实验一、反相器设计

实验一反相器设计

一、实验目的

1.学习tanner-pro中的s-edit，t-sipice和w-edit软件，完成inv的原理图设

计与分析

2.熟悉L-edit的使用，掌握L-edit进行集成电路版图设计的方法；

3.掌握N/P MOS晶体管的工艺步骤、“N阱设计规则”。

4.掌握反相器的调试和性能指标测试方法

5.掌握对反相器进行LVS的步骤与方法

二、预习要求

1、根据性能和指标要求，设计并计算电路的有关参数。

2、掌握s-edit编辑环境，设计inv的原理图

3、掌握t-sipice和w-edit仿真环境，完成反相器的仿真

4、掌握L-edit编辑环境，设计inv的版图

5、掌握t-sipice和w-edit仿真环境，完成版图反相器的仿真

6、掌握lvs环境变量

7、写出预习报告

三、反相器的设计方法

1、确定电路（选择PMOS管、NMOS管）。

2、选择VDD和GND。

3、加入工作电源进行分析

4、确定工艺规则。

5、绘制INV版图。

6、加入工作电源进行分析

7、LVS比较

四、实验内容

1、设计一个具有反相器功能的电路。反相器inv由一对互补的nmos和pmos管

构成，通过对输入信号翻转完成输出信号，翻转时间长短有你nmos和pmos 工艺和尺寸决定，直接反映反相器的速度。

2、对所设计的电路进行设计、调试

3、对电路的性能指标进行测试仿真，并改变设计参数（如沟道比等），对结果进

行比较分析。

画出上述晶体管对应的版图，并且要求画出的版图在电学上，物理几何上，以及功能一致性上正确，版图的设计参考样式如下：

4、版图规则/一致性检查

对所设计的版图进行DRC、ERC规则检查

对所设计的版图进行LVS一致性检查

5、后仿真与改进

对于设计的版图是否能够达到优异的性能，需要通过提取版图上的寄生参数，对含有版图寄生参数的电路进行仿真才能知道，很多时候版图上错误的走线，布图方法会导致致命的错误。

对于CMOS反相器版图设计，需要进行以下仿真：给反相器一个阶越信号的输入，观察反相器的输出信号的变化。

五、实验报告要求

实验报告包括以下内容

1、项目名称

2、已知条件和指标要求

3、所需的软件仿真语句

4、电路设计过程，所选用的电路原理图

5、调试过程，标有经调试后所采用的元件数值的电路图

6、瞬时分析的仿真图图、直流分析的仿真图

7、版图设计规则

8、版图设计规程

9、规则检查、一致性比较

10、电路的改进和建议

附录：

瞬时分析图：

直流分析图：