模拟电子技术基础(第三版)童诗白
模拟电子技术基础(童诗白 华成英)课后答案第3章
第三章 多级放大电路自 测 题一、判断下列说法是否正确，凡对的在括号内打“√”，否则打“×”。
（1）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。
( )（2）阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互独立，( )它只能放大交流信号。
( )（3）直接耦合多级放大电路各级的Q 点相互影响，( )它只能放大直流信号。
( )（4）只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。
( ) （5）互补输出级应采用共集或共漏接法。
( )解：（1）× （2）√ √ （3）√ × （4）× （5）√二、现有基本放大电路：A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路根据要求选择合适电路组成两级放大电路。
（1）要求输入电阻为1k Ω至2k Ω，电压放大倍数大于3000，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（2）要求输入电阻大于10M Ω，电压放大倍数大于300，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（3）要求输入电阻为100k Ω～200k Ω，电压放大倍数数值大于100，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（4）要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10M Ω，输出电阻小于100Ω，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（5）设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000io ＞I U A ui &&&=，输出电阻R o ＜100，第一级应采用 ，第二级应采用 。
解：（1）A ，A （2）D ，A （3）B ，A （4）D ，B （5）C ，B三、选择合适答案填入空内。
（1）直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 。
A .电阻阻值有误差 B .晶体管参数的分散性 C .晶体管参数受温度影响 D .电源电压不稳定 （2）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 。
A .便于设计B .放大交流信号C .不易制作大容量电容（3）选用差分放大电路的原因是 。
模拟电子技术-童诗白版
详细描述
电感的基本单位是亨利（H），由导线绕成线圈或空心线圈制成。电感在电路中的作用是储存磁场能量， 实现电流的延迟和过滤，从而控制交流信号的相位和频率。电感在滤波、振荡、调谐等电路中广泛应用。
二极管
总结词
二极管是电子电路中常用的半导体器件，具有单向导电性。
详细描述
二极管是由一个PN结半导体材料制成的器件，具有正向导通、反向截止的特性。二极管在电路中主要用于整流、 检波、开关等作用，能够实现电流的单向流动控制。不同类型的二极管还有稳压、光电等特殊功能。
模拟电子技术-童诗白版
• 绪论 • 电子器件基础 • 放大电路 • 集成运算放大器 • 反馈放大电路 • 振荡电路与调制解调电路
01
绪论
模拟电子技术的定义与重要性
模拟电子技术是研究模拟电路及其应用的科学技术，它通过 处理连续变化的电压或电流信号来模拟现实世界中的各种物 理量，如声音、温度、压力等。
调制解调电路的应用
调制解调电路在通信、广播、电视等领域有着广泛的 应用。例如，在无线电广播中，音频信号通过调制解 调电路调制到高频载波上，然后通过天线发射出去， 听众可以使用收音机接收并解调出音频信号。在电视 广播中，视频和音频信号也是通过调制解调电路调制 到高频载波上，然后传输到各个电视接收终端，观众 可以使用电视机接收并解调出视频和音频信号。
用于电压、电流、电阻 等的测量，实现模拟量
的测量和转换。
05
反馈放大电路
反馈放大电路的基本概念
反馈放大电路
通过引入反馈网络，将输 出信号的一部分或全部反 馈到输入端，从而改变放 大电路的性能。
反馈的作用
改善放大电路的性能，如 提高稳定性、减小失真、 扩展带宽等。
反馈的分类
模拟电子技术基础完整(第三版)童诗白、华成英(全)ppt课件
变化。
二极管
二、本征半导体的晶体结构
完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导体
称为本征半导体
+4
+4
+4
将硅或锗材料提
纯便形成单晶体，
共 价
它的原子结构为 键
+4
+4
价 电 子
+4
共价键结构。
+4
当温度 T = 0 K 时，半导 体不导电，如同绝缘体。 图 1.1.1
+4
+4
本征半导体结构示意图
(a)N 型半导体
(b) P 型半导体
图 杂质半导体的的简化表示法
1.1.3 PN结
在一块半导体单晶上一侧掺杂成为 P 型半导体，另 一侧掺杂成为 N 型半导体，两个区域的交界处就形成了 一个特殊的薄层，称为 PN 结。
一、PN 结的形成
P
PN结
N
图 PN 结的形成
PN 结中载流子的运动
1. 扩散运动
本征半导体掺入 5 价元素后，原来晶体中的某些 硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有 5 个价 电子，其中 4 个与硅构成共价键，多余一个电子只受 自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。
+4
+4
+4
自由电子
+4
+45
+4
施主原子
+4
+4
+4
图 1.1.3 N 型半导体
5 价杂质原子称为施主原子。
5. 载流子的浓度与温度密切相关，它随着温度的升 高，基本按指数规律增加。
1.1.2 杂质半导体
杂质半导体有两种
《模拟电子技术(童诗白)》课件ppt
V
-
uR
t
V UD
幅值由rd与R
分压决定
t
例题1：试求输出电压uo。
－12V
解：两个二极管存在优先 导通现象。
R
D1 －5V
D2 0V
D2导通，D1截止。
Si : Uon 0.7V uo Ge : Uon 0.2V
Si : uo 5.7V
?
