常用低压MOS管选型
MOS功率与选型
品牌：美国的IR，型号前缀IRF；日本的TOSHIBA；NXP，ST（意法），NS（国半），UTC，仙童，Vishay。
MOS管选型指南.xls关于MOS选型第一步：选用N沟道还是P沟道低压侧开关选N-MOS，高压侧开关选P-MOS根据电路要求选择确定VDS，VDS要大于干线电压或总线电压。
这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。
第二步：确定额定电流额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。
与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。
MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。
MOS 管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度而显著变化。
器件的功率耗损可由Iload2×RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。
对MOS管施加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RD S（ON）就会越高。
第三步：确定热要求器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积（结温=最大环境温度+［热阻×功率耗散］）。
根据这个方程可解出系统的最大功率耗散，即按定义相等于I2×RDS（ON）。
第四步：决定开关性能选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能。
影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。
这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。
MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。
详细的MOS管的选型可以参考资料3MOS管正确选择的步骤正确选择MOS管是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题，下面我们来学习下MOS管的正确的选择方法。
第一步：选用N沟道还是P沟道为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。
常见mos管的型号参数
电调常见的烧毁问题，可通过更换烧坏的ＭＯＳ管来解决，如相应电流的，可用更多大额定电流的代替。
注意，焊接ＭＯＳ止静电。
TO-220TO-252TO-3附SO-8（贴片８脚）封装ＭＯＳ管IRF7805Z的引脚图。
上图中有小圆点的为１脚注：下表按电流降序排列（如有未列出的，可回帖，我尽量补封装形式极性型号电流(A)耐压(V)导通电阻(mΩ)SO-8N型SI43362230 4.2 SO-8N型IRF78312130 3.6 SO-8N型IRF783220304SO-8N型IRF872114308.5 SO-8N型IRF78051330SO-8N型IRF7805Q133011 SO-8N型IRF7413123018 SO-8N型TPC800312306 SO-8N型IRF7477113020 SO-8N型IRF7811113012 SO-8N型IRF7466103015 SO-8N型SI4410103014 SO-8N型SI4420103010 SO-8N型A27009307.3 SO-8N型IRF78078.330SO-8N型SI48127.33028 SO-8N型SI9410 6.93050 SO-8N型IRF731363029 SO-8P型SI440517307.5 SO-8P型STM4439A143018 SO-8P型FDS667913309 SO-8P型SI441113308 SO-8P型SI446312.32016 SO-8P型SI44071230SO-8P型IRF7424113013.5 SO-8P型IRF7416103020 SO-8P型IRF7416Q103020 SO-8P型SI442593019 SO-8P型IRF74248.83022 SO-8P型SI443583020 SO-8P型SI4435DY83020 SO-8P型A271673011.3 SO-8P型IRF7406 5.83045 SO-8P型SI9435 5.33050 SO-8P型IRF7205 4.63070 TO-252N型FDD668884305 TO-3N型IRF1504010055 TO-220N型IRF370321030 2.8 TO-220N型IRL3803140306 TO-220N型IRF140513155 5.3 TO-220N型IRF3205110558 TO-220N型BUZ111S80558TO-220N型06N60 5.5600750MOS管应用电路设计本文来自:原文网址：/sch/jcdl/0084942.htmlMOS管应用电路设计MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电也有照明调光。
A2SHB低压MOS管
A2SHB低压MOS管
A2SHB低压MOS管主要参数介绍如下：
产品型号：A2SHB 产品封装：SOT-23-3L
沟道：N沟道
漏源反向电压VDSS(V):20V
漏极电流ID(A):2.5A
耗散功率Power(W):0.83W
A2SHB低压MOS管产品详细技术参数如下规格书所示：
电子元器件储存条件：
生产设备：
超低价现货批发HC/浩畅全新原装贴片式低压MOS场效应管：
SI2300 SI2301 SI2302 SI2303 SI2304 SI2305 SI2306 SI2307
SI2309 SI2310 SI2311 SI2312 SI2313 SI2314 SI2315 SI2319
SI2321 SI2323 SI2325 SI2328 SI2335 SI2337 SI2341 SI2345
SI2351 SI2308 AO3400 AO3401 AO3402 AO3403 A O3404 AO3407
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A2SHB低压MOS管的作用
1.场效应管可应用于放大。
由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。
常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3.场效应管可以用作可变电阻。
4.场效应管可以方便地用作恒流源。
5.场效应管可以用作电子开关。
低压低内阻mos管
低压低内阻MOS管1. 介绍低压低内阻MOS管是一种常见的电子器件，用于控制电流的流动。
它具有低电压操作和低内阻的特点，适用于各种电路应用，如功率放大、开关、驱动等。
本文将详细介绍低压低内阻MOS管的原理、结构和应用，并分析其优缺点。
2. 原理MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）是由金属栅极、氧化物绝缘层和半导体基底组成。
其工作原理基于栅极与基底之间的电场控制。
在低压低内阻MOS管中，通过调节栅极电压来改变氧化物层下方的沟道区域导电性。
当栅极电压高于临界值时，沟道开启，允许电流通过；当栅极电压低于临界值时，沟道关闭，禁止电流通过。
此外，为了实现低内阻特性，MOS管通常采用短沟道结构和优化的材料工艺。
短沟道可以减小电流流动路径，降低电阻；优化的材料工艺可以提高导电效率和响应速度。
3. 结构低压低内阻MOS管的结构包括栅极、源极和漏极三个主要部分。
•栅极：栅极是控制MOS管导通与否的关键部分。
通过改变栅极电压，可以控制沟道区域的导电性。
•源极：源极是MOS管中的输入端，用于提供输入信号。
•漏极：漏极是MOS管中的输出端，用于输出控制后的信号。
此外，低压低内阻MOS管还包括氧化物层和衬底。
氧化物层用于隔离栅极和沟道区域，防止电流泄漏；衬底则起到支撑作用，并提供基底连接。
4. 应用低压低内阻MOS管在各种电路应用中都有广泛的应用。
以下列举几个常见的应用场景：4.1 功率放大低压低内阻MOS管可以作为功率放大器中的开关元件，通过控制通断状态来放大输入信号。
其低内阻特性可以提供较大的输出功率，同时保持较低的功耗和发热量。
4.2 开关由于低压低内阻MOS管具有快速响应的特点，它常被用作开关元件。
通过控制栅极电压，可以实现高效的电路开关操作，例如数字逻辑门、时序电路等。
4.3 驱动低压低内阻MOS管还可以作为其他器件的驱动元件。
例如，在驱动电机或灯光等设备时，MOS管可以提供稳定且可调控的电流输出，实现精确的控制。
七步掌握MOS管选型技巧
七步掌握MOS管选型技巧MOS管是电子制造的基本元件，但面对不同封装、不同特性、不同品牌的MOS管时，该如何抉择？有没有省心、省力的遴选方法？下面我们就来看一下老司机是如何做的。
选择到一款正确的MOS管，可以很好地控制生产制造成本，最为重要的是，为产品匹配了一款最恰当的元器件，这在产品未来的使用过程中，将会充分发挥其“螺丝钉”的作用，确保设备得到最高效、最稳定、最持久的应用效果。
那么面对市面上琳琅满目的MOS管，该如何选择呢？下面，我们就分7个步骤来阐述MOS管的选型要求。
首先是确定N、P沟道的选择MOS管有两种结构形式，即N沟道型和P沟道型，结构不一样，使用的电压极性也会不一样，因此，在确定选择哪种产品前，首先需要确定采用N沟道还是P沟道MOS管。
MOS管的两种结构：N沟道型和P沟道型在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。
