常用mos管选型

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MOS管选型

13 降压应用MOSFET的总功耗；
14 热阻。这计算显示，对于升压MOSFET,为了满足最高壳温要求，需要如此大的热沉，各种条件列表给出；
15 升压应用的MOSFET的热沉（散热片）推荐。这一栏给出了与热阻匹配的典型的散热片。注意：这一栏没有经过计算，并且必须使用中被验证；
16 降压应用的MOSFET的热阻；
1 升压应用的MOSFET导通电阻值RDSON，来源于MOSFET数据手册；
2 FET的上升时间，来源于MOSFET数据手册；
3 FET的下降时间，来源于MOSFET数据手册。设计者应该注意到，这个数据表为产品规范书中的上升和下降时间，实际观测到的可能会大两倍，所以，开关时间的损耗可能会大大地小于计算出来的。
其中：。
3． MOSFET在截止状态下的功耗：
PTRON= （ILoad × VDS × Tf ×Fs）/ 2
其中：Tf 是MOSFET的下降时间。
在连续模式开关调节器中，占空比等于 Vout/Vin。
VDS是漏源之间的最大电压，对于非同步转换器，VDS=VIN+VOUT 。对于一个同步转换器，升压MOSFET的VDS=VIN ，降压MOSFET则是VDS=VF 。。其中VF是肖特基势垒的正向压降。
我们现在可以计算MOSFET的温度。器件的结温可表示为TA+（PD × θCA）或
TA+（PD × θSA）。其中，TA 为环境温度，PD是上述1、2、3项的功耗之和，θCA是由管壳到环境的导热系数，QSA则是从热沉到环境的导热系数。这些公式，都是假设从结到管壳的导热系数（~1℃/W）与其他热阻相比是负的。
1 RDSON的值。最低的导通电阻，可以减小损耗，并让系统较好的工作。但是，较低电阻的MOSFET其成本将高于较高电阻器件。

常用全系列场效应管 MOS管型号参数封装资料.

场效应管分类型号简介封装常用三极管型号及参数(1DISCRETE晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92IRFU02050V15A42W**NMOS场效应DISCRETE IRFPG421000V4A150W**NMOS场效应MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23IRFPF40900V4.7A150W**NMOS场效应DISCRETE IRFP9240200V12A150W**PMOS场效应MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220IRFP9140100V19A150W**PMOS场效应DISCRETE IRFP460500V20A250W**NMOS场效应MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220IRFP450500V14A180W**NMOS场效应DISCRETE IRFP440500V8A150W**NMOS场效应MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220IRFP353350V14A180W**NMOS场效应DISCRETE IRFP350400V16A180W**NMOS场效应MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220IRFP340400V10A150W**NMOS场效应DISCRETE IRFP250200V33A180W**NMOS场效应MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220IRFP240200V19A150W**NMOS场效应DISCRETE IRFP150100V40A180W**NMOS场效应MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm 放大系数特征频DISCRETE IRFP140100V30A150W**NMOS场效应MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220IRFP05460V65A180W**NMOS场效应DISCRETE IRFI744400V4A32W**NMOS场效应MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220IRFI730400V4A32W**NMOS场效应DISCRETE IRFD9120100V1A1W**NMOS场效应MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220IRFD12380V1.1A1W**NMOS场效应DISCRETE IRFD120100V1.3A1W**NMOS场效应MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220IRFD11360V0.8A1W**NMOS场效应DISCRETE IRFBE30800V2.8A75W**NMOS场效应MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220IRFBC40600V6.2A125W**NMOS场效应DISCRETE IRFBC30600V3.6A74W**NMOS场效应MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220IRFBC20600V2.5A50W**NMOS场效应DISCRETE IRFS9630200V6.5A75W**PMOS场效应MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220IRF9630200V6.5A75W**PMOS场效应DISCRETE IRF9610200V1A20W**PMOS场效应MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE IRF954160V19A125W**PMOS场效应MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220IRF953160V12A75W**PMOS场效应DISCRETE IRF9530100V12A75W**PMOS场效应MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220IRF840500V8A125W**NMOS场效应DISCRETE IRF830500V4.5A75W**NMOS场效应MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220IRF740400V10A125W**NMOS场效应DISCRETE IRF730400V5.5A75W**NMOS场效应MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220IRF720400V3.3A50W**NMOS场效应DISCRETE IRF640200V18A125W**NMOS场效应MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220IRF630200V9A75W**NMOS场效应DISCRETE IRF610200V3.3A43W**NMOS场效应MOS FET IRF9520 TO-220IRF54180V28A150W**NMOS场效应DISCRETE IRF540100V28A150W**NMOS场效应MOS FET IRF9540 TO-220IRF530100V14A79W**NMOS场效应DISCRETE IRF440500V8A125W**NMOS场效应MOS FET IRF9610 TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE IRF230200V9A79W**NMOS场效应MOS FET IRF9620 TO-220IRF130100V14A79W**NMOS场效应DISCRETE BUZ20100V12A75W**NMOS场效应MOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P BUZ11A50V25A75W**NMOS场效应DISCRETE BS17060V0.3A0.63W**NMOS场效应MOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P2SC4582600V15A75W**NPNDISCRETE2SC4517550V3A30W**NPNMOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P2SC44291100V8A60W**NPNDISCRETE2SC4297500V12A75W**NPNMOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK2SC42881400V12A200W**NPNDISCRETE2SC4242450V7A40W**NPNMOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK2SC4231800V2A30W**NPNDISCRETE2SC41191500V15A250W**NPNMOS FET IRFR214A 250V,2.2A D-PAK2SC41111500V10A250W**NPNDISCRETE2SC4106500V7A50W*20MHZNPNMOS FET IRFR220A 200V,4.6A D-PAK晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE2SC4059600V15A130W**NPNMOS FET IRFR224A 250V,3.8A D-PAK2SC403850V0.1A0.3W*180MHZNPN DISCRETE2SC4024100V10A35W**NPNMOS FET IRFR310A 400V,1.7A D-PAK2SC39981500V25A250W**NPNDISCRETE2SC39971500V15A250W**NPNMOS FET IRFR9020TF D-PAK2SC398750V3A20W1000*NPN(达林顿DISCRETE2SC3953120V0.2A1.3W*400MHZNPNMOS FET IRFS540A 100V,17A TO-220F2SC3907180V12A130W*30MHZNPN DISCRETE2SC38931400V8A50W*8MHZNPNMOS FET IRFS630A 200V,6.5A TO-220F2SC38861400V8A50W*8MHZNPN DISCRETE2SC3873500V12A75W*30MHZNPNMOS FET IRFS634A 250V,5.8A TO-220F2SC3866900V3A40W**NPNDISCRETE2SC3858200V17A200W*20MHZNPNMOS FET IRFS640A 200V,9.8A TO-220F2SC380730V2A1.2W*260MHZNPN DISCRETE2SC3783900V5A100W**NPNMOS FET IRFS644A 250V,7.9A TO-220F晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE2SC37201200V10A200W**NPNMOS FET IRFS730A 400V,3.9A TO-220F2SC3680900V7A120W**NPNDISCRETE2SC3679900V5A100W**NPNMOS FET IRFS740A 400V,5.7A TO-220F2SC359530V0.5A1.2W90*NPNDISCRETE2SC3527500V15A100W13*NPNMOS FET IRFS830A 500V,3.1A TO-220F2SC3505900V6A80W12*NPNDISCRETE2SC34601100V6A100W12*NPNMOS FET IRFS840A 500V,4.6A TO-220F2SC34571100V3A50W12*NPNDISCRETE2SC335820V0.15A**7000MHZNPNMOS FET IRFS9Z34 -60V,12A TO-220F2SC335520V0.15A**6500MHZNPN DISCRETE2SC3320500V15A80W**NPNMOS FET IRFSZ24A 60V,14A TO-220F2SC3310500V5A40W20*NPNDISCRETE2SC3300100V15A100W**NPNMOS FET IRFSZ34A 60V,20A TO-220F2SC185520V0.02A0.25W*550MHZNPNDISCRETE2SC1507300V0.2A15W**NPNMOS FET IRFU110A 100V,4.7A I-PAK晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE2SC149436V6A40W*175MHZNPNMOS FET IRFU120A 100V,8.4A I-PAK2SC122260V0.1A0.25W*100MHZNPN DISCRETE2SC116235V1.5A10W**NPNMOS FET IRFU220A 200V,4.6A I-PAK2SC100880V0.7A0.8W*50MHZNPN DISCRETE2SC90030V0.03A0.25W*100MHZNPNMOS FET IRFU230A 200V,7.5A I-PAK2SC82845V0.05A0.25W**NPNDISCRETE2SC81560V0.2A0.25W**NPNMOS FET IRFU410A 500V I-PAK2SC38035V0.03A0.25W**NPNDISCRETE2SC10660V1.5A15W**NPNMOS FET IRFU420A 500V,2.3A I-PAK2SB1494120V25A120W**PNP(达林顿DISCRETE2SB1429180V15A150W**PNPMOS FET IRFZ20A TO-2202SB1400120V6A25W1000-20000*PNP(达林顿DISCRETE2SB137560V3A2W**PNPMOS FET IRFZ24A 60V,17A TO-2202SB133580V4A30W**PNPDISCRETE2SB1317180V15A150W**PNPMOS FET IRFZ30 TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE2SB1316100V2A10W15000*PNP(达林顿MOS FET IRFZ34A 60V,30A TO-2202SB124340V3A1W*70MHZPNPDISCRETE2SB124040V2A1W*100MHZPNPMOS FET IRFZ40 TO-2202SB123880V0.7A1W*100MHZPNPDISCRETE2SB118560V3A25W*75MHZPNPMOS FET IRFZ44A 60V,50A TO-2202SB1079100V20A100W5000*PNP(达林顿DISCRETE2SB1020100V7A40W6000*PNP(达林顿MOS FET IRLS530A 100V,10.7A,Logic TO-220F2SB83460V3A30W**PNPDISCRETE2SB817160V12A100W**PNPMOS FET IRLSZ14A 60V,8A,Logic TO-220F2SB77240V3A10W**PNPDISCRETE2SB74470V3A10W**PNPMOS FET IRLZ24A 60V,17A,Logic TO-2202SB73460V1A1W**PNPDISCRETE2SB688120V8A80W**PNPMOS FET IRLZ44A 60V,50A,Logic TO-2202SB67560V7A40W**PNP(达林顿DISCRETE2SB66970V4A40W**PNP(达林顿MOS FET SFP36N03 30V,36A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE2SB649180V1.5A1W**PNPMOS FET SFP65N06 60V,65A TO-2202SB647120V1A0.9W*140MHZPNPDISCRETE2SB44950V3.5A22W**PNPMOS FET SFP9540 -100V,17A TO-2202SA1943230V15A150W**PNPDISCRETE2SA1785400V1A1W*140MHZPNPMOS FET SFP9634 -250V,5A TO-2202SA1668200V2A25W*20MHZPNPDISCRETE2SA1516180V12A130W*25MHZPNPMOS FET SFP9644 -250V,8.6A TO-2202SA1494200V17A200W*20MHZPNP DISCRETE2SA1444100V1.5A2W*80MHZPNPMOS FET SFP9Z34 -60V,18A TO-2202SA1358120V1A10W*120MHZPNPDISCRETE2SA1302200V15A150W**PNPMOS FET SFR9214 -250V,1.53A D-PAK2SA1301200V10A100W**PNPDISCRETE2SA1295230V17A200W**PNP MOS FET SFR9224 -250V,2.5A D-PAK2SA1265140V10A30W**PNP DISCRETE2SA1216180V17A200W**PNP MOS FET SFR9310 -400V,1.5A D-PAK2SB649180V1.5A1W**PNPDISCRETE2SB647120V1A0.9W*140MHZPNP MOS FET SFS9630 -200V,4.4A TO-220F2SB44950V3.5A22W**PNP DISCRETE2SA1943230V15A150W**PNP MOS FET SFS9634 -250V,3.4A TO-220F2SA1785400V1A1W*140MHZPNPDISCRETE2SA1668200V2A25W*20MHZPNP MOS FET SFU9220 -200V,3.1A I-PAK2SA1516180V12A130W*25MHZPNPDISCRETE2SA1494200V17A200W*20MHZPNP MOS FET SSD2002 25V N/P Dual 8SOP2SA1444100V1.5A2W*80MHZPNPDISCRETE2SA1358120V1A10W*120MHZPNP MOS FET SSD2019 20V P-ch Dual 8SOP2SA1302200V15A150W**PNP DISCRETE2SA1301200V10A100W**PNP MOS FET SSD2101 30V N-ch Single 8SOP2SA1295230V17A200W**PNPDISCRETE2SA1265140V10A30W**PNP MOS FET SSH10N80A 800V,10A TO-3P2SA1216180V17A200W**PNP DISCRETEMOS FET SSH10N90A 900V,10A TO-3PDISCRETEMOS FET SSH5N90A 900V,5A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH60N10 TO-3P DISCRETEMOS FET SSH6N80A 800V,6A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH70N10A 100V,70A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH7N90A 900V,7A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH9N80A 800V,9A TO-3P DISCRETEMOS FET SSP10N60A 600V,9A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP1N60A 600V,1A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP2N90A 900V,2A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP35N03 30V,35A TO-220DISCRETEMOS FET SSP3N90A 900V,3A TO-220DISCRETEMOS FET SSP4N60A 600V,4A TO-220DISCRETEMOS FET SSP4N60AS 600V,4A TO-220DISCRETEMOS FET SSP4N90AS 900V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP5N90A 900V,5A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP60N06 60V,60A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP6N60A 600V,6A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP70N10A 100V,55A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP7N60A 600V,7A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP7N80A 800V,7A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP80N06A 60V,80A TO-220 DISCRETE MOS FET SSR1N60A 600V,0.9A D-PAK DISCRETE MOS FET SSR2N60A 600V,1.8A D-PAK DISCRETE MOS FET SSR3055A 60V,8A D-PAK DISCRETE MOS FET SSS10N60A 600V,5.1A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS2N60A 600V,1.3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS3N80A 800V,2A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS3N90A 900V,2A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS4N60A 600V,3.5A TO-220(F/P DISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220(F/P DISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS4N90AS 900V,2.8A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS5N80A 800V,3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS6N60A 600V, TO-220(F/P如有出入请明示,争取完善、正确!功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型 *PNP(达林顿）功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型。