Ge : uo 5.2V
例题2：试画出电压uo的波形。
EGO：热力学零度时破坏共价键所需的能量，又称 禁带宽度 （Si：1.21eV，Ge：0.785eV）；
T=300K时，本征半导体中载流子的浓度比较低， 导电能力差。Si：1.43×1010cm-3 Ge：2.38×1013cm-3
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二、杂质半导体
掺入微量杂质，可使半导体导电性能大大增强。按 掺入杂质元素不同，可形成N型半导体和P型半导体。
晶体结构是指晶体的周期性
§1.1 半导体基础知识
结构。即晶体以其内部原子、 离子、分子在空间作三维周
一、本征半导体
期性的规则排列为其最基本 的结构特征
纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。
1、半导体
根据材料的导电能
si
力，可以将他们划分为
GGee
导体、绝缘体和半导体。
典型的半导体是硅Si和 锗Ge，它们都是四价元
i
u IZmin
正向导通与
一定值时，稳压管就不会因发 热而损坏。
二极管相同 等效电路：
D1
u
符号：
D2
UZ rz
DZ
2、主要参数
（1）稳压值UZ；
（2）稳定电流IZ（IZmin）：电流小于此值时稳压效
模电童诗白课件ppt
选用电子器件需要根据电路需求和性 能指标，选择合适的型号和规格，以 确保电路的正常工作和稳定性。
电子器件的特性
电子器件的特性包括伏安特性、频率 特性、时间常数等，这些特性决定了 电子器件在电路中的行为和功能。
放大电路基础
放大电路的作用
放大电路的作用是将微弱的电信号放大成较强的信号，以满足各种 应用需求，如音频放大、视频处理等。
反馈电路
反馈的概念和分类
反馈是指将电路的输出信号反馈 到输入端，以改变电路的性能。 根据反馈的性质，可以分为正反
馈和负反馈。
反馈电路的分析
通过使用方框图、根轨迹法和频 率响应等方法，对含有反馈的模
拟电路进行分析。
反馈的应用
研究反馈在模拟电路中的应用， 如放大器、振荡器和滤波器等， 以及如何通过反馈来改进电路的
，例如手机芯片、MEMS传感器等。
03
微纳电子学的发展趋势
随着技术的不断发展，微纳电子学正朝着更高集成度、更低功耗、更小
尺寸等方向发展，为信息技术领域带来更多的创新和突破。
绿色能源电子学
绿色能源电子学概述
绿色能源电子学是研究利用可再生能源进行电力转换和应用的科学，旨在促进可持续发展 。
绿色能源电子学的应用
模电童诗白课件
汇报人： 202X-12-30
目录
• 引言 • 模拟电子技术基础 • 模拟电路分析 • 模拟电路应用 • 模拟电子技术发展前沿
引言
课程简介
模电童诗白课件是一门针对儿童学习 模拟电路的课程，通过简单易懂的方 式向儿童介绍模拟电路的基本概念、 原理和应用。
该课程以儿童易于理解的语言和情势 ，通过生动有趣的课件，激发儿童对 模拟电路的兴趣和好奇心，培养他们 的科学素养和创新能力。
模拟电子技术基础童诗白第3版习题答案第八章
第八章 波形的发生和信号的转换自测题一、（1）√ （2）× （3）× （4）× 二、（a ）加集电极电阻R c 及放大电路输入端的耦合电容。
（b ）变压器副边与放大电路之间加耦合电容，改同铭端。
三、④、⑤与⑨相连，③与⑧相连，①与⑥相连，②与⑦相连。
四、（1）正弦波振荡电路 （2）同相输入过零比较器 （3）反相输入积分运算电路 （4）同相输入滞回比较器 五、图（b＝±0.5 U 。
六、（1）A 1：滞回比较器；A 2：积分运算电路。
（2）（3）)()(2000)()(11O 12O11O 12O14O t u t t u t u t t uCR u +--=+--= （4）（5）减小R 4、C 、R 1，增大R 2。
习题8.1 （1）√ （2）× （3）× （4）× （5）× （6）√ 8.2 （1）× （2）√ （3）√ （4）× （5）√ （6）×8.3 （1）A （2）B （3）C8.4 （1）B A C （2）B C A （3）B 8.5 （a ）可能产生正弦波振荡。
因为共射放大电路输出电压和输入电压反相（φA ＝－180o ），而三级移相电路为超前网络，最大相移为＋270o ，因此存在使相移为＋180o （φF ＝＋180o ）的频率，即存在满足正弦波振荡相位条件的频率f 0（此时φA ＋φF ＝0o ）；且在f ＝f 0时有可能满足起振条件F A＞1，故可能产生正弦波振荡。
（b ）可能产生正弦波振荡。
