求，选择与所需参数匹配的MOSFET型号。
例如，如果需要承受较高电压的MOSFET，应选择额定电压较高的型号。
如果需要处理较大功率的MOSFET，应选择额定功率较高的型号。
温度特性考虑MOSFET的温度特性也是很重要的。
在高温环境下，MOSFET的性能可能会受到影响。
因此，选择具有良好温度特性的MOSFET型号可以提高系统的稳定性和可靠性。
成本和供应最后，还需要考虑MOSFET的成本和供应情况。
选择成本适中且易于获得的型号可以降低成本和风险。
如何选择合适的场效应管
如何选择合适的场效应管场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种常见的电子元件，广泛应用于电子电路中。
正确选择适合的场效应管对于电路的性能和稳定性都至关重要。
本文将介绍如何选择合适的场效应管，从参数、工作模式和特性三个方面进行论述。
一、参数选择在选择场效应管时，需要关注以下几个参数：1.1 极型（N沟道型或P沟道型）：根据设计电路的要求，选择相应的极型，确保其与其他元件的兼容性。
1.2 管子电流（ID）：根据需要的电流大小选择合适的ID，应留有一定的余量，以确保场效应管在工作时能够正常输出所需电流。
1.3 管子电压（VDSS）：根据电路工作电压范围选择适合的VDSS，以确保管子能够承受所需电压，不会超过其耐压范围。
1.4 管子功率（P）：根据电路的功率需求选择合适的功率范围，确保管子能够稳定工作，不会过载损坏。
1.5 上下限温度（TJmax和TJmin）：根据所在环境的温度情况选择合适的温度范围，确保场效应管在正常温度下工作。
二、工作模式选择根据不同的应用场景和电路需求，场效应管可以工作在三种不同的模式下：共源（Source Follower）模式、共栅（Common Gate）模式和共漏（Common Drain）模式。
2.1 共源模式：场效应管的源极接地，负载器连接在漏极，适用于输出电流较大的情况。
2.2 共栅模式：场效应管的栅极接地，负载器连接在漏极，适用于增益较大、频率较低的情况。
2.3 共漏模式：场效应管的漏极接地，负载器连接在源极，适用于输入电阻较高、输出电阻较低的情况。
根据具体的电路要求，选择合适的工作模式，以获得更好的电路性能。
三、特性选择在选择场效应管时，还需要考虑以下几个特性：3.1 漏极电流与栅极电压之间的关系（ID-VGS特性曲线）：通过分析ID-VGS特性曲线，可以了解管子的放大倍数和饱和区的电流情况，以判断是否符合电路要求。
3.2 漏极电流与漏源电压之间的关系（ID-VDS特性曲线）：通过分析ID-VDS特性曲线，可以了解管子在不同漏源电压下的工作情况，以判断是否符合电路要求。
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功率MOSFET选型的几点经验作者：Hugo Yu使用功率MOSFET也有两年多时间了，这方面的技术文章看了不少，但实际应用选型方面的文章不是很多。
在此，根据学到的理论知识和实际经验，和广大同行一起分享、探讨交流下功率MOSFET的选型。
由于相应理论技术文章有很多介绍MOSFET参数和性能的，这里不作赘述，只对实际选型用图解和简单公式作简单通俗的讲解。
另外，这里的功率MOSFET应用选型为功率开关应用，对于功率放大应用不一定适用。
不正之处，希望大家不吝指正。
功率MOSFET的分类及优缺点和小功率MOSFET类似，功率MOSFET也有分为N沟道和P沟道两大类；每个大类又分为增强型和耗尽型两种。
虽然耗尽型较之增强型有不少的优势（请查阅资料，不详述），但实际上大部分功率MOSFET都是增强型的。
（可能因为实际的制作工艺无法达到理论要求吧，看来理论总是跟实际有差距的，哈哈）MOSFET是电压控制型器件，三极管是电流控制型器件，这里说的优缺点当然是要跟功率三极管(GTR)来做比较的：优点—开关速度快、输入阻抗高、驱动方便等；缺点—难以制成高电压、大电流型器件，这是因为耐压高的功率MOSFET的通态电阻较大的缘故。
言归正传，下面来看看具体如何选型—功率MOSFET的选型1. 我的应用该选择哪种类型的MOSFET？前面说了，实际应用主要使用增强型功率MOSFET，但到底该选择N沟道的还是P沟道的呢？如果你对这个问题有疑问，下面的图和注释会让你一目了然！a) N沟道MOSFET b) P沟道MOSFET负载（Load）的连接方式决定了所选MOSFET的类型，这是出于对驱动电压的考虑。