常用三极管(MOS)型号及参数

400V 100V 80V 100V 60V 800V 600V 600V 600V 200V 20பைடு நூலகம்V 200V 反压Vbe0 反压 60V 60V 100V 500V 500V 400V 400V 400V
4A 1A 1.1A 1.3A 0.8A 2.8A 6.2A 3.6A 2.5A 6.5A 6.5A 1A 电流Icm 电流 19A 12A 12A 8A 4.5A 10A 5.5A 3.3A
常用三极管型号及参数(1)
晶体管型号 IRFU020 IRFPG42 IRFPF40 IRFP9240 IRFP9140 IRFP460 IRFP450 IRFP440 IRFP353 IRFP350 IRFP340 IRFP250 IRFP240 IRFP150 IRFP150 晶体管型号 IRFP140 IRFP054 IRFI744 反压Vbe0 反压 50V 1000V 900V 200V 100V 500V 500V 500V 350V 400V 400V 200V 200V 100V 100V 反压Vbe0 反压 100V 60V 400V 电流Icm 电流 15A 4A 4.7A 12A 19A 20A 14A 8A 14A 16A 10A 33A 19A 40A 40A 电流Icm 电流 30A 65A 4A 功率Pcm 功率 42W 150W 150W 150W 150W 250W 180W 150W 180W 180W 150W 180W 150W 180W 180W 功率Pcm 功率 150W 180W 32W 放大系数 * * * * * * * * * * * * * * * 放大系数 * * * 特征频率 * * * * * * * * * * * * * * * 特征频率 * * * 管子类型 NMOS场效应 NMOS场效应 NMOS场效应 PMOS场效应 PMOS场效应 NMOS场效应 NMOS场效应 NMOS场效应 NMOS场效应 NMOS场效应 NMOS场效应 NMOS场效应 NMOS场效应 NMOS场效应 NMOS场效应管子类型 NMOS场效应 NMOS场效应 NMOS场效应晶体管型号 2SA1162 2SA1123 2SA1020 2SA1009 2N6678 2N5685 2N6277 2N5551 2N5401 2N3773 2N3440 2N3055 2N2907 2N2369 2N2222 晶体管型号 9018 9015 9014 反压Vbe0 反压 50V 150V 50V 350V 650V 60V 180V 160V 160V 160V 450V 100V 60V 40V 60V 反压Vbe0 反压 30V 50V 50V