在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。
当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。
通常会在这个拓扑中采用P 沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。
要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。
第二步是确定电压额定电压越大，器件的成本就越高。
从成本角度考虑，还需要确定所需的额定电压，即器件所能承受的最大电压。
根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压，一般会留出1.2~1.5倍的电压余量，这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。
就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。
由于MOS管所能承受的最大电压会随温度变化而变化，设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。
额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。
此外，设计工程师还需要考虑其他安全因素：如由开关电子设备(常见有电机或变压器)诱发的电压瞬变。
mos管选型
开关电源元器件选型A:反激式变换器:1. MOS管:Id=2Po/Vin; Vdss=1.5Vin(max)2. 整流:Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=8Vout3. 缺点:就是输出纹波较大,故不能做大功率(一般≦150W),所以输出电容的容量要大.4. 优点:输入电压范围较宽(一般可做到全电压范围90Vac-264Vac),电路简单.5. 最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制.B:正激式变换器:6. MOS管:Id=1.5Po/Vin; Vdss=2Vin(max)7. 整流:Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=3Vout8. 缺点:成本上升,如要全电压得加PFC,电路稍比反激复杂.9. 优点:纹丝小,功率可做到0~200W.10. 最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制.C:推挽式变换器:11. MOS管: Id=1.2Po/Vin; Vdss=2Vin(max)12. 整流:Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=2Vout13. 缺点: 成本上升,如要全电压得加PFC,电路稍复杂.不太合适离线式.14. 优点: 功率可做到100W~1000W.DC-DC用此电路很好!15. 最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制.D:半桥式变换器:16. MOS管: Id=1.5Po/Vin; Vdss=Vin(max)17. 整流: Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=2Vout18. 缺点: 成本上升,如要全电压得加PFC,电路稍复杂.19. 优点: 功率可做到100W~500W.20. 最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制.E:全桥式变换器:21. MOS管: Id=1.2Po/Vin; Vdss=Vin(max)22. 整流: Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=2Vout23. 缺点: 成本上升,如要全电压得加PFC,电路稍复杂.24. 优点: 功率可做到400W~2000W以上.最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制。
MOS管选型
MOS管选型最近在推MOS管的过程中，遇到一些问题，最主要的是一个品牌替换参数的对应问题，很多时候我们只关注了电流电压满足要求，性能上的比较我们很少做比较，特从网上摘录此文，供大家参考：与系统相关的重要参数：在MO S管选择方面，系统要求相关的几个重要参数是：1．负载电流IL。
它直接决定于MOSF ET的输出能力；2．输入—输出电压。
它受M OSFET负载占空比能力限制；3．开关频率FS。
这个参数影响M OSFET开关瞬间的耗散功率；4． MOSF ET最大允许工作温度。
这要满足系统指定的可靠性目标。
MOSFE T设计选择：一旦系统的工作条件（负载电流，开关频率，输出电压等）被确定，功率MOSFE T在参数方面的选择如下：1 RDSO N的值。
最低的导通电阻，可以减小损耗，并让系统较好的工作。
但是，较低电阻的MOS FET其成本将高于较高电阻器件。
2散热。
如果空间足够大，可以起到外部散热效果，就可以以较低成本获得与较低RDSON一样的效果。
也可以使用表面贴装的MOSF ET达到同样效果，详见下文第15行。
3 MOS FET组合。
如果板上空间允许，有时候，可以用两个较高RDSO N的器件并联，以获得相同的工作温度，并且成本较低。
计算MOSF ET的功率损耗及其壳温：在MOSFE T工作状态下，有三部分功率损耗：1． MOS FET在完全打开以后（可变电阻区）的功率损耗：PON=I Load2 × RD SON ×占空比ILoad为最大直流输出电流。
2． MOSF ET在打开上升时功率损耗：PTRON= （IL oad × VDS× Tr×FS）/ 2其中：。
低压MOS管
低压MOS管MOS管可以用作可变电阻也可应用于放大。
由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
且场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。
常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
场效应管可以方便地用作恒流源也可以用作电子开关。
MOS管导通电阻小，可以降低导通时的功耗。
但无论什么元件器件，追求某项指标必会影响其它指标。
以MOS管来说，高耐压与低电阻是矛盾的，不可兼得，所以不能说导通电阻越小越好，因为这是牺牲其它性能获得的。
但是一般MOS管额定电流越大,额定导通电阻也就越小。
目录一、低压MOS管的定义二、低压MOS管的优点三、低压MOS管的作用四、低压MOS管的应用范围五、低压MOS管的正确选型六、低压MOS管的工作原理七、低压MOS管的特性八、低压MOS管的结构九、低压MOS管的分类十、高压MOS和低压MOS管的区别正文一、低压MOS管的定义MOS管为压控元件,你只需加到它的压控元件所需电压就能使它导通,它的导通就像三极管在饱和状态一样,导通结的压降最小、这就是常说的精典是开关效果、去掉这个操控电压经就截止。
MOS管的英文全称叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金属氧化物半导体型场效应管，归于场效应晶体管中的绝缘栅型。
因此，MOS管有时被称为场效应管。
在一般电子电路中，MOS管通常被用于扩大电路或开关电路。
目前在市场应用方面，排名第一的是消费类电子电源适配器产品。
而MOS管的应用领域排名第二的是计算机主板、NB、计算机类适配器、LCD显示器等产品，随着国情的发展计算机主板、计算机类适配器、LCD显示器对MOS管的需求有要超过消费类电子电源适配器的现象了。
第三的就属网络通信、工业控制、汽车电子以及电力设备领域了，这些产品对于MOS管的需求也是很大的，特别是现在汽车电子对于MOS管的需求直追消费类电子了。
常用MOS管型号参数
场效应管分类型号简介封装DISCR ETEM OS FE T 2N7000 60V,0.115ATO-92 DISC RETEMOS F ET 2N700260V,0.2A S OT-23 DISC RETEMOS F ET IR F510A 100V,5.6A TO-220 DI SCRET EMOS FETIRF520A 100V,9.2A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF530A100V,14A T O-220 DISC RETEMOS F ET IR F540A 100V,28ATO-220 DIS CRETEMOSFET I RF610A 200V,3.3A TO-220 D ISCRE TEMO S FET IRF620A 200V,5A TO-220 D ISCRE TEMO S FET IRF630A 200V,9A TO-220 D ISCRE TEMO S FET IRF634A 250V,8.1A T O-220 DISC RETEMOS F ET IR F640A 200V,18ATO-220 DIS CRETEMOSFET I RF644A 250V,14A TO-220 DI SCRET EMOS FETIRF650A 200V,28A TO-220 D ISCRE TEMO S FET IRF654A 250V,21A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF720A400V,3.3ATO-220 DIS CRETEMOSFET I RF730A 400V,5.5A TO-220 D ISCRE TEMO S FET IRF740A 400V,10A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF750A400V,15A T O-220 