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常用MOS管选型参考

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常用低压MOS管选型

常用低压MOS管选型
KD2304A N-Channel SOT23-3 封装、电压30V、内阻117mΩ、电流2.5A
可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2304；Si2304，AO3406，NDS355AN，AP2304，
OT23-3 封装、电压20V、内阻30mΩ、电流8.7A
可兼容、代用、替换市面上各类型的AO4800、Si4800、Si4804、FDS6912A、FDS6930A、
SDM4800、APM7313、IRF7313、AP4920、Si4936，NDS9956A、Si9925、Si9926、Si9956、
可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2304；Si2304，AO3406，NDS355AN，AP2304，
APM2306，CES2304
KD2306 N-Channel SOT23-3 封装、电压20V、内阻30mΩ、电流8.7A
KD2306A N-Channel SOT23-3 封装、电压30V、内阻30mΩ、电流8.5A
可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2303；Si2303， AO3405，AO3409，FDN360P，
FDN358P，FDN352AP，AP2303，APM2307，CES2303
KD2305 P-Channel SOT23-3 封装、电压-20V、内阻53mΩ、电流-4.2A、
KD2305A P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻60mΩ、电流-3.2A、
可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2301；Si2301，AP2301，CEM2301，APM2301，
APM2313，APM2323，CES2301，FDN302 ，FDN342P，FDN338P

常见mos管的型号参数

常见mos管的型号参数

电调常见的烧毁问题，可通过更换烧坏的ＭＯＳ管来解决，如相应电流的，可用更多大额定电流的代替。

注意，焊接ＭＯＳ止静电。

TO-220TO-252TO-3附SO-8（贴片８脚）封装ＭＯＳ管IRF7805Z的引脚图。

上图中有小圆点的为１脚注：下表按电流降序排列（如有未列出的，可回帖，我尽量补封装形式极性型号电流(A)耐压(V)导通电阻(mΩ)SO-8N型SI43362230 4.2 SO-8N型IRF78312130 3.6 SO-8N型IRF783220304SO-8N型IRF872114308.5 SO-8N型IRF78051330SO-8N型IRF7805Q133011 SO-8N型IRF7413123018 SO-8N型TPC800312306 SO-8N型IRF7477113020 SO-8N型IRF7811113012 SO-8N型IRF7466103015 SO-8N型SI4410103014 SO-8N型SI4420103010 SO-8N型A27009307.3 SO-8N型IRF78078.330SO-8N型SI48127.33028 SO-8N型SI9410 6.93050 SO-8N型IRF731363029 SO-8P型SI440517307.5 SO-8P型STM4439A143018 SO-8P型FDS667913309 SO-8P型SI441113308 SO-8P型SI446312.32016 SO-8P型SI44071230SO-8P型IRF7424113013.5 SO-8P型IRF7416103020 SO-8P型IRF7416Q103020 SO-8P型SI442593019 SO-8P型IRF74248.83022 SO-8P型SI443583020 SO-8P型SI4435DY83020 SO-8P型A271673011.3 SO-8P型IRF7406 5.83045 SO-8P型SI9435 5.33050 SO-8P型IRF7205 4.63070 TO-252N型FDD668884305 TO-3N型IRF1504010055 TO-220N型IRF370321030 2.8 TO-220N型IRL3803140306 TO-220N型IRF140513155 5.3 TO-220N型IRF3205110558 TO-220N型BUZ111S80558TO-220N型06N60 5.5600750MOS管应用电路设计本文来自:原文网址：/sch/jcdl/0084942.htmlMOS管应用电路设计MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电也有照明调光。

常用全系列场效应管 MOS管型号参数封装资

常用全系列场效应管 MOS管型号参数封装资

场效应管分类型号简介封装DISCRETEMOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETEMOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETEMOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF530A 100V,14A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF740A 400V,10A TO-220MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF9520 TO-220 DISCRETEMOS FET IRF9540 TO-220 DISCRETEMOS FET IRF9610 TO-220 DISCRETEMOS FET IRF9620 TO-220IRF610 200V 3.3A 43WIRF820 500V 2.5A 50WIRF830 500V 4.5A 45WIRF840 500V 8A 125WIRF9620 200V 2A 40WIRFBC40R 600V 6.2A 125WIRFBC30 600V 3.6A 74WIRFPF50 900V 6.8A 150WIRFP450 500V 14A 180WDISCRETEMOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P DISCRETEMOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P DISCRETEMOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P DISCRETEMOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAKMOS FET IRFR214A 250V,2.2A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR220A 200V,4.6A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR224A 250V,3.8A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR310A 400V,1.7A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR9020TF D-PAK DISCRETEMOS FET IRFS540A 100V,17A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS630A 200V,6.5A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS634A 250V,5.8A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS640A 200V,9.8A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS644A 250V,7.9A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS730A 400V,3.9A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS740A 400V,5.7A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS830A 500V,3.1A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS840A 500V,4.6A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS9Z34 -60V,12A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFSZ24A 60V,14A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFSZ34A 60V,20A TO-220FMOS FET IRFU110A 100V,4.7A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU120A 100V,8.4A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU220A 200V,4.6A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU230A 200V,7.5A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU410A 500V I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU420A 500V,2.3A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFZ20A TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ24A 60V,17A TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ30 TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ34A 60V,30A TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ40 TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ44A 60V,50A TO-220 DISCRETEMOS FET IRLS530A 100V,10.7A,Logic TO-220F DISCRETEMOS FET IRLSZ14A 60V,8A,Logic TO-220F DISCRETEMOS FET IRLZ24A 60V,17A,Logic TO-220 DISCRETEMOS FET IRLZ44A 60V,50A,Logic TO-220 DISCRETEMOS FET SFP36N03 30V,36A TO-220MOS FET SFP65N06 60V,65A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP9540 -100V,17A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP9634 -250V,5A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP9644 -250V,8.6A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP9Z34 -60V,18A TO-220 DISCRETEMOS FET SFR9214 -250V,1.53A D-PAK DISCRETEMOS FET SFR9224 -250V,2.5A D-PAK DISCRETEMOS FET SFR9310 -400V,1.5A D-PAK DISCRETEMOS FET SFS9630 -200V,4.4A TO-220F DISCRETEMOS FET SFS9634 -250V,3.4A TO-220F DISCRETEMOS FET SFU9220 -200V,3.1A I-PAK DISCRETEMOS FET SSD2002 25V N/P Dual 8SOP DISCRETEMOS FET SSD2019 20V P-ch Dual 8SOP DISCRETEMOS FET SSD2101 30V N-ch Single 8SOP DISCRETEMOS FET SSH10N80A 800V,10A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH10N90A 900V,10A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH5N90A 900V,5A TO-3PMOS FET SSH60N10 TO-3P DISCRETEMOS FET SSH6N80A 800V,6A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH70N10A 100V,70A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH7N90A 900V,7A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH9N80A 800V,9A TO-3P DISCRETEMOS FET SSP10N60A 600V,9A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP1N60A 600V,1A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP2N90A 900V,2A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP35N03 30V,35A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP3N90A 900V,3A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP4N60A 600V,4A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP4N60AS 600V,4A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP4N90AS 900V,4.5A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP5N90A 900V,5A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP60N06 60V,60A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP6N60A 600V,6A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP70N10A 100V,55A TO-220MOS FET SSP7N60A 600V,7A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP7N80A 800V,7A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP80N06A 60V,80A TO-220 DISCRETEMOS FET SSR1N60A 600V,0.9A D-PAK DISCRETEMOS FET SSR2N60A 600V,1.8A D-PAK DISCRETEMOS FET SSR3055A 60V,8A D-PAK DISCRETEMOS FET SSS10N60A 600V,5.1A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS2N60A 600V,1.3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS3N80A 800V,2A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS3N90A 900V,2A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS4N60A 600V,3.5A TO-220(F/P) DISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220(F/P) DISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS4N90AS 900V,2.8A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS5N80A 800V,3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS6N60A 600V, TO-220(F/P) 2SK105 50V 0.01A 0.25W2SK161 18V 0.1A 0.2W2SK192 18V 0.1A 0.2W2SK413 140V 8A 100W2SK418 140V 8A 100W2SK544 20V 0.02A 0.03W2SK659 60V 12A 35W2SK701 60V 2A 15W2SK940 60V 0.8A 0.9W2SK1117 600V 6A 100W2SK1198 700V 2A 35W2SK1270 60V 2A 10WBUK453. 100A 100V 22A 75WBUK455. 60A 60V 38A 83WIRFBG20，IRFBG30，IRFPG50 IRFPG40 1000V。

MOS管选型

MOS管选型

MOS管选‎型最近在‎推MOS管‎的过程中，‎遇到一些问‎题，最主要‎的是一个品‎牌替换参数‎的对应问题‎，很多时候‎我们只关注‎了电流电压‎满足要求，‎性能上的比‎较我们很少‎做比较，特‎从网上摘录‎此文，供大‎家参考：‎与系统相关‎的重要参数‎：在M‎O S管选择‎方面，系统‎要求相关的‎几个重要参‎数是：‎1．负‎载电流IL‎。