常用全系列场效应管 MOS管型号参数封装资

场效应管分类型号简介封装DISCRETEMOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETEMOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETEMOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF530A 100V,14A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF740A 400V,10A TO-220MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF9520 TO-220 DISCRETEMOS FET IRF9540 TO-220 DISCRETEMOS FET IRF9610 TO-220 DISCRETEMOS FET IRF9620 TO-220IRF610 200V 3.3A 43WIRF820 500V 2.5A 50WIRF830 500V 4.5A 45WIRF840 500V 8A 125WIRF9620 200V 2A 40WIRFBC40R 600V 6.2A 125WIRFBC30 600V 3.6A 74WIRFPF50 900V 6.8A 150WIRFP450 500V 14A 180WDISCRETEMOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P DISCRETEMOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P DISCRETEMOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P DISCRETEMOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAKMOS FET IRFR214A 250V,2.2A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR220A 200V,4.6A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR224A 250V,3.8A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR310A 400V,1.7A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR9020TF D-PAK DISCRETEMOS FET IRFS540A 100V,17A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS630A 200V,6.5A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS634A 250V,5.8A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS640A 200V,9.8A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS644A 250V,7.9A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS730A 400V,3.9A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS740A 400V,5.7A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS830A 500V,3.1A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS840A 500V,4.6A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS9Z34 -60V,12A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFSZ24A 60V,14A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFSZ34A 60V,20A TO-220FMOS FET IRFU110A 100V,4.7A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU120A 100V,8.4A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU220A 200V,4.6A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU230A 200V,7.5A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU410A 500V I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU420A 500V,2.3A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFZ20A TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ24A 60V,17A TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ30 TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ34A 60V,30A TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ40 TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ44A 60V,50A TO-220 DISCRETEMOS FET IRLS530A 100V,10.7A,Logic TO-220F DISCRETEMOS FET IRLSZ14A 60V,8A,Logic TO-220F DISCRETEMOS FET IRLZ24A 60V,17A,Logic TO-220 DISCRETEMOS FET IRLZ44A 60V,50A,Logic TO-220 DISCRETEMOS FET SFP36N03 30V,36A TO-220MOS FET SFP65N06 60V,65A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP9540 -100V,17A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP9634 -250V,5A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP9644 -250V,8.6A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP9Z34 -60V,18A TO-220 DISCRETEMOS FET SFR9214 -250V,1.53A D-PAK DISCRETEMOS FET SFR9224 -250V,2.5A D-PAK DISCRETEMOS FET SFR9310 -400V,1.5A D-PAK DISCRETEMOS FET SFS9630 -200V,4.4A TO-220F DISCRETEMOS FET SFS9634 -250V,3.4A TO-220F DISCRETEMOS FET SFU9220 -200V,3.1A I-PAK DISCRETEMOS FET SSD2002 25V N/P Dual 8SOP DISCRETEMOS FET SSD2019 20V P-ch Dual 8SOP DISCRETEMOS FET SSD2101 30V N-ch Single 8SOP DISCRETEMOS FET SSH10N80A 800V,10A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH10N90A 900V,10A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH5N90A 900V,5A TO-3PMOS FET SSH60N10 TO-3P DISCRETEMOS FET SSH6N80A 800V,6A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH70N10A 100V,70A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH7N90A 900V,7A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH9N80A 800V,9A TO-3P DISCRETEMOS FET SSP10N60A 600V,9A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP1N60A 600V,1A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP2N90A 900V,2A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP35N03 30V,35A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP3N90A 900V,3A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP4N60A 600V,4A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP4N60AS 600V,4A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP4N90AS 900V,4.5A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP5N90A 900V,5A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP60N06 60V,60A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP6N60A 600V,6A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP70N10A 100V,55A TO-220MOS FET SSP7N60A 600V,7A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP7N80A 800V,7A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP80N06A 60V,80A TO-220 DISCRETEMOS FET SSR1N60A 600V,0.9A D-PAK DISCRETEMOS FET SSR2N60A 600V,1.8A D-PAK DISCRETEMOS FET SSR3055A 60V,8A D-PAK DISCRETEMOS FET SSS10N60A 600V,5.1A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS2N60A 600V,1.3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS3N80A 800V,2A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS3N90A 900V,2A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS4N60A 600V,3.5A TO-220(F/P) DISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220(F/P) DISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS4N90AS 900V,2.8A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS5N80A 800V,3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS6N60A 600V, TO-220(F/P) 2SK105 50V 0.01A 0.25W2SK161 18V 0.1A 0.2W2SK192 18V 0.1A 0.2W2SK413 140V 8A 100W2SK418 140V 8A 100W2SK544 20V 0.02A 0.03W2SK659 60V 12A 35W2SK701 60V 2A 15W2SK940 60V 0.8A 0.9W2SK1117 600V 6A 100W2SK1198 700V 2A 35W2SK1270 60V 2A 10WBUK453. 100A 100V 22A 75WBUK455. 60A 60V 38A 83WIRFBG20，IRFBG30，IRFPG50 IRFPG40 1000V。

MOS管选型

MOS管选型1、预估使用环境温度T ambient一般情况下取室温25°C，器件附件空气温升10°C，较差情况下不妨取温度45°C，器件附件空气温升20°C最差情况下T ambient=65°C2、计算I DT ambient + RθJA * I D * I D * R DS（ON）=T j例:ME4970RθJA =76°C/WR DS（ON）≤16mΩ（V GS=10V）T j≤150°CT ambient=65°C得I D≤8.36A，与规格书中I D≤8.3A（T ambient=70°C）值很接近3、关于关键器件温升控制△T+To+RθJC * I D * I D * R DS（ON）=T jTo=25°C 室温△T=45°C器件温升，即MOS表面70°C。

RθJC=46°C/WR DS（ON）≤16mΩ（V GS=10V）T j≤150°C得I D≤10.4A以上表明，规格书所标注的I D可以直接作为设计参考电流值（Tambient 取70°C）。

满足温升等要求。

也可用到80%，留有一定余量。

使用条件不同的，需通过T ambient + RθJA * I D * I D * R DS（ON）=T j计算I D。

注：MOS的气候特性，包括juction-to-ambient 和junction-to-case两个参数juction-to-ambient：是指PN结到环境的温度，junction-to-case：PN结至器件外壳的温度。