DISC RETEMOS F ET IR F820A 500V,2.5A TO-220 DI SCRET EMOS FETIRF830A 500V,4.5A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF840A500V,8A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF9520-100V,-6ATO-220 DIS CRETEDISCR ETEM OS FE T IRF9610-200V,-1.8A TO-220 D ISCRE TEMO S FET IRF9620 -200V,-3.5A TO-220 DI SCRET EMOS FETIRFP150A 100V,43A TO-3PD ISCRE TEMO S FET IRFP250A200V,32A T O-3PDISCR ETEM OS FE T IRF P450A 500V,14ATO-3P DISC RETEMOS F ET IR FR024A 60V,15AD-PAK DISC RETEMOS F ET IR FR120A 100V,8.4A D-P AK DI SCRET EMOS FETIRFR214A 250V,2.2A D-PAKDISCR ETEM OS FE T IRF R220A 200V,4.6A D-PA K DIS CRETEMOSFET I RFR224A 250V,3.8A D-PAK D ISCRE TEMO S FET IRFR310A400V,1.7AD-PAK DISC RETEMOS F ET IR FR9020 -50V,-9.9A D-PAK D ISCRE TEMO S FET IRFS540A100V,17A T O-220F DIS CRETEMOSFET I RFS630A 200V,6.5A TO-220F DISC RETEMOS F ET IR FS634A 250V,5.8A TO-220FDISCR ETEM OS FE T IRF S640A 200V,9.8A TO-220F D ISCRE TEMO S FET IRFS644A250V,7.9ATO-220F DI SCRET EMOS FETIRFS730A 400V,3.9A T O-220F DIS CRETEMOSFET I RFS740A 400V,5.7A TO-220F DISC RETEMOS F ET IR FS830A 500V,3.1A TO-220FDISCR ETEM OS FE T IRF S840A 500V,4.6A TO-220F D ISCRE TEMO S FET IRFS9Z34-60V,-12ATO-220F DI SCRET EDISCR ETEM OS FE T IRF SZ34A 60V,20A T O-220FDIS CRETEMOSFET I RFU110A 100V,4.7A I-PAKD ISCRE TEMO S FET IRFU120A100V,8.4AI-PAKDISC RETEMOS F ET IR FU220A 200V,4.6A I-P AKDI SCRET EMOS FETIRFU230A 200V,7.5A I-PAKDISCR ETEM OS FE T IRF U410A 500V ,1.2A I-P AKDI SCRET EMOS FETIRFU420A 500V,2.3A I-PAKDISCR ETEM OS FE T IRF Z20A50V,15A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF Z24A60V,17A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF Z30 50V,30A TO-220D ISCRE TEMO S FET IRFZ34A 60V,30A TO-220D ISCRE TEMO S FET IRFZ40 50V,50A TO-220DI SCRET EMOS FETIRFZ44A 60V,50A TO-220DI SCRET EMOS FETIRLS530A 100V,10.7A,Logic TO-220F D ISCRE TEMO S FET IRLS Z14A60V,8A,Log ic TO-220F DISC RETEMOS F ET IR LZ24A 60V,17A,L ogicTO-220DIS CRETEMOSFET I RLZ44A 60V,50A,Logic TO-220DI SCRET EMOS FETSFP36N03 30V,36A TO-220D ISCRE TEMO S FET SFP65N0660V,65A TO-220DISCR ETEM OS FE T SFP9540-100V,-17A TO-220DI SCRET EMOS FETSFP9634 -250V,-5A TO-220DISCR ETEM OS FE T SFP9644-250V,-8.6A TO-220D ISCRE TEDISC RETEMOS F ET SF R9214 -250V,-1.53A D-PAKDISCR ETEM OS FE T SFR9224-250V,-2.5A D-P AK DI SCRET EMOS FETSFR9310 -400V,-1.5AD-PAK DISC RETEMOS F ET SF S9630 -200V,-4.4A TO-220F DISC RETEMOS F ET SF S9634 -250V,-3.4A TO-220F DISC RETEMOS F ET SF U9220 -200V,-3.1A I-PAKD ISCRE TEMO S FET SSD2002 25V N/P Dua l 8SO P DIS CRETEMOSFET S SD2019 20V P-ch Dual 8SOP DISC RETEMOS F ET SS D2101 30VN-chSingl e 8SO P DIS CRETEMOSFET S SH10N80A 800V,10A TO-3P D ISCRE TEMO S FET SSH10N90A 900V,10ATO-3P DISC RETEMOS F ET SS H5N90A 900V,5ATO-3P DISC RETEMOS F ET SS H60N10 100V,60A TO-3PDIS CRETEMOSFET S SH6N80A 800V,6A TO-3PDIS CRETEMOSFET S SH70N10A 100V,70A TO-3P D ISCRE TEMO S FET SSH7N90A900V,7A TO-3PD ISCRE TEMO S FET SSH9N80A800V,9A TO-3PD ISCRE TEMO S FET SSP10N60A 600V,9A T O-220 DISC RETEMOS F ET SS P1N60A 600V,1ATO-220DIS CRETEMOSFET S SP2N90A 900V,2A TO-220DI SCRET EMOS FETSSP35N03 30V,35A TO-220D ISCRE TEMO S FET SSP3N90A900V,3A TO-220DISCR ETEDISC RETEMOS F ET SS P4N60AS 600V,4A TO-220DI SCRET EMOS FETSSP4N90AS900V,4.5ATO-220 DIS CRETEMOSFET S SP5N90A 900V,5A TO-220DI SCRET EMOS FETSSP60N06 60V,60A TO-220D ISCRE TEMO S FET SSP6N60A600V,6A TO-220DISCR ETEM OS FE T SSP70N10A 100V,55A TO-220DI SCRET EMOS FETSSP7N60A 600V,7A TO-220D ISCRE TEMO S FET SSP7N80A800V,7A TO-220DISCR ETEM OS FE T SSP80N06A 60V,80ATO-220DIS CRETEMOSFET S SR1N60A 600V,0.9A D-PAKD ISCRE TEMO S FET SSR2N60A600V,1.8AD-PAK DISC RETEMOS F ET SS R3055A 60V,8A D-PAKDISCR ETEM OS FE T SSS10N60A 600V,5.1A TO-220FDISCR ETEM OS FE T SSS2N60A 600V,1.3A TO-220F D ISCRE TEMO S FET SSS3N80A800V,2A TO-220F DISC RETEMOS F ET SS S3N90A 900V,2ATO-220FDI SCRET EMOS FETSSS4N60AS600V,2.3ATO-220F DI SCRET EMOS FETSSS4N90AS900V,2.8ATO-220F DI SCRET EMOS FETSSS5N80A 800V,3A TO-220FDISCR ETEM OS FE T SSS6N60600V, 3.2A TO-220(F/P) 。
常见mos管的型号参数
电调常见的烧毁问题，可通过更换烧坏的ＭＯＳ管来解决，如相应电流的，可用更多大额定电流的代替。
注意，焊接ＭＯＳ止静电。
TO-220TO-252TO-3附SO-8（贴片８脚）封装ＭＯＳ管IRF7805Z的引脚图。