它直接决‎定于MOS‎F ET的输‎出能力；‎2．‎输入—输出‎电压。

它受‎M OSFE‎T负载占空‎比能力限制‎；3．‎开关频‎率FS。

这‎个参数影响‎M OSFE‎T开关瞬间‎的耗散功率‎；4．‎ MOS‎F ET最大‎允许工作温‎度。

这要满‎足系统指定‎的可靠性目‎标。

‎MOSF‎E T设计选‎择：一‎旦系统的工‎作条件（负‎载电流，开‎关频率，输‎出电压等）‎被确定，功‎率MOSF‎E T在参数‎方面的选择‎如下：‎1 RDS‎O N的值。

‎最低的导通‎电阻，可以‎减小损耗，‎并让系统较‎好的工作。

‎但是，较低‎电阻的MO‎S FET其‎成本将高于‎较高电阻器‎件。

2‎散热。

如‎果空间足够‎大，可以起‎到外部散热‎效果，就可‎以以较低成‎本获得与较‎低RDSO‎N一样的效‎果。

也可以‎使用表面贴‎装的MOS‎F ET达到‎同样效果，‎详见下文第‎15行。

‎3 MO‎S FET组‎合。

如果板‎上空间允许‎，有时候，‎可以用两个‎较高RDS‎O N的器件‎并联，以获‎得相同的工‎作温度，并‎且成本较低‎。

‎计算MOS‎F ET的功‎率损耗及其‎壳温：‎在MOSF‎E T工作状‎态下，有三‎部分功率损‎耗：1‎． MO‎S FET在‎完全打开以‎后（可变电‎阻区）的功‎率损耗：‎PON=‎I Load‎2 × R‎D SON ‎×占空比‎ILoa‎d为最大直‎流输出电流‎。

2．‎ MOS‎F ET在打‎开上升时功‎率损耗：‎PTRO‎N= （I‎L oad ‎× VDS‎× Tr‎×FS）‎/ 2‎其中：。

MOS管选型

MOS管选型

MOS管选型1、预估使用环境温度T ambient一般情况下取室温25°C，器件附件空气温升10°C，较差情况下不妨取温度45°C，器件附件空气温升20°C最差情况下T ambient=65°C2、计算I DT ambient + RθJA * I D * I D * R DS（ON）=T j例:ME4970RθJA =76°C/WR DS（ON）≤16mΩ（V GS=10V）T j≤150°CT ambient=65°C得I D≤8.36A，与规格书中I D≤8.3A（T ambient=70°C）值很接近3、关于关键器件温升控制△T+To+RθJC * I D * I D * R DS（ON）=T jTo=25°C 室温△T=45°C器件温升，即MOS表面70°C。

RθJC=46°C/WR DS（ON）≤16mΩ（V GS=10V）T j≤150°C得I D≤10.4A以上表明，规格书所标注的I D可以直接作为设计参考电流值（Tambient 取70°C）。

满足温升等要求。

也可用到80%，留有一定余量。

使用条件不同的，需通过T ambient + RθJA * I D * I D * R DS（ON）=T j计算I D。

注：MOS的气候特性，包括juction-to-ambient 和junction-to-case两个参数juction-to-ambient：是指PN结到环境的温度，junction-to-case：PN结至器件外壳的温度。