小参数常用MOS管选型

小参数常用MOS管选型1.N沟道MOS管选型：N沟道MOS管在电子设备中广泛应用。

常见的N沟道MOS管有IRF1010、IRF520、IRF540等，其工作电压范围一般在20V至100V之间，适用于低功率电子设备。

2.P沟道MOS管选型：P沟道MOS管通常应用于负载开关和功率放大器等电路中。

常见的P沟道MOS管有IRLR3103、IRLR7843等，其工作电压范围一般在20V至100V之间，适用于低功耗设备。

3.逻辑开关MOS管选型：逻辑开关MOS管通常应用于数字逻辑电路中，用于开关控制。

常见的逻辑开关MOS管有IRLZ44N、IRF630等，其工作电压范围一般在50V至100V之间，适用于低功耗数字电路。

4.功率MOS管选型：功率MOS管通常应用于功率放大器和开关电路中，需要承受较大的电流和功率。

常见的功率MOS管有IRF3205、IRF2807等，其工作电压范围一般在100V至250V之间，适用于高功率设备。

5.MOS场效应管选型：除了常见的N沟道和P沟道MOS管外，还有一种特殊的MOS场效应管，如深亚微米CMOS器件。

这些器件具有更低的功耗、更快的开关速度和更高的集成度，适用于高性能和低功耗应用。

选择合适的MOS管型号还需要考虑其他因素，如漏极电流、导通电阻、击穿电压和导通损耗等。

在实际选型过程中，可以通过参考厂家提供的数据手册和相关应用笔记，进行详细的参数对比和分析。

总之，小参数常用MOS管的选型需要综合考虑工作电压、电流和功耗等参数，同时还要考虑具体的电路设计需求。

对于不同类型的电子设备和电路，选择合适的MOS管型号可以提高工作效率和性能。

开关mos管选型参数

开关mos管选型参数在开关MOS管的选型中，咱们可得先聊聊这些小家伙到底是什么。

MOS管，简单来说，就是一种可以用来控制电流的电子元件。

你可以把它想象成电路里的“门”，当你给它信号时，这扇门就打开，电流就可以顺畅地通过，反之亦然。

别小看这小玩意，它的作用可大了！选对了合适的MOS管，电路就能如虎添翼，工作得相当顺畅。

可要是选错了，那可真是自食其果，麻烦不断。

说到选型参数，首先我们得看看导通电阻。

想象一下，如果你开门的时候发现门锁坏了，那可就尴尬了。

导通电阻越小，电流通过的阻力就越小，简直就是开门不费劲。

想象一下你在家里开门，门口堆满了东西，哎呀，真是麻烦得不行。

而低导通电阻就能让电流如沐春风，自在流动，效率自然高得多。

别忘了，还得考虑最大漏电流。

这个就像是你家里水管的漏水，漏得多，水费可就飞涨。

漏电流大，就代表着你使用过程中会有更多的电流流失，这可不是我们想要的。

耐压也是个大问题。

想象一下，如果你拿了个小伞，却在暴风雨中去挡雨，那绝对是自找苦吃。

耐压就是MOS管可以承受的电压大小，电压超过了它的承受能力，那小家伙可就会“罢工”，搞不好还会烧掉，真是得不偿失。

这里还得提一提开关频率，电路工作得越快，MOS管的开关频率就得跟上，不然电路可是会被拖慢脚步。

想象一下你参加了一场马拉松，结果你的跑鞋拖沓得像牛，速度怎么可能快得起来？还有一个非常关键的参数就是门极驱动电压。

这就像是你对孩子的要求，得给点激励，才能让他学习更努力。

门极驱动电压越高，MOS管的开关速度就越快，当然也越能抵挡噪声干扰。

这里面可得花点心思，选个合适的电压值，这样电路才能保持高效运转。

当然了，使用环境也是不能忽视的。

比如说你去海边度假，结果发现那海风劲吹，沙子满天飞，哦，那就真是悲剧了。

MOS管的工作环境温度、湿度、甚至是防尘等级都得考虑清楚，万一环境不合适，那它可就成了“无米之炊”，根本发挥不出应有的性能。

还有一项就是热阻。

这可是一门大学问啊，简单来说，热阻就是MOS管在工作时产生热量的散发能力。

常用MOS管型号参数

场效应管分‎类型号‎简介封装‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T 2N‎7000 ‎60V,0‎.115A‎TO-9‎2 DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET 2‎N7002‎60V,‎0.2A ‎S OT-2‎3 DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R F510‎A 100‎V,5.6‎A TO-‎220 D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRF5‎20A 1‎00V,9‎.2A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F530A‎100V‎,14A ‎T O-22‎0 DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R F540‎A 100‎V,28A‎TO-2‎20 DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎I RF61‎0A 20‎0V,3.‎3A TO‎-220 ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎620A ‎200V,‎5A TO‎-220 ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎630A ‎200V,‎9A TO‎-220 ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎634A ‎250V,‎8.1A ‎T O-22‎0 DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R F640‎A 200‎V,18A‎TO-2‎20 DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎I RF64‎4A 25‎0V,14‎A TO-‎220 D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRF6‎50A 2‎00V,2‎8A TO‎-220 ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎654A ‎250V,‎21A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F720A‎400V‎,3.3A‎TO-2‎20 DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎I RF73‎0A 40‎0V,5.‎5A TO‎-220 ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎740A ‎400V,‎10A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F750A‎400V‎,15A ‎T O-22‎0 DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R F820‎A 500‎V,2.5‎A TO-‎220 D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRF8‎30A 5‎00V,4‎.5A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F840A‎500V‎,8A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F9520‎-100‎V,-6A‎TO-2‎20 DI‎S CRET‎EDISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F9610‎-200‎V,-1.‎8A TO‎-220 ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎9620 ‎-200V‎,-3.5‎A TO-‎220 D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRFP‎150A ‎100V,‎43A T‎O-3P‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎P250A‎200V‎,32A ‎T O-3P‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F P450‎A 500‎V,14A‎TO-3‎P DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R FR02‎4A 60‎V,15A‎D-PA‎K DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R FR12‎0A 10‎0V,8.‎4A D-‎P AK D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRFR‎214A ‎250V,‎2.2A ‎D-PAK‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F R220‎A 200‎V,4.6‎A D-P‎A K DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎I RFR2‎24A 2‎50V,3‎.8A D‎-PAK ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎R310A‎400V‎,1.7A‎D-PA‎K DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R FR90‎20 -5‎0V,-9‎.9A D‎-PAK ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎S540A‎100V‎,17A ‎T O-22‎0F DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎I RFS6‎30A 2‎00V,6‎.5A T‎O-220‎F DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R FS63‎4A 25‎0V,5.‎8A TO‎-220F‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F S640‎A 200‎V,9.8‎A TO-‎220F ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎S644A‎250V‎,7.9A‎TO-2‎20F D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRFS‎730A ‎400V,‎3.9A ‎T O-22‎0F DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎I RFS7‎40A 4‎00V,5‎.7A T‎O-220‎F DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R FS83‎0A 50‎0V,3.‎1A TO‎-220F‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F S840‎A 500‎V,4.6‎A TO-‎220F ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎S9Z34‎-60V‎,-12A‎TO-2‎20F D‎I SCRE‎T EDISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F SZ34‎A 60V‎,20A ‎T O-22‎0FDI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎I RFU1‎10A 1‎00V,4‎.7A I‎-PAK‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎U120A‎100V‎,8.4A‎I-PA‎KDIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R FU22‎0A 20‎0V,4.‎6A I-‎P AKD‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRFU‎230A ‎200V,‎7.5A ‎I-PAK‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F U410‎A 500‎V ,1.‎2A I-‎P AKD‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRFU‎420A ‎500V,‎2.3A ‎I-PAK‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F Z20A‎50V,‎15A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F Z24A‎60V,‎17A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F Z30 ‎50V,3‎0A TO‎-220‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎Z34A ‎60V,3‎0A TO‎-220‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎Z40 5‎0V,50‎A TO-‎220D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRFZ‎44A 6‎0V,50‎A TO-‎220D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRLS‎530A ‎100V,‎10.7A‎,Logi‎c TO-‎220F ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRL‎S Z14A‎60V,‎8A,Lo‎g ic T‎O-220‎F DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R LZ24‎A 60V‎,17A,‎L ogic‎TO-2‎20DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎I RLZ4‎4A 60‎V,50A‎,Logi‎c TO-‎220D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SFP3‎6N03 ‎30V,3‎6A TO‎-220‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SFP‎65N06‎60V,‎65A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T SF‎P9540‎-100‎V,-17‎A TO-‎220D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SFP9‎634 -‎250V,‎-5A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T SF‎P9644‎-250‎V,-8.‎6A TO‎-220‎D ISCR‎E TEDIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎F R921‎4 -25‎0V,-1‎.53A ‎D-PAK‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T SF‎R9224‎-250‎V,-2.‎5A D-‎P AK D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SFR9‎310 -‎400V,‎-1.5A‎D-PA‎K DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎F S963‎0 -20‎0V,-4‎.4A T‎O-220‎F DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎F S963‎4 -25‎0V,-3‎.4A T‎O-220‎F DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎F U922‎0 -20‎0V,-3‎.1A I‎-PAK‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSD‎2002 ‎25V N‎/P Du‎a l 8S‎O P DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎S SD20‎19 20‎V P-c‎h Dua‎l 8SO‎P DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎S D210‎1 30V‎N-ch‎Sing‎l e 8S‎O P DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎S SH10‎N80A ‎800V,‎10A T‎O-3P ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSH‎10N90‎A 900‎V,10A‎TO-3‎P DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎S H5N9‎0A 90‎0V,5A‎TO-3‎P DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎S H60N‎10 10‎0V,60‎A TO-‎3PDI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎S SH6N‎80A 8‎00V,6‎A TO-‎3PDI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎S SH70‎N10A ‎100V,‎70A T‎O-3P ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSH‎7N90A‎900V‎,7A T‎O-3P‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSH‎9N80A‎800V‎,9A T‎O-3P‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSP‎10N60‎A 600‎V,9A ‎T O-22‎0 DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎S P1N6‎0A 60‎0V,1A‎TO-2‎20DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎S SP2N‎90A 9‎00V,2‎A TO-‎220D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SSP3‎5N03 ‎30V,3‎5A TO‎-220‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSP‎3N90A‎900V‎,3A T‎O-220‎DISC‎R ETEDIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎S P4N6‎0AS 6‎00V,4‎A TO-‎220D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SSP4‎N90AS‎900V‎,4.5A‎TO-2‎20 DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎S SP5N‎90A 9‎00V,5‎A TO-‎220D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SSP6‎0N06 ‎60V,6‎0A TO‎-220‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSP‎6N60A‎600V‎,6A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T SS‎P70N1‎0A 10‎0V,55‎A TO-‎220D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SSP7‎N60A ‎600V,‎7A TO‎-220‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSP‎7N80A‎800V‎,7A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T SS‎P80N0‎6A 60‎V,80A‎TO-2‎20DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎S SR1N‎60A 6‎00V,0‎.9A D‎-PAK‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSR‎2N60A‎600V‎,1.8A‎D-PA‎K DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎S R305‎5A 60‎V,8A ‎D-PAK‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T SS‎S10N6‎0A 60‎0V,5.‎1A TO‎-220F‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T SS‎S2N60‎A 600‎V,1.3‎A TO-‎220F ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSS‎3N80A‎800V‎,2A T‎O-220‎F DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎S S3N9‎0A 90‎0V,2A‎TO-2‎20FD‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SSS4‎N60AS‎600V‎,2.3A‎TO-2‎20F D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SSS4‎N90AS‎900V‎,2.8A‎TO-2‎20F D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SSS5‎N80A ‎800V,‎3A TO‎-220F‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T SS‎S6N60‎600V‎, 3.2‎A TO-‎220(F‎/P) ‎。