当负载接地时，采用P沟道MOSFET；当负载连接电源电压时，选择N沟道MOSFET。
2. 确定额定电压与额定电流选好MOSFET的类型后，接下来要做的是确定在你的设计中，漏极和源级间可能承受的最大电压，即最大V DS 。
MOSFET能承受的最大电压会随温度变化，这是我们工程师在设计时必须考虑到的，必须在整个可能工作温度范围内测试电压变化范围。
接下来，说点实际的—MOSFET在关断瞬间，会承受到最大的电压冲击，这个最大电压跟负载有很大关系：如果是阻性负载，那就是来自V CC端的电压，但还需要考虑电源本身的质量，如果电源质量不佳，需要在前级加些必要的保护措施；如果是感性负载，那承受的电压会大不少，因为电感在关断瞬间会产生感生电动势（电磁感应定律），其方向与V CC方向相同（楞次定律），承受的最大电压为V CC与感生电动势之和；如果是变压器负载的话，在感性负载基础上还需要再加上漏感引起的感应电动势。
对于以上几种负载情况，在计算出（或测出）最大电压后，再留有20%~30%的裕量，就可以确定所需要的MOSFET的额定电压V DS值。
在这里需要说的是，为了更好的成本和更稳定的性能，可以选择在感性负载上并联续流二极管与电感在关断时构成续流回路，释放掉感生能量来保护MOSFET，如果必要，还可以再加上RC缓冲电路（Snubber）来抑制电压尖峰。
（注意二极管方向不要接反。
当然，你也可以直接选择V DS足够大的MOSFET，前提是你不care成本。
）额定电压确定后，电流就可以计算出来了。
但这里需要考虑两个参数：一个是连续工作电流值和脉冲电流尖峰值（Spike和Surge），这两个参数决定你应该选多大的额定电流值。
3. 导通电阻R DS对于散热需求的意义选好了MOSFET的类型和额定电压电流后，并不意味着你就已经选好了MOSFET。
告诉你，没这么简单！对于做工程的工程师来说，设计是要做成最后的产品的，而产品有外壳或者封装，这必然对器件有空间要求。
如果你有足够的空间来安装足够满足需求的散热装置，OK，那你已经可以定型你要的MOSFET了！但情况往往不是你想要的，你的产品也许外形非常小，或者你的产品外形非常薄，压根就不允许你安装额外的散热片，这时候怎么选MOSFET呢？这就是我下面要说的两种情况了—a)允许在器件（贴片）下覆较大面积的铜，这就是所谓的PCB散热了，那么就要根据面积计算该PCB散热片的热阻（器件供应商一般会提供单位面积PCB散热片的热阻参数），然后再计算器件总的热阻。
b)不允许在贴片器件下铺设大面积的覆铜，那热阻就是器件本身的热阻了：RθJC+RθJC，这种情况下的热阻是三种情况中最大的。
得到了热阻值之后，再根据你的系统具体工作温度情况计算出器件的总功耗。
然后可以估算出MOSFET的R DS值。
（关于热阻和功耗的具体理论和计算在我的另一篇博文《功率电子电路布局布线及散热处理》中有详细介绍。
）下面来具体讲讲如何根据功耗来估算R DS值--在《功率…》一文中讲过，功率器件的导通损耗和开关损耗构成了器件的总功耗。
对于MOSFET来说，由于开关速度快，在估算时可以近似认为导通损耗为主要损耗。
这样用总功耗除以工作电流的平方得到R DS。
R DS≈P/I2LOAD当然，导通电阻值也是需要留有一定裕量的，因为这是近似计算的结果。
这里计算需要考虑的情况是，导通电阻值是随温度而变化的（可选最大值作选择依据），而且也会受V GS影响（V GS越大，R DS越小），设计时要根据系统实际情况设定V GS值。
开关损耗其实也是一个很重要的指标，一定程度上决定了器件的开关性能。
不过，这里没必要进行复杂的计算，如果系统对开关性能要求比较高，可以选择栅极电荷Q G比较小的功率MOSFET。
总结讲了这么多，自己也有点头大了，估计大家跟我也差不多。
不想总结文章里的内容了，就说两句实在的吧：电子工程师存在的意义和价值并不只是把客户所需要的功能用电路来实现，而是花更少的成本来设计电路去满足客户相同的功能和性能！这也是前面长篇累牍总结如何合理选型的意义所在！功率MOSFET选型的几点经验作者：Hugo Yu使用功率MOSFET也有两年多时间了，这方面的技术文章看了不少，但实际应用选型方面的文章不是很多。
在此，根据学到的理论知识和实际经验，和广大同行一起分享、探讨交流下功率MOSFET的选型。
由于相应理论技术文章有很多介绍MOSFET参数和性能的，这里不作赘述，只对实际选型用图解和简单公式作简单通俗的讲解。