开关mos管选型参数

开关mos管选型参数

开关mos管选型参数在开关MOS管的选型中，咱们可得先聊聊这些小家伙到底是什么。

MOS管，简单来说，就是一种可以用来控制电流的电子元件。

你可以把它想象成电路里的“门”，当你给它信号时，这扇门就打开，电流就可以顺畅地通过，反之亦然。

别小看这小玩意，它的作用可大了！选对了合适的MOS管，电路就能如虎添翼，工作得相当顺畅。

可要是选错了，那可真是自食其果，麻烦不断。

说到选型参数，首先我们得看看导通电阻。

想象一下，如果你开门的时候发现门锁坏了，那可就尴尬了。

导通电阻越小，电流通过的阻力就越小，简直就是开门不费劲。

想象一下你在家里开门，门口堆满了东西，哎呀，真是麻烦得不行。

而低导通电阻就能让电流如沐春风，自在流动，效率自然高得多。

别忘了，还得考虑最大漏电流。

这个就像是你家里水管的漏水，漏得多，水费可就飞涨。

漏电流大，就代表着你使用过程中会有更多的电流流失，这可不是我们想要的。

耐压也是个大问题。

想象一下，如果你拿了个小伞，却在暴风雨中去挡雨，那绝对是自找苦吃。

耐压就是MOS管可以承受的电压大小，电压超过了它的承受能力，那小家伙可就会“罢工”，搞不好还会烧掉，真是得不偿失。

这里还得提一提开关频率，电路工作得越快，MOS管的开关频率就得跟上，不然电路可是会被拖慢脚步。

想象一下你参加了一场马拉松，结果你的跑鞋拖沓得像牛，速度怎么可能快得起来？还有一个非常关键的参数就是门极驱动电压。

这就像是你对孩子的要求，得给点激励，才能让他学习更努力。

门极驱动电压越高，MOS管的开关速度就越快，当然也越能抵挡噪声干扰。

这里面可得花点心思，选个合适的电压值，这样电路才能保持高效运转。

当然了，使用环境也是不能忽视的。

比如说你去海边度假，结果发现那海风劲吹，沙子满天飞，哦，那就真是悲剧了。

MOS管的工作环境温度、湿度、甚至是防尘等级都得考虑清楚，万一环境不合适，那它可就成了“无米之炊”，根本发挥不出应有的性能。

还有一项就是热阻。

这可是一门大学问啊，简单来说，热阻就是MOS管在工作时产生热量的散发能力。

常用MOS管型号参数

常用MOS管型号参数

场效应管分‎类型号‎简介封装‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T 2N‎7000 ‎60V,0‎.115A‎TO-9‎2 DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET 2‎N7002‎60V,‎0.2A ‎S OT-2‎3 DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R F510‎A 100‎V,5.6‎A TO-‎220 D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRF5‎20A 1‎00V,9‎.2A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F530A‎100V‎,14A ‎T O-22‎0 DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R F540‎A 100‎V,28A‎TO-2‎20 DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎I RF61‎0A 20‎0V,3.‎3A TO‎-220 ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎620A ‎200V,‎5A TO‎-220 ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎630A ‎200V,‎9A TO‎-220 ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎634A ‎250V,‎8.1A ‎T O-22‎0 DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R F640‎A 200‎V,18A‎TO-2‎20 DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎I RF64‎4A 25‎0V,14‎A TO-‎220 D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRF6‎50A 2‎00V,2‎8A TO‎-220 ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎654A ‎250V,‎21A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F720A‎400V‎,3.3A‎TO-2‎20 DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎I RF73‎0A 40‎0V,5.‎5A TO‎-220 ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎740A ‎400V,‎10A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F750A‎400V‎,15A ‎T O-22‎0 DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R F820‎A 500‎V,2.5‎A TO-‎220 D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRF8‎30A 5‎00V,4‎.5A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F840A‎500V‎,8A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F9520‎-100‎V,-6A‎TO-2‎20 DI‎S CRET‎EDISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F9610‎-200‎V,-1.‎8A TO‎-220 ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎9620 ‎-200V‎,-3.5‎A TO-‎220 D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRFP‎150A ‎100V,‎43A T‎O-3P‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎P250A‎200V‎,32A ‎T O-3P‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F P450‎A 500‎V,14A‎TO-3‎P DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R FR02‎4A 60‎V,15A‎D-PA‎K DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R FR12‎0A 10‎0V,8.‎4A D-‎P AK D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRFR‎214A ‎250V,‎2.2A ‎D-PAK‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F R220‎A 200‎V,4.6‎A D-P‎A K DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎I RFR2‎24A 2‎50V,3‎.8A D‎-PAK ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎R310A‎400V‎,1.7A‎D-PA‎K DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R FR90‎20 -5‎0V,-9‎.9A D‎-PAK ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎S540A‎100V‎,17A ‎T O-22‎0F DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎I RFS6‎30A 2‎00V,6‎.5A T‎O-220‎F DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R FS63‎4A 25‎0V,5.‎8A TO‎-220F‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F S640‎A 200‎V,9.8‎A TO-‎220F ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎S644A‎250V‎,7.9A‎TO-2‎20F D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRFS‎730A ‎400V,‎3.9A ‎T O-22‎0F DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎I RFS7‎40A 4‎00V,5‎.7A T‎O-220‎F DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R FS83‎0A 50‎0V,3.‎1A TO‎-220F‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F S840‎A 500‎V,4.6‎A TO-‎220F ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎S9Z34‎-60V‎,-12A‎TO-2‎20F D‎I SCRE‎T EDISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F SZ34‎A 60V‎,20A ‎T O-22‎0FDI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎I RFU1‎10A 1‎00V,4‎.7A I‎-PAK‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎U120A‎100V‎,8.4A‎I-PA‎KDIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R FU22‎0A 20‎0V,4.‎6A I-‎P AKD‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRFU‎230A ‎200V,‎7.5A ‎I-PAK‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F U410‎A 500‎V ,1.‎2A I-‎P AKD‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRFU‎420A ‎500V,‎2.3A ‎I-PAK‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F Z20A‎50V,‎15A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F Z24A‎60V,‎17A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F Z30 ‎50V,3‎0A TO‎-220‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎Z34A ‎60V,3‎0A TO‎-220‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎Z40 5‎0V,50‎A TO-‎220D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRFZ‎44A 6‎0V,50‎A TO-‎220D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRLS‎530A ‎100V,‎10.7A‎,Logi‎c TO-‎220F ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRL‎S Z14A‎60V,‎8A,Lo‎g ic T‎O-220‎F DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R LZ24‎A 60V‎,17A,‎L ogic‎TO-2‎20DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎I RLZ4‎4A 60‎V,50A‎,Logi‎c TO-‎220D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SFP3‎6N03 ‎30V,3‎6A TO‎-220‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SFP‎65N06‎60V,‎65A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T SF‎P9540‎-100‎V,-17‎A TO-‎220D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SFP9‎634 -‎250V,‎-5A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T SF‎P9644‎-250‎V,-8.‎6A TO‎-220‎D ISCR‎E TEDIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎F R921‎4 -25‎0V,-1‎.53A ‎D-PAK‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T SF‎R9224‎-250‎V,-2.‎5A D-‎P AK D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SFR9‎310 -‎400V,‎-1.5A‎D-PA‎K DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎F S963‎0 -20‎0V,-4‎.4A T‎O-220‎F DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎F S963‎4 -25‎0V,-3‎.4A T‎O-220‎F DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎F U922‎0 -20‎0V,-3‎.1A I‎-PAK‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSD‎2002 ‎25V N‎/P Du‎a l 8S‎O P DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎S SD20‎19 20‎V P-c‎h Dua‎l 8SO‎P DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎S D210‎1 30V‎N-ch‎Sing‎l e 8S‎O P DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎S SH10‎N80A ‎800V,‎10A T‎O-3P ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSH‎10N90‎A 900‎V,10A‎TO-3‎P DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎S H5N9‎0A 90‎0V,5A‎TO-3‎P DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎S H60N‎10 10‎0V,60‎A TO-‎3PDI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎S SH6N‎80A 8‎00V,6‎A TO-‎3PDI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎S SH70‎N10A ‎100V,‎70A T‎O-3P ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSH‎7N90A‎900V‎,7A T‎O-3P‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSH‎9N80A‎800V‎,9A T‎O-3P‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSP‎10N60‎A 600‎V,9A ‎T O-22‎0 DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎S P1N6‎0A 60‎0V,1A‎TO-2‎20DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎S SP2N‎90A 9‎00V,2‎A TO-‎220D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SSP3‎5N03 ‎30V,3‎5A TO‎-220‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSP‎3N90A‎900V‎,3A T‎O-220‎DISC‎R ETEDIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎S P4N6‎0AS 6‎00V,4‎A TO-‎220D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SSP4‎N90AS‎900V‎,4.5A‎TO-2‎20 DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎S SP5N‎90A 9‎00V,5‎A TO-‎220D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SSP6‎0N06 ‎60V,6‎0A TO‎-220‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSP‎6N60A‎600V‎,6A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T SS‎P70N1‎0A 10‎0V,55‎A TO-‎220D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SSP7‎N60A ‎600V,‎7A TO‎-220‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSP‎7N80A‎800V‎,7A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T SS‎P80N0‎6A 60‎V,80A‎TO-2‎20DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎S SR1N‎60A 6‎00V,0‎.9A D‎-PAK‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSR‎2N60A‎600V‎,1.8A‎D-PA‎K DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎S R305‎5A 60‎V,8A ‎D-PAK‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T SS‎S10N6‎0A 60‎0V,5.‎1A TO‎-220F‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T SS‎S2N60‎A 600‎V,1.3‎A TO-‎220F ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSS‎3N80A‎800V‎,2A T‎O-220‎F DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎S S3N9‎0A 90‎0V,2A‎TO-2‎20FD‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SSS4‎N60AS‎600V‎,2.3A‎TO-2‎20F D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SSS4‎N90AS‎900V‎,2.8A‎TO-2‎20F D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SSS5‎N80A ‎800V,‎3A TO‎-220F‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T SS‎S6N60‎600V‎, 3.2‎A TO-‎220(F‎/P) ‎。

常见mos管的型号参数

常见mos管的型号参数

电调常见的烧毁问题，可通过更换烧坏的ＭＯＳ管来解决，如相应电流的，可用更多大额定电流的代替。

注意，焊接ＭＯＳ止静电。

TO-220TO-252TO-3附SO-8（贴片８脚）封装ＭＯＳ管IRF7805Z的引脚图。

上图中有小圆点的为１脚注：下表按电流降序排列（如有未列出的，可回帖，我尽量补封装形式极性型号电流(A)耐压(V)导通电阻(mΩ)SO-8N型SI43362230 4.2 SO-8N型IRF78312130 3.6 SO-8N型IRF783220304SO-8N型IRF872114308.5 SO-8N型IRF78051330SO-8N型IRF7805Q133011 SO-8N型IRF7413123018 SO-8N型TPC800312306 SO-8N型IRF7477113020 SO-8N型IRF7811113012 SO-8N型IRF7466103015 SO-8N型SI4410103014 SO-8N型SI4420103010 SO-8N型A27009307.3 SO-8N型IRF78078.330SO-8N型SI48127.33028 SO-8N型SI9410 6.93050 SO-8N型IRF731363029 SO-8P型SI440517307.5 SO-8P型STM4439A143018 SO-8P型FDS667913309 SO-8P型SI441113308 SO-8P型SI446312.32016 SO-8P型SI44071230SO-8P型IRF7424113013.5 SO-8P型IRF7416103020 SO-8P型IRF7416Q103020 SO-8P型SI442593019 SO-8P型IRF74248.83022 SO-8P型SI443583020 SO-8P型SI4435DY83020 SO-8P型A271673011.3 SO-8P型IRF7406 5.83045 SO-8P型SI9435 5.33050 SO-8P型IRF7205 4.63070 TO-252N型FDD668884305 TO-3N型IRF1504010055 TO-220N型IRF370321030 2.8 TO-220N型IRL3803140306 TO-220N型IRF140513155 5.3 TO-220N型IRF3205110558 TO-220N型BUZ111S80558TO-220N型06N60 5.5600750MOS管应用电路设计本文来自:原文网址：/sch/jcdl/0084942.htmlMOS管应用电路设计MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电也有照明调光。

华之美半导体MOS管型号选型指南

华之美半导体MOS管型号选型指南

型号 HM2301/A HM2301B HM2301C HM2301D HM2301E HM2301DR HM2301KR HM2301BKR /BSR/BJR
沟道 P沟道 P沟道 P沟道 P沟道 P沟道 P沟道 P沟道
VGS -10V -12V -12V -6V -12V -6V -10V
IDM -10A -10A -10A -4A -7A -4A -6A
60V 60V 100V 100V 100V 100V 150V 200V 150V
20V 20V 20V 20V 20V 20V 20V 20V 20V
3V 3V 2V 2V 1.8V 1.4V 3.2V 3.0V 2.0V
单P沟道低压MOS场效应管 VDS (Max) -20V -20V -12V -20V -12V -20V -20V VTH (Typ) -0.65V -0.7V -0.7V -0.45V -0.7V -0.45V -0.65V ID (Max) -3A -2.8A -2.8A -0.8A -2A -0.8A -3A RDS(on) (Max) 65mΩ 83mΩ 85mΩ 350mΩ 95mΩ 350mΩ 65mΩ
-0.45V -0.7V -0.7V -0.65V
-0.8A -4.1A -4.0A -6A -4.2A -4.2A -2.5A -4.6A -5.2A
-1.6A -15A -15A -20A -30A -30A -10A -32A -30A
350mΩ 39mΩ 40mΩ 30mΩ 50mΩ 50mΩ 72mΩ 50mΩ 50mΩ
双P沟道 双P沟道 双P沟道 双P沟道 双P沟道 双P沟道 P沟道 双P沟道 双P沟道 双P沟道 双P沟道 双P沟道
-20V -30V -30V -30V -40V -40V -40V -55V -60V -100V -30V -20V