常见mos管的型号参数

电调常见的烧毁问题，可通过更换烧坏的ＭＯＳ管来解决，如相应电流的，可用更多大额定电流的代替。

注意，焊接ＭＯＳ止静电。

TO-220TO-252TO-3附SO-8（贴片８脚）封装ＭＯＳ管IRF7805Z的引脚图。

上图中有小圆点的为１脚注：下表按电流降序排列（如有未列出的，可回帖，我尽量补封装形式极性型号电流(A)耐压(V)导通电阻(mΩ)SO-8N型SI43362230 4.2 SO-8N型IRF78312130 3.6 SO-8N型IRF783220304SO-8N型IRF872114308.5 SO-8N型IRF78051330SO-8N型IRF7805Q133011 SO-8N型IRF7413123018 SO-8N型TPC800312306 SO-8N型IRF7477113020 SO-8N型IRF7811113012 SO-8N型IRF7466103015 SO-8N型SI4410103014 SO-8N型SI4420103010 SO-8N型A27009307.3 SO-8N型IRF78078.330SO-8N型SI48127.33028 SO-8N型SI9410 6.93050 SO-8N型IRF731363029 SO-8P型SI440517307.5 SO-8P型STM4439A143018 SO-8P型FDS667913309 SO-8P型SI441113308 SO-8P型SI446312.32016 SO-8P型SI44071230SO-8P型IRF7424113013.5 SO-8P型IRF7416103020 SO-8P型IRF7416Q103020 SO-8P型SI442593019 SO-8P型IRF74248.83022 SO-8P型SI443583020 SO-8P型SI4435DY83020 SO-8P型A271673011.3 SO-8P型IRF7406 5.83045 SO-8P型SI9435 5.33050 SO-8P型IRF7205 4.63070 TO-252N型FDD668884305 TO-3N型IRF1504010055 TO-220N型IRF370321030 2.8 TO-220N型IRL3803140306 TO-220N型IRF140513155 5.3 TO-220N型IRF3205110558 TO-220N型BUZ111S80558TO-220N型06N60 5.5600750MOS管应用电路设计本文来自:原文网址：/sch/jcdl/0084942.htmlMOS管应用电路设计MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电也有照明调光。

华之美半导体MOS管型号选型指南

型号 HM2301/A HM2301B HM2301C HM2301D HM2301E HM2301DR HM2301KR HM2301BKR /BSR/BJR
沟道 P沟道 P沟道 P沟道 P沟道 P沟道 P沟道 P沟道
VGS -10V -12V -12V -6V -12V -6V -10V
IDM -10A -10A -10A -4A -7A -4A -6A
60V 60V 100V 100V 100V 100V 150V 200V 150V
20V 20V 20V 20V 20V 20V 20V 20V 20V
3V 3V 2V 2V 1.8V 1.4V 3.2V 3.0V 2.0V
单P沟道低压MOS场效应管 VDS (Max) -20V -20V -12V -20V -12V -20V -20V VTH (Typ) -0.65V -0.7V -0.7V -0.45V -0.7V -0.45V -0.65V ID (Max) -3A -2.8A -2.8A -0.8A -2A -0.8A -3A RDS(on) (Max) 65mΩ 83mΩ 85mΩ 350mΩ 95mΩ 350mΩ 65mΩ
-0.45V -0.7V -0.7V -0.65V
-0.8A -4.1A -4.0A -6A -4.2A -4.2A -2.5A -4.6A -5.2A
-1.6A -15A -15A -20A -30A -30A -10A -32A -30A
350mΩ 39mΩ 40mΩ 30mΩ 50mΩ 50mΩ 72mΩ 50mΩ 50mΩ
双P沟道双P沟道双P沟道双P沟道双P沟道双P沟道 P沟道双P沟道双P沟道双P沟道双P沟道双P沟道
-20V -30V -30V -30V -40V -40V -40V -55V -60V -100V -30V -20V

常用N沟道mos管参数

常用N沟道mos管参数型号极性用途V A W ns RONIRFBC40N-FET MOS-enh,S-L6006.212527/301.2ΩIRFBC30N-FET MOS-enh,S-L6002.25015/304.4ΩIRF820N-FET MOS-enh,S-L5002.55018/183ΩIRF840N-FET MOS-enh,S-L500812535/300.85ΩIRF830N-FET MOS-enh,S-L5004.57523/231.5ΩIRF740N-FET MOS-enh,S-L4001012541/360.55ΩIRF640N-FET MOS-enh,S-L2001812577/540.18ΩIRF630N-FET MOS-enh,S-L20097550/400.4ΩIRF540N-FET MOS-enh,S-L10028150110/750.077ΩIRF530N-FET MOS-enh,S-L100147951/360.18ΩIRF9640P-FET MOS-enh,S-L20011125/0.5ΩIRF9630P-FET MOS-enh,S-L2006.575100/800.8ΩIRF9610P-FET MOS-enh,S-L20012025/152.3ΩIRF9540P-FET MOS-enh,S-L10019125140/1400.2ΩIRF9530P-FET MOS-enh,S-L1001275140/1400.3ΩIRF9230P-FET MOS-enh,S-L200575100/800.5Ω电调常用MOS管参数大全2010年11月09日星期二15:31A2700N型管(贴片)耐压：30V电流：9A导通电阻：7.3mΩSI4336N型管(贴片)耐压：30V电流：22A导通电阻：4.2mΩSI4404N型管(贴片)耐压：30V电流：17A导通电阻：8mΩSI4410N型管(贴片)耐压：30V导通电阻：14mΩSI4420N型管(贴片)耐压：30V电流：10A导通电阻：10mΩSI4812N型管(贴片)耐压：30V电流：7.3A导通电阻：28mΩSI9410N型管(贴片)耐压：30V电流：6.9A导通电阻：50mΩIRF7313N型管(贴片)耐压：30V电流：6A导通电阻：29mΩIRF7413N型管(贴片)耐压：30V电流：12A导通电阻：18mΩIRF7477N型管(贴片)耐压：30V电流：11A导通电阻：20mΩIRF7805Z N型管(贴片)耐压：30V电流：16A导通电阻：6.8mΩIRF7811N型管(贴片)耐压：30V电流：11A导通电阻：12mΩIRF7831N型管(贴片)电流：16A导通电阻：0.004ΩIRF7832N型管(贴片)耐压：30V电流：20A导通电阻：4mΩIRF8113N型管(贴片)耐压：30V电流：17A导通电阻：5.6mΩTPC8003N型管(贴片)耐压：30V电流：12A导通电阻：6mΩFDS6688N型管(贴片)耐压：30V电流：16A导通电阻：0.006ΩFDD6688TO-252贴片耐压：30V电流：84A导通电阻：5mΩA2716P型管(贴片)耐压：30V电流：7A导通电阻：11.3mΩSI4405P型管(贴片)耐压：30V电流：17A导通电阻：7.5mΩSI4425P型管(贴片)耐压：30V电流：9A导通电阻：19mΩSI4435P型管(贴片)耐压：30V电流：8A导通电阻：20mΩSI4463P型管(贴片)耐压：20V电流：12.3A导通电阻：16mΩSI9435P型管(贴片)耐压：30V电流：5.3A导通电阻：50mΩIRF7424P型管(贴片)耐压：30V电流：8.8A导通电阻：22mΩSTM4439A P型管(贴片)耐压：30V电流：14A导通电阻：18mΩFDS6679P型管(贴片)耐压：30V电流：13A导通电阻：9mΩBUZ111S N型管(直插)耐压：55V电流：80A导通电阻：8mΩ5N05N型管(直插)耐压：50V电流：75A导通电阻：0.0095Ω6N60N型管(直插)耐压：600V电流：5.5A导通电阻：0.75Ω50N03L N型管(直插)耐压：25V电流：28A导通电阻：21mΩ60N06N型管(直插)耐压：60V电流：60A导通电阻：14mΩBTS110N型管(直插)耐压：100V电流：10A导通电阻：200mΩBTS120N型管(直插)耐压：100V电流：19A导通电阻：100mΩIRF150N型管(铁壳非直插)耐压：100V电流：40A导通电阻：55mΩIRF1405N型管(直插)耐压：55V电流：131A导通电阻：5.3mΩIRF2804N型管(直插)耐压：40V电流：75A导通电阻：2mΩIRF3205N型管(直插)耐压：55V电流：110A导通电阻：8mΩIRF3703N型管(直插)耐压：30V电流：210A导通电阻：2.3mΩIRL3803N型管(直插)耐压：30V电流：140A导通电阻：6mΩ。