因为共射放大电路输出电压和输入电压反相（φA ＝－180o ），而三级移相电路为滞后网络，最大相移为－270o ，因此存在使相移为－180o （φF ＝＋180o ）的频率，即存在满足正弦波振荡相位条件的频率f 0（此时φA ＋φF ＝－360o ）；且在f ＝f 0时有可能满足起振条件F A＞1，故可能产生正弦波振荡。
模拟电子技术基础童诗白第三版共61页文档
51、没有哪个社会可以制订一部永远 适用的 宪法， 甚至一 条永远 适用的 法律。 ——杰 斐逊 52、法律源于人的自卫本能。——英 格索尔
53、人们通常会发现，法律就是这样 一种的 网，触 犯法律 的人， 小的可 以穿网 而过， 大的可 以破网 而出， 只有中 等的才 会坠入 网中。 ——申 斯通 5；它的 每一块 砖石都 垒在另 一块砖 石上。 ——高 尔斯华 绥 55、今天的法律未必明天仍是法律。 ——罗·伯顿
66、节制使快乐增加并使享受加强。 ——德 谟克利 特 67、今天应做的事没有做，明天再早也 是耽误 了。——裴斯 泰洛齐 68、决定一个人的一生，以及整个命运 的，只 是一瞬 之间。 ——歌 德 69、懒人无法享受休息之乐。——拉布 克 70、浪费时间是一桩大罪过。——卢梭
模拟电子技术(童诗白)基础习题答案
第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。
求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。
试问：(1)R b =50k Ω时，U o=?(2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
Word版——模拟电子技术基础第三版童诗白华成英主编课后习题答案
第一章 半导体基础知识自测题一、（1）√）√ （2）×）× （3）√）√ （4）×）× （5）√）√ （6）×）×二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
略。
六、1、V2V mA 6.2μA 26V C C CC CEB C bBEBB B =-====-=R I U I I RU I b U O ＝U CE ＝2V 。
2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以，所以W»-====-=k 4.45V μA 6.28mA86.2V BBEBB b CB c CESCC C I U R I I R U I b七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。
：可变电阻区。
习题1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
烧坏。
1.3 u i 和u o 的波形如图所示。
的波形如图所示。
1.4 ui 和u o 的波形如图所示。
的波形如图所示。
ttu u OOi o /V/V1010tu O i /V53-3tu O O /V3.7-3.7L )tu OI1/V30.3tu OI2/V30.3tu OO /V3.71tu 0I /V63tu 0O1/V3tu 0O2/V3管号管号T 1 T 2 T 3 T 4 T 5 T 6 上 e c e b c b 中 b b b e e e 下c e c c b c 管型管型PNP NPN NPN PNP PNP NPN 材料材料Si Si Si Ge Ge Ge ，b BE CC BE CC --R U V U V BEI I GS)1.01mA5mA(a)(b))U LI I U b be L Lb R R RU U 123io ..R R U U 14io..R U 2i.U o.U i.U o.R L(a)(b)(c)(d)R 4R 3 L o b 22L c b1Ib 32 2[)be 4 4122be22 +b b L e e b b be sL c b b iL c iU U 2DQDSS GSD¶IIU u mA 2DO DQ I I U+BEQ4E4E4I U R I {}c4e4be4c2b b b{}2be23232be221b b b 42be2321b b 322be221]b b b ∥82)b 322be2b b42be211b b 42be231b b 2be 4b WO c W c W O)2( )2+D b b bW c WW R R b I2I1r b LOL b )2L{}{}6be57554be46454be421)1(b b b b b +R 2oCEQ CC -u AU V RC BBE BE4CC b b 2C0EBCC =I b )DS2O u u u D D Ou u()(DS4uOD