常用N沟道mos管参数

常用N沟道mos管参数

常用N沟道mos管参数型号极性用途V A W ns RONIRFBC40N-FET MOS-enh,S-L6006.212527/301.2ΩIRFBC30N-FET MOS-enh,S-L6002.25015/304.4ΩIRF820N-FET MOS-enh,S-L5002.55018/183ΩIRF840N-FET MOS-enh,S-L500812535/300.85ΩIRF830N-FET MOS-enh,S-L5004.57523/231.5ΩIRF740N-FET MOS-enh,S-L4001012541/360.55ΩIRF640N-FET MOS-enh,S-L2001812577/540.18ΩIRF630N-FET MOS-enh,S-L20097550/400.4ΩIRF540N-FET MOS-enh,S-L10028150110/750.077ΩIRF530N-FET MOS-enh,S-L100147951/360.18ΩIRF9640P-FET MOS-enh,S-L20011125/0.5ΩIRF9630P-FET MOS-enh,S-L2006.575100/800.8ΩIRF9610P-FET MOS-enh,S-L20012025/152.3ΩIRF9540P-FET MOS-enh,S-L10019125140/1400.2ΩIRF9530P-FET MOS-enh,S-L1001275140/1400.3ΩIRF9230P-FET MOS-enh,S-L200575100/800.5Ω电调常用MOS管参数大全2010年11月09日星期二15:31A2700N型管(贴片)耐压：30V电流：9A导通电阻：7.3mΩSI4336N型管(贴片)耐压：30V电流：22A导通电阻：4.2mΩSI4404N型管(贴片)耐压：30V电流：17A导通电阻：8mΩSI4410N型管(贴片)耐压：30V导通电阻：14mΩSI4420N型管(贴片)耐压：30V电流：10A导通电阻：10mΩSI4812N型管(贴片)耐压：30V电流：7.3A导通电阻：28mΩSI9410N型管(贴片)耐压：30V电流：6.9A导通电阻：50mΩIRF7313N型管(贴片)耐压：30V电流：6A导通电阻：29mΩIRF7413N型管(贴片)耐压：30V电流：12A导通电阻：18mΩIRF7477N型管(贴片)耐压：30V电流：11A导通电阻：20mΩIRF7805Z N型管(贴片)耐压：30V电流：16A导通电阻：6.8mΩIRF7811N型管(贴片)耐压：30V电流：11A导通电阻：12mΩIRF7831N型管(贴片)电流：16A导通电阻：0.004ΩIRF7832N型管(贴片)耐压：30V电流：20A导通电阻：4mΩIRF8113N型管(贴片)耐压：30V电流：17A导通电阻：5.6mΩTPC8003N型管(贴片)耐压：30V电流：12A导通电阻：6mΩFDS6688N型管(贴片)耐压：30V电流：16A导通电阻：0.006ΩFDD6688TO-252贴片耐压：30V电流：84A导通电阻：5mΩA2716P型管(贴片)耐压：30V电流：7A导通电阻：11.3mΩSI4405P型管(贴片)耐压：30V电流：17A导通电阻：7.5mΩSI4425P型管(贴片)耐压：30V电流：9A导通电阻：19mΩSI4435P型管(贴片)耐压：30V电流：8A导通电阻：20mΩSI4463P型管(贴片)耐压：20V电流：12.3A导通电阻：16mΩSI9435P型管(贴片)耐压：30V电流：5.3A导通电阻：50mΩIRF7424P型管(贴片)耐压：30V电流：8.8A导通电阻：22mΩSTM4439A P型管(贴片)耐压：30V电流：14A导通电阻：18mΩFDS6679P型管(贴片)耐压：30V电流：13A导通电阻：9mΩBUZ111S N型管(直插)耐压：55V电流：80A导通电阻：8mΩ5N05N型管(直插)耐压：50V电流：75A导通电阻：0.0095Ω6N60N型管(直插)耐压：600V电流：5.5A导通电阻：0.75Ω50N03L N型管(直插)耐压：25V电流：28A导通电阻：21mΩ60N06N型管(直插)耐压：60V电流：60A导通电阻：14mΩBTS110N型管(直插)耐压：100V电流：10A导通电阻：200mΩBTS120N型管(直插)耐压：100V电流：19A导通电阻：100mΩIRF150N型管(铁壳非直插)耐压：100V电流：40A导通电阻：55mΩIRF1405N型管(直插)耐压：55V电流：131A导通电阻：5.3mΩIRF2804N型管(直插)耐压：40V电流：75A导通电阻：2mΩIRF3205N型管(直插)耐压：55V电流：110A导通电阻：8mΩIRF3703N型管(直插)耐压：30V电流：210A导通电阻：2.3mΩIRL3803N型管(直插)耐压：30V电流：140A导通电阻：6mΩ。

