模拟电子技术基础试习题汇总
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模拟电子技术基础试题汇总
一.选择题
1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将()。
A 增大
B 减小
C 不变
D 等于零
2.某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管()
A.处于放大区域
B.处于饱和区域
C.处于截止区域
D.已损坏
3.某放大电路图所示.设V CC >>V BE,L CEO ≈0,则在静态时该三极管处于()
A.放大区
B.饱和区
C.截止区
D.区域不定
S1S2模输
入电压△υid 为()
A.10mV
B.20mV
C.70mV
D.140mV
12.为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与低阻负载间接入
()。
A.共射电路
B.共基电路
C.共集电路
D.共集-共基串联电路
13.在考虑放大电路的频率失真时,若i υ为正弦波,则o υ()
A.有可能产生相位失真
B.有可能产生幅度失真和相位失真
C.一定会产生非线性失真
D.不会产生线性失真
14.工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是,前者的运
放通常工作在()。
A.开环或正反馈状态
B.深度负反馈状态
C.放大状态
D.线性工作状态
15.多级负反馈放大电路在()情况下容易引起自激。
A.回路增益F A 大B 反馈系数太小
o V 为()。
A.125mV
B.1000mV
C.250mV
D.500mV
22.对于图所示的复合管,假设1CEO I 和2CEO I 分别表示T 1.T 2单管工作时的穿透电流,
则复合管的穿透电流CEO I 为()。
A.2CEO CEO I I =
B.21CEO CEO CEO I I I +=
C.1CEO CEO I I =
D.21)1(CEO CEO CEO I I I ++=β
23.某仪表放大电路,要求R i 大,输出电流稳定,应选()。
A.电流串联负反馈
B.电压并联负反馈
C.电流并联负反馈
D.电压串联负反馈
24.多级放大电路与组成它的任何一个单级放大电路相比,通频带()。
(A)变宽 (B)变窄(C)不变(D)与单级放大电路无关
25.电流源电路的特点是输出电流恒定,交流等效电阻()。
(A)等于零(B)比直流等效电阻小
(C)等于直流等效电阻(D)远远大于直流等效电阻
C 、转移电阻
D 、转移电导
34.场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的()。
A 恒流区
B 可变电阻区
C 夹断区
D 击穿区
35.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是()。
A 电阻阻值有误差
B 晶体管参数的分散性
C 晶体管参数受温度影响
D 受输入信号变化的影响
36.差动放大电路的主要特点是()。
A 有效放大差模信号,有力抑制共模信号;
B 既放大差模信号,又放大共模信号
C有效放大共模信号,有力抑制差模信号;
D既抑制差模信号,又抑制共模信号。
37.互补输出级采用射极输出方式是为了使()。
A电压放大倍数高B输出电流小
C输出电阻增大D带负载能力强
38.集成运放电路采用直接耦合方式是因为()。
A可获得较高增益B可使温漂变小
C在集成工艺中难于制造大电容D可以增大输入电阻
39.在输入量不变的情况下,若引入反馈后(),则说明引入的是负反馈。A输入电阻增大B净输入量减小C净输入量增大D输出量增大
倍。上限截止频率f H=Hz,下限截止频率f L=Hz。
4.按一个周期内一只三极管的导通角区分,功率放大电路可分为、、
三种基本类型。
5.在阻容耦合多级放大电路中,影响低频信号放大的是电容,影响
高频信号放大的是电容。
6.三极管的三个工作区域是,,。集成运算放大器是一种
采用耦合方式的放大电路。
7.三极管实现放大作用的外部条件是:、。某放大电
路中的三极管,测得管脚电压V a=-1V,V b=-3.2V,V c=-3.9V,这是管(硅、锗),型,集电极管脚是。
8.在三极管组成的三种不同组态的放大电路中,组态有电压放大作用, 组态有电流放大作用,组态有倒相作用;
组态带负载能力强,组态向信号源索取的电流小,组
态的频率响应好。
9.场效应管从结构上分成和两大类型,它属于控
制型器件。
10.场效应管属于型器件,而双极型半导体三极管则可以认为
是型器件。
11.在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中,效率最低的电路为。
12.乙类功放的主要优点是,但出现交越失真,克服交越失真的方法是
27.石英晶体振荡器是的特殊形式,因而振荡频率具有很高的稳定性。
28.放大器的输入电阻反映放大器;而输出电阻反映出
放大器的能力。
29.场效应管被称为单极型晶体管是因为。
30.晶体三极管的输出特性可分三个区域,当三极管工作在 区时,b C I I β<。
31.场效应管可分为 型场效应管和结型场效应管两种类型。