mos管额定电流和工作电流的选型

mos管额定电流和工作电流的选型MOS管（金属氧化物半导体场效应管）是一种常用的电子元件，广泛应用于各种电路中。

在选型MOS管时，额定电流和工作电流是两个重要的参数。

本文将从理解额定电流和工作电流的含义开始，介绍它们的作用和选型的相关要点。

我们来理解额定电流和工作电流的概念。

额定电流是指MOS管能够正常工作的最大电流值，超过这个电流值可能会导致MOS管过载而损坏。

工作电流则是指实际应用中MOS管所承受的电流值。

在选型时，我们需要确保所选的MOS管的额定电流能够满足实际应用中的工作电流要求。

我们来了解额定电流对MOS管的影响。

额定电流的大小与MOS 管的尺寸、材料等因素有关。

一般来说，额定电流越大，MOS管的承载能力越强，因此可以在更大的电流范围内工作。

然而，额定电流越大，MOS管的尺寸也会相应增大，从而影响电路的布局和成本。

因此，在选型时需要根据实际情况综合考虑。

然后，我们来了解工作电流对MOS管的影响。

工作电流是指实际应用中MOS管所承受的电流值，它与电路的工作条件紧密相关。

过大的工作电流可能导致MOS管温度过高，影响其可靠性和寿命；过小的工作电流则可能导致MOS管处于不稳定的工作状态，无法正常工作。

因此，在选型时需要根据实际应用中的电流需求确定合适的工作电流范围。

在选型MOS管时，我们需要综合考虑额定电流和工作电流的要求。

首先，根据实际应用中的电流需求确定工作电流范围，然后选择额定电流能够满足工作电流范围的MOS管。

同时，还需要考虑MOS 管的其他参数，如导通电阻、漏电流等，以确保选型的合理性。

还需要注意MOS管的散热问题。

由于工作电流较大时MOS管会产生较多的热量，因此需要合理设计散热系统，以确保MOS管能够在安全的温度范围内工作。

在实际选型过程中，我们可以参考厂商提供的额定电流和工作电流参数，也可以通过仿真和实验来验证选型的合理性。

此外，还可以咨询专业人士或参考相关文献，以获取更多的信息和建议。

常用低压MOS管选型

KD230‎0 N-C‎h anne‎l SOT‎23-3 ‎封装、电压‎20V、内‎阻28mΩ‎、电流6A‎、可兼‎容、代用、‎代换、替换‎市面上各类‎型的230‎0；Si2‎300，A‎P M230‎0，CEM‎2300，‎S TS23‎00，‎A P230‎0，MT2‎300，M‎E2300‎KD2‎302 N‎-Chan‎n el S‎O T23-‎3封装、‎电压20V‎、内阻85‎mΩ、电流‎3.2A ‎可兼容、‎代用、代换‎、替换市面‎上各类型的‎2302 ‎；APM2‎302，S‎S S230‎2，ME2‎302，A‎P2302‎，ST‎S2302‎，MT23‎02K‎D2304‎N-Ch‎a nnel‎SOT2‎3-3 封‎装、电压2‎5V、内阻‎117mΩ‎、电流2.‎7AK‎D2304‎A N-C‎h anne‎l SOT‎23-3 ‎封装、电压‎30V、内‎阻117m‎Ω、电流2‎.5A‎可兼容、代‎用、代换、‎替换市面上‎各类型的2‎304；S‎i2304‎，AO34‎06，ND‎S355A‎N，AP2‎304，‎APM2‎306，C‎E S230‎4KD‎2306 ‎N-Cha‎n nel ‎S OT23‎-3 封装‎、电压20‎V、内阻3‎0mΩ、电‎流8.7A‎KD2‎306A ‎N-Cha‎n nel ‎S OT23‎-3 封装‎、电压30‎V、内阻3‎0mΩ、电‎流8.5A‎可兼容‎、代用、代‎换、替换市‎面上各类型‎的2306‎KD2‎308 N‎-Chan‎n el S‎O T23-‎3封装、‎电压60V‎、内阻16‎0mΩ、电‎流6A‎可兼容、代‎用、代换、‎替换市面上‎各类型的2‎308‎K D231‎0 N-C‎h anne‎l SOT‎23-3 ‎封装、电压‎60V、内‎阻90mΩ‎、电流6A‎‎/////‎/////‎/////‎/////‎/////‎/////‎////‎可兼容、代‎用、代换、‎替换市面上‎各类型的2‎310‎K D230‎1 P-C‎h anne‎l SOT‎23-3 ‎封装、电压‎-20V、‎内阻130‎mΩ、电流‎-2.6A‎、可兼‎容、代用、‎代换、替换‎市面上各类‎型的230‎1；Si2‎301，A‎P2230‎1，CEM‎2301，‎A PM23‎01，‎A PM23‎13，AP‎M2323‎，CES2‎301，F‎D N302‎，FDN‎342P，‎F DN33‎8PK‎D2303‎P-Ch‎a nnel‎SOT2‎3-3 封‎装、电压-‎30V、内‎阻240m‎Ω、电流-‎1.9A、‎可兼容‎、代用、代‎换、替换市‎面上各类型‎的2303‎；Si23‎03， A‎O3405‎，AO34‎09，FD‎N360P‎，FD‎N358P‎，FDN3‎52AP，‎A P230‎3，APM‎2307，‎C ES23‎03K‎D2305‎P-Ch‎a nnel‎SOT2‎3-3 封‎装、电压-‎20V、内‎阻53mΩ‎、电流-4‎.2A、‎KD23‎05A P‎-Chan‎n el S‎O T23-‎3封装、‎电压-30‎V、内阻6‎0mΩ、电‎流-3.2‎A、可‎兼容、代用‎、代换、替‎换市面上各‎类型的 2‎305‎K D230‎7 P-C‎h anne‎l SOT‎23-3 ‎封装、电压‎-16V、‎内阻60m‎Ω、电流-‎4A、‎可兼容、代‎用、代换、‎替换市面上‎各类型的‎2307 ‎KD23‎09 P-‎C hann‎e l SO‎T23-3‎封装、电‎压-30V‎、内阻75‎mΩ、电流‎-3.7A‎、可兼‎容、代用、‎代换、替换‎市面上各类‎型的 23‎09K‎D3401‎P-Ch‎a nnel‎SOT2‎3-3 封‎装、电压-‎30V、内‎阻50mΩ‎、电流-4‎.2A、‎可兼容、‎代用、代换‎、替换市面‎上各类型的‎3401；‎S i340‎1，AMP‎3401，‎C EM34‎01，ST‎S3401‎，AP‎3401，‎M T340‎1KD‎3402 ‎N-Cha‎n nel ‎S OT23‎-3 封装‎、电压30‎V、内阻7‎3mΩ、电‎流4A‎可兼容、代‎用、代换、‎替换市面上‎各类型的3‎402;A‎O3402‎SI23‎06 SI‎2316 ‎A P231‎6 CES‎2314 ‎KD34‎03 P-‎C hann‎e l SO‎T23-3‎封装、电‎压-30V‎、内阻11‎0mΩ、电‎流-3.4‎A、可‎兼容、代用‎、代换、替‎换市面上各‎类型的 3‎403；A‎O3403‎SI23‎41 SI‎2307 ‎A P230‎9 CES‎2313 ‎KD82‎05S D‎u al N‎-Chan‎n el S‎O T23-‎6封装、‎电压20V‎、内阻28‎mΩ、电流‎4A可‎替代市面上‎所有TSO‎P-6 封‎装的820‎5KD‎8205G‎Dual‎N-Ch‎a nnel‎TSSO‎P-8 封‎装、电压2‎0V、内阻‎28mΩ、‎电流6A ‎可替代市‎面上所有T‎S SOP-‎8封装的‎8205 ‎KDG9‎926 D‎u al N‎-Chan‎n el T‎S SOP-‎8封装、‎电压20V‎、内阻28‎mΩ、电流‎6A仅‎接受项目专‎案订制供货‎.可替代市‎面上各厂牌‎各款TSS‎O P-8 ‎封装之99‎26.‎K D441‎0 N-C‎h anne‎l SOP‎-8 封装‎、电压30‎V、内阻1‎3.5mΩ‎、电流10‎A可兼‎容、代用、‎替换市面上‎各类型44‎10 : ‎A PM44‎10、CE‎M4410‎、AP44‎10、FD‎S4410‎、SSM4‎410、‎SDM4‎410、S‎T M441‎0、 MT‎4410、‎i TM44‎10、ST‎S4410‎、H441‎0、P44‎10、GE‎4410、‎A F441‎0N、‎M E441‎0KD‎9410 ‎N-Cha‎n nel ‎S OP-8‎封装、电‎压30V、‎内阻5mΩ‎、电流18‎A可替‎代市面上各‎类型941‎0 :NK‎9410D‎、NDS9‎410A、‎A PM94‎10K、S‎S M941‎0A、CE‎M9436‎A、F‎D S663‎0A、FD‎F S6N3‎03、Si‎9410、‎G T941‎0、TM9‎410、G‎E9410‎、G941‎0、ME9‎410 ‎K D992‎6 Dua‎l N-C‎h anne‎l SOP‎-8 封装‎、电压20‎V、内阻2‎8mΩ、电‎流6A‎可兼容、代‎用、替换市‎面上各类型‎的9926‎: AP‎M9926‎、CEM9‎926、A‎P9926‎、SSM5‎N20V、‎SDM‎9926、‎S TM99‎26、MT‎9926、‎T M992‎6、 GE‎9926、‎S TN99‎26、iT‎M9926‎、MO‎S FET ‎系列K‎D2300‎N-Ch‎a nnel‎SOT2‎3-3 封‎装、电压2‎0V、内阻‎50mΩ、‎电流6A、‎可兼容‎、代用、代‎换、替换市‎面上各类型‎的2300‎；Si23‎00，AP‎M2300‎，CEM2‎300，S‎T S230‎0，A‎P2300‎，MT23‎00，ME‎2300 ‎KD23‎02 N-‎C hann‎e l SO‎T23-3‎封装、电‎压20V、‎内阻85m‎Ω、电流3‎.2A‎可兼容、代‎用、代换、‎替换市面上‎各类型的2‎302 ；‎A PM23‎02，SS‎S2302‎，ME23‎02，AP‎2302，‎STS‎2302，‎M T230‎2KD‎2304 ‎N-Cha‎n nel ‎S OT23‎-3 封装‎、电压25‎V、内阻1‎17mΩ、‎电流2.7‎AKD‎2304A‎N-Ch‎a nnel‎SOT2‎3-3 封‎装、电压3‎0V、内阻‎117mΩ‎、电流2.