MOS管参数选型指南

MOS管参数选型指南

SHENZHEN LIYOU TECHNOLOGY CO.,LTD型号类型P D I D V BR(DSS)(Ω)I D V GS(V)I D(μA)(S)V DS封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)2N7000N-ch MOS0.6250.26050.5100.8~310000.110TO-92 2N7002N-ch MOS0.2250.1156050.5101~2.52500.0810SOT-23 2N7002K N-ch MOS0.6250.346050.5101~2.5250--TO-92 2N7002K N-ch MOS0.350.346050.5101~2.51000--SOT-23 2N7002KW N-ch MOS0.20.346050.5101~2.51000--SOT-323 2N7002T N-ch MOS0.150.1156050.5101~2.52500.0810SOT-523 2N7002W N-ch MOS0.20.1156050.5101~2.52500.0810SOT-323 2N7002X N-ch MOS0.50.1156050.5101~2.52500.0810SOT-89-3L 2SK1658N-ch MOS0.20.130100.0140.9~1.510.023SOT-323 2SK3018N-ch MOS0.350.13080.0140.8~1.51000.023SOT-23 2SK3018N-ch MOS0.20.13080.0140.8~1.51000.023SOT-323 2SK3019N-ch MOS0.150.13080.0140.8~1.51000.023SOT-523 2SK3541N-ch MOS0.15±0.13080.0140.8~1.51000.023SOT-723 BSS123N-ch MOS0.350.1710060.17101~2.82500.0810SOT-23 BSS138N-ch MOS0.350.2250 3.50.22100.8~1.510000.1210SOT-23 BSS138W N-ch MOS0.30.2250 3.50.22100.8~1.525012010SOT-323 BSS84P-ch MOS0.225-0.13-5010-0.1-5-0.9~-2-2500.05-25SOT-23 CJ1012N-ch MOS0.150.5200.70.6 4.50.45~1.22501+10SOT-523 CJ2101P-ch MOS0.29-1.4-200.1-1-4.5-0.45-250--SOT-323型号类型P D I D V BR(DSS)(Ω)I D V GS(V)I D(μA)(S)V DS封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)CJ2102N-ch MOS0.2 2.1200.06 3.6 4.50.65~1.2508+5SOT-323 CJ2301P-ch MOS0.4-2.3-200.112-2.8-4.5-0.4~-1-250 6.5+-5SOT-23 CJ2301B P-ch MOS0.35-2.3-200.12-2.6-4.5-0.4~-1-250 6.5+-5SOT-23 CJ2301S P-ch MOS0.35-2.3-200.112-2.8-4.5-0.4~-1-2504+-5SOT-23 CJ2302N-ch MOS0.4 2.1200.06 3.6 4.50.65~1.2508+5SOT-23 CJ2302S N-ch MOS0.35 2.1200.06 3.6 4.50.65~1.2508+5SOT-23 CJ2303P-ch MOS0.35-1.9-300.19-1.9-10-1~-3-2501-5SOT-23 CJ2304N-ch MOS0.35 3.3300.06 3.210 1.2~2.2250 2.5 4.5SOT-23 CJ2305P-ch MOS0.35-4.1-120.045-3.5-4.5-0.5~-0.9-2506-5SOT-23 CJ2306N-ch MOS0.75 3.16300.047 3.5101~32507+ 4.5SOT-23 CJ2307P-ch MOS 1.1-2.7-300.088-3.5-10-1~-3-2507+-10SOT-23 CJ2310N-ch MOS0.353600.1053100.5~2250 1.415SOT-23 CJ2312N-ch MOS0.255200.03185 4.50.45~12506+10SOT-23 CJ2321P-ch MOS0.35-2.9-200.057-3.3-4.5-0.4~-0.9-2503-5SOT-23 CJ2324N-ch MOS0.3521000.234 1.510 1.2~2.82502+20SOT-23 CJ2333P-ch MOS0.35-6-120.028-5-4.5-0.4~-1-25018+-5SOT-23 CJ3134K N-ch MOS0.350.75200.380.65 4.50.35~1.1250 1.6+10SOT-23 CJ3134K N-ch MOS0.150.75200.380.65 4.50.35~1.1250 1.6+10SOT-723 CJ3134KW N-ch MOS0.20.75200.380.65 4.50.35~1.1250110SOT-323SHENZHEN LIYOU TECHNOLOGY CO.,LTD型号类型P D I D V BR(DSS)(Ω)I D V GS(V)I D(μA)(S)V DS封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)CJ3139K P-ch MOS0.15-0.66-200.52-1-4.5-0.35~-1.1-250 1.2+-10SOT-723 CJ3139K P-ch MOS0.35-0.66-200.52-1-4.5-0.35~-1.1-250 1.2+-10SOT-23 CJ3139KW P-ch MOS0.2-0.66-200.52-1-4.5-0.35~-1.1-2500.8-10SOT-323 CJ3400N-ch MOS0.35 5.8300.035 5.8100.7~1.425085SOT-23 CJ3400A N-ch MOS0.4 5.8300.032 5.8100.7~1.425085SOT-23 CJ3401P-ch MOS0.35-4.2-300.065-4.2-10-0.7~-1.3-2507-5SOT-23 CJ3401A P-ch MOS0.4-4.2-300.06-4.2-10-0.7~-1.3-2507-5SOT-23 CJ3402N-ch MOS0.354300.0554100.6~1.42508+15SOT-23 CJ3404N-ch MOS0.35 5.8300.03 5.8101~325055SOT-23 CJ3406N-ch MOS0.35 3.6300.065 3.6101~325035SOT-23 CJ3407P-ch MOS0.35-4.1-300.06-4.1-10-1~-3-250 5.5-5SOT-23 CJ3415P-ch MOS0.35-4-200.05-4-4.5-0.3~-1-2508-5SOT-23 CJ3420N-ch MOS0.356200.0246100.5~125045SOT-23 CJ3434N-ch MOS0.35300.0425100.6~125015+5SOT-23 CJ4153N-ch MOS0.150.915200.570.6 4.50.45~1.12500.510SOT-523 CJ4459＊P-ch MOS0.35-5-300.046-5-10-1.4~-2.4-25014+-5SOT-23 CJ502K P-ch MOS0.35-0.18-5010-0.1-5-0.9~-2-2500.05-25SOT-23 CJ502KW＊P-ch MOS0.3-0.18-5010-0.1-5-0.9~-2-2500.05-25SOT-323 CJ8810N-ch MOS0.37200.0267100.4~125095SOT-23SHENZHEN LIYOU TECHNOLOGY CO.,LTD型号类型P D I D V BR(DSS)(Ω)I D V GS(V)I D(μA)(S)V DS封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)CJ8820N-ch MOS0.37200.0217100.5~1.125020+5SOT-23CJA03N10N-ch MOS0.531000.145101~225035SOT-89-3L CJA9451P-ch MOS0.5-2.3-200.135-2.3-4.5-0.5~-1.5-250 2.3-5SOT-89-3L CJA9452N-ch MOS0.54200.0384100.7~1.525035SOT-89-3L CJAA3134K N-ch MOS0.10.75200.380.65 4.50.35~1.1250 1.6+10WBFBP-03E(1.0×0.6×0.5) CJAA3139K P-ch MOS0.1-0.66-200.52-1-4.5-0.35~-1.1-250 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1.2103~5250 1.550TO-251S CJD04N60N-ch MOS 1.25460032102~4250250TO-251S CJD04N60A N-ch MOS 1.25460032102~4250 2.550TO-251S CJD04N60B N-ch MOS--460032102~4250 2.550TO-251S CJD04N65N-ch MOS 1.25465032102~4250--TO-251S CJD05N60B N-ch MOS 1.255600 2.5 2.25102~4250--TO-251S CJD30N10＊N-ch MOS 1.25301000.0311510 1.3~2.525015+10TO-251S CJD4410N-ch MOS17.5300.013510101~32508+15TO-251-3L CJD4435P-ch MOS1-9.1-300.024-9.1-10-1~-3-25020-10TO-251-3L CJE3134K N-ch MOS0.150.75200.380.65 4.50.35-1.1250110SOT-523 CJE3139K P-ch MOS0.15-0.66-200.52-1-4.5-0.35~-1.1-250 1.2+-10SOT-523 CJI02N60N-ch MOS 1.252600 4.41102~4250150TO-126 CJK2305P-ch MOS0.4-4.1-120.045-3.5-4.5-0.5~-0.9-2506-5SOT-23-3L CJK2333P-ch MOS0.4-6-120.028-5-4.5-0.4~-1-25018+-5SOT-23-3L(12R) CJK3400A N-ch MOS0.45 5.8300.032 5.8100.7~1.425085SOT-23-3L(12R) CJK3401A P-ch MOS0.45-4.2-300.06-4.2-10-0.7~-1.3-2507-5SOT-23-3L CJK3407P-ch MOS0.3-4.1-300.06-4.1-10-1~-3-250 5.5-5SOT-23-3LSHENZHEN LIYOU TECHNOLOGY CO.,LTD型号类型P D I D V BR(DSS)(Ω)I D V GS(V)I D(μA)(S)V DS封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)CJK3415P-ch MOS0.3-4-200.05-4-4.5-0.3~-1-2508-5SOT-23-3LCJL1206P-ch MOS0.35-6-120.045-3.5-4.5-0.5~-0.9-2506-5SOT-23-6L(12R)CJL2301P-ch MOS0.35-2.3-200.09-2.5-4.5-0.4~-1-2504-5SOT-23-6L(12R)CJL3407P-ch MOS0.35-4.1-300.06-4.1-10-1~-3-250 5.5-5SOT-23-6LCJL3415P-ch MOS0.35-4-200.05-4-4.5-0.3~-1-25016+-5SOT-23-6LCJM1206P-ch MOS 2.5-6-120.045-3.5-4.5-0.5~-0.9-2506-5DFNWB2×2-6L-J(P0.65T0.75/0.85) CJM1208P-ch MOS 2.5-8-120.028-5-4.5-0.4~-1-25018-5DFNWB2×2-6L-J(P0.65T0.75/0.85) CJM1216P-ch MOS 2.5-16-120.021-6.7-4.5-0.4~-1-25040+-10DFNWB2×2-6L-J(P0.65T0.75/0.85) CJM3005＊N-ch