上图中有小圆点的为１脚注：下表按电流降序排列（如有未列出的，可回帖，我尽量补封装形式极性型号电流(A)耐压(V)导通电阻(mΩ)SO-8N型SI43362230 4.2 SO-8N型IRF78312130 3.6 SO-8N型IRF783220304SO-8N型IRF872114308.5 SO-8N型IRF78051330SO-8N型IRF7805Q133011 SO-8N型IRF7413123018 SO-8N型TPC800312306 SO-8N型IRF7477113020 SO-8N型IRF7811113012 SO-8N型IRF7466103015 SO-8N型SI4410103014 SO-8N型SI4420103010 SO-8N型A27009307.3 SO-8N型IRF78078.330SO-8N型SI48127.33028 SO-8N型SI9410 6.93050 SO-8N型IRF731363029 SO-8P型SI440517307.5 SO-8P型STM4439A143018 SO-8P型FDS667913309 SO-8P型SI441113308 SO-8P型SI446312.32016 SO-8P型SI44071230SO-8P型IRF7424113013.5 SO-8P型IRF7416103020 SO-8P型IRF7416Q103020 SO-8P型SI442593019 SO-8P型IRF74248.83022 SO-8P型SI443583020 SO-8P型SI4435DY83020 SO-8P型A271673011.3 SO-8P型IRF7406 5.83045 SO-8P型SI9435 5.33050 SO-8P型IRF7205 4.63070 TO-252N型FDD668884305 TO-3N型IRF1504010055 TO-220N型IRF370321030 2.8 TO-220N型IRL3803140306 TO-220N型IRF140513155 5.3 TO-220N型IRF3205110558 TO-220N型BUZ111S80558TO-220N型06N60 5.5600750MOS管应用电路设计本文来自:原文网址：/sch/jcdl/0084942.htmlMOS管应用电路设计MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电也有照明调光。
常用MOS管型号大全
NMOS
GDS
开关UPS用
500V15A125W100/230nS0.48
2SK2039
NMOS
GDS
电源开关
900V5A150W 70/210nS2.5
2SK2082
NMOS
GDS
开关UPS用
900V9A150W 85/210nS1.40
2SK2101
NMOS
GDS
电源开关
800V6A50W 50/130nS2.1
2sk1082nmosgds激励驱动900v6a125w145250ns282sk1094nmosgds激励驱动60v15a25w80300ns00652sk1101nmosgds功放开关450v10a50w165360ns0652sk1117nmosgds电源开关600v6a100w1252sk1118nmosgds电源开关600v6a45w65105nsd1252sk1119nmosgds电源开关1000v4a100w382sk1120nmosgds电源开关1000v8a150w182sk1161nmosgds电源开关450v10a100w75135ns082sk1170nmosgds电源开关500v20a120w147290ns0272sk1180nmosgds投影机用500v10a85w6040ns062sk1195nmosgds电梯用230v15a10w37100ns2sk1198nmosgds高速开关700v2a35w2080ns322sk1217nmosgds电源开关90v8a100w280460ns202sk1221nmosgds电源开关250v10a80w60150ns042sk1247nmosgds电源开关500v5a30w5090ns142sk1254nmosgds低噪放大120v3a20w25195ns042sk1271nmosgds功放开关1400v5a240w55260ns402sk1329nmosgds电源开关500v12a60w90180ns062sk1335nmosgds功放开关变频200v3a20w3750ns082sk1358nmosgds电源开关900v9a150w65120ns142sk1379nmosgds激励开关60v50a150w78640ns00172sk1387nmosgds激励开关60v35a40w66500ns00352sk1388nmosgds激励开关30v35a60w125480ns00222sk1419nmosgds高速开关60v15a25w55150ns0082sk1445nmosgds高速开关450v5a30w45175ns142sk1459nmosgds高速开关900v25a30w40160ns602sk1460nmosgds高速开关900v35a40w50265ns362sk1463nmosgds高速开关900v45a60w50265ns362
MOS管参数选型指南
SHENZHEN LIYOU TECHNOLOGY CO.,LTD型号类型P D I D V BR(DSS)(Ω)I D V GS(V)I D(μA)(S)V DS封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)2N7000N-ch MOS0.6250.26050.5100.8~310000.110TO-92 2N7002N-ch MOS0.2250.1156050.5101~2.52500.0810SOT-23 2N7002K N-ch MOS0.6250.346050.5101~2.5250--TO-92 2N7002K N-ch MOS0.350.346050.5101~2.51000--SOT-23 2N7002KW N-ch MOS0.20.346050.5101~2.51000--SOT-323 2N7002T N-ch MOS0.150.1156050.5101~2.52500.0810SOT-523 2N7002W N-ch MOS0.20.1156050.5101~2.52500.0810SOT-323 2N7002X N-ch MOS0.50.1156050.5101~2.52500.0810SOT-89-3L 2SK1658N-ch MOS0.20.130100.0140.9~1.510.023SOT-323 2SK3018N-ch MOS0.350.13080.0140.8~1.51000.023SOT-23 2SK3018N-ch MOS0.20.13080.0140.8~1.51000.023SOT-323 2SK3019N-ch MOS0.150.13080.0140.8~1.51000.023SOT-523 2SK3541N-ch MOS0.15±0.13080.0140.8~1.51000.023SOT-723 BSS123N-ch MOS0.350.1710060.17101~2.82500.0810SOT-23 BSS138N-ch MOS0.350.2250 3.50.22100.8~1.510000.1210SOT-23 BSS138W N-ch MOS0.30.2250 3.50.22100.8~1.525012010SOT-323 BSS84P-ch MOS0.225-0.13-5010-0.1-5-0.9~-2-2500.05-25SOT-23 CJ1012N-ch MOS0.150.5200.70.6 4.50.45~1.22501+10SOT-523 CJ2101P-ch MOS0.29-1.4-200.1-1-4.5-0.45-250--SOT-323型号类型P D I D V BR(DSS)(Ω)I D V GS(V)I D(μA)(S)V DS封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)CJ2102N-ch MOS0.2 2.1200.06 3.6 4.50.65~1.2508+5SOT-323 CJ2301P-ch MOS0.4-2.3-200.112-2.8-4.5-0.4~-1-250 6.5+-5SOT-23 CJ2301B P-ch MOS0.35-2.3-200.12-2.6-4.5-0.4~-1-250 6.5+-5SOT-23 CJ2301S P-ch MOS0.35-2.3-200.112-2.8-4.5-0.4~-1-2504+-5SOT-23 CJ2302N-ch MOS0.4 2.1200.06 3.6 4.50.65~1.2508+5SOT-23 CJ2302S N-ch MOS0.35 2.1200.06 3.6 4.50.65~1.2508+5SOT-23 CJ2303P-ch MOS0.35-1.9-300.19-1.9-10-1~-3-2501-5SOT-23 CJ2304N-ch MOS0.35 3.3300.06 3.210 1.2~2.2250 2.5 4.5SOT-23 CJ2305P-ch MOS0.35-4.1-120.045-3.5-4.5-0.5~-0.9-2506-5SOT-23 CJ2306N-ch MOS0.75 3.16300.047 3.5101~32507+ 4.5SOT-23 CJ2307P-ch MOS 1.1-2.7-300.088-3.5-10-1~-3-2507+-10SOT-23 CJ2310N-ch MOS0.353600.1053100.5~2250 1.415SOT-23 CJ2312N-ch MOS0.255200.03185 4.50.45~12506+10SOT-23 CJ2321P-ch MOS0.35-2.9-200.057-3.3-4.5-0.4~-0.9-2503-5SOT-23 CJ2324N-ch MOS0.3521000.234 1.510 1.2~2.82502+20SOT-23 CJ2333P-ch MOS0.35-6-120.028-5-4.5-0.4~-1-25018+-5SOT-23 CJ3134K N-ch MOS0.350.75200.380.65 4.50.35~1.1250 1.6+10SOT-23 