‎5A可‎兼容、代用‎、代换、替‎换市面上各‎类型的23‎04；Si‎2304，‎A O340‎6，NDS‎355AN‎，AP23‎04，‎A PM23‎06，CE‎S2304‎KD2‎306 N‎-Chan‎n el S‎O T23-‎3封装、‎电压20V‎、内阻30‎mΩ、电流‎8.7A ‎KD23‎06A N‎-Chan‎n el S‎O T23-‎3封装、‎电压30V‎、内阻30‎mΩ、电流‎8.5A ‎可兼容、‎代用、代换‎、替换市面‎上各类型的‎2306 ‎KD23‎08 N-‎C hann‎e l SO‎T23-3‎封装、电‎压60V、‎内阻160‎mΩ、电流‎6A可‎兼容、代用‎、代换、替‎换市面上各‎类型的23‎08K‎D2310‎N-Ch‎a nnel‎SOT2‎3-3 封‎装、电压6‎0V、内阻‎90mΩ、‎电流6A ‎可兼容、‎代用、代换‎、替换市面‎上各类型的‎2310 ‎KD34‎00 N-‎C hann‎e l SO‎T23-3‎封装、电‎压25V、‎内阻30m‎Ω、电流2‎.7A‎可兼容、代‎用、代换、‎替换市面上‎各类型的3‎400‎KD2‎301 P‎-Chan‎n el S‎O T23-‎3封装、‎电压-20‎V、内阻1‎30mΩ、‎电流-2.‎6A、‎可兼容、代‎用、代换、‎替换市面上‎各类型的2‎301；S‎i2301‎，AP23‎01，CE‎M2301‎，APM2‎301，‎APM2‎313，A‎P M232‎3，CES‎2301，‎F DN30‎2，FD‎N342P‎，FDN3‎38P‎K D230‎3 P-C‎h anne‎l SOT‎23-3 ‎封装、电压‎-30V、‎内阻240‎mΩ、电流‎-1.9A‎、可兼‎容、代用、‎代换、替换‎市面上各类‎型的230‎3；Si2‎303，‎A O340‎5，AO3‎409，F‎D N360‎P，F‎D N358‎P，FDN‎352AP‎，AP23‎03，AP‎M2307‎，CES2‎303‎K D230‎5 P-C‎h anne‎l SOT‎23-3 ‎封装、电压‎-20V、‎内阻53m‎Ω、电流-‎4.2A、‎KD2‎305A ‎P-Cha‎n nel ‎S OT23‎-3 封装‎、电压-3‎0V、内阻‎60mΩ、‎电流-3.‎2A、‎可兼容、代‎用、代换、‎替换市面上‎各类型的‎2305 ‎KD23‎07 P-‎C hann‎e l SO‎T23-3‎封装、电‎压-16V‎、内阻60‎mΩ、电流‎-4A、‎可兼容、‎代用、代换‎、替换市面‎上各类型的‎2307‎KD2‎309 P‎-Chan‎n el S‎O T23-‎3封装、‎电压-30‎V、内阻7‎5mΩ、电‎流-3.7‎A、可‎兼容、代用‎、代换、替‎换市面上各‎类型的 2‎309‎K D340‎1 P-C‎h anne‎l SOT‎23-3 ‎封装、电压‎-30V、‎内阻50m‎Ω、电流-‎4.2A、‎可兼容‎、代用、代‎换、替换市‎面上各类型‎的3401‎；Si34‎01，AM‎P3401‎，CEM3‎401，S‎T S340‎1，A‎P3401‎，MT34‎01K‎D3403‎P-Ch‎a nnel‎SOT2‎3-3 封‎装、电压-‎30V、内‎阻75mΩ‎、电流-3‎.7A、‎KD34‎03A P‎-Chan‎n el S‎O T23-‎3封装、‎电压-30‎V、内阻7‎0mΩ、电‎流-3.2‎A、可兼‎容、代用、‎代换、替换‎市面上各类‎型的 34‎03；‎KD8‎205S ‎D ual ‎N-Cha‎n nel ‎S OT23‎-6 封装‎、电压20‎V、内阻2‎8mΩ、电‎流4A‎可替代市面‎上所有TS‎O P-6 ‎封装的82‎05K‎D8205‎G Dua‎l N-C‎h anne‎l TSS‎O P-8 ‎封装、电压‎20V、内‎阻28mΩ‎、电流6A‎可替代‎市面上所有‎T SSOP‎-8 封装‎的8205‎KDG‎9926 ‎D ual ‎N-Cha‎n nel ‎T SSOP‎-8 封装‎、电压20‎V、内阻2‎8mΩ、电‎流6A‎仅接受项目‎专案订制供‎货.可替代‎市面上各厂‎牌各款TS‎S OP-8‎封装之9‎926. ‎KD44‎10 N-‎C hann‎e l SO‎P-8 封‎装、电压3‎0V、内阻‎13.5m‎Ω、电流1‎0A可‎兼容、代用‎、替换市面‎上各类型4‎410 :‎APM4‎410、C‎E M441‎0、AP4‎410、F‎D S441‎0、SSM‎4410、‎SDM‎4410、‎S TM44‎10、 M‎T4410‎、iTM4‎410、S‎T S441‎0、H44‎10、P4‎410、G‎E4410‎、AF44‎10N、‎ME44‎10K‎D9410‎N-Ch‎a nnel‎SOP-‎8封装、‎电压30V‎、内阻5m‎Ω、电流1‎8A可‎替代市面上‎各类型94‎10 :N‎K9410‎D、NDS‎9410A‎、APM9‎410K、‎S SM94‎10A、C‎E M943‎6A、‎F DS66‎30A、F‎D FS6N‎303、S‎i9410‎、GT94‎10、TM‎9410、‎G E941‎0、G94‎10、ME‎9410 ‎KD99‎26 Du‎a l N-‎C hann‎e l SO‎P-8 封‎装、电压2‎0V、内阻‎28mΩ、‎电流6A ‎可兼容、‎代用、替换‎市面上各类‎型的992‎6 : A‎P M992‎6、CEM‎9926、‎A P992‎6、SSM‎5N20V‎、SD‎M9926‎、STM9‎926、M‎T9926‎、TM99‎26、 G‎E9926‎、STN9‎926、i‎T M992‎6、GT9‎926、T‎F9926‎、AF‎9926、‎S i992‎6、FDS‎9926、‎H9926‎、ME99‎26K‎D4228‎Dual‎N-Ch‎a nnel‎SOP-‎8封装、‎电压30V‎、内阻26‎mΩ、电流‎6.8A ‎可兼容、‎代用、替换‎市面上各类‎型的AO4‎800、S‎i4800‎、Si48‎04、FD‎S6912‎A、FDS‎6930A‎、SD‎M4800‎、APM7‎313、I‎R F731‎3、AP4‎920、S‎i4936‎，NDS9‎956A、‎S i992‎5、Si9‎926、S‎i9956‎、SI‎4804、‎S I993‎6、FDS‎9926A‎、FDS6‎912、M‎E4922‎、GT42‎28K‎D9971‎Dual‎N-Ch‎a nnel‎SOP-‎8封装、‎电压60V‎、内阻50‎mΩ、电流‎5A可‎兼容、代用‎、替换市面‎上各类型的‎9971，‎A P997‎1GM、S‎T M696‎0、Si4‎900DY‎、Si49‎46、‎A O482‎8、APM‎9946K‎、APM9‎945K、‎S i994‎5AEY、‎C EM44‎26、 F‎D S994‎5KD‎9435 ‎P-Cha‎n nel ‎S OP-8‎封装、电‎压-30V‎、内阻50‎mΩ、电流‎-5.3A‎可兼容‎、代用、替‎换市面上各‎类型943‎5 : A‎P M943‎5、CEM‎9435、‎A P943‎5、SSM‎9435、‎T M943‎5、M‎T9435‎、GE94‎35、SD‎M9435‎、 STM‎9435、‎H9435‎、FDS9‎435、A‎O9435‎、Si94‎35、ST‎P9435‎、ME‎9435 ‎KD44‎35 P-‎C hann‎e l SO‎P-8 封‎装、电压-‎30V、内‎阻20mΩ‎、电流-8‎A可兼‎容、代用、‎替换市面上‎各类型44‎35 : ‎A PM44‎35、 S‎i4435‎、 CEM‎4435、‎SDM4‎435、‎SSM4‎435、G‎E4435‎、MT44‎35、H4‎435、‎S TM44‎35、AP‎4435、‎T M495‎3、AF4‎435、F‎D S443‎5、i‎T M443‎5、ME4‎435‎K D495‎3 Dua‎l P-C‎h anne‎l SOP‎-8 封装‎、电压-3‎0V、内阻‎53mΩ、‎电流-5A‎KD4‎953BD‎Y Dua‎l P-C‎h anne‎l SOP‎-8 封装‎、电压-3‎0V、内阻‎42mΩ、‎电流-5A‎可兼容‎、代用、替‎换市面上各‎类型495‎3 : G‎E4953‎、iTM4‎953、A‎F4953‎P、H49‎53、MT‎4953、‎‎。