D Oc23be c12eb' i00bb))()())()(f f f f f 或1C r R R C R R r r ))())(10f f f ))())(f f f 31.1 )Hf))(10f f ))(5f f f fsb s 211ttI Us bs e b'e b'i ))()16(i f f R10121 ))()(5f ，，所以＞32131 ＜＜－1R U U 1U 1U U 11U 21U 923o o 2o o o o 2o o L L o L o o L 87942L 87o o 4o o L 1L 4o o )R U U u i ↑←↑←＞＞321321321321即F，代入数据f 6f 1f1＞A+-i I(1)(2)(3)(4)A+-u O+-R RR Lu O u IA+-R R u Ou I12A+-+-R R Lu O R i I121U U U RRr U iiono....I iC R R R U U f i f o f i o i i 1))w w ，∥fod f id f o f o f fid f id od F i OO 11)(A R r A R u u -D A+-RR u Ou IffR R i整个电路的输入电阻约为（R ＋R f /A od ）。
《模拟电子技术基础》教材-童诗白解析
2021/7/2
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一、模拟电路简介 1. 模拟电路和数字电路 模拟电路是一种信号处理电路，一般可视为双口网络。
输入信号按时间可分为连 续时间信号( 模拟信号 )和离 散时间信号( 数字信号) 。
ui 模拟电路 uO
处理模拟信号的电子电路称为模拟电路,电路中的晶体 管工作在线性放大状态。
VLSI —— 超大规模集成电路
上世纪90年代电子技术就进入了超大规模集成电路电 子时代。集成电路的发展促进了电子学、特别是数字电 路和微型计算机的发展，人类社会开始迈进信息时代。
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三. 摩尔定律 集成电路的发展遵从摩尔定律 摩尔定律：集成电路中的晶体管数目每两年增加一倍； CPU性能每18个月增加一倍。
1. PN结加正向电压时
正向电压使PN结内 建电场减弱，空间电 荷区变薄, 产生较大的 正向扩散电流。
•低电阻
•大的正向扩散电流
PN结加正偏时的导电情况
•扩散大于飘移，正向电流大，PN结导通。
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2. PN结加反向电压时
外加电场与PN结内建电场方向一致，使PN结空间电荷区变 宽，扩散电流趋于零，只存在少数载流子的漂移 ,形成反向饱 和电流，其数值很小，一般为微安（A）数量级。
PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有 很小的反向漂移电流，处于截止状态。
由此可以得出结论：PN结具有单向导电 性。
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三. PN结电流方程
u
i IS(eUT 1)
式中
iD +
D
uD
−
IS ——反向饱和电流
i
UT ——温度的电压当量
《模拟电子技术基础》(童诗白)课后习题答案
模拟电子技术基础第 1 章常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价B. 四价C. 三价(2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大B.不变C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大；B.不变；C.减小1.2电路如图P1.2 所示，已知u i = 10sinωt (V)，试画出u i 与u o 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：u i 与u o 的波形如解图Pl.2 所示。
1.3电路如图P1.3 所示，已知u i =5sinωt(V)，二极管导通电压U D=0.7V。