CJ3134K N-ch MOS0.150.75200.380.65 4.50.35~1.1250 1.6+10SOT-723 CJ3134KW N-ch MOS0.20.75200.380.65 4.50.35~1.1250110SOT-323SHENZHEN LIYOU TECHNOLOGY CO.,LTD型号类型P D I D V BR(DSS)(Ω)I D V GS(V)I D(μA)(S)V DS封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)CJ3139K P-ch MOS0.15-0.66-200.52-1-4.5-0.35~-1.1-250 1.2+-10SOT-723 CJ3139K P-ch MOS0.35-0.66-200.52-1-4.5-0.35~-1.1-250 1.2+-10SOT-23 CJ3139KW P-ch MOS0.2-0.66-200.52-1-4.5-0.35~-1.1-2500.8-10SOT-323 CJ3400N-ch MOS0.35 5.8300.035 5.8100.7~1.425085SOT-23 CJ3400A N-ch MOS0.4 5.8300.032 5.8100.7~1.425085SOT-23 CJ3401P-ch MOS0.35-4.2-300.065-4.2-10-0.7~-1.3-2507-5SOT-23 CJ3401A P-ch MOS0.4-4.2-300.06-4.2-10-0.7~-1.3-2507-5SOT-23 CJ3402N-ch MOS0.354300.0554100.6~1.42508+15SOT-23 CJ3404N-ch MOS0.35 5.8300.03 5.8101~325055SOT-23 CJ3406N-ch MOS0.35 3.6300.065 3.6101~325035SOT-23 CJ3407P-ch MOS0.35-4.1-300.06-4.1-10-1~-3-250 5.5-5SOT-23 CJ3415P-ch MOS0.35-4-200.05-4-4.5-0.3~-1-2508-5SOT-23 CJ3420N-ch MOS0.356200.0246100.5~125045SOT-23 CJ3434N-ch MOS0.35300.0425100.6~125015+5SOT-23 CJ4153N-ch MOS0.150.915200.570.6 4.50.45~1.12500.510SOT-523 CJ4459＊P-ch MOS0.35-5-300.046-5-10-1.4~-2.4-25014+-5SOT-23 CJ502K P-ch MOS0.35-0.18-5010-0.1-5-0.9~-2-2500.05-25SOT-23 CJ502KW＊P-ch MOS0.3-0.18-5010-0.1-5-0.9~-2-2500.05-25SOT-323 CJ8810N-ch MOS0.37200.0267100.4~125095SOT-23SHENZHEN LIYOU TECHNOLOGY CO.,LTD型号类型P D I D V BR(DSS)(Ω)I D V GS(V)I D(μA)(S)V DS封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)CJ8820N-ch MOS0.37200.0217100.5~1.125020+5SOT-23CJA03N10N-ch MOS0.531000.145101~225035SOT-89-3L CJA9451P-ch MOS0.5-2.3-200.135-2.3-4.5-0.5~-1.5-250 2.3-5SOT-89-3L CJA9452N-ch MOS0.54200.0384100.7~1.525035SOT-89-3L CJAA3134K N-ch MOS0.10.75200.380.65 4.50.35~1.1250 1.6+10WBFBP-03E(1.0×0.6×0.5) CJAA3139K P-ch MOS0.1-0.66-200.52-1-4.5-0.35~-1.1-250 1.2+-10WBFBP-03E(1.0×0.6×0.5) CJAB25N03N-ch mos 1.525300.0110101~3250155PDFNWB3.3×3.3-8L CJAB35N03N-ch mos 1.535300.00712101~32503010PDFNWB3.3×3.3-8L CJAC10H02＊N-ch MOS2100200.00220 4.50.5~1.225093+5PDFNWB5×6-8L CJAC10H03＊N-ch MOS2100300.00252010 1.2~2.52503210PDFNWB5×6-8L CJAC20N10N-ch MOS2201000.0311510 1.3~2.525015+5PDFNWB5×6-8L CJAC35N03N-ch mos 1.535300.00712101~32503010PDFNWB5×6-8L CJAC50P03P-ch mos2-50-300.007-10-10-1.0~-2.525020-10PDFNWB5×6-8L CJB08N65N-ch MOS28650 1.44102~42508.5+50TO-263-2LCJB85N80N-ch MOS280850.006840102~425060+10TO-263-2LCJD01N65B N-ch MOS 1.251650140.6102~4250--TO-251-3LCJD01N80N-ch mos-180013.50.5103~52500.7550TO-251-3LCJD02N60N-ch MOS 1.252600 4.41102~4250150TO-251-3LCJD02N60N-ch MOS 1.252600 4.41102~4250150TO-251SSHENZHEN LIYOU TECHNOLOGY CO.,LTD型号类型P D I D V BR(DSS)(Ω)I D V GS(V)I D(μA)(S)V DS封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)CJD02N65N-ch MOS 1.252650 4.41102~4250--TO-251-3L CJD02N65N-ch MOS 1.252650 4.41102~4250--TO-251S CJD02N80N-ch MOS 1.5 2.4800 6.3 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IRF840N-ch MOS 285000.85 4.8102~4250 4.950TO-220-3L IRFB640N-ch MOS 2182000.1811102~4250 6.750TO-263-2L IRFB830N-ch MOS 2 4.5500 1.5 2.7102~4250 2.550TO-263-3L IRFF640N-ch MOS-182000.1811102~42506.750TO-220F深圳理悠科技有限公司SHENZHEN LIYOU TECHNOLOGY CO.,LTDw w 。
常用低压MOS管选型
KD2300 N-Ch annel SOT23-3 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流6A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2300；Si2300，AP M2300，CEM2300，S TS2300，A P2300，MT2300，ME2300KD2302 N-Chann el SO T23-3封装、电压20V、内阻85mΩ、电流3.2A 可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2302 ；APM2302，SS S2302，ME2302，AP2302，STS2302，MT2302KD2304N-Cha nnelSOT23-3 封装、电压25V、内阻117mΩ、电流2.7AKD2304A N-Ch annel SOT23-3 封装、电压30V、内阻117mΩ、电流2.5A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2304；Si2304，AO3406，NDS355AN，AP2304，APM2306，CE S2304KD2306 N-Chan nel S OT23-3 封装、电压20V、内阻30mΩ、电流8.7AKD2306A N-Chan nel S OT23-3 封装、电压30V、内阻30mΩ、电流8.5A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2306KD2308 N-Chann el SO T23-3封装、电压60V、内阻160mΩ、电流6A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2308K D2310 N-Ch annel SOT23-3 封装、电压60V、内阻90mΩ、电流6A//////////////////////////////////可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2310K D2301 P-Ch annel SOT23-3 封装、电压-20V、内阻130mΩ、电流-2.6A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2301；Si2301，AP22301，CEM2301，A PM2301，A PM2313，APM2323，CES2301，FD N302，FDN342P，F DN338PKD2303P-Cha nnelSOT23-3 