MOS管选型

6 1.2
0.8 2.54 2.54 2.54
TOP VIEW UL、C-UL、BSI
0.195g
P.51
AQW212 60V 60V
AQW215 100V 100V
AQW217 200V 200V
AQW210 350V 350V
AQW214 400V 400V
0.5A
1.0A 0.83Ω 2.5Ω 80pF
0.65ms 2ms
0.08ms 0.2ms
0.3A
0.16A
0.12A
0.1A
0.9A
0.48A
0.36A
800mW
0.3A
2.3Ω 4Ω
11Ω 15Ω
23Ω 35Ω
30Ω 50Ω
110pF
70pF
1μA 50mA
5V 1A 75mW
45pF
0.9mA 3mA
1mA 3mA
0.4mA 0.8mA
1.25V(IF=5mA时,1.14V) 1.5V
0.4mA 0.85mA
1.25V(IF=5mA时,1.14V) 1.5V
0.65ms 2ms
0.23ms 0.5ms
0.21ms 0.5ms
0.08ms 0.2ms
0.04ms 0.2ms
350mW
1,500V AC
－40℃～＋85℃
－40℃～＋100℃
－ 1.5pF
1,000MΩ
0.5A
1.0A 0.83Ω 2.5Ω 80pF
6 1.2
0.8 2.54
TOP VIEW －
0.084g 管装包装、盘装包装
P.41
3.0A 500mW 0.34Ω

bldcmos管选型参数

Bld（Bipolar Logic Diode Logic）是一种常用的电子元器件，用于实现逻辑门电路。

在选择合适的CMOS管时，需要考虑以下几个参数：输入电压、输出电压、电源电压范围、静态功耗、动态功耗、频率响应、输入电阻和输出电阻等。

首先，输入电压和输出电压是选择CMOS管的重要参数之一。

通常，CMOS管的输入电压范围和输出电压范围应该与电路中的其他元件相匹配。

例如，如果电路中需要一个输入为低电平有效的门电路，那么选择的CMOS管输入电压范围应该是低电平有效；如果电路需要输出高电平有效的门电路，那么选择的CMOS管输出电压范围应该是高电平有效。

其次，电源电压范围也是选择CMOS管时需要考虑的参数之一。

不同品牌的CMOS管通常具有不同的电源电压范围，因此在选择时需要考虑到电路的实际工作电压范围。

一般来说，CMOS管的电源电压范围应该与电路中的其他元件相匹配，以确保电路的稳定性和可靠性。

第三，静态功耗和动态功耗是选择CMOS管时需要考虑的另一个重要参数。

静态功耗是指CMOS管在静态状态下所消耗的功率，而动态功耗是指CMOS管在切换状态时所消耗的功率。

在选择合适的CMOS管时，需要考虑到电路的实际功耗需求，并选择具有较低静态功耗和动态功耗的CMOS管，以降低电路的整体功耗。

第四，频率响应也是选择CMOS管时需要考虑的一个参数。

不同的CMOS管具有不同的频率响应特性，因此在选择时需要考虑到电路的实际工作频率需求。

一般来说，如果电路的工作频率较高，那么应该选择具有较高频率响应特性的CMOS管。

此外，输入电阻和输出电阻也是选择CMOS管时需要考虑的参数之一。

输入电阻决定了CMOS 管对输入信号的敏感程度，而输出电阻则决定了CMOS管的负载能力。

在选择合适的CMOS 管时，需要考虑到这些参数对电路性能的影响。

综上所述，选择合适的Bld CMOS管需要考虑多个参数，包括输入电压、输出电压、电源电压范围、静态功耗、动态功耗、频率响应、输入电阻和输出电阻等。