MOS0.55300.0425100.6~125015+5DFNWB2×2-6L-J(P0.65T0.75/0.85) CJMN2012N-Ch MOS0.7512200.0155 4.50.35~1250204DFNWB2×2-6L-J(P0.65T0.75/0.85) CJMP3009P-ch MOS0.75-9-300.028-9-4.5-0.6~-1.5-25024+-5DFNWB2×2-6L-J(P0.65T0.75/0.85) CJP01N80N-ch MOS2180013.50.5103~52500.7550TO-220-3LCJP02N60N-ch MOS22600 4.41102~4250150TO-220-3LCJP02N65N-ch MOS22650 4.41102~4250--TO-220-3LCJP02N80N-ch MOS- 2.4800 6.3 1.2103~5250 1.550TO-220-3LCJP04N60N-ch MOS2460032102~4250250TO-220-3LCJP04N60A N-ch MOS2460032102~4250 2.550TO-220-3LCJP04N65N-ch MOS2465032102~4250--TO-220-3LCJP05N60B N-ch MOS-5600 2.5 2.25102~4250--TO-220-3LSHENZHEN LIYOU TECHNOLOGY CO.,LTD型号类型P D I D V BR(DSS)(Ω)I D V GS(V)I D(μA)(S)V DS封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)CJP07N60N-ch MOS27600 1.3 3.5102~4250550TO-220-3L CJP07N65N-ch mos-7.4650 1.3 3.7102~4250540TO-220-3L CJP08N60N-ch MOS28600 1.34102~4250--TO-220-3L CJP08N65N-ch mos-8650 1.44102~42508.5+50TO-220-3L CJP10N60N-ch MOS21060015102~4250--TO-220-3L CJP10N65N-ch MOS-1065015102~4250--TO-220-3L CJP12N60N-ch MOS2126000.86102~4250--TO-220-3L CJP12N65N-ch MOS-126500.856102~4250--TO-220-3L CJP15H03＊N-ch mos2150300.00310 4.5 1.2~2.52503210TO-220-3L-C CJP50N06＊N-ch mos250600.022010 1.5~2.52502425TO-220-3L-C CJP55H12＊N-ch mos2120550.00554010 2.0~4.02505025TO-220-3L-C CJP80N03＊N-ch MOS 1.2580300.006530101~325020+5TO-220-3L-C CJP80N04＊N-ch MOS280400.0072010 1.2~2.525020+10TO-220-3L-C CJP85N80N-ch MOS280850.006840102~425060+10TO-220-3L-C CJPF02N60N-ch MOS22600 4.41102~4250150TO-220F CJPF02N65N-ch MOS22650 4.41102~4250--TO-220F CJPF03N80N-ch MOS-3800 4.2 1.5103~4.5250 2.115TO-220F CJPF04N60N-ch MOS2460032102~4250250TO-220F CJPF04N60A N-ch MOS2460032102~4250 2.550TO-220FSHENZHEN LIYOU TECHNOLOGY CO.,LTD型号类型P D I D V BR(DSS)(Ω)I D V GS(V)I D(μA)(S)V DS封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)CJPF04N65N-ch MOS2465032102~4250--TO-220F CJPF04N70B＊N-Ch MOS2 4.4700 2.8 2.2102~4250--TO-220F CJPF04N70＊N-ch mos- 4.4700 2.8 2.2102~4250--TO-220F CJPF04N80N-ch MOS-480032103~5250--TO-220F CJPF05N60B N-ch MOS25600 2.5 2.25102~4250--TO-220F CJPF05N65N-ch MOS25650 2.4 2.5102~42504+50TO-220F CJPF06N70N-ch MOS-6700 1.83102~4250TO-220F CJPF07N60N-ch MOS27600 1.3 3.5102~4250550TO-220F CJPF07N65N-ch MOS27.4650 1.3 3.7102~4250540TO-220F CJPF08N60N-ch MOS28600 1.34102~4250--TO-220F CJPF08N65N-ch MOS28650 1.44102~42508.5+50TO-220F CJPF08N80N-ch MOS-8800 1.454103~5250 5.650TO-220F CJPF10N60N-ch MOS21060015102~4250--TO-220F CJPF10N65N-ch MOS21065015102~4250--TO-220F CJPF12N65N-ch MOS-126500.856102~4250--TO-220F CJPF55P30P-ch mos2-30-550.04-15-10-2~-4-2508-25TO-220F CJQ07N10N-ch mos 1.471000.0385 4.5 1.2~325022*5SOP8 CJQ4406N-ch mos 1.410300.01212101~325015*5SOP8 CJQ4407P-ch mos 1.4-12-300.017-10-6-1~-2.2-25025-5SOP8SHENZHEN LIYOU TECHNOLOGY CO.,LTD型号类型P D I D V BR(DSS)(Ω)I D V GS(V)I D(μA)(S)V DS封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)CJQ4410N-ch MOS 1.47.5300.013510101~32508+15SOP8 CJQ4435P-ch MOS 1.4-9.1-300.024-9.1-10-1~-3-25020-10SOP8 CJQ4438N-ch MOS 1.258.2600.0228.2101~3250105SOP8 CJQ4459P-ch MOS 1.4-6.5-300.046-6.5-10-1.4~-2.4-2506-5SOP8 CJQ60P05P-ch MOS 1.25-5-600.08-5-10-1.5~-3.5-2505-15SOP8 CJQ9435P-ch MOS 1.4-5.1-300.06-4.6-10-1~-2-2505-15SOP8 CJT04N15N-ch MOS141500.16410 1.5~2.52505+15SOT-223(8R) CJU01N65B N-ch MOS 1.251650140.6102~4250--TO-252-2L(4R) CJU01N80N-ch MOS-180013.50.5103~52500.75+50TO-252-2L(4R) CJU02N60N-ch MOS 1.252600 4.41102~4250150TO-252-2L(4R) CJU02N65N-ch MOS 1.252650 4.41102~4250--TO-252-2L(4R) CJU02N80N-ch MOS- 2.4800 6.3 1.2103~5250 1.550TO-252-2L(4R) CJU03N80N-ch MOS-3800 4.2 1.5103~4.5250 2.1+15TO-252-2L(4R) CJU04N60N-ch MOS 1.25460032102~4250 2.550TO-252-2L(4R) CJU04N60A N-ch MOS 1.25460032102~4250 2.550TO-252-2L(4R) CJU04N65N-ch MOS 1.25465032102~4250--TO-252-2L(4R) CJU04N70B＊N-ch mos 1.25 4.4700 2.8 2.2102~4250--TO-252-2L(4R) CJU05N60B N-ch MOS 1.255600 2.5 2.25102~4250--TO-252-2L(4R) CJU10N10N-ch MOS-9.61000.14510 1.2~2.5250 3.525TO-252-2L(4R)SHENZHEN LIYOU TECHNOLOGY CO.,LTD型号类型P D I D V BR(DSS)(Ω)I D V GS(V)I D(μA)(S)V DS封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)CJU12P10＊P-ch MOS 1.25-12-1000.25-6-10-1~-3-250--TO-252-2L(4R) CJU18P10P-ch MOS 1.25-18-1000.1-16-10-1~-3-2505-10TO-252-2L(4R) CJU20N06N-ch mos 1.2520600.04520101~32502425TO-252-2L(4R) CJU30N03N-ch MOS 1.2530300.01415101~2.5250--TO-252-2L(4R) CJU30N10N-ch MOS 1.25301000.0311510 1.3~2.525015+5TO-252-2L(4R) CJU40N10N-ch mos 1.25401000.01728102~42503225TO-252-2L(4R) CJU40P04P-ch mos 1.25-40-400.014-12-10-1.5~-3-25034-5TO-252-2L(4R) CJU4410N-ch MOS17.5300.013510101~32508+15TO-252-2L(4R) CJU4828N-ch MOS 1.25 4.5600.056 4.5101~325045TO-252-2L(4R) CJU50N03＊N-ch mos 1.2550300.0162051~3250155TO-252-2L(4R) CJU50N06N-ch mos 1.2550600.022010 1.5~2.52502425TO-252-2L(4R) CJU55P30P-ch mos 1.25-30-550.04-15-10-2~-4-2508-25TO-252-2L(4R) CJU60N04＊N-ch mos 1.2560400.0220 4.5 1.2~2.52501510TO-252-2L(4R) CJU75N06N-ch mos 1.2575600.011530102~42502025TO-252-2L(4R) CJU80N03N-ch mos 1.2580300.012451~3250205TO-252-2L(4R) CJV01N65B N-ch MOS0.6251650140.6102~4250--TO-92 CJW1012N-ch MOS0.150.5200.70.6 4.50.45~1.22501+10SOT-323 IRF630N-ch MOS-9.32000.4 5.4102~4250 3.850TO-220-3L IRF640N-ch MOS2182000.1811102~4250 6.750TO-220-3LSHENZHEN LIYOU TECHNOLOGY CO.,LTD型号类型P D I D V BR(DSS)(Ω)I D V GS (V)I D (μA)(S)V DS 封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)IRF730N-ch MOS 2 5.54001 3.3102~4250 2.950TO-220-3L IRF740N-ch MOS -104000.55 5.2102~4250 5.850TO-220-3L IRF830N-ch MOS 2 4.5500 1.5 2.7102~4250 2.550TO-220-3L IRF840N-ch MOS 285000.85 4.8102~4250 4.950TO-220-3L IRFB640N-ch MOS 2182000.1811102~4250 6.750TO-263-2L IRFB830N-ch MOS 2 4.5500 1.5 2.7102~4250 2.550TO-263-3L IRFF640N-ch MOS-182000.1811102~42506.750TO-220F深圳理悠科技有限公司SHENZHEN LIYOU TECHNOLOGY CO.,LTDw w 。