封装、电压-30V、内阻240mΩ、电流-1.9A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2303；Si2303， AO3405，AO3409，FDN360P，FDN358P，FDN352AP，A P2303，APM2307，C ES2303KD2305P-Cha nnelSOT23-3 封装、电压-20V、内阻53mΩ、电流-4.2A、KD2305A P-Chann el SO T23-3封装、电压-30V、内阻60mΩ、电流-3.2A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的 2305K D2307 P-Ch annel SOT23-3 封装、电压-16V、内阻60mΩ、电流-4A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2307 KD2309 P-C hanne l SOT23-3封装、电压-30V、内阻75mΩ、电流-3.7A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的 2309KD3401P-Cha nnelSOT23-3 封装、电压-30V、内阻50mΩ、电流-4.2A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的3401；S i3401，AMP3401，C EM3401，STS3401，AP3401，M T3401KD3402 N-Chan nel S OT23-3 封装、电压30V、内阻73mΩ、电流4A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的3402;AO3402SI2306 SI2316 A P2316 CES2314 KD3403 P-C hanne l SOT23-3封装、电压-30V、内阻110mΩ、电流-3.4A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的 3403；AO3403SI2341 SI2307 A P2309 CES2313 KD8205S Du al N-Chann el SO T23-6封装、电压20V、内阻28mΩ、电流4A可替代市面上所有TSOP-6 封装的8205KD8205GDualN-Cha nnelTSSOP-8 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流6A 可替代市面上所有TS SOP-8封装的8205 KDG9926 Du al N-Chann el TS SOP-8封装、电压20V、内阻28mΩ、电流6A仅接受项目专案订制供货.可替代市面上各厂牌各款TSSO P-8 封装之9926.K D4410 N-Ch annel SOP-8 封装、电压30V、内阻13.5mΩ、电流10A可兼容、代用、替换市面上各类型4410 : A PM4410、CEM4410、AP4410、FDS4410、SSM4410、SDM4410、ST M4410、 MT4410、i TM4410、STS4410、H4410、P4410、GE4410、A F4410N、M E4410KD9410 N-Chan nel S OP-8封装、电压30V、内阻5mΩ、电流18A可替代市面上各类型9410 :NK9410D、NDS9410A、A PM9410K、SS M9410A、CEM9436A、FD S6630A、FDF S6N303、Si9410、G T9410、TM9410、GE9410、G9410、ME9410 K D9926 Dual N-Ch annel SOP-8 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流6A可兼容、代用、替换市面上各类型的9926: APM9926、CEM9926、AP9926、SSM5N20V、SDM9926、S TM9926、MT9926、T M9926、 GE9926、S TN9926、iTM9926、MOS FET 系列KD2300N-Cha nnelSOT23-3 封装、电压20V、内阻50mΩ、电流6A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2300；Si2300，APM2300，CEM2300，ST S2300，AP2300，MT2300，ME2300 KD2302 N-C hanne l SOT23-3封装、电压20V、内阻85mΩ、电流3.2A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2302 ；A PM2302，SSS2302，ME2302，AP2302，STS2302，M T2302KD2304 N-Chan nel S OT23-3 封装、电压25V、内阻117mΩ、电流2.7AKD2304AN-Cha nnelSOT23-3 封装、电压30V、内阻117mΩ、电流2.5A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2304；Si2304，A O3406，NDS355AN，AP2304，A PM2306，CES2304KD2306 N-Chann el SO T23-3封装、电压20V、内阻30mΩ、电流8.7A KD2306A N-Chann el SO T23-3封装、电压30V、内阻30mΩ、电流8.5A 可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2306 KD2308 N-C hanne l SOT23-3封装、电压60V、内阻160mΩ、电流6A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2308KD2310N-Cha nnelSOT23-3 封装、电压60V、内阻90mΩ、电流6A 可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2310 KD3400 N-C hanne l SOT23-3封装、电压25V、内阻30mΩ、电流2.7A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的3400KD2301 P-Chann el SO T23-3封装、电压-20V、内阻130mΩ、电流-2.6A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2301；Si2301，AP2301，CEM2301，APM2301，APM2313，AP M2323，CES2301，F DN302，FDN342P，FDN338PK D2303 P-Ch annel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻240mΩ、电流-1.9A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2303；Si2303，A O3405，AO3409，FD N360P，FD N358P，FDN352AP，AP2303，APM2307，CES2303K D2305 P-Ch annel SOT23-3 封装、电压-20V、内阻53mΩ、电流-4.2A、KD2305A P-Chan nel S OT23-3 封装、电压-30V、内阻60mΩ、电流-3.2A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2305 KD2307 P-C hanne l SOT23-3封装、电压-16V、内阻60mΩ、电流-4A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2307KD2309 P-Chann el SO T23-3封装、电压-30V、内阻75mΩ、电流-3.7A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的 2309K D3401 P-Ch annel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻50mΩ、电流-4.2A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的3401；Si3401，AMP3401，CEM3401，ST S3401，AP3401，MT3401KD3403P-Cha nnelSOT23-3 封装、电压-30V、内阻75mΩ、电流-3.7A、KD3403A P-Chann el SO T23-3封装、电压-30V、内阻70mΩ、电流-3.2A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的 3403；KD8205S D ual N-Chan nel S OT23-6 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流4A可替代市面上所有TSO P-6 封装的8205KD8205G Dual N-Ch annel TSSO P-8 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流6A可替代市面上所有T SSOP-8 封装的8205KDG9926 D ual N-Chan nel T SSOP-8 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流6A仅接受项目专案订制供货.