试画出u i 与u o 的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.4电路如图P1.4 所示, 二极管导通电压U D=0.7V,常温下U T≈ 26mV ，电容C 对交流信号可视为短路；u i 为正弦波，有效值为10mV。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流I D = (V −U D ) / R = 2.6mA其动态电阻:r D ≈U T / I D =10Ω图 P1.4故动态电流的有效值： I d = U i / r D ≈1mA1.5 现有两只稳压管，稳压值分别是 6V 和 8V ，正向导通电压为 0.7V 。
试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得 4 种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。
(2)并联相接可得 2 种：0.7V ；6V 。
模拟电子技术基础第三版清华大学童诗白华成英主编
=20lg(AOd / AOc ) AOd＝1时的频率
duO / dt max
Input Offset Voltage
0.4 V /s
2 mV 30 nA 150 nA VCC－1.5
0.5
1 20 80 VCC
2.5
5 0.2 1 VCC－2
22
I B1 I B2
( I B1 I B 2 ) / 2
I C 13
2
I R 0.52mA
14
4.2.3 电流源负载放大电路Active Load Circuit
为了提高电路的增益Au，用电流源替代Rc/Rd。 一. 有源负载共射电路 基本共射电路 有源负载电路 实际电路 微变等效电路
T2、T3没有输入信号， 受控源开路。
电路增益 rce1 // rce2 // RL Au 1 Rb rbe1
U BE 0 U BE 1 U T ln(
IR
IC1
)
电路参数设计举例：
设: VCC＝15V，UBE0＝0.7V， IR＝1 mA。 则：R＝14.3 k 若要求：IC1＝20 A 则：Re＝5.09 k
UT IR IC1 ln( ) I Re C1 VCC U BE 0 其中， IR R
2 2 2 1 = IC 2 (1 )(2 )
IC 2
2 2 2 IR 2 2
11
三. 多路电流源
同时有多路电流输出。
1. 基于比例电流源 各BJT的UBE近似相等，有：
I E 0 Re 0 I E1 Re1 I E 2 Re 2 I E 3 Re 3
最大共模输入电压UIcmax KCMR下降 最大差模输入电压UIdmax 差分管击穿
模拟电子技术基础课件(童诗白)第四章
IREF Ic
R T0 ΣIB T Re Re 1 Ic1 T1 Re 2 Ic2 T2
IC 1 ≈ I E 1
Ic3 T3 Re 3
Re = I REF Re 1
Re = I REF Re 2
IC 2 ≈ I E 2
IC 3 ≈ I E 3
Re = I REF Re 3
多集电极管构成的多路电流源
V CC−U BE IR = R = I CO + 2 I B 0 = I CO + 2 I CO = I CO
IBO
IB1
β β +2
IC1 ICO
β
IR
IC1 IR
I C 1 = I CO ≈ I R
( β >> 2)
T
UR(IRR)
UB
IB0
二、比例电流源பைடு நூலகம்
Vcc IR ICO T0 ReO IBO IEO IB1 IE1 T1 Re1 R 2IB1 IC1
I E 0 Re 0 ≈ I E 1 Re1
β >> 2时有I EO ≈ I R
Reo IC1 = IR Re1 VCC − U BEO IR ≈ R + Reo
＃此电路有更好 的温度稳定性？
三、微电流源
Vcc IR ICO T0 IBO IB1 IE1 R IBO +IB1 IC1
U BEO − U BE1 I C 1 ≈ I E1 = Re
omccces差模开环放大倍数42集成运放中的电流源电路421基本电流源电路一镜像电流源电路b12ib1cocob12ib1eoccbeo此电路有更好的温度稳定性
第四章
集成运算放大器
模拟电子技术基础实验指导书(童诗白)
实验一常用电子仪器的使用及电子元器件的识别与检测一﹑实验目的1、熟悉模拟电子技术实验中常用电子仪器的功能，面板标识，及各旋扭，换档开关的用途。
2、初步掌握用示波器观察正弦波信号波形和测量波形参数的方法，学会操作要领及注意事项，正确使用仪器。
3、初步认识本学期实验用的全部器件,学习常用电子元器件的识别及用万用表检测和判断它们的好坏与管脚，并测量其值。
4、了解元器件数值的标注方法（直标法﹑文字符号法﹑色标法），电路中元件数值的标注方法及元件的标注﹑符号﹑单位和换算。
二、实验仪器1、双踪示波器2、多功能信号发生器3、数字交流毫伏表4、数字万用表三、预习要求1、认真阅读本实验指导书的附录一及附录二。