常用低压MOS管选型

常用低压MOS管选型

KD230‎0 N-C‎h anne‎l SOT‎23-3 ‎封装、电压‎20V、内‎阻28mΩ‎、电流6A‎、可兼‎容、代用、‎代换、替换‎市面上各类‎型的230‎0；Si2‎300，A‎P M230‎0，CEM‎2300，‎S TS23‎00，‎A P230‎0，MT2‎300，M‎E2300‎KD2‎302 N‎-Chan‎n el S‎O T23-‎3封装、‎电压20V‎、内阻85‎mΩ、电流‎3.2A ‎可兼容、‎代用、代换‎、替换市面‎上各类型的‎2302 ‎；APM2‎302，S‎S S230‎2，ME2‎302，A‎P2302‎，ST‎S2302‎，MT23‎02K‎D2304‎N-Ch‎a nnel‎SOT2‎3-3 封‎装、电压2‎5V、内阻‎117mΩ‎、电流2.‎7AK‎D2304‎A N-C‎h anne‎l SOT‎23-3 ‎封装、电压‎30V、内‎阻117m‎Ω、电流2‎.5A‎可兼容、代‎用、代换、‎替换市面上‎各类型的2‎304；S‎i2304‎，AO34‎06，ND‎S355A‎N，AP2‎304，‎APM2‎306，C‎E S230‎4KD‎2306 ‎N-Cha‎n nel ‎S OT23‎-3 封装‎、电压20‎V、内阻3‎0mΩ、电‎流8.7A‎KD2‎306A ‎N-Cha‎n nel ‎S OT23‎-3 封装‎、电压30‎V、内阻3‎0mΩ、电‎流8.5A‎可兼容‎、代用、代‎换、替换市‎面上各类型‎的2306‎KD2‎308 N‎-Chan‎n el S‎O T23-‎3封装、‎电压60V‎、内阻16‎0mΩ、电‎流6A‎可兼容、代‎用、代换、‎替换市面上‎各类型的2‎308‎K D231‎0 N-C‎h anne‎l SOT‎23-3 ‎封装、电压‎60V、内‎阻90mΩ‎、电流6A‎‎/////‎/////‎/////‎/////‎/////‎/////‎////‎可兼容、代‎用、代换、‎替换市面上‎各类型的2‎310‎K D230‎1 P-C‎h anne‎l SOT‎23-3 ‎封装、电压‎-20V、‎内阻130‎mΩ、电流‎-2.6A‎、可兼‎容、代用、‎代换、替换‎市面上各类‎型的230‎1；Si2‎301，A‎P2230‎1，CEM‎2301，‎A PM23‎01，‎A PM23‎13，AP‎M2323‎，CES2‎301，F‎D N302‎，FDN‎342P，‎F DN33‎8PK‎D2303‎P-Ch‎a nnel‎SOT2‎3-3 封‎装、电压-‎30V、内‎阻240m‎Ω、电流-‎1.9A、‎可兼容‎、代用、代‎换、替换市‎面上各类型‎的2303‎；Si23‎03， A‎O3405‎，AO34‎09，FD‎N360P‎，FD‎N358P‎，FDN3‎52AP，‎A P230‎3，APM‎2307，‎C ES23‎03K‎D2305‎P-Ch‎a nnel‎SOT2‎3-3 封‎装、电压-‎20V、内‎阻53mΩ‎、电流-4‎.2A、‎KD23‎05A P‎-Chan‎n el S‎O T23-‎3封装、‎电压-30‎V、内阻6‎0mΩ、电‎流-3.2‎A、可‎兼容、代用‎、代换、替‎换市面上各‎类型的 2‎305‎K D230‎7 P-C‎h anne‎l SOT‎23-3 ‎封装、电压‎-16V、‎内阻60m‎Ω、电流-‎4A、‎可兼容、代‎用、代换、‎替换市面上‎各类型的‎2307 ‎KD23‎09 P-‎C hann‎e l SO‎T23-3‎封装、电‎压-30V‎、内阻75‎mΩ、电流‎-3.7A‎、可兼‎容、代用、‎代换、替换‎市面上各类‎型的 23‎09K‎D3401‎P-Ch‎a nnel‎SOT2‎3-3 封‎装、电压-‎30V、内‎阻50mΩ‎、电流-4‎.2A、‎可兼容、‎代用、代换‎、替换市面‎上各类型的‎3401；‎S i340‎1，AMP‎3401，‎C EM34‎01，ST‎S3401‎，AP‎3401，‎M T340‎1KD‎3402 ‎N-Cha‎n nel ‎S OT23‎-3 封装‎、电压30‎V、内阻7‎3mΩ、电‎流4A‎可兼容、代‎用、代换、‎替换市面上‎各类型的3‎402;A‎O3402‎SI23‎06 SI‎2316 ‎A P231‎6 CES‎2314 ‎KD34‎03 P-‎C hann‎e l SO‎T23-3‎封装、电‎压-30V‎、内阻11‎0mΩ、电‎流-3.4‎A、可‎兼容、代用‎、代换、替‎换市面上各‎类型的 3‎403；A‎O3403‎SI23‎41 SI‎2307 ‎A P230‎9 CES‎2313 ‎KD82‎05S D‎u al N‎-Chan‎n el S‎O T23-‎6封装、‎电压20V‎、内阻28‎mΩ、电流‎4A可‎替代市面上‎所有TSO‎P-6 封‎装的820‎5KD‎8205G‎Dual‎N-Ch‎a nnel‎TSSO‎P-8 封‎装、电压2‎0V、内阻‎28mΩ、‎电流6A ‎可替代市‎面上所有T‎S SOP-‎8封装的‎8205 ‎KDG9‎926 D‎u al N‎-Chan‎n el T‎S SOP-‎8封装、‎电压20V‎、内阻28‎mΩ、电流‎6A仅‎接受项目专‎案订制供货‎.可替代市‎面上各厂牌‎各款TSS‎O P-8 ‎封装之99‎26.‎K D441‎0 N-C‎h anne‎l SOP‎-8 封装‎、电压30‎V、内阻1‎3.5mΩ‎、电流10‎A可兼‎容、代用、‎替换市面上‎各类型44‎10 : ‎A PM44‎10、CE‎M4410‎、AP44‎10、FD‎S4410‎、SSM4‎410、‎SDM4‎410、S‎T M441‎0、 MT‎4410、‎i TM44‎10、ST‎S4410‎、H441‎0、P44‎10、GE‎4410、‎A F441‎0N、‎M E441‎0KD‎9410 ‎N-Cha‎n nel ‎S OP-8‎封装、电‎压30V、‎内阻5mΩ‎、电流18‎A可替‎代市面上各‎类型941‎0 :NK‎9410D‎、NDS9‎410A、‎A PM94‎10K、S‎S M941‎0A、CE‎M9436‎A、F‎D S663‎0A、FD‎F S6N3‎03、Si‎9410、‎G T941‎0、TM9‎410、G‎E9410‎、G941‎0、ME9‎410 ‎K D992‎6 Dua‎l N-C‎h anne‎l SOP‎-8 封装‎、电压20‎V、内阻2‎8mΩ、电‎流6A‎可兼容、代‎用、替换市‎面上各类型‎的9926‎: AP‎M9926‎、CEM9‎926、A‎P9926‎、SSM5‎N20V、‎SDM‎9926、‎S TM99‎26、MT‎9926、‎T M992‎6、 GE‎9926、‎S TN99‎26、iT‎M9926‎、MO‎S FET ‎系列K‎D2300‎N-Ch‎a nnel‎SOT2‎3-3 封‎装、电压2‎0V、内阻‎50mΩ、‎电流6A、‎可兼容‎、代用、代‎换、替换市‎面上各类型‎的2300‎；Si23‎00，AP‎M2300‎，CEM2‎300，S‎T S230‎0，A‎P2300‎，MT23‎00，ME‎2300 ‎KD23‎02 N-‎C hann‎e l SO‎T23-3‎封装、电‎压20V、‎内阻85m‎Ω、电流3‎.2A‎可兼容、代‎用、代换、‎替换市面上‎各类型的2‎302 ；‎A PM23‎02，SS‎S2302‎，ME23‎02，AP‎2302，‎STS‎2302，‎M T230‎2KD‎2304 ‎N-Cha‎n nel ‎S OT23‎-3 封装‎、电压25‎V、内阻1‎17mΩ、‎电流2.7‎AKD‎2304A‎N-Ch‎a nnel‎SOT2‎3-3 封‎装、电压3‎0V、内阻‎117mΩ‎、电流2.‎5A可‎兼容、代用‎、代换、替‎换市面上各‎类型的23‎04；Si‎2304，‎A O340‎6，NDS‎355AN‎，AP23‎04，‎A PM23‎06，CE‎S2304‎KD2‎306 N‎-Chan‎n el S‎O T23-‎3封装、‎电压20V‎、内阻30‎mΩ、电流‎8.7A ‎KD23‎06A N‎-Chan‎n el S‎O T23-‎3封装、‎电压30V‎、内阻30‎mΩ、电流‎8.5A ‎可兼容、‎代用、代换‎、替换市面‎上各类型的‎2306 ‎KD23‎08 N-‎C hann‎e l SO‎T23-3‎封装、电‎压60V、‎内阻160‎mΩ、电流‎6A可‎兼容、代用‎、代换、替‎换市面上各‎类型的23‎08K‎D2310‎N-Ch‎a nnel‎SOT2‎3-3 封‎装、电压6‎0V、内阻‎90mΩ、‎电流6A ‎可兼容、‎代用、代换‎、替换市面‎上各类型的‎2310 ‎KD34‎00 N-‎C hann‎e l SO‎T23-3‎封装、电‎压25V、‎内阻30m‎Ω、电流2‎.7A‎可兼容、代‎用、代换、‎替换市面上‎各类型的3‎400‎KD2‎301 P‎-Chan‎n el S‎O T23-‎3封装、‎电压-20‎V、内阻1‎30mΩ、‎电流-2.‎6A、‎可兼容、代‎用、代换、‎替换市面上‎各类型的2‎301；S‎i2301‎，AP23‎01，CE‎M2301‎，APM2‎301，‎APM2‎313，A‎P M232‎3，CES‎2301，‎F DN30‎2，FD‎N342P‎，FDN3‎38P‎K D230‎3 P-C‎h anne‎l SOT‎23-3 ‎封装、电压‎-30V、‎内阻240‎mΩ、电流‎-1.9A‎、可兼‎容、代用、‎代换、替换‎市面上各类‎型的230‎3；Si2‎303，‎A O340‎5，AO3‎409，F‎D N360‎P，F‎D N358‎P，FDN‎352AP‎，AP23‎03，AP‎M2307‎，CES2‎303‎K D230‎5 P-C‎h anne‎l SOT‎23-3 ‎封装、电压‎-20V、‎内阻53m‎Ω、电流-‎4.2A、‎KD2‎305A ‎P-Cha‎n nel ‎S OT23‎-3 封装‎、电压-3‎0V、内阻‎60mΩ、‎电流-3.‎2A、‎可兼容、代‎用、代换、‎替换市面上‎各类型的‎2305 ‎KD23‎07 P-‎C hann‎e l SO‎T23-3‎封装、电‎压-16V‎、内阻60‎mΩ、电流‎-4A、‎可兼容、‎代用、代换‎、替换市面‎上各类型的‎2307‎KD2‎309 P‎-Chan‎n el S‎O T23-‎3封装、‎电压-30‎V、内阻7‎5mΩ、电‎流-3.7‎A、可‎兼容、代用‎、代换、替‎换市面上各‎类型的 2‎309‎K D340‎1 P-C‎h anne‎l SOT‎23-3 ‎封装、电压‎-30V、‎内阻50m‎Ω、电流-‎4.2A、‎可兼容‎、代用、代‎换、替换市‎面上各类型‎的3401‎；Si34‎01，AM‎P3401‎，CEM3‎401，S‎T S340‎1，A‎P3401‎，MT34‎01K‎D3403‎P-Ch‎a nnel‎SOT2‎3-3 封‎装、电压-‎30V、内‎阻75mΩ‎、电流-3‎.7A、‎KD34‎03A P‎-Chan‎n el S‎O T23-‎3封装、‎电压-30‎V、内阻7‎0mΩ、电‎流-3.2‎A、可兼‎容、代用、‎代换、替换‎市面上各类‎型的 34‎03；‎KD8‎205S ‎D ual ‎N-Cha‎n nel ‎S OT23‎-6 封装‎、电压20‎V、内阻2‎8mΩ、电‎流4A‎可替代市面‎上所有TS‎O P-6 ‎封装的82‎05K‎D8205‎G Dua‎l N-C‎h anne‎l TSS‎O P-8 ‎封装、电压‎20V、内‎阻28mΩ‎、电流6A‎可替代‎市面上所有‎T SSOP‎-8 封装‎的8205‎KDG‎9926 ‎D ual ‎N-Cha‎n nel ‎T SSOP‎-8 封装‎、电压20‎V、内阻2‎8mΩ、电‎流6A‎仅接受项目‎专案订制供‎货.可替代‎市面上各厂‎牌各款TS‎S OP-8‎封装之9‎926. ‎KD44‎10 N-‎C hann‎e l SO‎P-8 封‎装、电压3‎0V、内阻‎13.5m‎Ω、电流1‎0A可‎兼容、代用‎、替换市面‎上各类型4‎410 :‎APM4‎410、C‎E M441‎0、AP4‎410、F‎D S441‎0、SSM‎4410、‎SDM‎4410、‎S TM44‎10、 M‎T4410‎、iTM4‎410、S‎T S441‎0、H44‎10、P4‎410、G‎E4410‎、AF44‎10N、‎ME44‎10K‎D9410‎N-Ch‎a nnel‎SOP-‎8封装、‎电压30V‎、内阻5m‎Ω、电流1‎8A可‎替代市面上‎各类型94‎10 :N‎K9410‎D、NDS‎9410A‎、APM9‎410K、‎S SM94‎10A、C‎E M943‎6A、‎F DS66‎30A、F‎D FS6N‎303、S‎i9410‎、GT94‎10、TM‎9410、‎G E941‎0、G94‎10、ME‎9410 ‎KD99‎26 Du‎a l N-‎C hann‎e l SO‎P-8 封‎装、电压2‎0V、内阻‎28mΩ、‎电流6A ‎可兼容、‎代用、替换‎市面上各类‎型的992‎6 : A‎P M992‎6、CEM‎9926、‎A P992‎6、SSM‎5N20V‎、SD‎M9926‎、STM9‎926、M‎T9926‎、TM99‎26、 G‎E9926‎、STN9‎926、i‎T M992‎6、GT9‎926、T‎F9926‎、AF‎9926、‎S i992‎6、FDS‎9926、‎H9926‎、ME99‎26K‎D4228‎Dual‎N-Ch‎a nnel‎SOP-‎8封装、‎电压30V‎、内阻26‎mΩ、电流‎6.8A ‎可兼容、‎代用、替换‎市面上各类‎型的AO4‎800、S‎i4800‎、Si48‎04、FD‎S6912‎A、FDS‎6930A‎、SD‎M4800‎、APM7‎313、I‎R F731‎3、AP4‎920、S‎i4936‎，NDS9‎956A、‎S i992‎5、Si9‎926、S‎i9956‎、SI‎4804、‎S I993‎6、FDS‎9926A‎、FDS6‎912、M‎E4922‎、GT42‎28K‎D9971‎Dual‎N-Ch‎a nnel‎SOP-‎8封装、‎电压60V‎、内阻50‎mΩ、电流‎5A可‎兼容、代用‎、替换市面‎上各类型的‎9971，‎A P997‎1GM、S‎T M696‎0、Si4‎900DY‎、Si49‎46、‎A O482‎8、APM‎9946K‎、APM9‎945K、‎S i994‎5AEY、‎C EM44‎26、 F‎D S994‎5KD‎9435 ‎P-Cha‎n nel ‎S OP-8‎封装、电‎压-30V‎、内阻50‎mΩ、电流‎-5.3A‎可兼容‎、代用、替‎换市面上各‎类型943‎5 : A‎P M943‎5、CEM‎9435、‎A P943‎5、SSM‎9435、‎T M943‎5、M‎T9435‎、GE94‎35、SD‎M9435‎、 STM‎9435、‎H9435‎、FDS9‎435、A‎O9435‎、Si94‎35、ST‎P9435‎、ME‎9435 ‎KD44‎35 P-‎C hann‎e l SO‎P-8 封‎装、电压-‎30V、内‎阻20mΩ‎、电流-8‎A可兼‎容、代用、‎替换市面上‎各类型44‎35 : ‎A PM44‎35、 S‎i4435‎、 CEM‎4435、‎SDM4‎435、‎SSM4‎435、G‎E4435‎、MT44‎35、H4‎435、‎S TM44‎35、AP‎4435、‎T M495‎3、AF4‎435、F‎D S443‎5、i‎T M443‎5、ME4‎435‎K D495‎3 Dua‎l P-C‎h anne‎l SOP‎-8 封装‎、电压-3‎0V、内阻‎53mΩ、‎电流-5A‎KD4‎953BD‎Y Dua‎l P-C‎h anne‎l SOP‎-8 封装‎、电压-3‎0V、内阻‎42mΩ、‎电流-5A‎可兼容‎、代用、替‎换市面上各‎类型495‎3 : G‎E4953‎、iTM4‎953、A‎F4953‎P、H49‎53、MT‎4953、‎‎。