可替代市面上各厂牌各款TSS OP-8封装之9926. KD4410 N-C hanne l SOP-8 封装、电压30V、内阻13.5mΩ、电流10A可兼容、代用、替换市面上各类型4410 :APM4410、CE M4410、AP4410、FD S4410、SSM4410、SDM4410、S TM4410、 MT4410、iTM4410、ST S4410、H4410、P4410、GE4410、AF4410N、ME4410KD9410N-Cha nnelSOP-8封装、电压30V、内阻5mΩ、电流18A可替代市面上各类型9410 :NK9410D、NDS9410A、APM9410K、S SM9410A、CE M9436A、F DS6630A、FD FS6N303、Si9410、GT9410、TM9410、G E9410、G9410、ME9410 KD9926 Dua l N-C hanne l SOP-8 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流6A 可兼容、代用、替换市面上各类型的9926 : AP M9926、CEM9926、A P9926、SSM5N20V、SDM9926、STM9926、MT9926、TM9926、 GE9926、STN9926、iT M9926、GT9926、TF9926、AF9926、S i9926、FDS9926、H9926、ME9926KD4228DualN-Cha nnelSOP-8封装、电压30V、内阻26mΩ、电流6.8A 可兼容、代用、替换市面上各类型的AO4800、Si4800、Si4804、FDS6912A、FDS6930A、SDM4800、APM7313、IR F7313、AP4920、Si4936，NDS9956A、S i9925、Si9926、Si9956、SI4804、S I9936、FDS9926A、FDS6912、ME4922、GT4228KD9971DualN-Cha nnelSOP-8封装、电压60V、内阻50mΩ、电流5A可兼容、代用、替换市面上各类型的9971，A P9971GM、ST M6960、Si4900DY、Si4946、A O4828、APM9946K、APM9945K、S i9945AEY、C EM4426、 FD S9945KD9435 P-Chan nel S OP-8封装、电压-30V、内阻50mΩ、电流-5.3A可兼容、代用、替换市面上各类型9435 : AP M9435、CEM9435、A P9435、SSM9435、T M9435、MT9435、GE9435、SDM9435、 STM9435、H9435、FDS9435、AO9435、Si9435、STP9435、ME9435 KD4435 P-C hanne l SOP-8 封装、电压-30V、内阻20mΩ、电流-8A可兼容、代用、替换市面上各类型4435 : A PM4435、 Si4435、 CEM4435、SDM4435、SSM4435、GE4435、MT4435、H4435、S TM4435、AP4435、T M4953、AF4435、FD S4435、iT M4435、ME4435K D4953 Dual P-Ch annel SOP-8 封装、电压-30V、内阻53mΩ、电流-5AKD4953BDY Dual P-Ch annel SOP-8 封装、电压-30V、内阻42mΩ、电流-5A可兼容、代用、替换市面上各类型4953 : GE4953、iTM4953、AF4953P、H4953、MT4953、。
常用低压mos管_概述说明以及解释
常用低压mos管概述说明以及解释1. 引言1.1 概述在现代电子设备中，低压MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）作为一种重要的器件，广泛应用于各种电路中。
低压MOS管具有特殊的结构和工作原理，可以在低压下实现高速开关和放大功能。
本文将对常用低压MOS管进行概述说明和解释，旨在帮助读者更好地了解它们的特点、工作原理以及在电路中的应用场景。
1.2 文章结构本文共分为五个主要部分。
首先，在引言部分我们将对本文进行概括性介绍，并明确文章结构。
其次，在第二部分中，我们将详细讨论常用低压MOS管的特点，包括定义和作用、分类及特点以及应用场景。
第三部分将深入介绍低压MOS管的工作原理与结构，并进行相关特点分析。
接下来，在第四部分中，我们将列举并解决常见问题，并分享实践经验以防止未来出现类似问题。
最后，在第五部分中，我们将总结低压MOS管的重要性和应用前景，并展望技术发展方向和挑战，并给出对读者的建议和启示。
1.3 目的本文的目的是帮助读者全面理解和掌握常用低压MOS管的相关知识。
通过深入讲解低压MOS管的特点、工作原理及其在电路中的应用场景，读者将能够更好地应用和选择合适的低压MOS管，从而提高电路设计和性能。
同时，本文也旨在引发对低压MOS管技术发展方向和挑战的思考，为相关领域的研究和创新提供指导与启示。
通过本文，希望读者能够深入了解低压MOS管，并在实践中取得更好的成果。
2. 常用低压mos管的特点2.1 低压MOS管的定义和作用低压MOS管是一种常用的场效应晶体管，其主要作用是在电路中作为开关或放大器使用。
它具有低阻抗、高输入电阻和高输出电容等特点。
2.2 常见的低压MOS管分类及特点常见的低压MOS管可以根据其功率级别分为小功率MOS管和中功率MOS管。
小功率MOS管通常工作在数十毫安到几安的电流范围内，适用于低功率应用场景。
中功率MOS管则能承受更高电流，可在几安到数十安之间进行工作。
bldcmos管选型参数
Bld（Bipolar Logic Diode Logic）是一种常用的电子元器件，用于实现逻辑门电路。
在选择合适的CMOS管时，需要考虑以下几个参数：输入电压、输出电压、电源电压范围、静态功耗、动态功耗、频率响应、输入电阻和输出电阻等。
首先，输入电压和输出电压是选择CMOS管的重要参数之一。
通常，CMOS管的输入电压范围和输出电压范围应该与电路中的其他元件相匹配。
例如，如果电路中需要一个输入为低电平有效的门电路，那么选择的CMOS管输入电压范围应该是低电平有效；如果电路需要输出高电平有效的门电路，那么选择的CMOS管输出电压范围应该是高电平有效。
其次，电源电压范围也是选择CMOS管时需要考虑的参数之一。
不同品牌的CMOS管通常具有不同的电源电压范围，因此在选择时需要考虑到电路的实际工作电压范围。
一般来说，CMOS管的电源电压范围应该与电路中的其他元件相匹配，以确保电路的稳定性和可靠性。
第三，静态功耗和动态功耗是选择CMOS管时需要考虑的另一个重要参数。
静态功耗是指CMOS管在静态状态下所消耗的功率，而动态功耗是指CMOS管在切换状态时所消耗的功率。
在选择合适的CMOS管时，需要考虑到电路的实际功耗需求，并选择具有较低静态功耗和动态功耗的CMOS管，以降低电路的整体功耗。
第四，频率响应也是选择CMOS管时需要考虑的一个参数。
不同的CMOS管具有不同的频率响应特性，因此在选择时需要考虑到电路的实际工作频率需求。
一般来说，如果电路的工作频率较高，那么应该选择具有较高频率响应特性的CMOS管。
此外，输入电阻和输出电阻也是选择CMOS管时需要考虑的参数之一。
输入电阻决定了CMOS 管对输入信号的敏感程度，而输出电阻则决定了CMOS管的负载能力。
在选择合适的CMOS 管时，需要考虑到这些参数对电路性能的影响。
综上所述，选择合适的Bld CMOS管需要考虑多个参数，包括输入电压、输出电压、电源电压范围、静态功耗、动态功耗、频率响应、输入电阻和输出电阻等。
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可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2304；Si2304，AO3406，NDS355AN，AP2304，
OT23-3 封装、电压20V、内阻30mΩ、电流8.7A
可兼容、代用、替换市面上各类型的AO4800、Si4800、Si4804、FDS6912A、FDS6930A、
SDM4800、APM7313、IRF7313、AP4920、Si4936，NDS9956A、Si9925、Si9926、Si9956、
可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2304；Si2304，AO3406，NDS355AN，AP2304，
APM2306，CES2304
KD2306 N-Channel SOT23-3 封装、电压20V、内阻30mΩ、电流8.7A
KD2306A N-Channel SOT23-3 封装、电压30V、内阻30mΩ、电流8.5A
可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2303；Si2303， AO3405，AO3409，FDN360P，
FDN358P，FDN352AP，AP2303，APM2307，CES2303
KD2305 P-Channel SOT23-3 封装、电压-20V、内阻53mΩ、电流-4.2A、
KD2305A P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻60mΩ、电流-3.2A、
可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2301；Si2301，AP2301，CEM2301，APM2301，
APM2313，APM2323，CES2301，FDN302 ，FDN342P，FDN338P
KD2303 P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻240mΩ、电流-1.9A、
FDS6630A、FDFS6N303、Si9410、GT9410、TM9410、GE9410、G9410、ME9410
KD9926 Dual N-Channel SOP-8 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流6A