2、认识本实验的仪器，了解其功能。
面板标识及换档开关与显示。
四、实验内容及步骤实验电子仪器框图图 1-1(1) 实验内容1.常用电子仪器的使用:1)将信号发生器调至频率f = 1000Hz 电压V = 100mv的正弦波电压输出。
2)用数字毫伏表测量信号发生器是否为100mv(有效值)。
3)用示波器通道1经测量探头输入。
测量信号发生输出是否为正弦电压,其峰___峰值Vpp = 2×√2 ×100 = 282mv。
频率f=1000Hz（即周期T = 1/f = 100ms）注意：a．使用时，将所有仪器接地端联接在一起，即“共地”，否则可能引起外界干扰，导致测量误差增大。
b.调节示波器旋扭,使图形亮度适中,线条清晰。
c.调节示波器同步旋扭,使图形大小适中,稳定。
4)改变信号发生器输出的正弦波频率与电压大小,在下面的三个频率和三个幅度附近任选三个组合，重新观察,测量。
记录下读数。
频率：500Hz ； 2KHz ； 100KHz ；幅度：100mV ； 1.8V ； 10V ；记录表格：2.各种常用电子元器件识别与检测:1)电阻的测量。
用实际元件为例，进行色环电阻单位换算并用万用表测量电阻和电位器的阻值。
模拟电子技术基础（童诗白华成英）课后答案第7章
第七章信号的运算和处理自测题一、判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果。
（1）运算电路中一般均引入负反馈。
（）（2）在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。
（）（3）凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
（）（4）各种滤波电路的通带放大倍数的数值均大于1。
（）解：（1）√（2）×（3）√（4）×二、现有电路：A. 反相比例运算电路B. 同相比例运算电路C. 积分运算电路D. 微分运算电路E. 加法运算电路F. 乘方运算电路选择一个合适的答案填入空内。
（1）欲将正弦波电压移相＋90O O，应选用。
（2）欲将正弦波电压转换成二倍频电压，应选用。
（3）欲将正弦波电压叠加上一个直流量，应选用。
（4）欲实现A u＝－100的放大电路，应选用。
（5）欲将方波电压转换成三角波电压，应选用。
（6）欲将方波电压转换成尖顶波波电压，应选用。
解：（1）C （2）F （3）E （4）A （5）C （6）D 三、填空：（1）为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用滤波电路。
（2）已知输入信号的频率为10kHz～12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用滤波电路。
（3）为了获得输入电压中的低频信号，应选用滤波电路。
（4）为了使滤波电路的输出电阻足够小，保证负载电阻变化时滤波特性不变，应选用滤波电路。
解：（1）带阻（2）带通（3）低通（4）有源第七章题解－1四、已知图T7.4所示各电路中的集成运放均为理想运放，模拟乘法器的乘积系数k 大于零。
试分别求解各电路的运算关系。
图T 7.4 解：图（a ）所示电路为求和运算电路，图（b ）所示电路为开方运算电路。
它们的运算表达式分别为I 3142O 2O43'O 43I 12O2O1O I343421f 2I21I1f O1 )b (d 1 )1()( )a (u R kR R R u ku R R u R R u R R u t u RCu u R R R R R R R u R u R u ⋅=⋅−=−=−=−=⋅+⋅+++−=∫∥第七章题解－2习题本章习题中的集成运放均为理想运放。
《模拟电子技术(童诗白)》课件
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二、杂质半导体
掺入微量杂质，可使半导体导电性能大大增强。按
掺入杂质元素不同，可形成N型半导体和P型半导体。
1、N型半导体 在本征半导体中掺入微量五价元素。
动态平衡：在一定温度下，本征激发产生的“电
子空穴对”，与复合的“电子空穴对”数目相等，达
到动态平衡。在一定温度下，载流子的浓度一定。
《模拟电子技术(童诗白)》
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本征半导体载流子浓度为：
n i p i K 1 T 3 /2 e E G O /(2 k T ) 其中ni和 ：pi分别是自由电 的子 浓和 度 cm 空 3（ ）穴
+4
+4 +4
3、本征半导体中的两种载流子