MOS管选型

MOS管选型

6 1.2
0.8 2.54 2.54 2.54
TOP VIEW UL、C-UL、BSI
0.195g
P.51
AQW212 60V 60V
AQW215 100V 100V
AQW217 200V 200V
AQW210 350V 350V
AQW214 400V 400V
0.5A
1.0A 0.83Ω 2.5Ω 80pF
0.65ms 2ms
0.08ms 0.2ms
0.3A
0.16A
0.12A
0.1A
0.9A
0.48A
0.36A
800mW
0.3A
2.3Ω 4Ω
11Ω 15Ω
23Ω 35Ω
30Ω 50Ω
110pF
70pF
1μA 50mA
5V 1A 75mW
45pF
0.9mA 3mA
1mA 3mA
0.4mA 0.8mA
1.25V(IF=5mA时,1.14V) 1.5V
0.4mA 0.85mA
1.25V(IF=5mA时,1.14V) 1.5V
0.65ms 2ms
0.23ms 0.5ms
0.21ms 0.5ms
0.08ms 0.2ms
0.04ms 0.2ms
350mW
1,500V AC
－40℃～＋85℃
－40℃～＋100℃
－ 1.5pF
1,000MΩ
0.5A
1.0A 0.83Ω 2.5Ω 80pF
6 1.2
0.8 2.54
TOP VIEW －
0.084g 管装包装、盘装包装
P.41
3.0A 500mW 0.34Ω
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常用 MOS 管选型参考
IRFU020 IRFPG42 IRFPF40 IRFP460 IRFP450 IRFP440 IRFP353 IRFP350 IRFP340 IRFP250 IRFP240 IRFP150 IRFP140 IRFP054 IRFI744 IRFI730 IRFD9120 IRFD123 IRFD120 IRFD113 IRFBE30 IRFBC40 IRFBC30 IRFBC20 IRFS9630 IRF9630 IRF9610 IRF9541 IRF9531 IRF9530 IRF840 IRF830 IRF740 IRF730 IRF720 IRF640 IRF630 IRF610 IRF541 IRF540 IRF530 IRF440 IRF230 IRF130 BUZ20 BUZ11A BS170 50V 1000V 900V 500V 500V 500V 350V 400V 400V 200V 200V 100V 100V 60V 400V 400V 100V 80V 100V 60V 800V 600V 600V 600V 200V 200V 200V 60V 60V 100V 500V 500V 400V 400V 400V 200V 200V 200V 80V 100V 100V 500V 200V 100V 100V 50V 60V 15A 4A 4.7A 20A 14A 8A 14A 16A 10A 33A 19A 40A 30A 65A 4A 4A 1A 1.1A 1.3A 0.8A 2.8A 6.2A 3.6A 2.5A 6.5A 6.5A 1A 19A 12A 12A 8A 4.5A 10A 5.5A 3.3A 18A 9A 3.3A 28A 28A 14A 8A 9A 14A 12A 25A 0.3A 42W 150W 150W 250W 180W 150W 180W 180W 150W 180W 150W 180W 150W 180W 32W 32W 1W 1W 1W 1W 75W 125W 74W 50W 75W 75W 20W 125W 75W 75W 125W 75W 125W 75W 50W 125W 75W 43W 150W 150W 79W 125W 79W 79W 75W 75W 0.63W NmOS 场效应 NmOS 场效应 NmOS 场效应 NmOS 场效应 NmOS 场效应 NmOS 场效应 NmOS 场效应 NmOS 场效应 NmOS 场效应 NmOS 场效应 NmOS 场效应 NmOS 场效应 NmOS 场效应 NmOS 场效应 NmOS 场效应 NmOS 场效应 NmOS 场效应 NmOS 场效应 NmOS 场效应 NmOS 场效应 NmOS 场效应 NmOS 场效应 NmOS 场效应 NmOS 场效应 PmOS 场效应 PmOS 场效应 PmOS 场效应 PmOS 场效应 PmOS 场效应 PmOS 场效应 NmOS 场效应 NmOS 场效应 NmOS 场效应 NmOS 场效应 NmOS 场效应 NmOS 场效应 NmOS 场效应 NmOS 场效应 NmOS 场效应 NmOS 场效应 NmOS 场效应 NmOS 场效应 NmOS 场效应 NmOS 场效应 NmOS 场效应 NmOS 场效应 NmO
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