另外，这里的功率MOSFET应用选型为功率开关应用，对于功率放大应用不一定适用。
不正之处，希望大家不吝指正。
功率MOSFET的分类及优缺点和小功率MOSFET类似，功率MOSFET也有分为N沟道和P沟道两大类；每个大类又分为增强型和耗尽型两种。
虽然耗尽型较之增强型有不少的优势（请查阅资料，不详述），但实际上大部分功率MOSFET都是增强型的。
（可能因为实际的制作工艺无法达到理论要求吧，看来理论总是跟实际有差距的，哈哈）MOSFET是电压控制型器件，三极管是电流控制型器件，这里说的优缺点当然是要跟功率三极管(GTR)来做比较的：优点—开关速度快、输入阻抗高、驱动方便等；缺点—难以制成高电压、大电流型器件，这是因为耐压高的功率MOSFET的通态电阻较大的缘故。
言归正传，下面来看看具体如何选型—功率MOSFET的选型1. 我的应用该选择哪种类型的MOSFET？前面说了，实际应用主要使用增强型功率MOSFET，但到底该选择N沟道的还是P沟道的呢？如果你对这个问题有疑问，下面的图和注释会让你一目了然！a) N沟道MOSFET b) P沟道MOSFET负载（Load）的连接方式决定了所选MOSFET的类型，这是出于对驱动电压的考虑。
当负载接地时，采用P沟道MOSFET；当负载连接电源电压时，选择N沟道MOSFET。
2. 确定额定电压与额定电流选好MOSFET的类型后，接下来要做的是确定在你的设计中，漏极和源级间可能承受的最大电压，即最大V DS 。
MOSFET能承受的最大电压会随温度变化，这是我们工程师在设计时必须考虑到的，必须在整个可能工作温度范围内测试电压变化范围。
接下来，说点实际的—MOSFET在关断瞬间，会承受到最大的电压冲击，这个最大电压跟负载有很大关系：如果是阻性负载，那就是来自V CC端的电压，但还需要考虑电源本身的质量，如果电源质量不佳，需要在前级加些必要的保护措施；如果是感性负载，那承受的电压会大不少，因为电感在关断瞬间会产生感生电动势（电磁感应定律），其方向与V CC方向相同（楞次定律），承受的最大电压为V CC与感生电动势之和；如果是变压器负载的话，在感性负载基础上还需要再加上漏感引起的感应电动势。
对于以上几种负载情况，在计算出（或测出）最大电压后，再留有20%~30%的裕量，就可以确定所需要的MOSFET的额定电压V DS值。
在这里需要说的是，为了更好的成本和更稳定的性能，可以选择在感性负载上并联续流二极管与电感在关断时构成续流回路，释放掉感生能量来保护MOSFET，如果必要，还可以再加上RC缓冲电路（Snubber）来抑制电压尖峰。
（注意二极管方向不要接反。
当然，你也可以直接选择V DS足够大的MOSFET，前提是你不care成本。
）额定电压确定后，电流就可以计算出来了。
但这里需要考虑两个参数：一个是连续工作电流值和脉冲电流尖峰值（Spike和Surge），这两个参数决定你应该选多大的额定电流值。
3. 导通电阻R DS对于散热需求的意义选好了MOSFET的类型和额定电压电流后，并不意味着你就已经选好了MOSFET。
告诉你，没这么简单！对于做工程的工程师来说，设计是要做成最后的产品的，而产品有外壳或者封装，这必然对器件有空间要求。
如果你有足够的空间来安装足够满足需求的散热装置，OK，那你已经可以定型你要的MOSFET了！但情况往往不是你想要的，你的产品也许外形非常小，或者你的产品外形非常薄，压根就不允许你安装额外的散热片，这时候怎么选MOSFET呢？这就是我下面要说的两种情况了—a)允许在器件（贴片）下覆较大面积的铜，这就是所谓的PCB散热了，那么就要根据面积计算该PCB散热片的热阻（器件供应商一般会提供单位面积PCB散热片的热阻参数），然后再计算器件总的热阻。
b)不允许在贴片器件下铺设大面积的覆铜，那热阻就是器件本身的热阻了：RθJC+RθJC，这种情况下的热阻是三种情况中最大的。
得到了热阻值之后，再根据你的系统具体工作温度情况计算出器件的总功耗。
然后可以估算出MOSFET的R DS值。
（关于热阻和功耗的具体理论和计算在我的另一篇博文《功率电子电路布局布线及散热处理》中有详细介绍。
）下面来具体讲讲如何根据功耗来估算R DS值--在《功率…》一文中讲过，功率器件的导通损耗和开关损耗构成了器件的总功耗。
对于MOSFET来说，由于开关速度快，在估算时可以近似认为导通损耗为主要损耗。
这样用总功耗除以工作电流的平方得到R DS。