载流子：能够自由移动的带电粒子。
载流子
自由电子 空穴
《模拟电子技术(童诗白)》
4、本征半导体中载流子的浓度
+4
+4
+4
本征激发：半导体在受热
或光照下产生“电子空穴对”
+4
+4
+4
的
现象称为本征激发。
+4
+4 +4
复合：自由电子填补空穴，使两者消失的现象称
为复合。
《模拟电子技术(童诗白)》
晶体结构是指晶体的周期
§1.1 半导体基础知识
性结构。即晶体以其内部 原子、离子、分子在空间
一、本征半导体
作三维周期性的规则排列 为其最基本的结构特征
模拟电子技术基础童诗白第三版
Re
-VEE
图 3.3.3
长尾式差分放大电路
UCE1=UCE2≈UCC+UEE―(RC+2Re)IE1 Uo=0；
（动画avi\6-1.avi）
第三章 多级放大电路
2.对共模信号的抑制作用
共模信号的输入使两管集 电极电压有相同的变化。 所以
Rb1 + uI1
-
Rb2 + uI1
-
uoc uoc1 uoc2 0
光电耦合是以光信号为媒介来实现电信号的耦合和传递 的，因而其抗干扰能力强而得到越来越广泛的应用。 一、光电耦合
发光元件
图3.1.5光电耦合器及其传输特性
第三章 多级放大电路
二、光电耦合放大电路
图3.1.6光电耦合放大电路
目前市场上已有集成光电耦合放大电路，
具有较强的放大能力。
第三章 多级放大电路
3.2多级放大电路的动态分析
一、电压放大倍数
总电压放大倍数等于各级电压放大倍数的乘积，即
A A A A u u1 u2 un
其中， n 为多级放大电路的级数。
二、 输入电阻和输出电阻
通常，多级放大电路的输入电阻就是输入级的输入电 阻；输出电阻就是输出级的输出电阻。 具体计算时，有时它们不仅仅决定于本级参数，也与 后级或前级的参数有关。
3.直接耦合放大电路的特殊问题是什么？如何解决？
第 三 版 童 诗 白 4.差分放大电路与其它基本放大电路有什么区别？ 为什么它能抑制零点漂移？ 5.直接耦合放大电路输出级的特点是什么？如何根据 要求组成多级放大电路？
3.1 多级放大电路的耦合方式
将多个单级基本放大电路合理联接，构成多级放大电路
组成多级放大电路的每一个基本电路称为一级， 级与级之间的连接称为级间耦合。 四种常见的耦合方式：
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PNJunction
半导体的导电机理不同于其它物质，所以它 具有不同于其它物质的特点。例如：
当受外界热和光的作用时，
它的导电能力明显变化。
光敏器件
往纯净的半导体中掺入某些杂质，
会使它的导电能力和内部结构发生
版 童 诗 白
5.晶体管是通过什么方式来控制集电极电流的？场效 应管是通过什么方式来控制漏极电流的？为什么它 们都可以用于放大？来自1.1 半导体的基础知识
一、导体、半导体和绝缘体
导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属 一般都是导体。
绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡 皮、陶瓷、塑料和石英。
康华光主编，《电子技术基础》 模拟部分 第三版，高教出版社
陈大钦主编，《模拟电子技术基础问答：例题 • 试题》，华工出版社
.
目录
1 常用半导体器件
2 基本放大电路
3 多级放大电路
4 集成运算放大电路
5 放大电路的频率响应
6 放大电路中的反馈
第
三
7 信号的运算和处理
版
8 波形的发生和信号的转换
童
诗
9 功率放大电路
本征锗的电子和空穴浓度:
n = p =2.38×1013/cm3 .
小结
1. 半导体中两种载流子
带负电的自由电子 带正电的空穴
2. 本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现， 称为 电子 - 空穴对。
3. 本征半导体中自由电子和空穴的浓度用 ni 和 pi 表示，显然 ni = pi 。
4. 由于物质的运动，自由电子和空穴不断的产生又 不断的复合。在一定的温度下，产生与复合运动 会达到平衡，载流子的浓度就一定了。
.
自由电子浓度远大于空穴的浓度，即 n >> p 。 电子称为多数载流子(简称多子)， 空穴称为少数载流子(简称少子)。
.
二、 P 型半导体
在硅或锗的晶体中掺入少量的 3 价杂质元素，如 硼、镓、铟等，即构成 P 型半导体。
+4
+4
+4
3 价杂质原子称为
空穴
受主原子。
+4
+34
+4 受主
空穴浓度多于电子
原子
浓度，即 p >> n。空穴
为多数载流子，电子为
+4
+4
+4
少数载流子。
图 1.1.4 P 型半导体 .