可兼容、代用、替换市面上各类型的9926 : APM9926、CEM9926、AP9926、SSM5N20V、
KD3403 P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻75mΩ、电流-3.7A、
KD3403A P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻70mΩ、电流-3.2A、
可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的 3403；
KD8205S Dual N-Channel SOT23-6 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流4A
KD2306A N-Channel SOT23-3 封装、电压30V、内阻30mΩ、电流8.5A
可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2306
KD2308 N-Channel SOT23-3 封装、电压60V、内阻160mΩ、电流6A
可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2308
KD2310 N-Channel SOT23-3 封装、电压60V、内阻90mΩ、电流6A
KD3403 P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻110mΩ、电流-3.4A、
可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的 3403；AO3403 SI2341 SI2307 AP2309 CES2313
KD8205S Dual N-Channel SOT23-6 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流4A
可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的 2305
KD2307 P-Channel SOT23-3 封装、电压-16V、内阻60mΩ、电流-4A、
可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的 2307
KD2309 P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻75mΩ、电流-3.7A、
KD2305 P-Channel SOT23-3 封装、电压-20V、内阻53mΩ、电流-4.2A、
KD2305A P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻60mΩ、电流-3.2A、
可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的 2305
KD2307 P-Channel SOT23-3 封装、电压-16V、内阻60mΩ、电流-4A、
可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2310
KD3400 N-Channel SOT23-3 封装、电压25V、内阻30mΩ、电流2.7A
可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的3400
KD2301 P-Channel SOT23-3 封装、电压-20V、内阻130mΩ、电流-2.6A、
可替代市面上所有TSOP-6 封装的8205
KD8205G Dual N-Channel TSSOP-8 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流6A
可替代市面上所有TSSOP-8 封装的8205
KDG9926 Dual N-Channel TSSOP-8 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流6A
FDS6630A、FDFS6N303、Si9410、GT9410、TM9410、GE9410、G9410、ME9410
KD9926 Dual N-Channel SOP-8 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流6A
可兼容、代用、替换市面上各类型的9926 : APM9926、CEM9926、AP9926、SSM5N20V、
SDM4410、STM4410、 MT4410、iTM4410、STS4410、H4410、P4410、GE4410、AF4410N、
ME4410
KD9410 N-Channel SOP-8 封装、电压30V、内阻5mΩ、电流18A
可替代市面上各类型9410 :NK9410D、NDS9410A、APM9410K、SSM9410A、CEM9436A、
可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2302 ；APM2302，SSS2302，ME2302，AP2302，
STS2302，MT2302
KD2304 N-Channel SOT23-3 封装、电压25V、内阻117mΩ、电流2.7A
KD2304A N-Channel SOT23-3 封装、电压30V、内阻117mΩ、电流2.5A
可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的 2307
KD2309 P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻75mΩ、电流-3.7A、
可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的 2309
KD3401 P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻50mΩ、电流-4.2A、
KD2300 N-Channel SOT23-3 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流6A、
可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2300；Si2300，APM2300，CEM2300，STS2300，
AP2300，MT2300，ME2300
KD2302 N-Channel SOT23-3 封装、电压20V、内阻85mΩ、电流3.2A
SDM9926、STM9926、MT9926、TM9926、 GE9926、STN9926、iTM9926、
MOSFET 系列
KD2300 N-Channel SOT23-3 封装、电压20V、内阻50mΩ、电流6A、
可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2300；Si2300，APM2300，CEM2300，STS2300，
SDM9926、STM9926、MT9926、TM9926、 GE9926、STN9926、iTM9926、GT9926、TF9926、
AF9926、Si9926、FDS9926、H9926、ME9926
KD4228 Dual N-Channel SOP-8 封装、电压30V、内阻26mΩ、电流6.8A
可替代市面上所有TSOP-6 封装的8205
KD8205G Dual N-Channel TSSOP-8 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流6A
可替代市面上所有TSSOP-8 封装的8205
KDG9926 Dual N-Channel TSSOP-8 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流6A
仅接受项目专案订制供货.可替代市面上各厂牌各款TSSOP-8 封装之9926.
KD4410 N-Channel SOP-8 封装、电压30V、内阻13.5mΩ、电流10A
可兼容、代用、替换市面上各类型4410 : APM4410、CEM4410、AP4410、FDS4410、SSM4410、
可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2306
KD2308 N-Channel SOT23-3 封装、电压60V、内阻160mΩ、电流6A
可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2308
KD2310 N-Channel SOT23-3 封装、电压60V、内阻90mΩ、电流6A //////////////////////////////////
KD2303 P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻240mΩ、电流-1.9A、
可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2303；Si2303， AO3405，AO3409，FDN360P，
FDN358P，FDN352AP，AP2303，APM2307，CES2303
可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的3401；Si3401，AMP3401，CEM3401，STS3401，
AP3401，MT3401
KD3402 N-Channel SOT23-3 封装、电压30V、内阻73mΩ、电流4A
可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的3402;AO3402 SI2306 SI2316 AP2316 CES2314