说明：
1. 掺入杂质的浓度决定多数载流子浓度；温度决 定少数载流子的浓度。
2. 杂质半导体载流子的数目要远远高于本征半导 体，因而其导电能力大大改善。
3. 杂质半导体总体上保持电中性。
4. 杂质半导体的表示方法如下图所示。
P
N
电子和空穴
浓度差形成多数
载流子的扩散运
动。
2. 扩散运动 形成空间电荷区
耗尽层
P
空间电荷区
N
—— PN 结，耗 尽层。
5. 载流子的浓度与温度密切相关，它随着温度的升 高，基本按指数规律增加。
.
1.1.2 杂质半导体
杂质半导体有两种
N 型半导体 P 型半导体
一、 N 型半导体(Negative)
在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素，如 磷、锑、砷等，即构成 N 型半导体(或称电子型 半导体)。
常用的 5 价杂质元素有磷、锑、砷等。
三、本征半导体中的两种载流子
若 T ，将有少数价
T
电子克服共价键的束缚成
为自由电子，在原来的共 +4
+4
价 键 中 留 下 一 个 空 位 ——
空穴。
空穴
自由电子和空穴使本 +4
+4
征半导体具有导电能力，
但很微弱。
+4
+4
+4 自由电子
+4
+4
空穴可看成带正电的 载流子。
图 1.1.2
.
本征半导体中的 自由电子和空穴
白
10 直流电源
第一章 常用半导体器件
1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 双极型晶体管 第 1.4 场效应管
三
版 1.5 单结晶体管和晶闸管
童
诗 1.6集成电路中的元件
白
本章重点和考点：
1.二极管的单向导电性、稳压管的原理。
2.三极管的电流放大原理， 如何判断三极管的管型 、管脚和管材。
变化。
二极管
.
二、本征半导体的晶体结构
完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导体
称为本征半导体
+4
+4
+4
将硅或锗材料提
纯便形成单晶体，
共 价
它的原子结构为 键
+4
+4
价 电 子
+4
共价键结构。
+4
当温度 T = 0 K 时，半导 体不导电，如同绝缘体。 图 1.1.1
.
+4
+4
本征半导体结构示意图
第
3.场效应管的分类、工作原理和特性曲线。
三
版
童
诗
白
本章讨论的问题：
1.为什么采用半导体材料制作电子器件？
2.空穴是一种载流子吗？空穴导电时电子运动吗？
3.什么是N型半导体？什么是P型半导体？ 当二种半导体制作在一起时会产生什么现象？
第
4.PN结上所加端电压与电流符合欧姆定律吗？它为什么
三
具有单向性？在PN结中另反向电压时真的没有电流吗？
莆田学院三电教研室－－模拟电路多媒体课件
第一章 常用半导体器件
模拟电子技术基础
Fundamentals of Analog Electronics
童诗白、华成英 主编
—多媒体教学课件
.
1. 成绩评定标准
理论： 平时成绩30％
作业、期中考、考勤、提问 等
期末考试
70 %
2. 教学参考书
童诗白主编，《模拟电子技术基础》 第二版，高教出版社
（动画1-1）（动画1-2）
四、本征半导体中载流子的浓度
本征激发(见动画) 复合
动态平衡
在一定温度下本征半导体中载流子的浓度是一定的， 并且自由电子与空穴的浓度相等。
本征半导体中载流子的浓度公式：
ni= pi= K1T3/2 e -EGO/(2KT)
T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度:
n = p =1.43×1010/cm3
(a)N 型半导体
(b) P 型半导体
图 杂质半导体的的简化表示法
.
1.1.3 PN结
在一块半导体单晶上一侧掺杂成为 P 型半导体，另 一侧掺杂成为 N 型半导体，两个区域的交界处就形成了 一个特殊的薄层，称为 PN 结。
一、PN 结的形成
P
PN结
N
图 PN 结. 的形成
PN 结中载流子的运动
1. 扩散运动
.
本征半导体掺入 5 价元素后，原来晶体中的某些 硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有 5 个价 电子，其中 4 个与硅构成共价键，多余一个电子只受 自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。
.
+4
+4
+4
自由电子
+4
+45
+4
施主原子
+4
+4
+4
图 1.1.3 N 型半导体
5 价杂质原子称为施主原子。